专升本《模拟电子技术》试题

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专升本《模拟电子技术》_试卷_答案

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专升本《模拟电子技术》一、(共48题,共150分)1. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )。

(2分)A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.晶体管结电容不确定性.标准答案:C2. 稳压二极管的有效工作区是( )。

(2分)A.正向导通区B.反向击穿区C.反向截止区D.死区.标准答案:B3. 如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结也为正向偏置,则此管的工作状态为( )。

(2分)A.放大状态B.微导通状态C.截止状态D.饱和状态.标准答案:D4. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( )。

(2分)A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容D.不易制作大阻值的电阻.标准答案:C5. 用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻,将使单端电路的( )。

(2分)A.抑制共模信号能力增强B.差模放大倍数数值增大C.差模输入电阻增大D.差模输出电阻增大.标准答案:A6. 半导体中PN结的形成主要是由于()生产的。

(2分)A.N区自由电子向P区的扩散运动B.N区自由电子向P区的漂移运动C.P区自由电子向N区的扩散运动D.P区自由电子向N区的漂移运动.标准答案:A7. 理想的功率放大电路应工作于( )状态。

(2分)A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补.标准答案:C8. NPN共射电路的Q点设置在接近于( )处将产生顶部失真。

(2分)A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区.标准答案:A 9. 当有用信号的频率介于1500Hz与2000Hz之间时,应采用的最佳滤波电路是( )。

(2分)A.低通B.高通C.带通D.带阻.标准答案:C10. 差动放大电路的特点是抑制( )信号,放大( )信号。

(2分)A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模.标准答案:B11. 利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。

(2分) ( ).标准答案:正确12. 未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区。

模拟电子技术单选考试模拟题(含答案)

模拟电子技术单选考试模拟题(含答案)

模拟电子技术单选考试模拟题(含答案)一、单选题(共100题,每题1分,共100分)1、放大电路中的所有电容器的作用均为通交隔直。

( )A、错误B、正确 ;正确答案:B2、输出端交流短路后仍有反馈信号存在,可断定为电流负反馈。

()A、对 :B、错正确答案:A3、正弦电流经过二极管整流后的波形为( )。

A、仍为正弦波。

B、矩形方波;C、等腰三角波;D、正弦半波;正确答案:D4、三极管超过( )所示极限参数时,必定被损坏。

A、集电极最大允许电流ICMB、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEOC、集电极最大允许耗散功率PCMD、管子的电流放大倍数正确答案:C5、对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是:( )A、ic=βibB、ie=βibC、ie=βic正确答案:A6、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。

()A、错B、对 :正确答案:A7、放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。

( )A、正确 ;B、错误正确答案:B8、N型半导体中的多数载流子是()A、空穴B、负离子C、自由电子D、正离子正确答案:C9、集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用()A、光电耦合B、阻容耦合C、直接耦合D、变压器耦合正确答案:C10、如果两个信号,它们的大小相等,相位相同,则它们是( )信号。

A、共模B、模拟C、差模正确答案:A11、理想集成运放的输出电阻为()。

A、不定。

B、∞;C、0;正确答案:C12、PN结两端加正向偏置电压时,其正向电流是由()而成。

A、少子扩散B、少子漂移C、多子漂移D、多子扩散正确答案:D13、因放大电路对不同频率信号成分的放大能力和相移能力不同而造成输出畸变的现象称为()A、交越失真B、截止失真C、频率失真D、饱和失真正确答案:C14、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在( )。

