晶体二极管及二极管整流电路试题
(完整版)2018年技能高考电气类《晶体二极管及二极管整流电路》试题含答案,推荐文档
《晶体二极管及二极管整流电路》试题时间：60分钟总分：分班级：班命题人：一、判断题1. 半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若提高环境温度导电能力会减弱。
（错误）2. 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
（正确）3. N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。
（正确）4. P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错误）5. PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
（错误）6. 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。
（正确）7. 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
（正确）8. 二极管具有单向导电性。
（正确）9. 二极管是线性器件。
（错误）10. 二极管和三极管都是非线性器件。
（正确）11. 二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。
（错误）12. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。
（错误）13. 二极管的核心是一个PN结，PN结具有单向导电特性。
（正确）14. PN结的单向导电性，就是PN结正向偏置时截止，反向偏置时导通。
（错误）15. 二极管两端加上反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极管的状态为截止。
（正确）16. 二极管的截止特性是其两端的反向电压增加时，而反向电流基本不变。
（正确）17. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。
（错误）18. 点接触型二极管其PN结的静电容量小，适用于高频电路。
（正确）19. 整流二极管多为面接触型的二极管，结面积大、结电容大，但工作频率低。
（正确）20. 整流二极管多为点接触型的二极管，结面积小、结电容大，但工作频率低。
（错误）21. 点接触型二极管只能使用于大电流和整流。
（错误）22. 制作直流稳压电源元件中，整流二极管按照制造材料可分为硅二极管和锗二极管。
（正确）23. 半导体二极管按结构的不同，可分为点接触型和面接触型，各自能承受的正向电流值有较大区别。
二极管基本应用电路试题
二极管基本应用电路试题1 .二极管两端加正向电压时，A、立即导通B、超过死区电压就导通C、超过0.2V就导通D、超过击穿电压就导通2 .当二极管工作在正向特性区，且所受正向电压大于其死区电压时，则二极管相当于A、大电阻B、大电容C、断开的开关D、接通的开关（正确答案）3 .普通二极管导通时，则二极管两端所加的电压是As正向偏置反向偏置C、无偏置D、零偏置4 .半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为A、杂质半导体B、本征半导体C、P型半导体D、N型半导体5 .二极管正极电位为9V,负极电位为5V,则该管处于A、零偏B、反偏D、击穿6 .面接触型二极管比较适用于A、小信号检波B、小功率整流C、大电流开关D、大功率整流（正7 .半导体中导电的载流子是A、电子B、空穴C、离子D、电子和空穴川了8 .错二极管的导通电压是A、0.1V左右B、0.3V左右（」1C、0.5V左右D、0.7V左右9 .电路如图，VD为理想二极管，则二极管的状态是A、导通"‘汇苔W)B、截止C、击穿D、烧坏10 .当硅二极管加上0.3V正向电压时，该晶体二极管相当于A、小阻值电路B、阻值很大的电阻C、阻值很小的电阻D、内部短路11 .普通二极管的应用范围很广，主要都是利用它的A、负阻特性B、非线性C、双向导电性D、单向导电性1卜；—)12 .通常用来将输入的常规交流电(一般指电网电压)变为整流电路所要求的低压交流电的元器件是A、电容B、电感C、变压器，D、电阻13 .电子型半导体的形成是通过在本征半导体中掺入微量的A、三价元素B、四价元素C、五价元素D、六价元素14 .整流的目的是A、将交流电变为直流电—.)B、将高频交流电变为低频交流电C、将正弦波变为方波D、将直流电变为交流电15 .在整流电路中将高压转变成低压的元器件是A、电容B、电感C、变压器D、二极管16 .利用二极管反向电击穿时两端电压保持稳定的特性来稳定电路两点电压的二极管称为A、整流二极管B、稳压二极管”C、光电二极管D、变容二极管17 .单相整流电路实现整流是利用二极管的A、单向导电性（山产W）B、稳压特性C、光电特性D、变容特性18 .可以直接将电能转变为光能的二极管为A、发光二极管川B、稳压二极管C、光电二极管D、变容二极管【正确答案】：A判断题19 .当环境温度升高时，二极管的反向电流将减小。
