第3章多级放大电路习题解答
《电工电子学》第3章习题答案
第3章习题答案3.2.1 选择题1．晶体管能够放大的外部条件是___C______。
(a) 发射结正偏，集电结正偏 (b) 发射结反偏，集电结反偏(c) 发射结正偏，集电结反偏2．当晶体管工作于饱和状态时，其__A_______。
(a) 发射结正偏，集电结正偏 (b) 发射结反偏，集电结反偏(c) 发射结正偏，集电结反偏3. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。
则该管的为___C______。
(a) 40 (b) 50 (c) 604．反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能___A______。
(a) 越好 (b) 越差 (c) 无变化5．温度升高，晶体管的电流放大系数b___A______。
(a) 增大 (b) 减小 (c) 不变6．温度升高，晶体管的管压降|UBE|__B_______。
(a) 升高 (b) 降低 (c) 不变7．对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时，__C______极的电位最低。
(a) 发射极 (b) 基极 (c) 集电极8．温度升高，晶体管输入特性曲线____B____。
(a) 右移 (b) 左移 (c) 不变9．温度升高，晶体管输出特性曲线___A_____。
(a) 上移 (b) 下移 (c) 不变10．温度升高，晶体管输出特性曲线间隔___C_____。
(a) 不变 (b) 减小 (c) 增大11．晶体管共射极电流放大系数b随集电极电流iC___B_____。
(a) 不变化 (b) 有一定变化 (c) 无法判断12.当晶体管的集电极电流时，下列说法正确的是__C_____。
(a) 晶体管一定被烧毁 (b) 晶体管的 (c) 晶体管的一定减小13．对于电压放大器来说，___B____越小，电路的带负载能力越强。
(a) 输入电阻 (b) 输出电阻 (c) 电压放大倍数14．在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位___B____。
电子电路基础习题册参考答案-第三章
2、串联负反馈都是电流负反馈，并联负反馈都是电压反馈。
（错）3、将负反馈放大器的输出端短路，则反馈信号也随之消失。
（错）4、在瞬时极性法判断中，+表示对地电压为正，—表示对地电压为负。
（错）5、在串联反馈中，反馈信号在输入端是以电压形式出现，在并联反馈中，反馈信号在输入端是以电流形式出现。
（对）三、选择题1、反馈放大短路的含义是（C ）。
A．输入与输出之间有信号通路 B.电路中存在反向传输的信号通路C．除放大电路外，还有反向传输的信号通路2.图3-1-1所示为某负反馈放大电路的一部分，Re1引入（C ），Re2引入（B ）。
A．交流反馈B．直流反馈C．交直流反馈3、判断是串联反馈还是并联反馈的方法是（C ）。
A．输出端短路法B．瞬时极性法C．输入端短路法4、将放反馈放大器的输出端短路，若反馈信号仍存在则属（B ）。
A．电压负反馈B．电流负反馈C．串联负反馈D．并联负反馈5．电路如图3-1-2a所示，反馈类型为（D ）。
A．电压并联直流负反馈B．电压并联交直流负反馈C．电流串联交直流负反馈D．电流并联交直流负反馈6、电路如图3-1-2b所示，反馈类型为（C ）。
A．电流串联负反馈B．电压并联正反馈C．电压串联负反馈D．电流并联正反馈四、简答题1、什么是正反馈？什么是负反馈？主要用途是什么？略2、图3-1-3所示电路中，所引入的分别是直流单奎还是交流反馈？是正反馈还是负反馈？3、图2-1-4所示电路中，在不增加电路元件的情况下，如何改变接线方式，可达到稳定静态工作点，减小失真的目的？4、在图3-1-5所示各电路中，指出哪些是反馈元件？判断个电路的反馈类型（如系多级放大器，只判断级间反馈类型）。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