A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。

专升本《模拟电子技术》_试卷_答案

专升本《模拟电子技术》_试卷_答案

专升本《模拟电子技术》一、 (共61题,共150分)1、当PN给外加正向电压时,扩散电流漂移电流。

此时耗尽层 ( )。

(2分)A、大于变宽。

B、小于变窄。

C、等于不变。

D、大于变窄。

标准答案:D2、场效应管电流完全由组成,而晶体管的电流由组成。

因此,场效应管电流受温度的影响比晶体管( )。

(2分)A、多子少子大。

B、多子两种载流子小。

C、少子多子小。

D、多子多子差不多。

标准答案:B3、图示的共射极放大电路不能对交流信号放大的根本原因就是:( )。

(2分)A、交流信号不能输入。

B、没有交流信号输出。

C、没有合适的静态工作点。

D、发射结与集电结的偏置不正确。

标准答案:B4、当某电路要求输出信号的频率不高于420Hz,可采用( )的方式实现。

(2分)A、高通滤波器B、带阻滤波器C、带通滤波器D、低通滤波器标准答案:D5、 NPN型与PNP型晶体管的区别就是 ( )。

(2分)A、由两种不同材料的硅与锗制成。

B、掺入的杂质元素不同。

C、P区与N区的位置不同。

D、载流子的浓度不同。

标准答案:C6、某NPN型硅管,当其工作在放大状态时,电路中的三个电极电位应为下列哪组数据?( ) (2分)A、U1=3、5V,U2=2、8V, U3=12V。

B、U1=3V,U2=2、8V, U3=12V。

C、U1=6V,U2=11、3V,U3=12V。

D、U1=6V,U2=11、8V,U3=12V。

标准答案:A 7、图示的电路中,稳压管的反向击穿电压分别为6V与7V,正向导通电压均为0、6V,则输出电压为:( )。

(2分)A、6VB、7VC、6、6VD、5、4V标准答案:D8、如图所示的静态工作点及其放大电路,当输入的正弦信号逐渐增加时,放大电路的工作情况就是:( )。

(2分)A、先出现截止失真,为避免上述现象的发生,应减小偏置电阻R b。

B、先出现截止失真,为避免上述现象的发生,应增大偏置电阻R b。

C、先出现饱与失真,为避免上述现象的发生,应减小偏置电阻R b。

模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案:A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多,其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案:D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成,已知每级电压放大倍数为Au,则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案:B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案:B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案:B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案:B7、元件引脚的剪脚高度为( )。

A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓,没关系正确答案:B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案:A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。

A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案:C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案:C11、多级放大电路各级的电压增益分别是:10dB、20 dB、30 dB,则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案:C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案:A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案:A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案:D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势,增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高,损耗越大正确答案:D16、当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案:C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

【2024版】模拟电子技术试题库及答案

【2024版】模拟电子技术试题库及答案
3、PN结正向偏置时,内、外电场方向相反,PN结反向偏置时,内、外电场方向相同。
4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时,需选用欧姆挡的R×1k档位,检测中若指针偏转较大,可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用?三极管会损坏吗?为什么?
答:集电极和发射极对调使用,三极管不会损坏,但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大,且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同?其导通和阻断的条件有什么不同?
答:普通二极管根据其单向导电性可知,阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通,反之阻断,可用于整流、钳位、限幅和电子开关;普通三极管在放大电路中起放大作用,在数字电子技术中起开关作用,普通三极管用于放大作用时,只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用,当发射极反偏时就会阻断放大信号通过;用作开关元件时,当发射结和集电结都正偏时,它就会饱和导通,当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时,晶体管就截止,阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件,只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构,有阳极,阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通,即:晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的,还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通(晶闸管一旦导通后,门控极即失去作用);当晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受多大电压,晶闸管都处于阻断状态,或者晶闸管在导通情况下,其主回路电压(或电流)减小到接近于零值时,晶闸管也会自动关断。

山东电气自动化专升本电子技术复习-电子技术8套模拟题及答案

山东电气自动化专升本电子技术复习-电子技术8套模拟题及答案

《模拟电子技术》模拟题1一、判断(10分)1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。

()2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。

()3、PN结具有单向导电特性。

()4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。

()5、交流放大器工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量,直流分量表示静态工作点,交流分量表示信号的变化情况。

()6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。

()7、直流负反馈不能稳定静态工作点。

()8、晶体二极管击穿后立即烧毁。

()9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。

()10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。

()二、选择(10分)1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。

A、3B、5C、2D、42、稳压管工作于 ( )状态下,可以稳定电压。

A、正偏导通B、反偏截止C、反向击穿3、三极管放大的外部条件 ( )。

A、正偏导通,反偏截止B、正偏截止,反偏导通C、正偏导通,反偏导通D、正偏截止,反偏截止4、既能放大电压,也能放大电流的电路 ( )。

A、共发射极B、共集电极C、共基级D、以上均不能K越大,表明电路()。

5、共模抑制比CMRA、放大倍数越稳定;B、交流放大倍数越大;C、抑制温漂能力越强;D、输入信号中的差模成分越大。

6、放大电路中为增大输入电阻应引入()反馈,为稳定输出电压应引入()反馈,为稳定输出电流应引入( )反馈,为减小输出电阻,应引入( )反馈。

A 、电压 B 、电流 C 、串联 D 、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是( )。

A 、RC 振荡电路B 、LC 振荡电路 C 、石英晶体振荡电路三、在图1所示的电路中,已知输入信号u i =5sin ωt V,试画出输出电压u o1和u o2的波形,设二极管为理想二极管。

