模拟电子技术基础知识讲解
模拟电子技术基础章节总结
模拟电子技术基础章节总结模拟电子技术基础章节总结篇一：模拟电子技术基础总结第一章晶体二极管及应用电路一、半导体知识1．本征半导体·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。
前者是制造半导体ic的材料（三五价化合物砷化镓Gaas 是微波毫米波半导体器件和ic的重要材料）。
·纯净（纯度>7n）且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。
在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发或产生）（图1-3）。
本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。
温度越高，本征激发越强。
·空穴是半导体中的一种等效?q载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶格中的空位，使局部显示?q电荷的空位宏观定向运动（图1-4）。
·在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。
复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。
2．杂质半导体·在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后形成n型（或P型）杂质半导体（n型：图1-5，P型：图1-6）。
·在很低的温度下，n型（P型）半导体中的杂质会全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）。
·由于杂质电离，使n型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。
·在常温下，多子>>少子（图1-7）。
多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；两少子浓度是温度的敏感函数。
·在相同掺杂和常温下，Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。
3．半导体中的两种电流在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流（这与金属导电一致）；还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
4．Pn结·在具有完整晶格的P型和n型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——Pn结（图1-8）。
模拟电子技术重点笔记
模拟电子技术重点笔记一、半导体基础知识半导体材料，如硅（Si）和锗（Ge），在现代电子技术中扮演着至关重要的角色。
它们的导电性能介于导体和绝缘体之间。
在纯净的半导体中，掺入微量的杂质可以显著改变其导电性能。
这就是所谓的掺杂。
N 型半导体中，多数载流子是电子；P 型半导体中，多数载流子是空穴。
PN 结是半导体器件的核心结构。
当 P 型半导体和 N 型半导体结合时，会形成一个空间电荷区，产生内建电场。
PN 结具有单向导电性，正向偏置时导通，反向偏置时截止。
二、二极管二极管是最简单的半导体器件之一。
其主要特性就是单向导电性。
常见的二极管有整流二极管、稳压二极管、发光二极管等。
整流二极管用于将交流电转换为直流电。
在选择整流二极管时，需要考虑最大整流电流和最高反向工作电压等参数。
稳压二极管则能在一定的电流范围内，保持其两端的电压稳定。
发光二极管能够将电能直接转化为光能，广泛应用于指示灯、显示屏等领域。
三、三极管三极管分为 NPN 型和 PNP 型。
它具有电流放大作用。
要使三极管处于放大状态，需要满足发射结正偏，集电结反偏的条件。
三极管的三个电极电流存在着关系：IE ＝ IC ＋ IB 。
三极管的性能参数包括电流放大倍数、集电极最大允许电流、集电极发射极反向击穿电压等。
四、基本放大电路共射极放大电路是最常见的一种放大电路。
它能够将微弱的输入信号放大。
在分析放大电路时，通常采用直流通路和交流通路。
直流通路用于确定静态工作点，交流通路用于分析交流信号的放大情况。
静态工作点的设置对放大电路的性能有着重要影响。
如果静态工作点不合适，可能会导致失真。
放大电路的性能指标包括电压放大倍数、输入电阻和输出电阻等。
五、集成运算放大器集成运放具有高增益、高输入电阻和低输出电阻等特点。
理想运放工作在线性区时，存在“虚短”和“虚断”的概念。
运放可以构成比例运算电路、加法运算电路、减法运算电路等。
在实际应用中，需要考虑运放的电源、输入输出范围等因素。
模拟电子技术基础完整版
rD 正向约为几-几十
第一章
半导体器件
半导体物理基础知识
电子—空穴对 当T 或光线照射下,少数价电子因热激发而获得 足够的能量挣脱共价键的束缚 ,成为自由电子. 同时在原来的共价键中留下一个空位称 空穴 在本征半导体中电子和空穴是成对出现的 本征半导体在热或光照射作用下, 产生电子空穴对-----本征激发 T↑光照↑→电子-空穴对↑→导电能力↑ 所以 半导体的导电能力 与 T，光照 有关
§1.1 PN结及二极管
二 PN结的特征——单向导电性 1.正向特征—又称PN结正向偏置 外电场作用下多子 推向耗尽层，使耗尽 层变窄，内电场削弱 扩散 > 漂移 从而在外电路中出现 了一个较大的电流 称 正向电流
Vb
V
§1.1 PN结及二极管
在正常工作范围内，PN结上外加电压 只要有变化，就能引起电流的显著变化。 ∴ I 随 V 急剧上升，PN结为一个很 小的电阻（正向电阻小） 在外电场的作用下，PN结的平衡状态 被打破，使P区中的空穴和N区中的电子 都向PN结移动，使耗尽层变窄
单向导电 性
§1.1 PN结及二极管
3.PN结伏安特性表示式
Is —— 反向饱和电流
决定于PN结的材料，制造工艺、温度 UT =kT/q ---- 温度的电压当量或热电压 当 T=300K时, UT = 26mV K—波耳兹曼常数 T—绝对温度 q—电子电荷 u—外加电压 U 为反向时，且
模拟电子技术基础
模拟电子技术基础模拟电子技术基础（一）一、基础概念1. 电路电路是由电子元器件或者电气元件（例如，电阻、电容、电感等）连接而成，构成的电子装置。
电路分为直流电路和交流电路，其中直流电路的电流一般是恒定不变的，而交流电路的电流则是周期性变化的。
2. 元器件元器件是电路中最基本的构成单元，包括电阻、电容、电感等。
不同的元器件对电路中的电信号具有不同的影响。
例如，电阻会阻碍电流的流动，而电容则会将电信号存储下来，并释放出来。
3. 电压、电流和电阻电压是电路中电子流动的驱动力，也称电势差，通常用符号V表示。
