电子材料导论期末复习
电子材料复习要点
导电材料是指电流容易通过的材料，常用作电极、电刷、电线等。
马西森定律：金属的总电阻包括金属的基本电阻和溶质浓度引起的电阻（与温度无关）。
电阻率与压力的关系：在流体静压压缩时，大多数金属的电阻率下降，这是因为在巨大的流体静压条件下，金属的原子间距缩小，内部缺陷形态、电子结构、费米能和能带结构都发生变化。
其中随压力增大电阻率下降的成为正常金属，反之为反常金属。
冷加工引起金属电阻率增加。
冷加工引起金属晶格畸变也像原子热振动一样，增加电子散射几率，同时也会引起金属晶体原子间键合的改变，导致原子间距的改变。
空位、间隙原子以及它们的组合、位错等晶体缺陷使金属电阻率增加。
一般在立方系晶体中金属的电阻表现为各向同性。
但在对称性较差的六方晶系、四方晶系、斜方晶系和菱面体中，导电性表现为各向异性。
常用导电材料：铜合金和铝合金电容器电极材料要求：1.导电性能优良，体积电阻率小；2.化学稳定，抗腐蚀，不易氧化，对介质材料的老化、催化作用小；3.机械性能良好，与电容器工艺匹配；4.密度小，热导率大；5.易焊接，熔沸点适当；6.材料来源广，价格便宜。
电刷与弹性材料要求：良好的物理性能、化学稳定性和优良的机械性能；良好的匹配、接触电阻小而稳定、磨损小。
厚膜导电材料：良好的导电性能；良好的焊接工艺性能；与基片结合牢固。
电子导电聚合物：温度升高有利于聚合物中形成大的共轭π键体系，所以温度升高电导率增大。
超导体：临界温度、临界磁场迈斯纳效应：材料进入超导态后能把体内磁感线完全排除，即体内磁通量为零，成为超导体的完全抗磁性，也常称为迈斯纳效应。
同位素效应：超导体的转变温度与超导体的同位素质量有关，可表示为T c Mi α=常数。
说明了超导电性的产生和电子与晶格振动的作用即电子-声子相互作用有关，因为同位素的差异改变了构成晶格的离子质量，因而影响了声子的性质。
BCS 理论：巴丁、库柏、施里弗。
组成库柏电子对的条件：距费米能级E F 为D h 能量范围内的电子；满足p 1+p 2=0，即准动量大小相等、方向相反的电子；一个自旋向上，一个自旋向下。
电子材料期末考试题库10套
电子材料期末考试题库10套第一套试题1. 请简述电子材料的定义和分类。
2. 举例说明半导体材料的应用领域。
3. 什么是材料的能带结构？它对材料性能有什么影响？4. 解释电子材料的光学性质，并提供一个实际应用的例子。
5. 分析金属材料的导电机制。
第二套试题1. 请列举几种典型的电子材料。
2. 什么是材料的晶格结构？它如何影响材料的性质？3. 解释压电材料的原理和应用。
4. 分析陶瓷材料的热性质。
5. 举例说明半导体材料在电子器件中的应用。
第三套试题1. 请解释电子材料的导电性和绝缘性之间的区别。
2. 举例说明聚合物材料的应用领域。
3. 解释超导材料的特性和应用。
4. 分析压敏材料的原理和应用。
5. 请简述液晶材料的特性和应用。
第四套试题1. 电子材料的光电性质包括哪些方面的内容？2. 解释半导体材料的禁带宽度和载流子浓度之间的关系。
3. 分析高分子材料的热性质。
4. 请列举几种常见的光电器件。
5. 举例说明金属材料在电子器件中的应用。
第五套试题1. 请简述电子材料的磁性质。
2. 什么是材料的导电性质？它如何与材料的能带结构相关联？3. 解释复合材料的特性和应用。
4. 分析玻璃材料的光学性质。
5. 请简述半导体材料的载流子浓度控制方法。
第六套试题1. 请列举几种典型的电子材料及其应用。
2. 什么是材料的热性质？它对材料在高温环境下的应用有什么影响？3. 解释磁性材料的原理和应用。
4. 举例说明陶瓷材料在电子器件中的应用。
5. 分析半导体材料的光电特性。
第七套试题1. 请解释金属材料的导电机制。
2. 举例说明聚合物材料在电子器件中的应用。
3. 解释光电材料的特性和应用。
4. 分析高分子材料的导电性质。
5. 请简述半导体材料的晶格结构和性质。
