《模拟电子技术》复习题10套及答案
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子技术中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是：A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用？A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中，若要实现电压跟随器，应该使用运算放大器的哪种配置？A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时，其导通电压是：A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是：A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中，为了减少噪声，通常采用以下哪种方法？A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案：1-5 D A C B B；6-10 B D D C B二、填空题（每空1分，共10分）1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。
2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。
3. 一个理想的二极管在反向偏置时，其电流是_________。
4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。
5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。
答案：1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题（每题10分，共20分）1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题1. 下列哪种器件是双极型晶体管的三个极（A、B、C）？A.发射极B.基极C.集电极D.以上都是答案：D2. 在放大电路中，为了提高输入阻抗，通常在输入端并联一个（A、B、C、D）？A.电感B.电容C.电阻D.电感耦合答案：C3. 运算放大器在电路中的作用主要是（A、B、C、D）？A.放大信号B.滤波信号C.转换信号D.以上都是答案：D4. 场效应晶体管的输入阻抗与（A、B、C、D）有关？A.栅极电压B.漏极电流C.源极电压D.源极电流答案：A5. 下列哪种电路具有反馈作用（A、B、C、D）？A.串联反馈B.并联反馈C.电压反馈D.电流反馈答案：D二、填空题1. 晶体管的三个极分别是发射极、_______和_______。
答案：基极、集电极2. 运算放大器是一种具有_______的高增益放大器。
答案：差分输入3. 整流电路的主要作用是将交流电信号转换为_______电信号。
答案：直流4. 稳压二极管的最大特点是当其两端电压超过_______时，电流会急剧增加。
答案：额定电压5. 在 RC 滤波器中，截止频率 fc 与电阻 R 和电容 C 的关系为_______。
答案：f c =1/(2πRC)三、判断题1. 晶体管的工作原理是利用电子在半导体中的迁移率来控制电流。
（）2. 运算放大器的输出阻抗很高，因此可以直接驱动负载。
（）3. 场效应晶体管的输入阻抗与栅极电压有关。
（）4. 并联反馈会降低放大器的输入阻抗。
（）5. 稳压二极管在电路中主要用于保护电源免受过大电压的影响。
（）答案：1.对 2.错 3.对 4.对 5.对四、简答题1. 请简述双极型晶体管的工作原理。
答案：双极型晶体管（BJT）是一种三端半导体器件，具有发射极、基极和集电极。
它的工作原理是利用基极电流来控制发射极和集电极之间的电流。
当在基极施加一个适当的正向偏置电压时，基极-发射极间形成少数载流子注入，这些载流子在电场的作用下向集电极移动，并在集电极形成电流。
模拟电子技术考试模拟题+答案
模拟电子技术考试模拟题+答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、在基本放大电路中,影响直流负载线斜率大小的是( )A、RB的值B、Ucc的值C、RC的值D、β值正确答案：C2、电容的单位换算正确的是( )A、1F=1000000μFB、1μF=1000000pFC、1μF=10-6FD、以上都是正确答案：C3、为了提高交流放大电路的带负载能力，应选用( )作为输出级。
A、共发射极放大电路B、功率放大器C、射极输出器D、都可以正确答案：C4、功率放大电路的转换效率是指( )。
A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、输出功率与信号输入功率之比正确答案：B5、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A6、当用万用表不同电阻挡去测量二极管正反向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为( )A、该管已坏B、万用表各挡有差异C、二极管的电阻可变D、以上答案均不正确正确答案：B7、串联谐振是指电路呈纯( )性。
A、电阻B、电感C、电抗D、电容正确答案：A8、电阻47KΩ±1%的色环为( )。
A、黄-紫-橙-金B、黄-紫-红-黑-棕C、黄-紫-黑-橙-棕D、黄-紫-黑-红-棕正确答案：D9、稳压二极管两端电压变化量与通过它的电流空化量之比值称为稳压二极管的动态电阻。
稳压性能好的稳压二极管的动态电阻( )A、较小B、较大C、还与其他因素有关D、大小均一样正确答案：A10、安装桥式整流电路时，若将其中一只二极管虚焊，则通电工作时可能产生的后果是( )。
A、输出电压的极性改变B、输出电压只有原来的一半C、两只二极曾烧坏D、只有应焊的一只二极管烧坏正确答案：B11、在固定偏置放大电路中，如果负载电阻增大，则电压放大倍数( )A、增大B、无法确定C、减小D、不变正确答案：C12、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号，若从示波器显示的输出信号波形发现底部(负半周)削波失真，则该放大电路产生了( )失真。
大学_模拟电子技术模拟试题及参考答案
模拟电子技术模拟试题及参考答案模拟电子技术模拟试题一、填空题(每小题1分，共10分)1、PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。
( )2、集电结处于正偏的BJT，它一定工作在饱和区。