§3-2负反馈对放大器性能影响一、填空题1、放大器引入负反馈使得放大器的放大倍数下降，放大倍数的稳定性提高，非线性失真减小，同频带展宽，改变了放大器的输入输出电阻。
第3章 场效应管及其基本放大电路 参考答案
第 3章 场效应管及其基本放大电路3.1填空题（1）按照结构，场效应管可分为 。
它属于 型器件，其最大的优点是 。
（2）在使用场效应管时，由于结型场效应管结构是对称的，所以 极和 极可互换。
MOS 管中如果衬底在管内不与 极预先接在一起，则 极和 极也可互换。
（3）当场效应管工作于恒流区时，其漏极电流D i 只受电压 的控制，而与电压 几乎无关。
耗尽型D i 的表达式为 ，增强型D i 的表达式为 。
（4）一个结型场效应管的电流方程为2GS D 161mA 4U I=×− ，则该管的DSS I = ，p U = 。
（5）某耗尽型MOS 管的转移曲线如习题3.1.5图所示，由图可知该管的DSS I = ，p U = 。
（6）N 沟道结型场效应管工作于放大状态时，要求GS 0u ≥≥ ，DS u > ；而N 沟道增强型MOS 管工作于放大状态时，要求GS u > ，DS u > 。
（7）耗尽型场效应管可采用 偏压电路，增强型场效应管只能采用 偏置电路。
（8）在共源放大电路中，若源极电阻s R 增大，则该电路的漏极电流D I ，跨导m g ，电压放大倍数 。
（9）源极跟随器的输出电阻与 和 有关。
答案：（1）结型和绝缘栅型，电压控制，输入电阻高。
（2）漏，源，源，漏，源。
（3）GS u ，DS u ，2GS D DSS P 1u i I U =− ，2GS D DO T 1u i I U=−。
（4）16mA ，4V 。
（5）习题3.1.5图4mA ，−3V 。
（6）p U ，GS p u U −，T U ，GS T u U −。
（7）自给，分压式。
（8）减小，减小，减小。
（9）m g ，s R 。
3.2试分别画出习题3.2图所示各输出特性曲线在恒流区所对应的转移特性曲线。
解：3.3在带有源极旁路电容s C 的场效应管放大电路如图3.5.6（a ）所示。
若图中的场效应管为N 沟道结型结构，且p 4V U =−，DSS 1mA I =。
模电第四版习题解答
模电第四版习题解答 YUKI was compiled on the morning of December 16, 2020模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √)GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
模拟电路第三章 多级放大电路
1. 双端输入单端输出：共模信号作用下的分析
Ad
1(Rc∥RL)
2 Rbrbe
AcRbrb(R ec2 ∥ (1R L))Re
KCMRA Ad c Rb2 rb(R eb2(1rbe))Re
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2. 单端输入双端输出
共模输入电压 差模输入电压 输入差模信号的同时总是伴随着共模信号输入：
3.3.2 差分放大电路
一、电路的组成
零点 漂移
参数理想对称： Rb1= Rb2，Rc1= Rc2， Re1= Re2;T1、T2在任何温度下特性均相同。 uI1与uI2所加信号大小相等、极性相同——共模信号
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二、长尾式差分放大电路
典型电路
信号特点？ uI1与uI2所加信号大小相等、极性相反——差模信号
在实际应用时，信号源需要有“ 接地”点，以避免干扰； 或负载需要有“ 接地”点，以安全工作。
根据信号源和负载的接地情况，差分放大电路有四种接法： 双端输入双端输出、双端输入单端输出、单端输入双端输出、 单端输入单端输出。
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三、差分放大电路的四种接法 1. 双端输入单端输出：Q点分析
由于输入回路没有变化，所以
共模放大倍数 Ac
uO c uIc
参数理想对称A时 c 0
Re的共模负反馈作用：温度变化所引起的变化等效为共模信号
