模电补充作业及答案
模电补充作业及答案2讲解
【4-1】电路如图所示，晶体管的β＝100，U BE＝0.7 V，饱和管压降U CES＝0.4 V；稳压管的稳定电压U Z＝4V，正向导通电压U D＝0.7 V，稳定电流I Z＝5 mA，最大稳定电流I ZM＝25 mA。
试问：（1）当u I为0 V、1.5 V、2.5 V时u O各为多少？（2）若R c短路，将产生什么现象？【相关知识】晶体管工作状态的判断，稳压管是否工作在稳压状态的判断以及限流电阻的作用。
【解题思路】（1）根据u I的值判断晶体管的工作状态。
（2）根据稳压管的工作状态判断u O的值。
【解题过程】（1）当u I＝0时，晶体管截止；稳压管的电流在I Z和I ZM之间，故u O＝U Z＝4 V。
当u I＝1.5V时，晶体管导通，基极电流假设晶体管工作在放大状态，则集电极电流由于u O＞U CES＝0.4 V，说明假设成立，即晶体管工作在放大状态。
值得指出的是，虽然当u I为0 V和1.5 V时u O均为4 V，但是原因不同；前者因晶体管截止、稳压管工作在稳压区，且稳定电压为4 V，使u O＝4 V；后者因晶体管工作在放大区使u O＝4 V，此时稳压管因电流为零而截止。
当u I＝2.5 V时，晶体管导通，基极电流假设晶体管工作在放大状态，则集电极电流在正电源供电的情况下，u O不可能小于零，故假设不成立，说明晶体管工作在饱和状态。
实际上，也可以假设晶体管工作在饱和状态，求出临界饱和时的基极电流为I B =0.18 mA ＞I BS ，说明假设成立，即晶体管工作在饱和状态。
（2）若R c 短路，电源电压将加在稳压管两端，使稳压管损坏。
若稳压管烧断，则u O ＝V CC ＝12 V 。
若稳压管烧成短路，则将电源短路；如果电源没有短路保护措施，则也将因输出电流过大而损坏 【方法总结】（1） 晶体管工作状态的判断：对于NPN 型管，若u BE ＞U on （开启电压），则处于导通状态；若同时满足U C ≥U B >U E ，则处于放大状态，I C ＝βI B ；若此时基极电流则处于饱和状态，式中I CS 为集电极饱和电流，I BS 是使管子临界饱和时的基极电流。
模电习题及解答
习 题3.1 在晶体管放大电路中，测得两个晶体管各个电极的电流如图P3.1所示，试分别标出各个晶体管的管脚e 、b 和c ；判断各晶体管是NPN 型还是PNP型；并分别估算它们的值。
( a)( b)图P3.1答：（a ）从左至右依次为b ， e ， c ，NPN ，40 （b ）从左至右依次为b ， c ， e ，PNP ，603.2用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图P3.2所示，试判断这些晶体管分别处于什么状态。
A ．放大B ．饱和C ．截止D ．损坏⑴ ； ⑵ ； ⑶ ； ⑷ ； ⑸ 。
图P3.2解：（1）A ；（2）A ；（3）C ；（4）D；（5）B3.3 某晶体管的输出特性如图P3.3(BR)CEO V 和P CM 。
4628图P3.31000.99，I CEO ＝10μA ，(BR)CEO V ≈55V ，P CM ≈100mW3.4电路如图P3.4所示，已知晶体管β＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设V C C ＝12V ，晶体管饱和管压降V C E S ＝0.5V 。
（1）正常情况 （2）R b 1短路 （3）R b 1开路（4）R b 2开路 （5）R C 短路CC图P3.4解：设V BE ＝0.7V 。
则 （1）基极静态电流V4.6mA 022.0c C CC CE b1BEb2BE CC B ≈-=≈--=R I V V R V R V V I（2）由于V BE ＝0V ，晶体管截止，V CE ＝12V 。
（3）由于基极电流 >≈-=mA 22.0 b2BE CC B R V V I mA 045.0 cCESCC ≈-R V V β故晶体管饱和，V CE ＝V CES ＝0.5V 。
（4）晶体管截止，V CE ＝12V 。
（5）由于集电极直接接直流电源，故V CE ＝V CC ＝12V 。
3.5 在图P3.5所示电路中，T 为硅晶体管，β＝50。
模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