( )3、BJT的.值越大，放大能力越强，但在选用BJT时，并不是值越大越好。
( )4、集电极电阻RC的作用是将集电极电流的变化转换成电压的变化，实现电压放大。
因此， RC的值越大，输出电压越高。
( )5、只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的线性放大区，则不论输入什么信号，都不会产生非线性失真。
( )6、分压偏置电路的发射极电阻Re越大，工作点稳定性越好。
但Re过大，会使BJT的VCE减小，影响放大器的正常工作。
( )7、射极输出器的输入电流是IB，输出电流是IE，因此，具有较高的电流放大倍数。
( )8、在OTL 功放电路中，输出耦合电容的主要作用是“隔直”，防止直流经负载短路。
( )9、在运放电路中，闭环增益AF是指电流放大倍数。
( )10、只要满足AF=1，a+f=2n这两个条件，就可以产生正弦波振荡。
模拟电子技术模拟试题二、判断题(每小题1分，共10分)1、PN结在外加正向电压的作用下，扩散电流( )漂移电流。
a.大于b. 小于c. 等于2、当环境温度降低时，二极管的反向电流( )a.不变b. 增大c.减小3、测得BJT各极对地电压为VB=4V，VC=3.6V，VE=3.4V，则该BJT工作在( )状态。
a.截止 b.饱和 c.放大4、NPN管工作在放大区时，三个极的电位特征是( )。
a.VCVBVEb.VCVC d.VEVB5、为了减小输出电阻，集成运放的输出级多采用( )电路。
a.共射或共源b.差分放大c.互补对称6、运放的共模抑制比越大越好，因为它越大，表明运放的( )a.放大倍数越稳定b.交流放大倍数越大c.抑制温漂能力越强7、希望接上负载RL后，VO基本不变，应引入( )负反馈。
模拟电子技术考试试题汇总及答案
参考答案
一、1.C 2.D 3.B 4.A 5.图1(C) B 6.C 7.C 8.A
二、1．-Rf/R12.虚短和虚断 3.反馈网络、选频网络 4.方波
5.单向导电性。6. 石英晶体
如何调整？⑶若 , 和 的 ， ，
，假设 、 、 中任意一个开路，将会产生什么后果？
⒋在图5-3桥式整流、电容滤波电路中,U2=12V(有效值)，RL=20Ω, C=2000µF。试问：①正常时 ？②如果电路中有一个二极管开路， 是否为正常值的一半？③如果 为下列数值，可能出了什么故障？
(a) (b) (c)
（5）假设图a放大电路的输入电阻和输出电阻均为4k ，图d的输入电阻为60k ，输出电阻为50 ，当用图a和d构成两级放大电路，其输入信号取自内阻为200 的电压源信号，输出端带4k 负载时，试问：由图a作为第一级、图d为第二级时电压增益的值大，还是图d为第一级、图a为第二级时电压增益的值大？
图3
三、(1)(a) CE (b) CB (c) CS (d) CC
（2）c
（3）d
（4）b
（5）a—d
四、（10分）
电路如图4所示。
（1）R5、R6和T4构成的电路有什么作用？
（2）希望在不增加其它任何元器件情况下，通过图中反馈电阻Rf引入负反馈，以稳定输出电压 。试画出反馈通路的连线，并说明该反馈是什么组态；
（3）假设引入的负反馈为深度负反馈，可忽略T2、T3的饱和管压降。当电路输入幅值为300mV的正弦波信号时，若要求负载电阻RL上得到最大不失真输出电压，反馈电阻Rf应取多大？此时负载获得的功率有多大？
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可编辑《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性 C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴 B三价元素硼 C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型可编辑++++++------Rb1Rb2Re1Re2Rc RL C1CeC1C2L15V 8VRe1Re2UccUcc C2Ugs+10-1-2idUbsusRsR R R R R R R R2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3A4图2-1图2-2图2-3图2-6图2-4图2-5图3-1++++++------D2R Rb1Rb2Re1Re2Rc RL C1CeC1C2L15V 8VB=50Ui RfRe1Re2UccUcc C2Ugs+10-1-2idUbsusRsRRRR RR R R2R2R2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3A4图2-1图2-2图2-3图2-6图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ）A D1导通，D2导通B D1导通，D2截止C D1截止，D2导通D D1截止，D2截止 三、判断题（ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。
（ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。
（ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。
（ ）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。
（ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。
（ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。
（ ）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。
（ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。
（ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。
（ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。
四、分析题电路如图所示：（1）写出输入级、中间级、输出级的电路名称。
（2）电阻R 3和二级管D 1、D 2 的作用是什么？（3）静态时T 4 管射级电位U E4 =？负载电流 I L =？（4）动态时，若输出V O 出现正负半周衔接不上的现象，为何失真？应调哪个元件？怎样调才能消除失真？（5）判断级间反馈为何种组态?深度负反馈时，电路的闭环增益应为多少? （6）求负载R L 上最大输出幅度Vom 和最大输出功率Pom 。
