单晶炉介绍
单晶炉介绍
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软件主要功能
拉晶过程所有相关控制数据在线显示；有自动与手动双重切换操作方式选择。 简、繁、英、多种软件语言设置。 全自动控制，无需很专业经验的拉晶人员即可快速操作；提高了生产效率. 软件有多级管理权限：操作员、管理员、最高权限者可修改全部数据，保护拉晶数据与设备的稳定， 使无关人员不能随意更改参数造成损失。 软件参数可相互之间复制。免去了重复调试的工作。 软件有多重安全系统保护，可及时了解现在与历史报警信息。 有I/O实时监控功能，在出现机器故障时，通过I/O监控画面就能确认输入与输出的状态，迅速地判 断故障位置，提高了维护效率。 能实现氩气流量的自动控制，并能保护氩气过量充入时自动切断供气。 可以实现网络监控，最大可以集中监控999台永佳公司的单晶炉 从“抽真空、真空检测、化料、稳定、引晶、放肩、收肩、等径拉制、收尾、冷却”的拉晶全过程 一键式操作。 全部采用数字化自动控制。 单晶炉运行过程中的电压，电流，功率，温度，晶体直径，坩埚位置和转速， 晶体位置和转速等全部数据及其变化的历史均自动以电子文档的形式记录在案， 方便拉晶结束后分析参数,实现生产档案管理。
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软件操作界面
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软件操作界面
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技术参数
冷却水（工业纯水） 冷却水（工业纯水） 酸碱度PH=6.0~8.0(25℃) 酸碱度PH=6.0~8.0(25℃) 硬度(ＣａＣＯ3) 硬度(ＣａＣＯ3) <150PPM 导电率<500μS/Cm(25℃) 导电率<500μS/Cm(25℃) 进水流量280~320L/Min 进水流量280~320L/Min 进水温度>15℃~30℃ 进水温度>15℃~30℃ 进水压力>2.0~3.8KPa 进水压力>2.0~3.8KPa 高纯氩气纯度99.999% 99.999%以上 高纯氩气纯度99.999%以上 流量<150L/Min 流量<150L/Min 压力>0.2Mpa 压力>0.2Mpa 极限真空度0.06Pa 主真空泵 极限真空度0.06Pa 排气能力>120L/S 排气能力>120L/S 功率15KW 功率15KW
单晶硅生长炉详细介绍
单晶硅生长炉详细介绍
单晶硅生长炉是用来生长单晶硅锭的大型工业设备。
以下是关于单晶硅生长炉的详细介绍：
1. 主要结构：单晶硅生长炉主要由炉体、加热系统、控制系统、真空系统、气体系统、冷却系统等部分组成。
其中，炉体通常采用双层水冷结构，以确保设备的稳定运行和安全。
2. 加热系统：加热系统是单晶硅生长炉的核心部分，它通过电阻加热或感应加热方式将硅料加热至高温，以促进单晶硅的生长。
加热系统的温度控制精度对单晶硅的生长质量和效率有很大影响。
3. 控制系统：控制系统负责整个单晶硅生长炉的操作和监控，包括温度、压力、流量等参数的监测和控制，以及设备的自动操作和故障诊断等功能。
4. 真空系统：真空系统用于保持炉内的真空状态，以便在高温下进行单晶硅的生长。
真空系统的性能对单晶硅的生长速度和质量也有很大影响。
5. 气体系统：气体系统负责向炉内提供适量的气体，如氩气、氮气等，以促进单晶硅的生长和保护炉内环境。
6. 冷却系统：冷却系统用于将炉体和硅锭在生长过程中产生的热量带走，以维持炉内的温度和压力稳定，同时确保设备的正常运行和安全。
7. 应用领域：单晶硅生长炉主要用于光伏产业、半导体产业等领域，用于生产高质量的单晶硅锭，供后续的芯片制造和光伏电池制造使用。