如 T(℃)↑→IC1↑ IC2 ↑→UE↑→ IB1 ↓IB2 ↓→ IC1 ↓ IC2 ↓
Re负反馈作用抑制了每只差分管集电极电流、电位的变化。
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3. 放大差模信号 差模信号：数值相等，极性相反的输入信号，即
uI1uI2uId/2
i B 1 i B2 i C 1 i C2 u C 1 u C2 u O 2 u C1
《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
电子技术第三章课后习题答案
第三章习题参考答案3-1 电路如图3-40所示，设40=β，试确定各电路的静态工作点，指出晶体管工作于什么状态？b) d)图3-40 题3-1图解 a）AIBQμ5.71102007.0153=⨯-=mAICQ86.20715.040=⨯=VUCEQ14.12186.215=⨯-=晶体管工作于放大状态。
b）AIBQμ8010]1)401(200[7.0203=⨯⨯++-=mAICQ2.308.040=⨯=VUCEQ39.10)12(2.320=+⨯-=晶体管工作于放大状态。
c）设晶体管工作在放大状态。
mAIBQ257.010757.0203=⨯-=mAICQ3.10257.040=⨯=VUCEQ9.1533.1015-=⨯-=+15Vk200+15V+15V+20Vk200说明晶体管已经深度饱和。
d) 由于发射结反偏，晶体管工作于截止状态。
3-2 试判断图3-41中各电路能否放大交流信号，为什么？a ） b) c)d) e) f) 图3-41 题3-2图解 a) 晶体管的发射结正偏，集电结反偏，故可以放大交流信号。
b) 缺少直流负载电阻C R ，故不能放大交流信号。
c) 晶体管为PNP 型，偏置电压极性应为负，故不能放大交流信号。
d) 电容C1、C2的极性接反，故不能放大交流信号。
e) 缺少基极偏置电阻B R ，故不能放大交流信号。
f) 缺少直流电源CC V ，故不能放大交流信号。
3-3 在图3-42中晶体管是PNP 锗管，（1）在图上标出CC V 和21,C C 的极性；（2）设V 12-=CC V ，k Ω3=C R ，75=β，如果静态值mA 5.1=C I ，B R 应调到多大？（3）在图3-42 题3-3图调整静态工作点时，如果不慎将B R 调到零，对晶体管有无影响？为什么？通常采取何种措施来防止这种情况发生？（4）如果静态工作点调整合适后，保持B R 固定不变， 当温度变化时，静态工作点将如何变化？这种电路能否稳定静态工作点？ 解 1)CC V 和21,C C 的极性如题3-3解图所示。
第3章习题解答
第3章习题解答习题来源：严国萍，龙占超，通信电子线路，科学出版社，2006年第一版，2009年第五次印刷，P89～P913-1. 解答晶体管低频放大器主要采用混合参数（H参数）等效模型分析方法；而晶体管高频小信号放大器主要采用形式等效电路（Y参数）以及物理模拟等效电路（混合π参数）分析方法。
分析方法的不同，本质原因在于晶体管在高频运用时，它的等效电路不仅包含着一些和频率基本没有关系的电阻，而且还包含着一些与频率有关的电容，这些电容在频率较高时的作用是不能忽略的。
高频小信号放大器不能用特性曲线来分析，这是因为特性曲线是晶体管低频运用时的工作曲线，是不随工作频率变化的；但晶体管在高频运用时，其结电容不可忽略，从而使得晶体管的特性随频率变化而变化。
因此在分析高频小信号时，不可用特性曲线来分析。
3-2. 解答r bb’含义：从晶体管内部结构可知，从基极外部引线b到内部扩散区中某一抽象点b’之间，是一段较长而又薄的N型（或P型）半导体，因掺入杂质很少，因而电导率不高，所以存在一定体积电阻，故在b-b’之间，用集总电阻r bb’表示。
r b’c含义：晶体管内部扩散区某一抽象点b’到集电极c之间的集电结电阻。
r bb’的影响：r bb’的存在，使得输入交流信号产生损失，所以r bb’的值应尽量减小，一般r bb’为15～50Ω。
r b’c的影响：因为集电结为反偏，所以r b’c较大，r b’c一般为10k～10MΩ，特别是硅管，r b’c很大，和放大器负载相比，它的作用往往可以忽略。