电压越高，电流也相应地越大。
电压的单位是伏特（V）。
电流是电子在电路中流动的数量，通常用符号I表示。
电流的单位是安培（A）。
电阻是电路中阻碍电流流动的因素，通常用符号R表示。
电阻的单位是欧姆（Ω）。
电阻的大小越大，则电流通过电路的速度越慢。
4. 电路图电路图是用符号表示电路中各种元器件的图示。
通过电路图，我们可以识别电路中所使用的元器件，并了解电路中各元器件之间的连接关系。
二、基础元器件1. 电阻电阻是电路中最基本的元器件之一，其作用是阻碍电流的流动。
电阻的物理量是电阻值，通常用符号R表示。
电阻的单位是欧姆（Ω）。
电阻分为固定电阻和变阻器两种。
固定电阻一般以芯片电阻或线圈形式存在，主要是用来控制电路中的电流。
变阻器则被用来调节电路中电阻的大小。
2. 电容电容是能够将电能存储在其中的元器件。
电容器的物理量是电容值，通常用符号C表示。
电容的单位是法拉（F）。
电容一般分为电解电容和固体电容。
电解电容主要应用于大电容电路中，而固体电容一般应用于小电容电路中。
3. 电感电感是在电路中产生磁场并由此引起电动势的元器件。
电感的物理量是电感值，通常用符号L表示。
电感的单位是亨利（H）。
电感一般分为线圈电感和铁芯电感两种。
线圈电感主要应用于高频电路中，而铁芯电感则应用于低频电路中。
三、放大器放大器是一种能够放大电子信号的电路。
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。
2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。
3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。
三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。
2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。
3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。
4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。
四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。
2.开关---控制大电流的通断。
3.振荡器---产生高频信号。
4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。
模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。
2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。
5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。
6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。
7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。
8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。
二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。
1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。
2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。
3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。
三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。
模拟电子技术重点笔记
模拟电子技术重点笔记一、半导体基础知识在模拟电子技术中，首先要了解半导体的特性。
半导体材料，如硅和锗，其导电性介于导体和绝缘体之间。
半导体中的载流子有自由电子和空穴。
本征半导体，即纯净的半导体，在一定温度下，自由电子和空穴的浓度相等。
而杂质半导体，通过掺入不同杂质，可以形成 N 型半导体（多数载流子为电子）和 P 型半导体（多数载流子为空穴）。
PN 结是半导体器件的核心结构。
当 P 型半导体和 N 型半导体结合时，会形成空间电荷区，产生内建电场。
PN 结具有单向导电性，正向偏置时导通，反向偏置时截止。
二、二极管二极管是由一个 PN 结加上电极和封装构成的。
其伏安特性是非线性的，正向导通时，电压超过开启电压后，电流迅速增加；反向截止时，只有很小的反向饱和电流。
二极管的主要参数包括最大整流电流、最高反向工作电压等。
在实际电路中，二极管常用于整流、限幅、钳位等。
例如，在整流电路中，利用二极管的单向导电性，将交流电压转换为直流电压。
三、三极管三极管是一种具有放大作用的半导体器件，分为NPN 型和PNP 型。
三极管的三个电极分别是基极（b）、集电极（c）和发射极（e）。
要使三极管处于放大状态，需要满足发射结正偏，集电结反偏的条件。
三极管的特性曲线包括输入特性曲线和输出特性曲线。
输出特性曲线分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。
在放大电路中，三极管通过对基极电流的控制来实现对集电极电流的放大。
四、基本放大电路基本放大电路有共射极放大电路、共集电极放大电路和共基极放大电路。
共射极放大电路的电压放大倍数较大，输入输出信号反相；共集电极放大电路的电压放大倍数接近 1，输入输出信号同相，具有电流放大和功率放大作用，常用于阻抗匹配；共基极放大电路的频率特性较好，适用于高频电路。
放大电路的性能指标包括放大倍数、输入电阻、输出电阻、通频带等。
为了改善放大电路的性能，常常引入负反馈。
负反馈可以提高放大电路的稳定性、减小非线性失真、扩展通频带等。
模拟电子技术基础课件(全)
04
模拟电子电路分析
模拟电路的组成
负载
电路的输出部分，可以是电阻、 电容、电感等元件。
开关
控制电路的通断。
电源
为电路提供所需电压和电流。
传输线
连接电源和负载的导线或传输 介质。
保护元件
如保险丝、空气开关等，保护 电路免受过载或短路等故障的 影响。
模拟电路的分析方法
01
02
03
04
欧姆定律
用于计算电路中的电流和电压 。
稳定性影响因素
电路中的元件参数、电源电压、负载变化等 都会影响电路的稳定性。
稳定性分析方法
通过计算电路的极点和零点，分析系统的稳 定性。
提高稳定性的措施
如采用负反馈、调整元件参数等手段，提高 电路的稳定性。
05
模拟电子技术的应用