总之，单晶硅生长炉是现代工业生产中的重要设备之一，其性能和质量对产品的质量和效率有很大影响。
随着科技的不断进步和应用需求的不断提高，单晶硅生长炉的技术和性能也在不断改进和完善。
单晶炉技术说明书
单晶炉技术说明书1000字单晶炉是一种用于生产高品质单晶体的设备，它是半导体产业的重要设备之一。
下面我将为大家介绍单晶炉的技术说明书。
一、单晶炉的结构单晶炉主要由炉体、加热系统、制冷系统、控制系统等组成。
1. 炉体：炉体是单晶炉的主要组成部分，主要由炉体本体、电极、隔热材料和炉内环境构成。
炉体内部需要保持一定的真空或惰性气氛，以确保单晶生长的质量和稳定性。
2. 加热系统：加热系统是单晶炉的关键部分之一，它主要由加热元件、加热源、温度控制等组成。
加热源可以是电阻丝、感应加热、火焰等形式，但大多数单晶炉使用的是电阻丝。
3. 制冷系统：制冷系统是单晶炉的另一个重要部分，它主要用于保持单晶生长的过程，在单晶炉内部形成适宜的温度梯度和温度分布。
制冷系统主要由冷却水系统和压缩机组成。
4. 控制系统：控制系统是单晶炉的核心，它主要由计算机控制系统和温度控制系统组成。
计算机控制系统主要用于控制整个单晶炉的运行和生长过程，包括加热、真空、气氛等参数，而温度控制系统则主要用于精确控制单晶生长过程中的温度。
二、单晶生长过程单晶生长是单晶炉最重要的功能之一，主要通过以下步骤进行：1. 清洗晶体：将要生长的晶体进行表面清洗，去除表面杂质、油脂等污物和氧化物，确保晶体表面的干净度。
2. 落合：将准备好的晶种和熔融的材料放到炉体中，让晶种和熔融材料相遇，然后慢慢拉出晶种，使熔融的材料附着在晶种上。
3. 晶体生长：炉体内部形成的温度梯度和温度分布，使得材料开始在晶种上生长，形成单晶体。
4. 结晶完成：当晶体完成生长后，将晶体缓慢升温，淬火，将单晶从晶棒上取下。
三、单晶生长常见问题及解决办法1. 晶体表面不平整：可能是晶体过快生长，或熔融液中杂质太多。
解决办法：加大温度梯度，降低熔融材料的污染。
2. 晶体裂纹：可能是晶体过快生长，晶体内部应力过大。
解决办法：控制生长速度，减小温度梯度。
3. 不均匀生长：可能是炉内温度不均匀，或者晶种准备不足。
单晶炉加热器工作原理
01单晶炉的构成
单晶硅炉，也称全自动直拉单晶生长炉，是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备，由主机、加热电源和计算机控制系统三大部分组成。
单晶硅炉型号有两种命名方式，一种为投料量，一种为炉室直径，比如120、150 等型号是由投料量决定，85 炉则是指主炉筒的直径大小。
02单晶炉工作原理
将多晶硅原料放在炉体的石英坩埚内进行高温熔化（1450℃以上），在低真空度和氩气保护下，通过紫晶插入多晶硅熔体后，在紫晶周围形成过冷态并进行有规律生长，形成一根单晶棒体。
单晶生产基本流程是：将多晶硅原料放入单晶炉，加热融化，逐步分别进行缩颈生长、放肩生长、等径生长和尾部生长，然后开炉取料，进行晶体测试，最后进行包装、入库，再发货。
单晶炉培训资料
在晶体生长的末期，通过调整拉速和转向，使晶体尾部 逐渐变细。
停炉
停止加热并抽出坩埚，使晶体在炉内自然冷却。
单晶炉的操作规范
操作前检查
检查炉内是否有杂质、异物，确认坩埚位置 和加热器是否正常工作。
01
温度控制
根据工艺要求，严格控制加热器的温度和拉 速，避免出现温度波动或拉速过快的情况。
03
引晶操作
02
单晶炉的工艺流程与操作规范
单晶炉的工艺流程
抽真空
通过真空泵将单晶炉内的空气抽出，达到一定的真空度 。
熔料
将多晶硅放入坩埚中，加热至熔点以上，形成熔体。
引晶
将籽晶插入熔体表面，在一定的拉速下，使籽晶在熔体 表面旋转，以控制晶体的生长速度。
放肩
通过调整拉速和转向，使晶体由细变粗，直到达到预定 直径。
