电子技术基础试卷

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中职《 电子技术基础 》期末试卷(含参考答案)

中职《 电子技术基础 》期末试卷(含参考答案)

2015 学年第 1 学期《电子技术基础》期末试卷(A卷,四大题型34小题)考试形式:闭卷一、填空题(10小题,20空格,每空格1分,共20分。

)1、直流放大器产生零点漂移的原因是:________________;________________。

2、差分放大电路的共模抑制比KCMR的含义是___________________________________,KCMR 越大,抑制零漂的能力越强。

3、集成运放在应用时,电路中需加保护电路,常用的保护电路有:________________保护;________________保护;________________保护。

4、要求放大电路输入电阻大、输出电阻小,可采用________________反馈;要求放大电路输入电阻小、输出电阻大,可采用________________反馈。

5、如果要求稳定放大器输出电压,并提高输入电阻,则应该对放大器施加_______________反馈;如果要求稳定放大器输出电流,并提高输出电阻,则应该对放大器施加_______________反馈。

6、如要产生较高频率的信号,可选用________________振荡器,如要产生较低频率的信号,可选用________________振荡器,如要产生频率________________的信号,可选用石英晶体振荡器。

7、放大器能否正常工作的首要重要条件是有合适的________________。

8、在单级共射极放大电路中,输入电压和输出电压的频率________________,________________电压被放大,而相位________________。

9、在桥式整流电路中,若输出电压为9V,负载中的电流为1A,则每个整流二极管应承受的反向电压为________________。

10、已知下图中三极管各极的电位,该三极管将处于________________工作状态。

电子技术基础试卷及答案

电子技术基础试卷及答案

《电子技术基础》第一章半导体二极管试卷一、单项选择题1.测量二极管(小功率)的管脚极性时,万用表的电阻档应选( )。

(2 分)A.R×1B.R×10C.R×100或R×1kD.R×10k2.测量二极管反向电阻时,若用两手将两管脚捏紧,其电阻值会( )。

(2 分)A.变大B.先变大后变小C.变小D.不变3.二极管正反向电阻相差( )。

(2 分)A.越小越好B.越大越好C.无差别最好D.无要求4.用万用表R×100Ω挡来测试二极管,其中( )说明管子是好的。

(2 分)A.正、反向电阻都为零B.正、反向电阻都为无穷大C.正向电阻为几百欧,反向电阻为几百千欧D.反向电阻为几百欧,正向电阻为几百欧5.变容二极管工作时,应加( )。

(2 分)A.反向电压B.正向电压C.正向电压或反向电压6.把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管的负极,则该管( )。

(2 分)A.基本正常B.击穿C.烧坏D.电流为零7.在电路中测得某二极管正负极电位分别为3V与10V,判断二极管应是( )。

(2 分)A.正偏B.反偏C.零偏8.2AP9表示( )。

(2 分)A.N型材料整流管B.N型材料稳压管C.N型材料普通管D.N型材料开关管9.变容二极管常用在( )电路中。

(2 分)A.高频B.低频C.直流10.用于整流的二极管型号是( )。

(2 分)A.2AP9B.2CW14CC.2CZ52BD.2CK84A二、判断题11.( )发光二极管可以接收可见光线。

(2 分)12.( ) 二极管加反向电压时一定截止。

(2 分)13.( )当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;当反向电压大于反向击穿电压后,其反向电流迅速增加。

(2 分)14.( )PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大。

(2 分)15.( )有两个电极的元件都叫二极管。

模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案:A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多,其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案:D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成,已知每级电压放大倍数为Au,则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案:B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案:B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案:B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案:B7、元件引脚的剪脚高度为( )。

A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓,没关系正确答案:B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案:A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。

A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案:C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案:C11、多级放大电路各级的电压增益分别是:10dB、20 dB、30 dB,则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案:C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案:A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案:A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案:D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势,增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高,损耗越大正确答案:D16、当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案:C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

电子技术基础试题库及参考答案

电子技术基础试题库及参考答案

电子技术基础试题库及参考答案试卷一一、单项选择题:在下列各题中,将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共13小题,总计34分)1、(本小题2分)由开关组成的逻辑电路如图所示,设开关接通为“1”,断开为“0”,电灯亮为“1”,电灯暗为“0”,则该电路为 ( )。

(a)“与”门(b)“或”门(c) “非”门2、(本小题2分)若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为( )。