1、两个管子都正接。
（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。
模电作业及答案
作业及答案第一章1、什么是P 型半导体、N 型半导体、PN 结？P 型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P 型半导体，亦可称为空穴型半导体。
主要靠空穴导电。
N 型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成N 型半导体，亦可称为电子型半导体。
主要靠自由电子导电PN 结：采用不同的掺杂工艺，将P 型半导体与N 型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN 结。
PN 结具有单向导电性。
2、简述PN 结的单向导电性。
在PN 结上外加一电压，如果P 型一边接正极，N 型一边接负极，电流便从P 型一边流向N 型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过，即PN 结外加正向电压时处于导通状态。
如果N 型一边接外加电压的正极，P 型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过，即PN 结外加反向电压时处于截止状态。
这就是PN 结的单向导电性。
3、简述PN 结的伏安特性。
如左图所示，当PN 结外加正向电压，电流i 随电压u 按指数规律变化；当PN 结外加反向电压，首先没有电流流过，但当反向电压增大到一定程度时，反向电流将急剧增加，将PN 结反向击穿。
P. 67四、已知稳压管的稳压值6V Z U =，稳定电流的最小值min 5mA Z I =。
求图T1.4所示电路中1o U 和2o U 各为多少伏。
解：(a) 1316V 2=1086(500102)6L oDZ L o R K U U V V U V R R K U V-Ω∴⨯=⨯=>=+⨯+Ω∴=只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，稳压管输出电压才为：(b) 226V 5=105(55)5L o L o R K U U V V R R K U VΩ∴⨯=⨯=++Ω∴=只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，稳压管输出电压才为：P. 69－70: 1.3，1.61.3 电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
模电训练题和答案第二章
【1】电路如图(a)所示。
设为A理想的运算放大器，稳压管DZ的稳定电压等于5V。
（1）若输入信号的波形如图(b)所示，试画出输出电压的波形。
（2）试说明本电路中稳压管的作用。
图(a) 图(b)【相关知识】反相输入比例器、稳压管、运放。
【解题思路】（1）当稳压管截止时，电路为反相比例器。
（2）当稳压管导通后，输出电压被限制在稳压管的稳定电压。
【解题过程】（1）当时，稳压管截止，电路的电压增益故输出电压当时，稳压管导通，电路的输出电压被限制在，即。
根据以上分析，可画出的波形如图(c)所示。
图(c)（2）由以上的分析可知，当输入信号较小时，电路能线性放大；当输入信号较大时稳压管起限幅的作用。
【2】在图(a)示电路中，已知, ，，设A为理想运算放大器，其输出电压最大值为，试分别求出当电位器的滑动端移到最上端、中间位置和最下端时的输出电压的值。
反馈类型？图(a)【相关知识】反相输入比例器。
【解题思路】当时电路工作闭环状态；当时电路工作开环状态。
【解题过程】（1）当的滑动端上移到最上端时，电路为典型的反相输入比例放大电路。
输出电压（2）当的滑动端处在中间位置时，画出输出端等效电路及电流的参考方向如图(b)所示。
图中。
图(b)由图可知以上各式联立求解得代入有关数据得（3）当的滑动端处于最下端时，电路因负反馈消失而工作在开环状态。
此时，反相输入端电位高于同相输入端电位，运放处于负饱和状态。
输出电压。
【3】电压－电流转换电路如图所示，已知集成运放为理想运放，R2＝R3＝R4＝R7＝R，R5＝2R。
求解i L与u I之间的函数关系。