(每题10分,共20分)R(a )(b )t图1四、简答题(每题5分,共10分)1.简述正弦波发生电路的组成结构、相位条件、幅度条件,以及起振条件。

电气及其自动化专升本模拟电子技术试题4

专升本复习题一、单选题 ( 每题 1 分 )1. 设图示电路工作于放大状态,当温度降低时,()。

A .三极管的 b 增大B .三极管的 I CBO 增大C . I CQ 增大D . U CQ 增大2. 某放大电路f L =40Hz , 3dB 带宽为 1MHz ,则下列哪种情况下输出会产生频率失真。

()A. 输入 20Hz 正弦波信号B. 输入 2MHz 正弦波信号C. u i =[sin(2 π× 10 7 t )+10sin(2 π× 10 3 t )] mVD. u i =[sin(2 π× 10 5 t )+10sin(2 π× 10 3 t )] mV3. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示,则此场效应管的类型是()。

A. 增强型 PMOSB. 增强型 NMOSC. 耗尽型 PMOSD. 耗尽型 NMOS4. 图示电路中,出现下列哪种故障必使三极管截止()。

A. R B1 开路B. R B2 开路C. R C 短路D. C E 短路5. 设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程为()。

A. B. C. D.6. 欲对正弦信号产生 100 倍的线性放大,应选用()运算电路。

A. 比例B. 加减C. 积分D. 微分7. 关于 BJT 放大电路中的静态工作点(简称 Q 点),下列说法中不正确的是()。

A . Q 点过高会产生饱和失真B . Q 点过低会产生截止失真C .导致 Q 点不稳定的主要原因是温度变化D . Q 点可采用微变等效电路法求得8. 直接耦合电路中存在零点漂移主要是因为()。

A. 晶体管的非线性B. 电阻阻值有误差C. 晶体管参数受温度影响D. 静态工作点设计不当9. 为了减小放大电路的输出电阻,应引入()负反馈。

A. 直流B. 交流电流C. 交流电压D. 交流并联10. 在 PN 结外加正向电压时,扩散电流漂移电流,当 PN 结外加反向电压时,扩散电流漂移电流。

电气及其自动化专升本模拟电子技术试题6

一、单选题 ( 每题 1 分 )1. 放大电路如图所示,已知硅三极管的,则该电路中三极管的工作状态为()。

A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定2. 为了稳定放大倍数,应引入()负反馈。

A. 直流B. 交流C. 串联D. 并联3. PN 结形成后,空间电荷区由()构成。

A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴4. 已知变压器二次电压为V ,负载电阻为 R L ,则半波整流电路流过二极管的平均电流为()。

A. B. C. D.5. 甲类功率放大电路比乙类功率放大电路()A .失真小、效率高B .失真大、效率低C .管耗大、效率高D .失真小,效率低6. 图示电路中,欲增大 U CEQ ,可以()。

A. 增大 RcB. 增大 R LC. 增大 R B1D. 增大 b7. 引入()反馈,可稳定电路的增益。

A. 电压B. 电流C. 负D. 正8. 交越失真是()A .饱和失真B .频率失真C .线性失真D .非线性失真9. 对于 RC 桥式振荡电路,()A .若无稳幅电路,将输出幅值逐渐增大的正弦波B .只有外接热敏电阻或二极管才能实现稳幅功能C .利用三极管的非线性不能实现稳幅D .利用振荡电路中放大器的非线性能实现稳幅10. 欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入深度()负反馈。