机械故障
机械运动部件失灵，可能是由于轴承磨损、导轨卡涩等原因，需要检查并更换轴承或清理保要求
单晶炉的安全操作规程
遵守生产车间规章制度，严禁携带烟火进入生产区域 。
操作过程中要佩戴劳动保护用品，避免受伤。
操作前检查设备是否正常，如有问题及时报修。 设备停机后要及时关闭电源，以免发生意外。
结渣、气泡是由于坩埚内熔体不 均、温度波动或熔料过程中混入 杂质等原因引起的。解决方法是 调整工艺参数、控制好温度和拉 速，同时注意观察坩埚内的熔体 表面，及时清除结渣和气泡。
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热场不均
热场不均是由于加热器故障或炉内 气体流动不均等原因引起的。解决 方法是检查加热器的运行状态和炉 内气体流动情况，调整气体流量和 加热器的位置。
05
单晶炉的生产实践与应用案例
单晶炉在太阳能光伏行业的应用案例
赛昂电力
单晶炉资料范文
单晶炉资料范文单晶炉（Crystal Growth Furnace）是一种用于制备单晶材料的设备。
单晶材料具有具有高度有序的排列结构，与多晶材料相比，具有更好的电、光、磁、导热等性能。
单晶炉能够提供优质的单晶材料，并在材料科学和工艺领域发挥着重要的作用。
一、单晶炉的工作原理单晶炉的工作原理基于熔融法和凝固法，分为溶解、结晶、孕育和长晶四个阶段。
1.溶解阶段：将原料加入到炉中，加热到材料的熔点并维持在一定温度下熔化。
这个阶段需要掌握好温度和压力，以保证原料能够完全熔化。
2.结晶阶段：将已熔化的材料缓慢冷却，形成小晶核。
随着冷却的继续，晶核会不断生长，并逐渐形成完整的单晶体。
这个阶段需要严格控制温度和冷却速度，以确保晶体的生长质量。
3.孕育阶段：将已形成的小晶核浸泡在溶剂中，使其继续生长，从而得到更大尺寸的单晶体。
4.长晶阶段：将孕育的晶核放入特殊的结晶室中，通过恒温和梯度技术，使其在溶液中缓慢生长，最终得到所需尺寸和形状的高质量单晶体。
二、单晶炉的主要组成部分1. 炉体（Furnace Body）：单晶炉的主要部分，用于容纳原料和提供均匀的温度场。
通常采用陶瓷等耐高温材料制成，以确保高温下的稳定性和耐腐蚀性。
2. 反应舱（Reaction Chamber）：位于炉体内部，用于容纳原料和执行晶体生长实验。
反应舱通常具有高真空或惰性气氛环境，以防止杂质和氧化对晶体的影响。
3. 加热系统（Heating System）：通过电阻丝、电磁加热或激光加热等方式，提供炉体的加热能源。
加热系统需要能够精确控制温度，以满足不同晶体的生长需求。
4. 控制系统（Control System）：用于监测和控制炉体的温度、压力等参数，以确保晶体的生长过程稳定可控。
控制系统通常采用微处理器和传感器等技术，能够实时采集数据并进行数据分析。
5. 冷却系统（Cooling System）：用于控制晶体的冷却速度，避免晶体过快或过慢的冷却导致晶体质量下降。
单晶炉的数据和要求
单晶炉的数据和要求单晶炉是一种用于制造单晶材料的设备，通过控制温度和压力等参数，将液体材料逐渐凝固成为单晶体。
单晶材料具有高度的晶体结构完整性和均匀性，因此在许多领域有着广泛的应用，如电子器件、光学器件、能源材料等。
本文将介绍单晶炉的基本数据和要求，以帮助读者了解该设备的特点和应用。
一、单晶炉的基本数据1.外观和结构：单晶炉通常由炉体、加热元件、晶体生长室、真空系统、温度控制系统等组成。
其外观一般呈圆筒状或立方体状，尺寸大小根据不同的生长要求而有所差异。
2.温度范围：单晶炉的温度范围通常在1000℃至3000℃之间，不同的材料需要不同的生长温度。
常用的加热元件有电阻加热、感应加热等，可根据实际需求选择。
3.生长室：用于放置生长石英坩埚和控制生长过程的环境。