二极管和二极和二极整流电路练习题资料讲解
二极管和二极和二极整流电路练习题晶体二极管和二极管整流电路复习题复习题一（二极管的单向导电性）一、填空题：1、晶体二极管加时导通，加电压时截止，这一导电特性称为晶体二极管的单向导电性。
二、判断题：1、二极管加上反向电压时，它的正极电位比负极电位高。
（）2、由于二极管具有单向导电性，所以二极管要正向接入电路才能发挥作用。
（）3、二极管两端加上正向电压就导通。
（）4、二极管导通时两端所加的是正向偏置电压。
（）三、选择题：1、晶体二极管的阳极电位是-10V，阴极电位是-5V，则该晶体二极管处于（）状态。
A零偏B反偏D正偏2、如果把二极管的阳极接到6V的电源正极，把阴极接到电源的负极，二极管会（）。
A正偏B反偏C不允许这样接3、晶体二极管正偏时相当于（）A断开的开关B闭合的开关C以上都不对4、二极管具有（）A信号放大作用B单向导电性C双向导电性D负阻特性四、问答题：1、如图所示的电路中，当输入端a b间输入交流电压时，通过R1、R2两电阻上的是交流电，还是直流电。
2、二极管电路如下图所示，判断图中二极管的状态是导通还是截止，并确定输出电压为多少3、如下图所示，二极管导通电压约为0.7V，试分析开关断开和闭合时R上的电压各为多少。
4、在下图所示的电路中，灯会亮吗？复习题二（PN结）一、填空题：1、半导体是指导电性能的物体。
2、在半导体中存在两种载流子：一种是，带电；一种是，带电。
3、称为本征半导体。
4、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。
5、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。
6、在本征半导体中加入微量的硼元素可得到型半导体，在本征半导体中加入微量的磷元素可得到型半导体。
7、在硅或锗单晶基片上加工出P型区和N型区，二极管的正极从区引出，负极从区引出。
在P型区和N型区的结合部是一个特殊的薄层，称为。
8、二极管之所以具有单向导电性，是因为其内部有一个具有单向导电性的。
晶体二极管和整流电路测试题
第1章：晶体二极管和二极管整流电路一．填空题：1．二极管的P 区接电位 端，极管的N 区接电位 端，称正向偏置，二极管导通；反之称反向偏置，二极管截止；所二极管具有 性。
2．二极管的PN 结面积不同可分为点接触型、面接触型和 型； 型二极管适用于高频、小电流的场合， 型二极管适用于低频、大电流的场合。
3．普通二极管工作时要避免工作于 ，而稳压管通常工作于 。
4．单相 用来将交流电压变换成单相脉动直流电压。
5．直流电源中，除电容滤波电路外，其它形式的滤波电路包括 、 等。
8．发光二极管能将电信号转换成 信号，它工作时需要加 偏置电压；光电二极管能将 转换成电信号，它工作时需要加 偏置电压； 二．1．二极管在反向电压超过最高反向工作电压V RM 时会损坏。
（ ）2．稳压二极管在工作中只能作反向连接。
（ ）3．电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。
（三．选择题：1．图1.17所示符号中，表示发光二极管的为 （ ）2．从二极管的伏安特性可以看出，二极管两端压降大于（ ）时，处于正向导通状态。
（ ）A ．0B ．死区电压C ．反向击穿电压D ．正向压降4．直流稳压电源中，滤波电路的作用是 （ ）A ．将交流电变为较平滑的直流电B ．将交流电变为稳定的直流电C ．滤除直流电中的交流成分D ．将交流电变为脉动直流电四．1．画出桥式整流电容滤波电路图，若要求V L ＝20V ，I L ＝100ｍA ，①试求电路元件的有关参数；②变压器二次电压的有效值V 2；③整流二极管参数V F 和V RM ；。
2．图1.18给出了一些元器件的电路符号，请合理连线，构成一个5V 的直流稳压电源。
五．综合题： 1．二极管电路如图1.20电压V 0。
设二极管的导通电压降为0.7V 。
2②导通区；③截止区；④击穿区。