A. 电压串联B. 电压并联C. 电流串联D. 电流并联二、判断题 ( 每题 2 分 )1. 采用单边带调幅是因为这种信号已完整地包含了要传输的信息,而由于抑制了载波和另一边带,因此能提高通信设备的功率利用率。

()2. 由晶振电路、锁相环路和可变分频器构成的锁相频率合成电路,可以生成频率连续变化的信号。

()3. 结构完全对称的差分放大电路,空载时单端输出电压放大倍数为双端输出时的一半。

()4. 直接耦合的多级放大电路,各级之间的静态工作点相互影响;电容耦合的多级放大电路,各级之间的静态工作点相互独立。

模拟电子技术专升本试卷

专升本《模拟电子技术》考试试卷一、 填空题。

(每题1分,合计20分)。

1. 晶体二极管加一定的电压导通,加 电压截止,这一导电性,称为二极管的单向导电性。

2. 半导体中有两种载流子分别是: 和 。

3. 晶体三极管有三种工作状态,分别为: 、和 。

4. 多级放大器的级间耦合方式有 、 和 三种。

5. 从放大器的输出端把输出信号的一部分或全部通过一定的方式送回到放大器输入端的过程,称为 。

6. 差分放大器的信号输入方式有两种:分别为 和 。

7. 功率放大器以工作点在交流负载线上的位置不同,可以分为 、 和 。

8. 直流稳压电路按其连接方式可以分为 和 两类。

9. 三极管的三个极分别是基极 和 。

二、判断题。

(每题2分,合计20分)。

1.P 型半导体中多数载流子是电子。

( )2.电压增益是指放大器输入电压与输出电压之比。

( )3.放大器级数越多,输出零点漂移越严重。

( )4.放大器只要满足相位平衡条件或振幅平衡条件之一便能产生自激震荡。

( )5.带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由采样电路,基准电压,比较放大电路和调整元件四个部分组成。

( )6.集成电路大都采用直接耦合电路。

( )7.放大器的静态工作点一经设定后,不会受外界因素的影响。

( )8.晶体三极管由两个距离很近的PN 结组成,所以可以用两个二极管代替。

( ) 9.二极管的正向导通电阻值较小,反向截止电阻值较大。

( )10.差分放大器中若注意选择元件,使电路尽可能对称,可以减少零点漂移。

( ) 二、选择题。

(每题3分,合计30分)。

1. 当二极管两端正向偏压大于 电压时,二极管才能导通。

A. 击穿B.饱和C.门坎2.二极管两端的反向偏压增高时,在达到 电压以前,通过的电流很小。

A. 击穿 B.最大 C.短路3.三极管的发射结处于反偏或者两端电压为零时,三极管处于 状态。

A.饱和B.截止C.放大4.一般情况下,用于放大大信号放大器一般是是 放大器。

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案一、选择题1. 在模拟电子技术中,以下哪种元件不是基本的模拟电路元件?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案:D2. 运算放大器的主要作用是什么?A. 信号放大B. 信号整形C. 信号转换D. 信号滤波答案:A3. 以下哪种滤波器能够通过高频信号而阻止低频信号?A. 高通滤波器B. 低通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案:A4. 在模拟电路设计中,为了减小温度对电路性能的影响,通常采用哪种方法?A. 温度补偿B. 自动增益控制C. 负反馈D. 电源滤波答案:A5. 哪种类型的半导体材料具有P型半导体的特性?A. 锗(Ge)B. 硅(Si)C. 氮化镓(GaN)D. 氧化锌(ZnO)答案:B二、填空题1. 在模拟电子技术中,______和______是构成振荡器的基本元件。

答案:电阻、电容2. 为了实现信号的放大,通常需要在电路中引入______。

答案:负反馈3. 在模拟信号处理中,______是用来描述信号频率内容的工具。

答案:傅里叶变换4. 电流放大器的主要功能是放大______信号。

答案:低频5. 在模拟电路中,为了提高电路的稳定性和可靠性,常常使用______电源。

答案:稳压三、简答题1. 请简述晶体管的主要工作原理及其在模拟电路中的应用。

晶体管是一种半导体器件,主要通过控制基极电流来调节集电极与发射极之间的电流。

在模拟电路中,晶体管可以作为放大器使用,通过小信号控制大信号的放大过程,实现信号的增益。

同时,晶体管还可以用作开关,控制电路的导通与截止。

2. 描述运算放大器的基本特性及其在模拟电路设计中的重要性。

运算放大器是一种高增益、高输入阻抗、低输出阻抗的放大器。

其基本特性包括开环增益高、输入阻抗大、输出阻抗小、频率响应宽等。

在模拟电路设计中,运算放大器因其优良的放大性能和灵活性,被广泛应用于信号放大、滤波、积分、微分等电路中,是模拟电路设计中不可或缺的核心组件。

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[试题分类]:专升本《模拟电子技术》_08001250[题型]:单选[分数]:21.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )。

A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.晶体管结电容不确定性答案:C2.稳压二极管的有效工作区是( )。

A.正向导通区B.反向击穿区C.反向截止区D.死区答案:B3.如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结也为正向偏置,则此管的工作状态为( )。

A.放大状态B.微导通状态C.截止状态D.饱和状态答案:D4.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( )。

A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容D.不易制作大阻值的电阻答案:C5.用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻,将使单端电路的( )。