(a) 正、反向电阻相等(b) 正向电阻大,反向电阻小(c) 反向电阻比正向电阻大很多倍(d) 正、反向电阻都等于无穷大3、(本小题2分)运算放大器电路如图所示,RF1和RF2均为反馈电阻,其反馈极性为 ( ) 。

(a) RF1引入的为正反馈,RF2引入的为负反馈(b) RF1和RF2引入的均为负反馈(c) RF1和RF2引入的均为正反馈(d) RF1引入的为负反馈,RF2引入的为正反馈4、(本小题2分)振荡电路的幅度特性和反馈特性如图所示,通常振荡幅度应稳定在()。

(a) O 点(b) A 点(c) B 点(d) C 点5、(本小题2分)电容三点式振荡电路如图所示,其振荡频率为()。

(a)fL C C C Co ≈+121212π()(b) fLC CC Co≈+121212π()(c) fLC CC Co≈+11212()6、(本小题2分)整流电路如图所示,直流电压表V(内阻设为无穷大)的读数均为90 V,二极管承受的最高反向电压为141 V 的电路是下列图中()。

7、(本小题2分)若晶闸管的控制电流由小变大,则正向转折电压()。

(a) 由大变小 (b) 由小变大(c) 保持不变8、(本小题2分)某数/模转换器的输入为8 位二进制数字信号(D7 ~ D0),输出为 0~ 的模拟电压。

若数字信号的最低位是“1”其余各位是“0”,则输出的模拟电压为( )。

(a) (b) (c)9、(本小题3分)电路如图所示,已知U CC=12V,RC=3k,β=40且忽略U BE,若要使静态时U C E=9V,则R B应取()。

数字电子技术基础自制题库

数字电子技术基础自制题库

数字电子技术基础试卷试题1一、单项选择题(每小题1分,共15分)1.一位十六进制数可以用多少位二进制数来表示?( C )A. 1B. 2C. 4D. 16 2.以下电路中常用于总线应用的是( A )A.T S L 门B.O C 门C. 漏极开路门D.C M O S 与非门 3.以下表达式中符合逻辑运算法则的是( D )A.C ·C =C 2B.1+1=10C.0<1D.A +1=1 4.T 触发器的功能是( D )A . 翻转、置“0” B. 保持、置“1” C. 置“1”、置“0” D. 翻转、保持 5. 存储8位二进制信息要多少个触发器(D )A.2B.3C.4D.8 6.多谐振荡器可产生的波形是( B )A.正弦波B.矩形脉冲C.三角波D.锯齿波 7.一个16选一的数据选择器,其地址输入(选择控制输入)端的个 数是( C )A.1B.2C.4D.16 8.引起组合逻辑电路中竟争与冒险的原因是( C )A.逻辑关系错;B.干扰信号;C.电路延时;D.电源不稳定。

9.同步计数器和异步计数器比较,同步计数器的最显著优点是( A ) A.工作速度高 B.触发器利用率高C.电路简单D.不受时钟C P 控制10.N 个触发器可以构成能寄存多少位二进制数码的寄存器?( B ) A.N -1 B.N C.N +1 D.2N11.若用J K 触发器来实现特性方程AB Q A Q n 1n +=+,则J K 端的方程应为( B )A.J =A B ,K =B AB.J =A B ,K =B AC.J =B A +,K =A BD.J =B A ,K =A B12.一个无符号10位数字输入的D A C ,其输出电平的级数是( C )A.4B.10C.1024D.10013.要构成容量为4K ×8的RAM ,需要多少片容量为256×4的RAM ?( D )A.2B.4C.8D.3214.随机存取存储器R A M 中的内容,当电源断掉后又接通,则存储器中的内容将如何变换?( C )A.全部改变B.全部为1C.不确定D.保持不变 15.用555定时器构成单稳态触发器,其输出的脉宽为( B )A.0.7RC ;B.1.1RC ;C.1.4RC ;D.1.8RC ; 二、多项选择题(每小题1分,共5分)16.以下代码中,为无权码的是( C )( D )A. 8421BCD 码B. 5421BCD 码C. 余三码D. 格雷码 17.当三态门输出高阻状态时,以下说法正确的是( A )( B )A.用电压表测量指针不动B.相当于悬空C.电压不高不低D.测量电阻指针不动18.已知F=A B +BD+CDE+A D ,下列结果正确的是哪几个?( A )( C )A.F =D B A +B.F =D B A )(+C.F =))((D B D A ++D.F =))((D B D A ++19.欲使J K 触发器按Q n +1=Q n 工作,可使J K 触发器的输入端为以下哪几种情况?( A )( B )( D )A.J =K =0B.J =Q ,K =QC.J =Q ,K =QD.J =Q ,K =0 20.关于PROM 和PAL 的结构,以下叙述正确的是( A )( D )A.P R O M 的与阵列固定,不可编程B.P R O M 与阵列、或阵列均不可编程C.P A L 与阵列、或阵列均可编程D.P A L 的与阵列可编程 三、判断改错题(每小题2分,共10分)21. 数字电路中用“1”和“0”分别表示两种状态,二者无大小之分。