【相关知识】集成运放工作在线性区的特点，“虚短”和“虚断”的分析方法，基本运算电路的识别。
【解题思路】（1）由图判断出集成运放A1和A2分别引入的局部电压反馈为负反馈。
（2）识别集成运放A1和A2分别组成的基本运算电路类型。
（3）根据运算电路类型以及“虚短”和“虚断”的分析方法分别求解u O1以及u O2的表达式，从而得到i L与u I之间的函数关系。
模电作业答案 (1)
第1章半导体二极管及其应用电路1．二极管电路如图1所示，设二极管是理想的。
试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出A、O两端电压U AO。
(a) (b)图1解：图a：对D1有阳极电位为0V，阴极电位为－12 V，故D1导通，此后使D2的阴极电位为0V，而其阳极为－15 V，故D2反偏截止，U AO=0 V。
图b：对D1有阳极电位为12 V，阴极电位为0 V，对D2有阳极电位为12 V，阴极电位为－6V．故D2更易导通，此后使V A＝－6V；D1反偏而截止，故U AO＝－6V。
2．电路如图2所示，设二极管为理想的，输入电压为正弦波，试分别画出各图输出电压的波形。
(a) (b)图2解：图（a）：图（b）：第2章 半导体三极管及其放大电路7．电路如图5(a)所示，晶体管的β＝80，r bb '=100Ω。
（1）分别计算R L ＝∞和R L ＝3k Ω时的Q 点，A us ，R i 和R o 。
（2）由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图4（b ）、（c ）、（d ）所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。
（3）若由PNP 型管组成的共射电路中，输出电压波形如图4（b ）、（c ）、（d ）所示，则分别产生了什么失真？(a)(b) (c)(d)图5解（1）在空载和带负载情况下，电路的静态电流、r be 均相等，它们分别为Ω≈++=≈=≈--=k 3.1mV26)1(mA76.1 Aμ 22EQbb'be BQ CQ BEQ bBEQCC BQ I r r I I R U R U V I sββ空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为Ω==-≈⋅+≈Ω≈≈=-≈-=≈-=k 593k 3.1308V 2.6 c o bes bebebe b i becc CQ CC CEQ R R A r R r A r r R R r R A R I V U uusu∥β R L ＝5k Ω时，静态管压降、电压放大倍数分别为LCQ cCEQR V I R U V CCCC =--∵∴V 3.2)(L c CQ Lc L CEQ ≈-+=R R I R R V R U CC∥47115 bes bebe 'L -≈⋅+≈-≈-=uusuA r R r A r R A βΩ==Ω≈≈=k 5k 3.1c o be be b i R R r r R R ∥（2）（a ）饱和失真，增大R b ，减小R c 。
模电(填空+选择+大题共224道)题目和答案
`0001 01A1在纯净的半导体中掺入5价元素杂质，形成（）型半导体，在此种半导体中多数载流子是（）。
`0002 01A1在纯净的半导体中掺入3价元素杂质，形成（）型半导体，在此种半导体中多数载流子是（）。
`0003 01A1PN结的导电特性是。
`0004 01A2为了使晶体管能有效地起放大作用，其管芯结构总是使：（1）发射区掺杂浓度；（2）集电结面积比发射结面积。
`0005 02A1夹断电压是（）型场效应管的参数，开启电压是（）型场效应管的参数。
`0006 02A1场效应管有（）种载流子导电，场效应管是（）控制（）型器件。
`0007 02A1共射放大电路中输出电压与输入电压相位。
`0008 02A1在放大电路中，晶体管通常工作在工作区。
`0009 02A1双极性晶体管工作在放大区的条件：发射结，集电结。
`0010 02A1场效应管三个电极分别为极、极和极。
`0011 02A1在单管共集放大电路中，输出电压与输入电压的极性。
`0012 02A2在单管共基放大电路中，输出电压与输入电压的极性。
`0013 02A2场效应管放大电路有共、共和共三种基本形式。