A.抑制共模信号能力增强B.差模放大倍数数值增大C.差模输入电阻增大D.差模输出电阻增大答案:A6.半导体中PN结的形成主要是由于()生产的。

A. N区自由电子向P区的扩散运动B. N区自由电子向P区的漂移运动C. P区自由电子向N区的扩散运动D. P区自由电子向N区的漂移运动答案:A7.理想的功率放大电路应工作于( )状态。

A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补答案:C8.NPN共射电路的Q点设置在接近于( )处将产生顶部失真。

A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区答案:A9.当有用信号的频率介于1500Hz与2000Hz之间时,应采用的最佳滤波电路是( )。

A.低通B.高通C.带通D.带阻答案:C10.差动放大电路的特点是抑制( )信号,放大( )信号。

A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模答案:B[试题分类]:专升本《模拟电子技术》_08001250[题型]:单选[分数]:21.互补对称功率放大电路BJT工作在甲乙类、负载电阻为理想值,忽略UCES时的效率约为。

()A.30%B.60%C.78.5%D.85%答案:C2.当PN给外加正向电压时,扩散电流漂移电流,此时耗尽层。

()A.大于--变宽B.小于--变宽C.等于--不变D.小于--变窄答案:D3.晶体管工作在饱和区时,b-e极间为,b-c极间为。

()A.正向偏置--正向偏置B.反向偏置--反向偏置C.正向偏置--反向偏置D.反向偏置--正向偏置答案:A4.双极型晶体管只有当其发射结处于,而且集电结处于时,才工作于放大状态。

()A.正偏--正偏B.正偏--反偏C.反偏--正偏D.反偏--反偏答案:B5.电路如图所示。

若V1、V3管正负极同时接反了,则输出__。

()A.只有半周波形B.无波形且变压器或整流管可能烧毁C.全波整流波形D.全波整流波形,但V2管承受2倍的电压答案:D6.效率与成本俱佳的整流方式是:。

()A.全波整流B.谐波整流C.桥式整流D.半波整流答案:C7.共源极场效应管放大电路其放大效果近似等价于双结晶体管放大电路。

()A.共射极B.共基极C.共集电极D.共栅极答案:C8.稳压型二极管的有效工作区在其伏安特性的。

()A.死区B.正向导通区C.反向区D.反向击穿区答案:D9.本征半导体温度升高后。

()A.自由电子数量增多B.空穴数量增多C.自由电子与空穴同时增多,且数量相同D.自由电子与空穴数量不变答案:C10.有两个三极管,A 管的=200,=200A ,B 管的=50,=10A ,其他参数大致相同,则相比之下。

() A.A 管和B 管的性能相当B.A 管的性能优于B 管C.B 管的性能优于A 管D.条件不足,无法判断答案:C11.当一个三极管的IB=10A 时,其IC=lmA ,那么它的交流电流放大系数为:。

()A.100B.10C.1D.不确定答案:D12.当有用信号的频率高于5000Hz 时,应采用的滤波电路是。

()A.低通B.高通C.带通D.带阻答案:B13.如图所示电路中,当二极管的输入电压Ua=Ub=5V 时,输出Uo 的值为:。

()A.-5VB.-4.3VC.4.3VCEO I CEOI答案:C14.差分放大电路共模抑制比的大小反映了__________。

()A.共模增益的大小B.差模增益的大小C.抑制零漂的能力D.带负载能力答案:C15.共射极放大电路的输出电压与输入电压的相位是:。

()A.同相B.反相C.相差90D.不确定,需要通过实际计算才得到答案:B16.RC 桥式振荡电路的选频网络中,C=680pF ,R 可在23到47间进行调节,则振荡频率的变化范围为:。

()A.4.98Hz~10.1HzB.4.98kHz~10.1kHzC.4.98Hz×10-3~10.1×10-3HzD.4.98kHz×103~10.1kHz×103答案:B17.给乙类互补对称功率放大电路加一合适的静态工作点,可消除。