电子技术基础试卷参考答案(模拟电路部分)

电子技术基础试卷参考答案(模拟电路部分)

XX中学XX年XX学期期末考试电子基础试卷(XX班)(试卷满分100分考试时间90分钟闭卷考)班级姓名学号得分一、填空题(每空2分,共20分)1.半导体具有热敏性、光敏性和掺杂性。

2.二极管最主要的特性是具有单向导电性。

3.三极管的核心是两个互相联系的PN结,按两个PN结的组合方式不同,可分为 NPN 型和 PNP 型两类。

4.基本放大电路有共发射极、共集电极、共基极三种基本电路形式。

5.常用的整流电路有半波整流电路和桥式整流电路。

6.电阻的基本单位是欧姆。

二、选择题(每题2分,共30分)1.如果用万用表测得二极管的正、反向电阻都很大,则二极管 C 。

A.特性良好B.已被击穿C.内部开路D.功能正常2.二极管两端加上正向偏压时, D 。

A.立即导通B.超过击穿电压就导通C.超过0.2V就导通D.超过死区电压就导通3.某三极管的发射极电流I E=3.2mA,基极电流I B=40µA,则集电极电流I C= B 。

A.3.24mAB.3.16mAC.2.80mAD.3.28mA4.在三极管的输出特性曲线中,I B=0时的I C= C 。

A.I CMB.I CBOC.I CEOD.I BEO5.NPN型三极管处于放大状态时,各极电位关系是A。

A.V C>V B>V EB.V C<V B<V EC.V C>V E>V BD.V E>V C>V B6.处于放大状态时,加在硅材料三极管的发射结正偏压为 B 。

A. 0.1~0.3VB. 0.5~0.8VC.0.9~1.0VD. 1.2V7.NPN型三极管工作在放大状态时,其两个结的偏压为 A 。

A.V BE>0、V BE<V CEB.V BE<0、V BE<V CEC.V BE>0、V BE>V CED. V BE<0、V CE>08.放大电路电压放大倍数A V=-40,其中负号代表 B 。

模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)

模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)

模拟综合试卷一一.填充题1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ,b 。

2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a ,b 。

3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。

4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真。

5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时,导通角为。

6.甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。

7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V;若ui1=1500µV, ui2=500µV,则差模输入电压uid为µV,共模输入信号uic为µV。

8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。

9.晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为的影响。

10.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最;组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。

频带最宽的是组态。

二.选择题1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为()。

A.β增加,ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加,uBE减小C.β和uBE 减小,ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是()A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3.双端输出的差分放大电路主要()来抑制零点飘移。

A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4.典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数()。

A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5.差分放大电路的共模抑制比KCMR越大,表明电路()A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6.负反馈放大电路以降低电路的()来提高嗲路的其他性能指标。

电子技术基础试题及答案13971教学文案

电子技术基础试题及答案13971教学文案

电子技术基础试卷一、填空题(20分)1、______电路和_______电路是两种最基本的线性应用电路。

2、晶体二极管具有_______特性。

3、放大电路的分析方法有______和小信号模型分析法。

4、BJT的主要参数是__________。

5、带宽和________是放大电路的重要指标之一。

6、处理模拟信号的电子电路称为_______。

7、把整个电路中的元器件制作在一块硅基片上,构成特定功能的电子电路称为_____电路。

8、在电子电路中反馈按极性不同可分为______和_______两种。

9、判断一个放大电路中是否存在反馈,只要看该电路的输出回路与输入回路之间是否存在反馈网络,即________。

10、负反馈放大电路有四种类型:___________、 ___________、___________以及___________放大电路。

11、放大电路的实质都是_______电路。

12、放大电路可分为四种类型:_______、_______、_______和_______。

二、判断题(1—5题每题2分,6—15题每题1分,共20分)1、图示中R引人电压并联负反2图题1 2、图示中R电流串联正反馈e1图题2 3、图示电路不能振荡图题3 4、图示电路不能振荡图题45、图示电路中T1为共基极组态,T2为共集电极组态图题56、PN结的单向导电性关键在于它的耗尽区的存在,且其宽度随外加电压而变化。