音频信号处理
音频信号放大
模拟电子技术可以用于放大音频 信号，提高声音质量，使声音更 加清晰和饱满。
技术进步与创新
绿色与可持续发展
随着科技的不断发展，模拟电子技术 也在不断创新和进步。新型材料、工 艺和设计方法的应用将进一步提高模 拟电路的性能和集成度。
在环保意识日益增强的背景下，模拟 电子技术将更加注重绿色、节能和可 持续发展，推动产业向低碳、环保的 方向发展。
与其他技术的融合
模拟电子技术正与其他领域的技术相 互融合，如人工智能、物联网和生物 医疗等，为各种应用场景提供更高效、 更智能的解决方案。
欧姆定律和基尔霍夫定律是电 路分析的基本定律，对于理解 和分析电路具有重要的作用。
电路分析方法
支路电流法
通过设定未知的电流为变量，建立并解决包含这些变量的线性方程组 来求解电路的方法。
(完整版)模拟电子技术基础_知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
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常用半导体器件一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（×）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（×）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（×）（5）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（√）二、选择正确答案填入空内。
（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（4）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A C 。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管（5）在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体，加入 C 元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A 。
A. 增大B. 不变C. 减小（7）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
图T1.4五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。
图T1.5六．测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1.6所示，它们的开启电压也在表中。
试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区)，并填入表内。
表T1.6基本放大电路一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
(√)（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，(√)它只能放大交流信号。
(×) （3）直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，(√)它只能放大直流信号。
(×)（4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
(×)（5）互补输出级应采用共集或共漏接法。
( √)（6）在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。
( ×)（7）功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
(√)（8）当OCL电路的最大输出功率为1W时，功放管的集电极最大耗散功率应大于1W。
( ×)二、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路。
根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
（1）要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 A ，第二级应采用 A 。
（2）要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300，第一级应采用 D ，第二级应采用 A 。
（3）要求输入电阻为100kΩ～200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用B ，第二级应采用 A 。
（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用 D ，第二级应采用 B 。
（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且A u>1000，输出电阻R o＜100，第一级应采用 C ，第二级应采用 B 。
三、选择正确答案填入空内。
（1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 A 。
A.输入电压幅值不变，改变频率B.输入电压频率不变，改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化（2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 B ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 A 。
A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适（3）当信号频率等于放大电路的f L或f H时，放大倍数的值约下降到中频时的 B 。
A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍即增益下降 A 。
A.3dBB.4dBC.5dB（4）对于单管共射放大电路，当f ＝f L时，u o与u i的相位关系是 C 。
A.＋45˚B.－90˚C.－135˚当f ＝f H时，u o与u i的相位关系是 C 。
A.－45˚B.－135˚C.－225˚（5）功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大 A 。
A．交流功率B．直流功率C．平均功率（6）功率放大电路的转换效率是指 B 。