生长室内需要具备一定的密封性和真空度，以防止杂质进入，影响晶体的质量。
4.控制系统：包括温度控制、压力控制、气体流量控制等功能，用于调节生长环境的参数，保证单晶的质量和生长的速度。
5.真空系统：用于排除生长环境中的气体，保持生长过程中的高真空状态，以减少杂质对晶体的影响。
真空系统包括真空泵、阀门等设备。
二、单晶炉的要求1.温度稳定性：单晶材料的生长过程需要精确控制温度，在不同的生长阶段需要提供不同的温度梯度。
单晶炉的温度控制系统需要具备高精度和稳定性，以确保生长过程的一致性和均匀性。
2.真空度要求：单晶材料生长需要在高真空环境下进行，以排除气体对晶体生长质量的影响。
单晶炉的真空系统需要具备高真空度和良好的密封性，以保证晶体生长的纯净性。
3.晶体生长速率控制：不同的晶体材料需要在特定的生长速率下进行生长，以获得所需的晶体质量和尺寸。
单晶炉的控制系统需要能够精确地控制生长环境中的参数，以调节晶体生长速率。
4.安全性和可靠性：单晶炉属于高温设备，使用过程中需要注意安全防护。
同时，设备的可靠性也是使用者关注的重点，确保设备稳定运行和长时间的使用寿命。
三、单晶炉的应用1.半导体材料生长：单晶炉在半导体行业中广泛应用，用于生长硅单晶和其他半导体材料的单晶。
半导体 单晶炉 热场尺寸
半导体单晶炉热场尺寸半导体单晶炉是用于生长半导体单晶的重要设备。
单晶炉中的热场尺寸对于单晶生长过程至关重要。
1. 半导体单晶炉简介半导体单晶炉是半导体工业中用于生长高质量单晶的设备。
半导体材料在单晶炉中通过化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）等方法进行生长，形成具有特定晶格结构的单晶材料。
这些单晶材料被广泛应用于集成电路、光电子器件、太阳能电池等领域。
2. 热场尺寸的意义热场尺寸是指单晶炉中用于生长单晶的热场的尺寸。
热场是指在单晶炉中加热的区域，用于提供适当的温度梯度和环境条件，以促进单晶的生长。
热场尺寸对单晶生长的质量、尺寸和效率等方面有重要影响。
3. 热场尺寸的影响因素热场尺寸的选择受到多个因素的影响，包括以下几个方面：3.1 单晶尺寸要求：热场尺寸应能够满足要生长的单晶材料的尺寸要求。
不同的应用可能对单晶材料的尺寸有不同的需求，因此热场尺寸需要根据具体的应用来确定。
3.2 设备成本和复杂性：增加热场尺寸会增加设备的成本和复杂性。
较大的热场尺寸需要更高的能量供给和更大的设备尺寸，这可能导致设备成本的增加。
因此，在选择热场尺寸时需要综合考虑设备成本和性能之间的平衡。
3.3 工艺要求：不同的单晶材料和生长工艺可能对热场尺寸有特定的要求。
例如，某些材料的生长需要较大的热场尺寸以实现较大的晶体尺寸或特定的晶格取向。
因此，工艺要求也是选择热场尺寸的重要考虑因素。
4. 热场尺寸的优化方法确定合适的热场尺寸是一个复杂的工程问题，需要综合考虑上述因素。
以下是一些常见的热场尺寸优化方法：4.1 模拟和建模：使用计算流体力学（CFD）模拟和热力学建模等方法，对热场进行仿真分析，以评估不同尺寸下的温度分布、流场特性等参数。
通过模拟和建模，可以优化热场尺寸，以满足生长要求和工艺要求。
5. 单晶炉的类型：气相生长炉（CVD）：采用化学气相沉积方法，在高温下将气体中的原子或分子沉积在衬底上，形成单晶材料。
液相生长炉：通过在溶液中控制温度梯度和化学反应，使单晶材料从溶液中生长出来。
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技术参数
管径￠ 管径￠100 极限真空度0.06Pa 辅真空泵 极限真空度0.06Pa 排气能力10L/S 排气能力10L/S 功率1KW 功率1KW 管径￠ 管径￠40 惰性气体：氩气 惰性气体： 单晶生长过程中的通常流率 ： 60slpm 通过质量流量控制器控制的最大值： 通过质量流量控制器控制的最大值： 150m 最小手动流量（手动截止阀） 最小手动流量（手动截止阀） ： 75slpm 氩气纯度最小纯度要求： >99.999％ 氩气纯度最小纯度要求： >99.999％