`0014 02A2场效应管从结构上可以分为（）和（）型两大类型`0015 02A2单管共射极放大器，当工作点Q选择较高时，易出现失真。
`0016 02A2在电子线路中，一般用输出电阻R O来衡量放大器带负载的能力，R O越小，则带负载的能力。
`0017 02A2双极性晶体管工作在饱和区的条件：发射结，集电结。
`0018 02A2双极性晶体管工作在截止区的条件：发射结，集电结。
`0019 02A3单管共射极放大器，当工作点Q选择较低时，易出现失真。
`0020 02A3某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2KΩ负载电阻后，输出电压降为4 V，这表明该放大电路的输出电阻为。
`0021 02A3如果信号源接近于理想电压源，通常希望放大电路的输入电阻；如果信号源接近于理想电流源，通常希望放大电路的输入电阻。
模电答案部分
u A 、i R 和oR 的分析： '26(1)952be bb EQmV r r I , (//)95c L ube R R A r & //952i b be R R r , 3o c R R k 。
(2)设U s = 10mV （有效值），则 3.2ii s s iR U U mV R R； 304o u iU A U mV & 若C 3开路，则：//[(1)]51.3i b be e R R r R k ， // 1.5c L ue R R A R & 9.6ii s s iR U U mV R R， 14.4o u iU A U mV &。
2.14 改正图P2.14 所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。
要求保留电路的共漏接法。
(a) (b)(c) (d)图P2.14解：(a)源极加电阻R S ； (b)漏极加电阻R D ；(c)输入端加耦合电容； (d)在R g 支路加−V GG ， +V DD 改为−V DD改正电路如解图P2.14所示。
(a) (b)(c) (d)解图P2.142.15已知图P2.21 (a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)、(c)所示。
(1)利用图解法求解Q 点；(2)利用等效电路法求解u A 、i R 和oR 。
(a)(b) (c) 图P2.15解：(1)在转移特性中作直线GS D s u i R ，与转移特性的交点即为Q 点；读出坐标值，得出1,2DQ GSQ I mA U V 。
如解图P2.15(a)所示。
(a) (b) 解图P2.21在输出特性中作直流负载线()DS DD D d s u V i R R ，与2GSQ U V 的那条输出特性曲线的交点为Q 点，3DSQ U V 。
如解图P2.21(b)所示。
(2)首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。
5u m d A g R &； 1i g R R M ；5o dR R k 2.16已知图P2.16(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示。
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【4-1】电路如图所示，晶体管的β＝100，UBE ＝ V，饱和管压降UCES＝ V；稳压管的稳定电压UZ ＝4V，正向导通电压UD＝ V，稳定电流IZ＝5 mA，最大稳定电流IZM＝25 mA。
试问：（1）当uI 为0 V、 V、 V时uO各为多少？（2）若Rc短路，将产生什么现象？【相关知识】晶体管工作状态的判断，稳压管是否工作在稳压状态的判断以及限流电阻的作用。
【解题思路】（1）根据uI的值判断晶体管的工作状态。
（2）根据稳压管的工作状态判断uO的值。
【解题过程】（1）当uI＝0时，晶体管截止；稳压管的电流在IZ 和IZM之间，故uO＝UZ＝4 V。
当uI＝时，晶体管导通，基极电流假设晶体管工作在放大状态，则集电极电流由于uO ＞UCES＝ V，说明假设成立，即晶体管工作在放大状态。
值得指出的是，虽然当uI 为0 V和 V时uO均为4 V，但是原因不同；前者因晶体管截止、稳压管工作在稳压区，且稳定电压为4 V，使uO＝4 V；后者因晶体管工作在放大区使uO＝4 V，此时稳压管因电流为零而截止。