A．输出功率与晶体管所消耗的功率之比B．负载获得信号最大输出功率与电源提供的平均功率之比C．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比（7）在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为 C 。
A．1W B．0.5W C．0.2W（8）在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有 B D E 。
A．βB．I CM C．I CBO D．BU CEO E．P CM F．f T（9）若图T2.1所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U CES│，则最大输出功率P OM＝C 。
A．(U CC - U CES)2/2R L B．(U CC/2-U CES)2/R C．(U CC/2 - U CES)2/2R图T2.1 图T2.2四、分析下列说法是否正确，凡对者在括号内打“√”，凡错者在括号内打“×”。
1..功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是（1）都使输出电压大于输入电压；（×）（2）都使输出电流大于输入电流；（×）（3）都使输出功率大于信号源提供的输入功率。
（√）2..功率放大电路与电压放大电路的区别是（1）前者比后者电源电压高；（×）（2）前者比后者电压放大倍数数值大；（×）（3）前者比后者效率高；（√）（4）在电源电压相同的情况下，前者比后者的最大不失真输出电压大；（×）3..功率放大电路与电流放大电路的区别是（1）前者比后者电流放大倍数大；（×）（2）前者比后者效率高；（√）（3）在电源电压相同的情况下，前者比后者的输出功率大。
（√）五、已知电路如图P2.2所示，T1和T2管的饱和管压降│U CES│＝3V，U CC＝15V，R L＝8Ω。
选择正确答案填入空内。
1. 电路中D1和D2管的作用是消除 C 。
A．饱和失真B．截止失真C．交越失真2. 静态时，晶体管发射极电位U EQ B 。
A．＞0V B．＝0V C．＜0V3. 最大输出功率P OM C 。
A．≈28W B．＝18W C．＝9W4. 当输入为正弦波时，若R1虚焊，即开路，则输出电压 C 。
A．为正弦波B．仅有正半波C．仅有负半波5. 若D1虚焊，则T1管 A 。
A．可能因功耗过大烧坏B．始终饱和C．始终截止直接耦合放大电路一、选择合适答案填入空内。
（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是A C D 。
A. 电阻阻值有误差B. 晶体管参数的分散性C. 晶体管参数受温度影响D. 电源电压不稳定（2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 C 。
A. 便于设计B. 放大交流信号C. 不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是 A 。
A.克服温漂B. 提高输入电阻C.稳定放入倍数（4）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 A ，共模信号是两个输入端信号的 C 。
A. 差B. 和C. 平均值（5）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e，将使电路的 B 。
A. 差模放大倍数数值增大B. 抑制共模信号能力增强C. 差模输入电阻增大（6）互补输出级采用共集形式是为了使 C 。
A. 电压放大倍数大B. 不失真输出电压大C. 带负载能力强二、判断图P3.1所示各两级放大电路中，T1和T2管分别组成哪种基本接法的放大电路。
设图中所有电容对于交流信号均可视为短路，分别画出它们的交流等效电路。
图P3.1三、设图P3.2（a）（b）所示电路的静态工作点均合适，分别画出它们的交流等效电路，并写出Au、Ri和Ro的表达式。
（a）（b）图P3.2四、图P3.3所示电路参数理想对称，β1＝β2＝β，r be1＝r be2＝r be。
（1）写出R W的滑动端在中点时A d的表达式；（2）写出R W的滑动端在最右端时A d的表达式，比较两个结果有什么不同。
五、图P3.4所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，R bb，=100Ω，U BEQ ≈0.7。
试计算R W滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A ud和R i。
图P3.3图P3.4六、电路如图P3.5所示，T1管和T2管的β均为40，r be均为3kΩ。
试问：若输入直流信号u I1=20mv，u I2=10mv，则电路的共模输入电压u IC=？差模输入电压u Id=？输出动态电压△u O=?图P3.5 图P3.6集成运算放大器及应用一、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果。
（1）运算电路中一般均引入负反馈。
（）（2）在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（）（3）凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）（4）各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。
（）二、现有电路：A. 反相比例运算电路B. 同相比例运算电路C. 积分运算电路D. 微分运算电路E. 加法运算电路F. 乘方运算电路选择一个合适的答案填入空内。
（1）欲将正弦波电压移相＋90O，应选用 C 。
（2）欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用 F 。
（3）欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用 E 。
（4）欲实现A u＝－100的放大电路，应选用 A 。
（5）欲将方波电压转换成三角波电压，应选用 C 。
（6）欲将方波电压转换成尖顶波电压，应选用 D 。
三、填空：（1）为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用带阻滤波电路。
（2）已知输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用带通滤波电路。
（3）为了获得输入电压中的低频信号，应选用低通滤波电路。
（4）为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用有源滤波电路。