3-3. 解答g m是晶体管的跨导，反映晶体管的放大能力，即输入对输出的控制能力。
它和晶体管集电极静态电流（I E ）大小有关。
3-4. 解答因为高频小信号放大器的负载是一个谐振回路，如果阻抗不匹配，会使输出信号幅度减小，而且会失真，为此，必须考虑阻抗匹配的问题。
3-5. 解答小信号放大器主要质量指标有：增益，通频带，选择性，工作稳定性，噪声系数这5个指标。
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第3章自测题、习题解答自测题3一、选择：选择：（请选出最合适的一项答案）1、在三种常见的耦合方式中，静态工作点独立，体积较小是（ ）的优点。
A ）阻容耦合 B) 变压器耦合 C ）直接耦合2、直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的漂移电压就越（ ）。
A) 大 B) 小 C) 和放大倍数无关3、在集成电路中，采用差动放大电路的主要目的是为了（ ）A) 提高输入电阻 B) 减小输出电阻 C) 消除温度漂移 D) 提高放大倍数 4、两个相同的单级共射放大电路，空载时电压放大倍数均为30，现将它们级连后组成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数（ ）A) 等于60 B) 等于900 C) 小于900 D) 大于9005、将单端输入——双端输出的差动放大电路改接成双端输入——双端输出时，其差模电压放大倍数将（ ）；改接成单端输入——单端输出时，其差模电压放大倍数将（ ）。
A) 不变 B ）增大一倍 C) 减小一半 D) 不确定 解：1、A 2、A 3、C 4、C 5、A C二、填空：6、若差动放大电路两输入端电压分别为110i u mV =，24i u mV =，则等值差模输入信号为id u = mV ，等值共模输入信号为ic u = mV 。
若双端输出电压放大倍数10ud A =，则输出电压o u = mV 。
7、三级放大电路中，已知1230u u A A dB ==，320u A dB =，则总的电压增益为 dB ，折合为 倍。
8、在集成电路中，由于制造大容量的 较困难，所以大多采用 的耦合方式。
9、长尾式差动放大电路的发射极电阻e R 越大，对 越有利。
10、多级放大器的总放大倍数为 ，总相移为 ，输入电阻为 ，输出电阻为 。
解：6、3mV 7mV 30mV7、80 4108、电容 直接耦合 9、提高共模抑制比 10、各单级放大倍数的乘积 各单级相移之和 从输入级看进出的等效电阻 从末级看进出的等效电阻三、计算：11、如图T3－11，设12C E V =，晶体管50β=，300bb r Ω'=，11100b R k Ω=，2139b R k Ω=，16c R k Ω=，1 3.9e R k Ω=，1239b R k Ω=，2224b R k Ω=，23c R k Ω=，2 2.2e R k Ω=，3L R k Ω=，请计算u A 、i r 和o r 。
（15分）（提示：先求静态工作点EQ I ，再求be r ）图T3－11解：V 1管的直流通路如图11-1所示：2111211139120.70.7100390.6843.9b Cb b EQ e R E R R I mAR ⨯--++===be1bb'EQ126mV(1) 2.24r r k I β=++≈Ω同理可得：2212222224120.70.72439 1.762.2b Cb b EQ e R E R R I mA R ⨯--++===be2bb'EQ226mV(1) 1.05r r k I β=++≈Ω交流等效电路如图11-2所示：2211(//)o b c L u i b be U I R R A U I r β-==又有：1112222112222(////)(////)b c b b b c b b be I R R R I R R R r β-=+故：1122221122221(////)(//)1344(////)c b b c L u c b b be be R R R R R A R R R r r ββ--=⨯≈+11211//// 2.07i b b be r R R r k =≈Ω 23o c r R k ==Ω12、如图T3－12所示，12100e e R R Ω==，BJT 的100β=，0.6BE U V =。