()A.线性失真B.相位失真C.频率失真D.交越失真答案:D18.场效应管放大电路的共漏极接法,与双极晶体管放大电路相比较,双极晶体管放大电路对应的是接法。

()A.共射极B.共集电极C.共基极︒Ωk Ωk答案:A19.若开环放大倍数A增加一倍,则闭环放大倍数将。

()A.基本不变B.增加一倍C.减少一半D.不确定答案:A20.电路如图所示。

若正常工作时每个二极管上的电流为:。

()A.2IoB.Io/2C.4IoD.Io/4答案:B21.根据反馈的极性,反馈可分为反馈。

()A.直流和交流B.电压和电流C.正和负D.串联和并联答案:C22.当有用信号的频率高于3500Hz时,应采用的滤波电路是。

()A.低通B.高通C.带通D.带阻答案:B23.根据反馈信号的采样方式,反馈可分为反馈。

()A.直流和交流B.正和负C.电压和电流D.串联和并联答案:C24.如图所示,设二极管是理想二极管,该电路。

()A.UAO=-12V,D1正偏导通D2反偏截止B.UAO=-12V,D1反偏截止D2正偏导通C.UAO=-6V,D1正偏导通D2反偏截止D.UAO=-6V,D1反偏截止D2正偏导通答案:D25.共集电极放大电路的输出电压与输入电压的相位是:。

()A.同相B.反相C.相差90D.不确定,需要通过实际计算才得到答案:A26.晶体三极管放大作用的实质是。

()A.把微弱的电信号加以放大B.以弱电流控制强电流C.以强电流控制弱电流D.以弱电流控制强电流,把直流电能转换为交流电能答案:D27.fH称为放大电路的。

()A.截止频率B.上限频率C.下限频率D.特征频率答案:B28.场效应管是通过改变来改变漏极电流的()。

A.栅极电流B.源极电流C.漏源极电压D.栅源极电压答案:D29.PN结具有一个显著的特点是,正是利用该特点,所以将其制作成普通的二极管。

()A.击穿特性B.频率特性C.掺杂特性D.单向导电性答案:D30.N型半导体中多数载流子是少数载流子是:()。

A.自由电子--自由电子B.空穴--空穴C.自由电子--空穴D.空穴--自由电子答案:C31.本征激发是指现象。

()A.价电子从外界获得足够能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的B.价电子依靠本身的运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的C.价电子依靠互相的碰撞增加运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的D.价电子在电场作用下获得足够能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的答案:A32.整流的主要目的是:__()。

A.将正弦波变成方波B.将直流变交流C.将高频信号变成低频D.将交流变直流答案:D33.模拟信号是指的信号。

()A.时间连续B.数值连续C.时间和数值都连续D.时间和数值都不连续答案:C34.下列放大电路可能正常放大的是:__()。

A.B.C.D.答案:A35.锗晶体二极管至少要高于约的电压才能正常工作。

()A.0.7VB.0.5VC.0.1VD.0.3V答案:D36.可利用实现信号的滤波()。

A.振荡电路B.放大电路C.RC电路D.二极管开关电路答案:C37.正反馈多用于。

()A.改善放大器的性能B.产生振荡C.提高输出电压D.提高电压增益答案:B38.工作在甲乙类互补对称功率放大电路的BJT,当负载电阻为理想值,且忽略UCES时的效率约为。

()A.60%B.78.5%C.85%D.100%答案:B[试题分类]:专升本《模拟电子技术》_08001250[题型]:问答[分数]:51.电路如图所示,已知(V),二极管导通电压UD=0.7V 。

试画出与的波形图,并标出幅值。

答案:波形如图所示。

2.现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图所示。

分别求另一电极的电流,标出其方向,并在圆圈中画出管子,且分别求出它们的电流放大系数β。

t u i ωsin 5=i u ou答案:如图所示放大倍数分别为[MISSING IMAGE: , ]和[MISSING IMAGE: , ][试题分类]:专升本《模拟电子技术》_08001250[题型]:判断[分数]:41.电路的静态是指输入交流信号为零时的状态。

()答案:正确2.由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。

()答案:错误。

3.既然是放大电路,因此电压放大倍数与电流放大倍数都应大于1。

() 答案:错误4.半导体二极管当正偏时,势垒区变窄,此时扩散电流小于漂移电流。

() 答案:错误。

5.微变等效电路分析法可以用于分析功率放大电路。

()答案:错误。

6.微变等效电路分析法可以用于分析任意放大电路。

()答案:错误。

[试题分类]:专升本《模拟电子技术》_08001250[题型]:计算[分数]:201.电路如图(a)所示,图(b)是晶体管的输出特性,静态时。

利用图解法分别求出和时的静态工作点和最大不失真输出电压(有效值)。

答案:空载时:[MISSING IMAGE: , ];最大不失真输出电压峰值约为5.3V ,有效值约为3.75V 。

带载时:[MISSING IMAGE: , ];0.7BEQ U V=L R =∞3L R k =ΩomU最大不失真输出电压峰值约为2.3V ,有效值约为1.63V 。

如图所示。

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