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技术参数
冷却水（工业纯水） 冷却水（工业纯水） 酸碱度PH=6.0~8.0(25℃) 酸碱度PH=6.0~8.0(25℃) 硬度(ＣａＣＯ3) 硬度(ＣａＣＯ3) <150PPM 导电率<500μS/Cm(25℃) 导电率<500μS/Cm(25℃) 进水流量280~320L/Min 进水流量280~320L/Min 进水温度>15℃~30℃ 进水温度>15℃~30℃ 进水压力>2.0~3.8KPa 进水压力>2.0~3.8KPa 高纯氩气纯度99.999% 99.999%以上 高纯氩气纯度99.999%以上 流量<150L/Min 流量<150L/Min 压力>0.2Mpa 压力>0.2Mpa 极限真空度0.06Pa 主真空泵 极限真空度0.06Pa 排气能力>120L/S 排气能力>120L/S 功率15KW 功率15KW
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技术参数
籽晶提升速度（慢速）0.2-8.0mm/min（快速） 籽晶提升速度（慢速）0.2-8.0mm/min（快速）800mm/min 上轴转速： 上轴转速：1-40 rpm 坩埚升降行程： 坩埚升降行程：>500mm 坩埚升降速度：（慢速）0.02：（慢速 (快速 快速)100mm/min 坩埚升降速度：（慢速）0.02-1mm/min (快速)100mm/min 坩埚转速： 坩埚转速：1-30 rpm 坩埚最大承重： 坩埚最大承重：300kg 炉压控制：5-50torr 炉压控制： 极限真空度： 极限真空度：<22.5mT 漏气率： 漏气率：<0.75mT/min 电源输入功率：三相交流380V 10%， 380V± 电源输入功率：三相交流380V±10%， 50HZ/60HZ 加热器输出容量： 加热器输出容量： 165KW
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技术参数
产品用途：生产6 10” 多用途单晶棒。 产品用途：生产6”, 10” 多用途单晶棒。 主要用于太阳能级单晶棒 重掺硅单晶棒 可控硅级单晶棒 半导体级硅单晶棒 最大装料量： 最大装料量：125KG 热场尺寸： 22” 热场尺寸： 22” 使用石英坩埚尺寸：22” 使用石英坩埚尺寸：22” 产品规格： 产品规格： 晶向 ：<111>,<100>,<110> 直径：Ф6″， 直径：Ф6″，Ф10″ 晶体行程： 晶体行程： 3500mm
软轴式、直拉法YJ-CZ95型全 软轴式、直拉法YJ-CZ95型全 YJ 自动单晶炉
可拉制6英寸及 英寸以下的硅单晶棒 可拉制 英寸及10英寸以下的硅单晶棒。 英寸及 英寸以下的硅单晶棒。 可拉制多品种硅单晶棒： 可拉制多品种硅单晶棒： • 拉制 级硅单晶棒； 拉制IC级硅单晶棒 级硅单晶棒； • 拉制重掺硅单晶棒； 拉制重掺硅单晶棒； • 拉制可控硅级硅单晶； 拉制可控硅级硅单晶； • 拉制太阳能级硅单晶棒； 拉制太阳能级硅单晶棒；
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技术参数