当uI＝ V时，晶体管导通，基极电流假设晶体管工作在放大状态，则集电极电流在正电源供电的情况下，uO不可能小于零，故假设不成立，说明晶体管工作在饱和状态。
实际上，也可以假设晶体管工作在饱和状态，求出临界饱和时的基极电流为IB = mA＞IBS，说明假设成立，即晶体管工作在饱和状态。
（2）若Rc短路，电源电压将加在稳压管两端，使稳压管损坏。
若稳压管烧断，则uO ＝VCC＝12 V。
若稳压管烧成短路，则将电源短路；如果电源没有短路保护措施，则也将因输出电流过大而损坏【方法总结】（1）晶体管工作状态的判断：对于NPN型管，若uBE ＞Uon（开启电压），则处于导通状态；若同时满足UC ≥UB>UE，则处于放大状态，IC＝βIB；若此时基极电流则处于饱和状态，式中I CS 为集电极饱和电流，I BS 是使管子临界饱和时的基极电流。
（2）稳压管是否工作在稳压状态的判断：稳压管所流过的反向电流大于稳定电流I Z 才工作在稳压区，反向电流小于最大稳定电流I ZM 才不会因功耗过大而损坏，因而在稳压管电路中限流电阻必不可少。
图示电路中R c 既是晶体管的集电极电阻，又是稳压管的限流电阻。
【4-2】电路如图所示，已知晶体管＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设V C C ＝12V ，晶体管饱和管压降U C E S ＝。
（1）正常情况 （2）R b 1短路 （3）R b 1开路 （4）R b 2开路 （5）R C 短路图【解题过程】 设U B E ＝。
则（1） 基极静态电流V4.6mA 022.0c C CC C b1BEb2BECC B ≈-=≈--=R I V U R U R U V I（2）由于U B E ＝0V ，T 截止，U C ＝12V 。
（3）临界饱和基极电流 mA 045.0 cCESCC BS ≈-=R U V I β实际基极电流 mA 22.0 b2BECC B ≈-=R U V I由于I B ＞I B S ，故T 饱和，U C ＝U C E S ＝。
（4）T 截止，U C ＝12V 。
（5）由于集电极直接接直流电源，U C ＝V C C ＝12V【4-3】试问图示各电路能否实现电压放大？若不能，请指出电路中的错误。
图中各电容对交流可视为短路。
图(a) 图(b) 图(c)图(d)【相关知识】放大电路的组成原理。
【解题思路】放大电路的作用是把微弱的电信号不失真地放大到负载所需要的数值。
即要求放大电路既要有一定的放大能力，又要不产生失真。
因此，首先要检查电路中的晶体管（非线性器件）是否有合适的直流偏置，是否工作在放大状态（线性状态），其次检查信号源、放大器和负载之间的信号传递通道是否畅通，并具有电压放大的能力。
【解题过程】图(a)电路不能实现电压放大。
电路缺少集电极电阻，动态时电源相当于短路，输出端没有交流电压信号。
图(b)电路不能实现电压放大。
电路中缺少基极偏置电阻，动态时电源相当于短路，输入交流电压信号也被短路。
图(c) 电路也不能实现电压放大。
电路中晶体管发射结没有直流偏置电压，静态电流，放大电路工作在截止状态。
图(d)电路能实现小信号电压放大。
为了保证输出信号不失真（截止、饱和），当输入信号为正时，应不足以使三极管饱和；当输入信号为负时，应不会使三极管截止。
【4-4】由PNP 型管组成的共射电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图（a ）、（b ）、（c ）所示，试说明电路分别产生了什么失真【解题过程】（a ）截止失真，减小R b 。
（b ）饱和失真，增大R b ，减小R c 。
（c ）同时出现饱和失真和截止失真，应增大V C C 。
【4-5】 电路如图所示。
晶体管T 为3DG4A 型硅管，其、r bb'=80Ω。
电路中的V CC =24V 、R B = 96kΩ、R C =R E =Ω、电容器C 1、C 2、C 3 的电容量均足够大、正弦波输入信号的电压有效值U i =1V 。
试求：用内阻为10kΩ的交流电压表分别测量u o1、u o2时，交流电压表的读数各为多少？【解题过程】设表内阻为R，则L由以上计算结果可见，信号由发射极输出时，因电路输出电阻小而带负载能力强。