求： （1）当V 0o2o1==u u 时，Q 点（1B I 、1C I 、）；（2）当V 01.0i1=u 、V 01.0i2-=u 时，求输出电压o2o1o u u u ==的值； （3）当1c 、2c 间接入负载电阻 5.6L R k Ω=时，求u o 的值；（4）求电路的差模输入电阻r id 、共模输入电阻r ic 和输出电阻r o 。
（图中r o 为电流源的等效电阻）图T3－12解：（1）120112C C I I I mA === 11210C B B I I I A μβ===11110 5.61(0.6)5CE CC c C E U U R I U V =--=-⨯--=（2）be bb'EQ26mV(1) 2.7r r k I β=++≈Ω半边差动电路的交流等效电路如图12所示：1111111[(1)]o b c u i b be e U I R A U I r R ββ-==++ 故11110.44(1)c o i be e R U U V r R ββ-=≈-++ 同理得：20.44o U V ≈ 故：120.88o o o U U U V =-=-（3）此时11111(//)214.6(1)Lc o u i be e R R U A U r R ββ-==≈-++ 11(14.6)0.146o i U U V =⨯-≈-1c R 121e R 1b I β1b I 1be r 1i U 1o U故：120.292o o o U U U V =-=- （4）12[(1)]25.6id be e r r R k β=++=Ω10()(1)10.1ic be e r r R r M β=+++≈Ω 1211.2o c r R k ==Ω13如图T3－13，直流零输入时，直流零输出。
已知80321===βββ,V 7.0U BE =,计算1C R 的值和电压放大倍数u A 。
V图T3－13解：330(12)1.2C C I mA R --==33(1)1.215C E I I mA ββ+==200.7(12)0.12247E I mA ---=≈⨯220.12800.119181E C I I mA ββ⨯===+ 3312 1.2150.220.78.130.119E E BE C C I R U R k I +⨯+===Ω画出第二级的交流等效电路如图13所示：be2bb'E226mV(1)17.7r r k I β=++≈Ωbe3bb'E326mV(1) 1.83r r k I β=++≈Ω第二级的输入电阻为：233(1) 1.83810.2219.7i be E R r R k β=++=+⨯=Ω第二级的放大倍数为：33233340.7(1)b C u b be E I R A I r R ββ==---+第一级的放大倍数为：1212(//)132C i u be R R A r β-==-⨯故：1213(40.7)529u u u A A A ==⨯-=-习题3多级直接耦合放大电路中，（ ）的零点漂移占主要地位。
A) 第一级 B) 中间级 C) 输出级一个三级放大电路，测得第一级的电压增益为0dB ，第二级的电压增益为40dB ，第三级的电压增益为20dB ，则总的电压增益为（ ）A) 0dB B) 60dB C) 80dB D) 800dB在相同条件下，多级阻容耦合放大电路在输出端的零点漂移（ ）。
A ）比直接耦合电路大 B ）比直接耦合电路小 C ）与直接耦合电路基本相同要求流过负载的变化电流比流过集电极或发射极的变化电流大，应选( )耦合方式。
A ）阻容 B ）直接 C ）变压器 D ）阻容或变压器要求静态时负载两端不含直流成分，应选( )耦合方式。
A ）阻容 B ）直接 C ）变压器 D ）阻容或变压器一个多级放大器一般由多级电路组成，分析时可化为求 的问题，但要考虑 之间的影响。
直接耦合放大电路存在的主要问题是 。