7、齐纳二极管是一种特殊二极管。

8、BJT有NPN和PNP两种类型。

9、图解法能分析信号幅值太小或工作频率较高湿的电路工作状态。

10、MOS器件主要用于制成集成电路。

11、差分放大电路中共模电压增益越小,说明放大电路的性能越好。

12、放大电路中的内部噪声与放大电路中个元器件内部载流子运动的不规则无关。

13、放大电路中直流反馈不影响静态工作点。

14、负反馈能够改善放大电路的多方面性能是由于将电路的输出量引回到输入端与输入量进行比较,从而随时对输出量进行调整。

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A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 + uO _ us
RB Rs +VCC V C
+ RC Ri
O
t uI t uo 4题图 7题图
电子技术基础试题
一.填空题:(每题3分,共30分)
1、N型半导体又称 型半导体,它主要靠 导电。 3、NPN型晶体三极管工作在放大状态时,三个极中电位最 高的是 极。
PNP型晶体三极管工作在放大状态时,三个极中电位最高 的是 极
4、单级共射放大器对信号有 和 两个作用。
6、 负反馈能提高放大器的输入电阻, 负反馈能降
;若u I1 = 100 V,u I 2 = 80 V则差模输入电压uId= =20V;共模输入
电压uIc ==90 V。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz时,可选用 高通 滤波器;希望抑 制50 Hz的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为 某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中Au1 = Au2 = 30 dB,Au3 = 20 dB,则其总电压增益 为 80 dB,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ = 0 、静态时的电 源功耗PDC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V。
O
8.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a.不用输出变压器 b.不用输出端大电容 c.效率高 d.无交 越失真 9.稳压二极管稳压时,其工作在( C ),发光二极管发光时,其工作 在( A )。 a.正向导通区 b.反向截止区 c.反向击穿区 三、放大电路如下图所示,已 知:VCC = 12 V,RS = 10k,RB1 = 120 k, RB2 = 39 k,RC = 3.9 k,RE = 2.1 k,RL = 3.9 k,rbb’ = 200 ,电流放大 系数 = 50,电路中电容容量足够大,要求:
馈类型是:( )
A. 电压并联负反馈
B.电压串联负反馈
C.电流并联负反馈
D.电流串联负反馈
4.单管功率放大器,在阻抗匹配时,输出的不失真交流功率
达到最大,此% C.50% D.25%
5.已知某差动放大电路的差模放大倍数为100,共模放大倍数
为2,则共模抑制比KCMR为( )
A
+ 8 (5) 2V Uo5 20 k
A
+ 8
Uo6 (6) 2V 20 k
A
+ 8
U01 = 6 V U02 = 6 V U03 = 4 V U04 = 10 V U05 = 2 V U06 = 2 V
五、电路如图所示,设满足深度负反馈条件。 + - + -
RB
A
+ 8
RL +VCC Rf R1 RE
(3) ri=Rb1//Rb2//rbe=rbe=300+ (1+β)26mV/IEmA=300+(1+40)26/2.6=0.7KΩ rc=RC=3kΩ Av=-βRC/rbc=-40×3/0.7=-171
4、解;(1)当UI=12V时,UO=-R2UZ/R1=-10×8/20=-4V (2) 当UI=6V时,UO=-R2UI/(R+R1)=-10×6/(20+10)=-2V
1.试判断级间反馈的极性和组态; 2.试求其闭环电压放大倍数Auf。 (8分) 为电流串联负反馈
六、试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。 如可能振荡,指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三 点式、电容三点式等),并估算其振荡频率。已知这两个电路中的 L = 0.5 mH,C1 = C2 = 40 pF。(8分) +VCC +VCC C1 C2
八、在图示电路中,Rf和Cf均为反馈元件,设三极管饱和管压降为0V。 R2 10 k R1 Cf Rf V1
(+15 V) (-15 V)
+
uO
V1 V2 uI
+