【常见错误】容易忽视电压表内阻对被测电路的负载效应。
【4-6】放大电路如图(a)所示，晶体管的输出特性和交、直流负载线如图(b)所示。
已知，。
试求：（1）电路参数、、的数值。
（2）在输出电压不产生失真的条件下，最大输入电压的峰值。
图(a)图(b)【解题过程】（1）从输出特性和直流负载线可以看出，，，，。
由交流负载线可看出最大不失真输出电压幅值受截止失真的限制，输出电压幅值的最大值由可以算出由可以算出由可以算出（2）由图 (b)看出，，则所以输出电压不产生失真时的最大输入电压的峰值【另一种解法】在计算最大不失真输入电压峰值时，还可通过计算确定，然后利用的关系求解。
由图（b）可知，当输入信号增大时，放大电路将首先产生截止失真。
而电路不产生截止失真的临界条件是：即而故【4-7】已知图所示电路中晶体管的＝100，r b e=1kΩ。
（1）现已测得静态管压降U C E Q＝6V，估算R b约为多少千欧；（2）若测得iU &和o U &的有效值分别为1mV 和100mV ，则负载电阻R L 为多少千欧？【解题过程】（1） Ω≈-====-=k 565μA20mA2BQBEQCC b CQBQ c CEQCC CQ I U V R I I R U V I β（2）Ω==+Ω=-=-=-=k 5.1 111k 1 100L Lc 'L be'L i o R R R R r R A U U A u u β&&【4-8】图为一个放大电路的交流通路。
试在下列三种情况下写出电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的表达式：（1） ，信号从基极输入，放大后从集电极输出； （2） ，信号从基极输入，放大后从发射极输出； （3） ，信号从发射极输入，放大后从集电极输出。
【解题过程】（1），信号从基极输入，从集电极输出，电路为共射极放大电路。
电压放大倍数，输入电阻输出电阻（2） ，信号从基极输入，从发射极输出，电路为集电极放大电路。
电压放大倍数输入电阻输出电阻（3），信号从发射极输入，从集电极输出。
电路为共基极放大电路。
电压放大倍数输入电阻输出电阻【4-9】电路如图(a)所示。
电路参数为：－VCC =－12V、 RC=2kΩ、RB=360kΩ；晶体管T为锗管，其==60、rbb'=300Ω；电容器C1=C2=10μF、负载电阻RL=2kΩ。
试求：(1) 电路的静态工作点IBQ 、ICQ及UCEQ值；(2) 电路的动态指标Au 、Ri、Ro及Uopp值。
图(a)【解题过程】(1) 先画出直流通路，如图(b)所示。
由图可知：图(b)(2) 画出放大电路的微变等效电路，如图(c)所示。
其中：图(c)由微变等效电路可求得再画出求Ro的等效电路如图(d)所示。
得：图(d)又因为故【4-10】电路如图(a)所示。
已知：RB =300kΩ，RE=Ω，负载电阻RL=Ω，信号源内阻RS =10kΩ，－VCC=－12V，C1、C2足够大，T为硅管，其rbb'=100Ω、=β=50。
试求：(1) 电路静态工作点的数值；(2) 电路动态指标Au 、Ri、Aus（=Uo/Us）的数值；(3) 电路输出电阻Ro的数值。
图(a)【解题过程】(1) 求静态工作点。
画出直流通路如图 (b)所示。
图(b)对于晶体管的发射结组成的回路，有取U BEQ =－，代入上式，可求得(2) 画出放大电路的微变等效电路如图 (c)所示。
图(c)因，故代入数据，得画出求R o 的等效电路如图(d)所示，由于该放大电路所输入的信号源有内阻，所以在画求R o 的等效电路时，将U s 短路，但保留R S 。
图(d)由图可见： 令 ，有 代入上式，得代入有关参数，可求得电路的输出电阻【4-11】 有一共基极放大电路如图所示。
其中V CC = 24V 、R B1 = 90kΩ、R B2=48kΩ、R C =R E =Ω、负载电阻R L =Ω，电容器C 1、C 2、C 3 的电容量均足够大。
晶体管T 为3DG4A 型硅管，其r bb'=80Ω、。
(1) 试估算静态工作点I CQ 、U CEQ 值； (2) 计算、R i 及R o 值。
【解题过程】(1) 本题电路中，基极电流较大，应利用戴维南定理等效，并考虑偏置电阻的影响后，计算静态工作点。
UCEQ≈VCC－ICQ (RC +RE)=24－×+=15V(2)Ro=RC = kW。