A .B .C .D .图1.17图1.20V V ～220V ①②③④⑤⑥W 7805V 0＝5V +-+⑦⑧⑨⑩111213输入端输出端R L 图1.18。
2018《电工电子》测验二极管整流电路
济南电子机械工程学校2017—2018学年第二学期（18上半年）《电工电子》测验2班级________ 姓名________ 学号____ （考试时间：90分钟）一、填空题1、PN结正向偏置时，反向偏置时，这种特性称为PN结的。
但是当硅材料的PN结正向偏压小于 V，锗材料的PN结正向偏压小于 V时，PN结仍不导通，我们把这个区域称为。
2.线性稳压电源主要由、和三部分组成。
3．将交流电转换为直流电的过程称为。
4．把脉动直流电变成较为平稳的直流电的过程，称为。
5．常用的滤波电路有、和三种。
6．在单相桥式整流电路中，如果负载电流为２０Ａ，则流过每只晶体二极管的电流为。
二、选择题1、在P型半导体中（）A．空穴是多数载流子，电子是少数载流子B．电子是多数载流子，空穴是少数载流子C．空穴的数量略多于电子 D．没有电子2、把电动势是1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管（）A．电流为零 B．电流基本正常 C．击穿 D．被烧坏3、二极管两端加上正向电压时（）A．一定导通 B．超过死区电压才能导通C．超过0.7伏才导通 D．超过0.3伏才导通4、在如图所示电路中工作于正常导通状态的二极管是（）5、电路如图所示，设二极管正向电阻为零，反向电阻为无穷大，则电压ＵAB为（）Ａ．－３伏Ｂ．５伏Ｃ．８伏Ｄ．－８伏6、有热敏特性的半导体材料受热后，半导体的导电性能将（）A、变好B、变差C、不变D、无法确定7、P型半导体是指在本征半导体中掺入微量（）A、硅元素B、硼元素C、磷元素D、锂元素8、N型半导体是指在本征半导体中掺入微量（）A、硅元素B、硼元素C、磷元素D、锂元素9、二极管正向电阻比反向电阻（）A、大B、小C、一样大D、无法确定10、二极管在反向截止区的反向电流（）A、随反向电压升高而升高B、随反向电压升高而急剧升高C、基本保持不变D、随反向电压升高而减少11、晶体二极管内阻是（）A、常数B、不是常数C、不一定D、没有电阻12、电路如图所示，输出电压U O应为（）A、0.7VB、3.7VC、10VD、3V13、将交流电压U i经单相半波整流电路转换为直流电压Uo的关系是（）A、Uo=U iB、Uo=0.45U iC、Uo=0.5U iD、i14、下面列出的几条曲线中，哪条表示的是二极管的伏安特性曲线（）A B C D15、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到（）A、R×100Ω或R×1KΩB、R×1ΩC、R×10ΩD、R×100Ω16、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A、减少B、增大C、不变D、缓慢减少17、如图所示，设二极管为理想状态，则电压U AB为（）A、3VB、6VC、-3VD、-6V18、如图所示的电路中，理想二极管D1、D2的工作状态为（）A、D1、D2均导通B、D1截止，D2导通C、D1、D2均截止D、D1导通，D2截止19、将交流220V经单相桥式整流电路转换为直流电压的值为（）A、110VB、0.9×220VC、220V D、220V20、某晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零时，则该二极管（）A、正常B、已被击穿C、内部短路D、内部开路21、已知输入正弦波Ui，欲获取图示输出波形Uo，应选取的合适电路是（）A 、B 、C 、D22、两只相同的灯泡L1、L2接在如图所示的电路中，则（）A、L1比L2亮B、L2比L1亮C、L1、L2一样亮D、以上答案都不对23、在单相半波整流电路中，如果电源变压器二次电压为１００Ｖ，则负载电压将是（）A．100ｖB．４５Ｖ；C．９０Ｖ24、在单相半波整流电路中，如果负载电流为１０Ａ，则流经整流晶体二极管的电流为（）A．４．５Ａ；B．５Ａ；C．１０Ａ25、在单相桥式整流电路中，若电源变压器二次电压为１００Ｖ，则负载电压为（）A．４５ＶB．５０ＶC．９０Ｖ26、在单相桥式整流电路中，如果负载电流为１０Ａ，则流过每只整流晶体二极管的电流为（）A．１０Ａ；B．５Ａ；C．４．５Ａ27、在单相桥式整流电路中，如果一只整流晶体二极管接反，则（）A．将引起电源短路；B．将成为半波整流电路；C．仍为桥式整流电路二、判断题1、二极管导通后，其电流大小与正向电压成正比。
《电工与电子技术基础》电子部分习题