（设V CES =0V ，R L =24Ω） （7）若R f =100kΩ，R b2=2kΩ，求R L 上输出幅度最大时，输入V I 的有效值为多少？五、计算题1、电路如图所示，晶体管的β＝60，'100bb r =Ω。
（1）求电路的Q 点。
（2）画出微变等效电路，并计算u i o A R R 、、。
（3）设U s ＝10mV （有效值），问U i ＝？U o ＝？若C 3开路，则U i ＝？U o ＝？2、如图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，'100bb r =Ω，U BEQ ≈0.7。
试计算R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流I EQ ，以及动态参数A d 和R i 。
3、电路如图所示，设集成运放均有理想的特性，写出输出电压uo与输入电压uI1、uI2的关系式。
《模拟电子技术》复习题一参考答案一、填空题1、自由电子， 空穴 。
2、绝缘栅型， 电压3、共射4、输入5、负反馈6、饱和， 放大， 截止7、放大电路， 选频网络 ， 正反馈网络 ，稳幅环节 二、选择题1、B2、B3、D4、B5、C6、A7、A8、C9、C 10、B 三、判断题1、√2、√3、×4、×5、√6、×7、×8、√9、√ 10、√ 四、分析题 答：（1）输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为无输出电容的功率放大电路。
（2）消除交越失真。
（3） U E4 =0， I L =0。
（4）为交越失真。
应调Ｒc3 ，应将阻值调大。
（5）电压串联负反馈。
221b fb I O uf R R R F V V A +===（6）V V M om 9.=（幅值）或V V om 29=(有效值)W R V P L om om 69.12429222=⨯==(7) 5121002=+=uf A V A V V uf om I 125.05129===五、计算题 1、解：（1）Q 点：（2）画出微变等效电路ber bR CR bi biiu LR动态分析：（3）设U s ＝10mV （有效值），则若C 3开路，则2、解：R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流分析如下：A d 和R i 分析如下：3、解：由图可知，运放A1、A2组成电压跟随器，运放A4组成反相输入比例运算电路运放A3组成差分比例运算电路以上各式联立求解得：《模拟电子技术》复习题二一、填空题1、当PN结外加正向电压时，P区接电源极，N区接电源极，此时，扩散电流漂移电流。
2、二极管最主要的特性是。
3、一个放大电路的对数幅频特性如图所示。
由图1-3可知，中频放大倍数|Avm|=__ __。
图1-3 图1-74、乙类放大器中每个晶体管的导通角是_ __，该放大器的理想效率为__ __，每个管子所承受的最大电压为__ _____。
5、差动放大电路的基本功能是对差模信号的_ _作用和对共模信号的_ _作用。
6、小功率直流稳压电源由变压、、__ __、四部分组成。
7、图1-8 (a)和(b)是两个放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它们的导电类型分别为___________ 型和___________型，用半导体材料___________和___________制成，电流放大系数β分别为___________和___________。
二、选择题图2-1图2-2图2-4RR2RL1L2CUccUgsidRLRb Rc RbRb1Rb2Re1RcRLC1C1C2L50K 2.5KB=50UoUi+5VRfRe1Re2UccUcc UccC2usRs图2-2图2-5图2-3 图2-8 图2-9 图2-101、图2-3所示复合管中，下列答案正确的是( )。
A NPN型B PNP型C 不正确2、N型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A 空穴B 三价元素 C五价元素3、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V1＝2Ｖ，V2＝2.7Ｖ，V3＝6Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。
A 1：e、2：b、3：cB 1：c、2：e、3：bC 1：c、2：b、3：eD 其它情况4、用万用表直流电压档测得电路中PNP型晶体管各极的对地电位分别是：Vb＝－12.3Ｖ，V e ＝－12Ｖ，Vc＝－18Ｖ。
则三极管的工作状态为（）。
A 放大B 饱和C 截止5、判断图2-5电路中的反馈组态为（）。
A 电压并联负反馈B 电压串联负反馈C 电流串联负反馈D 电流并联负反馈6、已知降压变压器次级绕组电压为12V，负载两端的输出电压为10.8V，则这是一个单相( )电路．A 桥式整流B 半波整流C 桥式整流电容滤波D 半波整流电容滤波7、直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应（）。
A 差B 好C 差不多8、某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为( )。
A P沟道增强型MOS管B P沟道结型场效应管C N沟道增强型MOS管D N沟道耗尽型MOS管9、设图2-9所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（）A D1导通，D2导通B D1导通，D2截止C D1截止，D2导通D D1截止，D2截止10、图2-10所示电路是( ) 。
A差分放大电路 B镜像电流源电路 C微电流源电路三、判断题( )1、耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式。
( )2、放大的实质不是对能量的控制作用。
( )3、功率的放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。
( )4、共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。
( )5、集成运放是直接耦合的多级放大电路。
( )6、电压串联负反馈有稳定输出电压和降低输入电阻的作用。
( )7、复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积。
( )8、反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。
( )9、只要满足正弦波振荡的相位平衡条件，电路就一定振荡。