炉体占地： 炉体占地：2000mm X 2500mm 炉体高度： 炉体高度：7800mm 冷却水流量: 280冷却水流量: 280-320L/min 冷却水温度: 15-30度以下不结冰 冷却水温度: 15-30度以下不结冰 冷却水质量: 冷却水质量: 工业用纯水 极限真空度: 极限真空度: <3mT 真空漏率: 真空漏率: <0.4mT/min 籽晶绳材质: 籽晶绳材质: 钨25*10 红外测温: 0.1度 红外测温: 0.1度 CCD相机 2,000,000相素 相机: CCD相机: 2,000,000相素 中炉筒内径: 中炉筒内径: 950mm 主屏尽寸: 15” 主屏尽寸: 15”触摸屏 副屏尽寸: 10.4” 副屏尽寸: 10.4”VGA
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UPS整机供电系统 UPS整机供电系统
本单晶炉独有UPS整机供电系统：在外部供电停止时， 本单晶炉独有UPS整机供电系统：在外部供电停止时，除 UPS整机供电系统 加热器电 源外，本单晶炉整机所有功能都可正常维持10源外，本单晶炉整机所有功能都可正常维持1010 15分种 自动程序不会中断动行， 分种， 15分种，自动程序不会中断动行，对瞬间断电或自有发电 设施的公司特别有用， 设施的公司特别有用，不会因短暂的停电使单晶炉自动过 程复位，带来很大损失； 程复位，带来很大损失；同时也给停电后采取措施提供了 宝贵的时间。 宝贵的时间。
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软件主要功能
拉晶过程所有相关控制数据在线显示；有自动与手动双重切换操作方式选择。 简、繁、英、多种软件语言设置。 全自动控制，无需很专业经验的拉晶人员即可快速操作；提高了生产效率. 软件有多级管理权限：操作员、管理员、最高权限者可修改全部数据，保护拉晶数据与设备的稳定， 使无关人员不能随意更改参数造成损失。 软件参数可相互之间复制。免去了重复调试的工作。 软件有多重安全系统保护，可及时了解现在与历史报警信息。 有I/O实时监控功能，在出现机器故障时，通过I/O监控画面就能确认输入与输出的状态，迅速地判 断故障位置，提高了维护效率。 能实现氩气流量的自动控制，并能保护氩气过量充入时自动切断供气。 可以实现网络监控，最大可以集中监控999台永佳公司的单晶炉 从“抽真空、真空检测、化料、稳定、引晶、放肩、收肩、等径拉制、收尾、冷却”的拉晶全过程 一键式操作。 全部采用数字化自动控制。 单晶炉运行过程中的电压，电流，功率，温度，晶体直径，坩埚位置和转速， 晶体位置和转速等全部数据及其变化的历史均自动以电子文档的形式记录在案， 方便拉晶结束后分析参数,实现生产档案管理。
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主要器件构成
炉腔内外层采用计算机模拟双层热循环水冷式结构设计， ① 炉腔内外层采用计算机模拟双层热循环水冷式结构设计，设计 的合理才会避免炉体后期的变形与漏水。 的合理才会避免炉体后期的变形与漏水。 真空旋转轴是日本MORETEC(埃慕迪) MORETEC(埃慕迪 ② 真空旋转轴是日本MORETEC(埃慕迪)独有为本单晶炉特殊设计 的大型磁流体密封装置，更长久耐用。 的大型磁流体密封装置，更长久耐用。 每个炉腔两端法兰为高压整体锻造件。 ③ 每个炉腔两端法兰为高压整体锻造件。 密封圈全部采用THK及台湾高质进口件。 THK及台湾高质进口件 ④ 密封圈全部采用THK及台湾高质进口件。 氩气管路及其配套的电磁阀全部采用高质量、高洁净进口件, ⑤ 氩气管路及其配套的电磁阀全部采用高质量、高洁净进口件,有 质量流量控制器自动控制氩气。 质量流量控制器自动控制氩气。 真空管路系统采用独特设计，在热场出口有冷却装置， ⑥ 真空管路系统采用独特设计，在热场出口有冷却装置，有自动 炉压控制系统。 炉压控制系统。 多重安全控制外，上下炉腔有安全阀及炉筒浮动设计泄压。 ⑦ 多重安全控制外，上下炉腔有安全阀及炉筒浮动设计泄压。