第四章晶体二极管和二极管整流电路第一节晶体二极管（第一课时）一、选择题1、当晶体二极管的PN结导通后参加导电的是（）A.少数载流子B.多数载流子B.既有少数载流子又有多数载流子2、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（）A.P型半导体B.本征半导体C.N型半导体二、填空题1、半导体是一种导电能力介于和之间的物体。
2、PN结具有的性能，即：加电压时PN结导通；加的电压时PN结截止。
三、解答题1、图所示的电路中，哪些灯泡能发亮？第一节晶体二极管（第二课时）一、选择题1、晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该二极管处于（）A. 零偏B. 反偏C. 正偏2、面接触型晶体二极管比较适用于（）A.小信号检波B.大功率整流C.大电流开关3、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应该把欧姆挡拨到（）A. R×100Ω或R×1kΩ挡B. R×1Ω挡C. R×10kΩ挡4、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压，则晶体二极管相当于（）A.大电阻B.断开的开关C.接通的开关5、当硅二极管加上0.3V的正向电压时，该二极管相当于（）A.小阻值电阻B.阻值很大的电阻C.内部短路二、填空题1、当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为V，锗二极管的正向压降为V。
2、晶体二极管因所加电压过大而。
并出现的现象，称为热击穿。
3、下面每小题后面的括号内，提供几种答案，选择正确的填在相应的横线上。
（1）简单的把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起形成PN结？（能；不能；不一定）（2）二极管导通时，则二极管两端所加的是电压。
（正向偏置；反向偏置；无偏置）（3）当二极管两端的正向偏置电压增大于电压时，二极管才能导通。
（击穿；饱和；门槛）（4）二极管两端的反向偏置电压增高时，在达到电压以前，通过的电流很小。
（击穿；最大；短路）第二节二极管整流电路1、在如图所示的电路中，试分析输入端a、b间输入交流电压υ时，通过R1、R2两电阻上的是交流电，还是直流电？2、若将单相桥式电路接成如图的形式，将会出现什么结果，应如何改正？3、如图所示两个电路中，设V1、V2均为理想二极管（即正向导通时其正向电阻和正向压降为零，反向截止时其反向电阻无穷大的二极管），试判断两图中的二极管是截止的还是导通的，A、B两端的电压V AB=？C、D端的电压V CD=？4、画出半波整流电路图。
2015年电子招收中职毕业生题库二
2015年湖北省普通高等学校招收中职毕业生技能高考电子类技能考试样库第一章•晶体二极管及二极管整流电路第一节.识记二极管单向导电性，二极管伏安特性和主要参数；A:判断题：1.半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若降低环境温度导电能力会减弱。
（）2.用万用表测试晶体管时，选择欧姆档RX10K档位。
（）3.在P型半导体中，少数载流子是空穴，多数载流子是电子。
（）4.用万用表测试晶体管时，选择欧姆档RX0K档位（）。
5.PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
（）6.N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。
（）7 .二极管和三极管都是非线性器件。
（）8.二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不超过某一范围时，二极管的反向电流随反向电压的增加而基本不变（）9.P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（）B:选择题1.P型半导体的多数载流子是（）。
A.电子B.空穴C.电荷D.电流2.晶体硅或锗中，参与导电的是（）。
A.离子B.自由电子C.空穴D.B和C3.下列说法正确的是（）。
A.N型半导体带负B.P型半导体带正C.PN结型半导体为电中性体D.PN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生4.N型半导体的多数载流子是（）。
A.电流B.自由电子C.电荷D.空穴5.关于P型.N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（）。