在阻容耦合、直接耦合和变压器耦合三种耦合方式中，既能放大直流信号，又能放大交流信号的是，只能放大交流信号的是，各级工作点之间相互无牵连的是，温漂影响最大的是，信号源与放大器之间有较好阻抗配合的是，易于集成的是，下限频率趋于零的是。
o升某直接耦合放大器的增益为100，已知其温漂参数为1CmV ，则当温度从20C/o时，输出电压将漂移。
高到30C由通频带相同的两个单级放大器组成两级阻容耦合放大器，总的通频带就要变窄，这是为什么一个三级放大电路，测得第一级的电压放大倍数为1，第二级的电压放大倍数为100，第三级的电压放大倍数为10，则总的电压放大倍数为（）A) 110 B) 111 C) 1000 D) 不能确定一个两级阻容耦合放大电路的前级和后级的静态工作点均偏低，当前级输入信号幅度足够大时，后级输出电压波形将（）A) 首先产生饱和失真 B) 首先产生截止失真 C) 双向同时失真多级放大电路的输入电阻就是的输入电阻，但在计算时要考虑可能产生的影响。
多级放大电路的输出电阻就是的输出电阻，但在计算时要考虑可能产生的影响。
阻容耦合方式的优点是；缺点是。
多级放大器通常可以分为、和。
在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的，而前级的输出电阻也可看作后级的。
解：3.1 ABB3.4 CD单级放大器前后级静态工作点互相影响，零点漂移严重直接耦合阻容耦合和变压器耦合阻容耦合和变压器耦合直接耦合变压器耦合直接耦合直接耦合1V3. 10 解：多级放大电路的上限、下限截止频率可计算如下： 2H Hn f f ≈++L f ≈放大电路级数越多，则H f 越低，L f 越高，通频带越窄。
3.11 C 3.12 C第一级放大电路 后级输入电阻对前级输入电阻 最后一级 前级输出电阻对最后一级输出电阻静态工作点独立，体积较小 低频响应差，不便于集成化 输入级 中间级 输出级 负载电阻 信号源内阻如图P3－18，已知Ωk 39R 11B =，Ωk 13R 21B =，Ωk 120R 12B =，Ωk 3R C =，Ω150R 1E =，Ωk 1R 2E =，Ωk 4.2R E =，Ωk 4.2R L =，两管50=β，V 6.0U BE =，V 12U CC =，各电容在中频区的容抗可以忽略不计。
1）试求静态工作点（111,,CE C B U I I ）及（222,,CE E B U I I ）；2）画出全电路微变等效电路，计算1be r 及2be r ；3）试求各级电压放大倍数1u A ，2u A 及总电压放大倍数uA ； 图P3－18 4）试求输入电阻i r 及输出电阻o r ；5）请问后级是什么电路其作用是什么若L R 减小为原值的101（即240Ω），则uA 变化多少 解：（1）2111211120.62.09B CCB B E E E R U R R I mA R R -+==+11411E B I I A μβ==+ o u CC11 2.05C B I I mA β==1112() 3.45CE CC C C E E E U U I R I R R V =--+=21247(1)CC BEB B EU U I A R R μβ-==++22(1) 2.4E B I I mA β=+= 22 6.24CE CC E E U U I R V =-=（2）be1bb'E126mV(1)0.734r r k I β=++≈Ωbe2bb'E226mV(1)0.652r r k I β=++≈Ω（3）第二级的输入电阻为：2122//[(1)(//)]40.8i B be E L R R r R R k β=++≈Ω 故，第一级的放大倍数为：2111(//)16.6(1)C i u be E R R A r R ββ-=≈-++第二级的放大倍数为：22222(//)(1)0.989(//)(1)E L b u be b E L b R R I A r I R R I ββ+=≈++故：1216.60.98916.4u u u A AA ==-⨯=-（4）112111////[(1)] 4.51i B B be E r R R r R k β=++≈Ω 122////()681C B be o E R R r r R β+=≈Ω+（5）后级是射级输出器，其作用是具有很小的输出电阻，增强带负载的能力。