电工与电子技术A习题答案

半导体器件与放大电路习题

一、填空题

1. PN结的特性是 _单向导电性___________ 。

2. 射极输出器具有：①—输入电阻高②—输出电阻低③放大倍数为1的特点。

3. 互补对称功率放大电路中晶体管工作在甲乙类工作状态，主要是为了克服—交越失真。

4. 稳压二极管工作在 _反向击穿—区，当外加电压撤除后，管子还是正常的，这种

性能称为一可逆性—击穿。

二、选择题

1. 电路如图1-1所示，所有二极管均为理想元件，则二极管D1、D2的工作状态为

(C )0

、D2均截止 B. D1 、D2均导通

C. D1导通，D2截止

D. D1 截止，D2导通

图1-1 图1-2

2. 电路如图1-2所示，二极管为理

A. 6V

B. 3V

C. 9V

D. 不确定

想元件，则电压U A B为(A )o A. 6V B. 3V C. 9V D. 不确定

3. 某晶体管工作在放大状态，测得三极电位分别是①〜，②〜1V,③〜，则对三个

电极的判定，( B ) 是正确的。

A. ①〜E,②〜B,③〜C

B. ①〜B,②〜E,③〜C

C.①〜C,②〜B,③〜E

D. ①〜B,②〜C,③〜E

4. 若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( C ) 。

A. 正、反向电阻相等

B. 正向电阻大,反向电阻小

C. 反向电阻很大,正向电阻很小

D. 正、反向电阻都等于无穷大

5. 在N型半导体中参与导电的多数载流子是( A ) o

A. 自由电子

B. 空穴

C. 正离子

D. 负离子

6. 当温度升高时,晶体管的穿透电流I CEO( A ) o

A. 增大

B. 减小

C. 不变

D. 无法确定

7. 对于三极管放大作用的实质,下列说法正确的是( D )o

A. 三极管可以把小能量放大成大能量

B. 三极管可以把小电流放大成大电流

C. 三极管可以把小电压放大成大电压

D. 三极管用较小的电流控制较大的电流

8. 由共射极放大电路组成的两级阻容耦合放大电路，若将第二级换成射极输出器，则第一级的电压放大倍数将（ A ）。

A. 增大

B. 减小

C. 不变

D. 为零

9. 电路如图1-3所示，设D Zi的稳定电压为6V, D Z2的稳定电压为12V,设稳压管的正向压降为，则输出电压U o 等于（ B ）。

图1- 3

三、计算题

1. 在图1-4所示电路中，已知E=5V, u=10sin co tV，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压u o 的波形。

（a）（b）

图1-4

解：（a）ui > E =5V时，D导通，u O 二E=5V; ui < E 时，□截止，uo 二ui。(b) ui > E =5V时，D导通，uo 二ui ; ui < E 时，D截止，u0 二E=5V。

图1-6

U 0的波形分别如下图所示

2.

在图1-5所示稳压管电路中，已知稳压管的稳压值是 6V,稳定电流是

功耗为200mW 限流电阻R=50(D ，试求：

(1)当 U =18V, R=1K Q 时，U 0二 I Z =

⑵ 当 U =18V, R=100Q 时，U o= I Z =

图1-5

10mA 额定

解：⑴ U Z 6V ，U R U i U Z 18 6

12V

12

24 mA, I L 士 0.5 R L

7 6mA ，

I Z I I L 18mA

I ZM

P

Z M

^

200

33.3mA ，10mA I Z I ZM 33.3mA

U Z 6

U o U Z 6V,I Z 18mA ，稳压管工作在反向击穿区

⑵I 归旦24mA,I L 归色60mA

R 0.5

R L

0.1

稳压管工乍于反向截止区，U 0畀U i 3.

33V

，I Z

3. 在图1-6所示的各个电路中，试问晶体管工作于何种状态

(a) (b) (c)

6

晶体管处于放大状态

晶体管处于饱和状态

(c)发射结反偏，集电结反偏，晶体管处于截止状态。

4.放大电路如图 1-7 所示，U Cc =12V, R=6K Q, F Bi =60K Q, R^2=20K Q, F E I =300Q, F E2二

Q,

R-=6K Q,

B =50, U B E 二，试求：⑴静态工作点 I B 、l c 、

U CE ；⑵画出微变等效电路；(3)

放大倍数 Au 、输入电阻 R 、输出电阻 R>;⑷若 R=500Q, U O =400mV 贝U U S 是多少

图1-7

解：⑴

解: (a)

50K

0.12 mA, I C

I B 6mA

12

47 K

0.255mA, I C I B 10.2mA

⑶ r be 300 (1

2.02K

U o 400

代866