A.无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴B.P型半导体中只有空穴导电C.N型半导体中只有自由电子参与导电D.在半导体中有自由电子•空穴•离子参与导电6.稳压二极管是利用PN结的（）来实现稳压性能的。
A.反向击穿特性B.正向导通性C.反向截止性D.单向导电性7.锗二极管导通时，它两端电压约为（）。
A.1VB.0.7VC.0.3VD.0.5V8.关于N型半导体的下列说法，错误的是（）。
A.自由电了是多数载流子B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体D.在PNP型晶体管中，基区是N型半导体9.半导体的导电能力随温度升高而（），金属导体的电阻随温度升高而（）A.降低/降低B.降低/升高C.升高/降低D.升高/升高10.PN结呈现正向导通的条件是（）。
晶体二极管及二极管整流电路试题
《晶体二极管及二极管整流电路》试题一、判断题（每空2分，共36分）1. N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。
（）2. 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。
（）3. 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
（）4. 二极管是线性器件。
（）5. 二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。
（）6. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。
（）7. PN结的单向导电性，就是PN结正向偏置时截止，反向偏置时导通。
（）8. 二极管两端加反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极管的状态为截止。
（）9. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。
（）10. 热击穿和电击穿过程都是不可逆的。
（）11. 所谓理想二极管，就是当其正向偏置时，结电阻为零，等效成开关闭合；当其反向偏置时，结电阻为无穷大，等效成开关断开。
（）12. 使用稳压管时应阳极接高电位，阴极接低电位。
13. 稳压二极管如果反向电流超过允许范围，二极管将会发生热击穿，所以，与其配合的电阻往往起到限流的作用。
（）14. 整流电路由二极管组成，利用二极管的单向导电性把直流电变为交流电。
（）15. 用两只二极管就可实现单相全波整流，而单相桥式整流电路却用了四只二极管，这样做虽然多用了两只二极管，但降低了二极管承受的反向电压。
（）16. 在电容滤波整流电路中，滤波电容可以随意选择（）17. 在电容滤波整流电路中，电容耐压值要大于负载开路时整流电路的输出电压。
（）18.电容滤波器中电容器容量越小滤波效果越好。
（）二、单选题（每空2分，共32分）1. 本征半导体是（）。
A. 掺杂半导体B. 纯净半导体C. P型半导体D. N型半导体2. P型半导体的多数载流子是（）。
A. 电子B. 空穴C. 电荷D. 电流3. 关于P型、N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（）。
A. 无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴B. P型半导体中只有空穴导电C. N型半导体中只有自由电子参与导电D. 在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电4. 半导体的导电能力随温度升高而（），金属导体的电阻随温度升高而（）。
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《晶体二极管及二极管整流电路》试题
一、判断题（每空2分，共36分）
1. N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。
（）
2. 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。
（）
3. 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
（）
4. 二极管是线性器件。
（）
5. 二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。
（）
6. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。
（）
7. PN结的单向导电性，就是PN结正向偏置时截止，反向偏置时导通。
（）
8. 二极管两端加反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极管的状态为截止。
（）
9. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。
（）
10. 热击穿和电击穿过程都是不可逆的。
（）
11. 所谓理想二极管，就是当其正向偏置时，结电阻为零，等效成开关闭合；当其反向偏置时，结电阻为无穷大，等效成开关断开。
（）12. 使用稳压管时应阳极接高电位，阴极接低电位。
13. 稳压二极管如果反向电流超过允许范围，二极管将会发生热击穿，所以，与其配合的电阻往往起到限流的作用。
（）
14. 整流电路由二极管组成，利用二极管的单向导电性把直流电变为交流电。
（）
15. 用两只二极管就可实现单相全波整流，而单相桥式整流电路却用了四只二极管，这样做虽然多用了两只二极管，但降低了二极管承受的反向电压。
（）
16. 在电容滤波整流电路中，滤波电容可以随意选择（）
17. 在电容滤波整流电路中，电容耐压值要大于负载开路时整流电路的输出电压。
（）
18.电容滤波器中电容器容量越小滤波效果越好。
（）
二、单选题（每空2分，共32分）
1. 本征半导体是（）。
A. 掺杂半导体
B. 纯净半导体
C. P型半导体
D. N型半导体
2. P型半导体的多数载流子是（）。
A. 电子
B. 空穴
C. 电荷
D. 电流
3. 关于P型、N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（）。
A. 无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴
B. P型半导体中只有空穴导电
C. N型半导体中只有自由电子参与导电
D. 在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电
4. 半导体的导电能力随温度升高而（），金属导体的电阻随温度升高而（）。
A. 降低/降低
B. 降低/升高
C. 升高/降低
D. 升高/升高
5. PN结呈现正向导通的条件是( )。
A. P区电位低于N区电位
B. N区电位低于P区电位
C. P区电位等于N区电位
D. N区接地
6. 硅二极管导通时，它两端的正向导通压降约为（）。
A. B. C. D.
7. 二极管由（）个PN结组成。
D. 0
8. 晶体二极管的正极电位是-8V，负极电位是-2V，则该晶体二极管处于（）。
A. 反偏
B. 正偏
C. 零偏
D. 不可判断
9. 晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-16V，则该晶体二极管处于（）。
A. 反偏
B. 正偏
C. 零偏
D. 不可判断10. 稳压二极管具有（）作用。
A. 开关
B. 稳压
C. 放大
D. 滤波
11. 稳压二极管的正常工作状态是（）。
A. 导通状态
B. 截止状态
C. 反向击穿状态
D. 饱和状态
12. 整流电路的目的是（）。
A. 将交流变为直流
B. 将高频变为低频
C. 将正弦波变为方波
D. 将直流变为交流
13. 稳压二极管是利用二极管的（）特征制造的特殊二极管。
A. 正向导通时电压变化小
B. 反向截止时电流小
C. 反向击穿时电压变化小而反向电流变化大
D. 单向导电
14. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的正向导通压降（）。
A. 大
B. 小
C. 相等
D. 无法判断
15. 电路如图所示，则处于导通状态的二极管是( )。
A. 只有D1
B. 只有D2
C. D1和D2
D. D1和D2均不导通
16. 当硅晶体二极管加上正向电压时，该晶体二极管相当于（）。
A. 小阻值电阻
B. 一根导线
C. 内部短路
D. 阻值很大的电阻
三、填空题（每空2分，共24分）
1、把交流电转换成直流电的过程称为，原理是利用晶体二极管的性。
常用的整流电路有：、、。
2、滤波电路的作用是：。
3、常见的滤波器有：、、。
4、晶体二极管因所加电压过大而，并且出现的现象，称为热击穿。
四、分析题
1.如图所示电路中，哪一个灯泡不亮？（2分）
2、如图所示整流电路，若直流电压表V L读数为110V，负载电阻R L=80Ω，问：①直流电流表A的读数为多少？②交流电压表V2读数是多少？（6分）。