—— R1 RL R2 -VCC +VCC 20 k 20 k V2
A
+ 8 10 k
1. 为稳定输出电压uO,正确引入负反馈; 2. 若使闭环电压增益Auf = 10,确定Rf = ? 3. 求最大不失真输出电压功率Pomax = ?以及最大不失真输出功率
解: (1)
(3)
(4)
四、设图中A为理想运放,请求出各电路的输出电压值。(12分) Uo3 Uo1 Uo2 20 k 10 k 2V (1)
A
+ 8 2V (2) 10 k
20 k
A
+ 8 2V 1V (3) 20 k 10 k
A
+ 8 (4) 2V 3V Uo4 20 k 10 k 10 k 20 k
Y=A+ A+B +B+A+B=(A+ )(B+ )= (A+)(B+)
=AB+
A
BY
0
0
1
0
1
0
1
0
0
1
1
1
2、解:
异步二进制加法记数器 3、解:
(1)
直流电路
交流电路 (2) UBCe=Rb2UQ/(Rb1+Rb2)=10×12/(50+10)=2V UEQ=UBQ-UBEQ=1.3V ICQ=IEQ=UEQ/Re=1.3/0.5=2.6mA UCEQ=UQ-ICQRC-IEQRe=12-2.6×(3+0.5)=2.9V IBQ=ICQ/β=2.6/40=0.065Ma
时的输入电压幅值为多少?(10分)
1. 电压串联负反馈。(图略) 2. Rf = 90 k 3. 最大输出时Uom = VCC =AufUim Uim = 1.5V
模拟电子技术基础试卷及答案
一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10 V,桥式整流后(不滤波) 的输出电压为 9 V,经过电容滤波后为 12 V,二极管所承受的最大反向 电压为 14 V。 3.差分放大电路,若两个输入信号uI1 = uI2,则输出电压,uO = 0
二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是( A )。 0
-4 uGS/V 5 A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A.P沟道增强型MOS管 B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,Ri 为其输入电阻,RS 为常数,为使下限频率fL 降低, 应( D )。
大?(10分)
A1
+ 8
A2
+ 8
A3
+ 8
R2 20 k 2k
R1 uI uO3 uO2 uO1 R3 10 k R4 10 k R’ ±6V
1. A1组成反相比例电路,A2组成单值比较器,A3组成电 压跟随器;
2. A1和A3工作在线性区,A2工作在非线性区; 3. uO1 = -10V,uO2 = 12V,uO3 = 6V。
A. 减小C,减小Ri B. 减小C,增大Ri V2 V1 C. 增大C,减小 Ri D. 增大C,增大 Ri 5.如图所示复合管,已知V1的1 = 30,V2的2 = 50,则复合后的约为( A
)。 A.1500 B.80 C.50 D.30 6.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和( D )。
RB1 V1
RE
RB2 Ce L (a) + C2 L C1 Cb
RB2 RB1 RE + V2 (b)
(a)不能振荡。图(b)可能振荡,为电容三点式正弦波振荡电 路。振荡频率为
七、在图示电路中,设A1、A2、A3均为理想运算放大器,其最大输出电 压幅值为±12V。
1. 试说明A1、A2、A3各组成什么电路? 2. A1、A2、A3分别工作在线形区还是非线形区? 3. 若输入为1V的直流电压,则各输出端uO1、uO2、uO3的电压为多
()
A .2位
B .3位 C. 4 位 D. 5位
9.已知某逻辑门的真值表如图所示,则对应的门的逻辑符
号是( )
A. B. C. D.
10.将JK 触发器J K两端短接,就可以接成 ( ) A.RS触发器 B.D触发器 C.T触发器 D.T’触发器
三、分析计算题:(每题10分,共40分) 1.分析下面组合逻辑电路的逻辑功能(要求写出函数表达 式,列出真值表)。
电压放大倍数。
4.如图所示电路,已知VZ=8V,R1=20KΩ,R2=10KΩ, R=10KΩ,
求:⑴当VI=12V时,VO为多少? ⑵当VI=6V时,VO为多少?
电子技术基础试题
参考答案
一 填空题: 1、电子 、自由电子; 2、c 、e ;3、放大、反相; 4、串联 并联;5、差模 共模; 6、11001;7、1;8、输入状态、电路 的原有状态; 9、1;10、寄存器 二 选择题: 1 A 2 B 3 B 4 C 5 C 6 B 7 B 8 C 9 C 10 C 三、分析计算题: 1、解:
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