第八套试题1. 电子材料的热性质包括哪些方面的内容？2. 什么是半导体材料的载流子控制机制？3. 解释陶瓷材料的原理和应用。
4. 分析复合材料的特性。
5. 举例说明高分子材料的应用领域。
北京化工大学-电子材料导论复习题
北京化工大学-电子材料复习题电子材料概论1、简述什么是结构电子材料,什么是功能电子材料? (p2)答：能承受压力和重力，并能保持尺寸和大部分力学性质（强度、硬度及韧性）稳定的材料，称为结构电子材料。
功能电子材料是指除强度性能外，还有其他特殊功能，或能实现光、电、磁、热力等不同形式的交互作用和转换的非结构材料。
2、什么是理想表面? 什么是实际表面? 一般情况下表面厚度大约是多少? (26~27)答：理想表面是为分析问题的方便而设定的一种理想的表面结构。
在自然界中存在的表面称为实际表面。
几十到数百纳米。
第一章导电材料1 、电阻率最低的前三种元素是什么? 其电阻率各是多少(20度时)? (57)答：银 1.62μΩ.cm 铜 1.72μΩ.cm 金 2.40μΩ.cm2 、硅碳膜的三层结构各起什么作用(102)答：在底层主要含有是SiO2和C,其SiO2和基体玻璃相形成Si-O键，增加了硅炭膜对基体的附着力；中间层为主要导电层，与纯碳膜的结构和性能类似；最外层为保护层，主要含有SiO2和少量的sic。
3 、蒸发金属膜的主要制作过程(103)答：金属膜电阻器是用以鉻硅系为主要成分的合金粉真空蒸发而成，制造时用酒精把合金粉调成糊状涂在钨丝的蒸发器上，在低于5×10-3PA的真空度下加热蒸发在陶瓷基体上淀积出金属膜。
4 、镍铬薄膜的主要特点(105)答：电阻温度系数小、稳定性高、噪声电平小、可制作的阻值范围宽，使用的温度范围宽而高5 、镍铬薄膜的主要制作方法(105)答：采用电阻式真空蒸发法，将镍鉻合金丝、薄板条或粉挂在或涂敷在蒸发器上在真空度高于6×10-3pa,用电加热至1500度左右进行蒸发。
6 、在NiCr薄膜中掺入氧可以改善的是(110)答：不仅可以提高NiCr薄膜的电阻值，而且可以降低电阻温度系数和提高稳定性7、热处理对TaSi薄膜的影响(121)答：热处理对TaSi薄膜的电阻率有较大的影响，随着热处理温度升高，薄膜的电阻率减小，逐渐趋于平坦。
电子材料复习重点精简
第一章 绪论1.1电子材料定义：电子材料是指在电子技术和微电子技术中使用的材料。
1.2电子材料的分类：① 按化学组成：金属、无机非金属、有机 ② 按物质状态：单晶、多晶、非晶等 ③ 按物理性能：绝缘、导电、超导等 ④ 按功能原理：铁电、压电、热电等⑤ 按用途：导电、半导体、磁性、结构等。
第二章 电介质理论基础2.1电介质的极化：在外电场作用下电介质内部感生偶极矩的现象。
2.2克劳修斯-莫索缔方程： 极化强度：单位体积内感生偶极矩的矢量和： 若介质中的电场均匀，则有： 若单位体积中有n 0个极化粒子，极化粒子偶极矩的均值为μ，则有： 对于线性极化，μ与电场强度成正比，有： 综合上述式子可以得到：根据极化强度定义：E SUd SSU C S Q S Q S d Q P 0r 0r 0r 0r 1-1-1-1-d εεεεεε）（）（）（）（===='='= 电介质极化宏观参数与微观参数的关系：对于气体、非极性电介质及结构高度对称或完全无序的介质有： 整理后，可得克劳修斯-莫索缔方程（克-莫方程）：2.3频率较低时极化损耗为0的论证：考虑一介质构成的平板电容器，加上一个正弦交变电场：t 0ωCOS E E =。
当电场频率很低时，介质中各种类型的极化都能跟得上电场的变化。
因此介lim iV P V μ∆→∑=∆iP Vμ∑=0Pn μ=eE μα=0e P n E α=001er n E Eαεε=+23r e E Eε+=00123r r n αεεε-=+质内的电场位移D 与电场E 没有相位差，即：t 0ωCOS D D =。
对D 求导，得介质的位移电流密度：)2cos(sin j 00t D t D dt dD ωπωωω+=-==它超前电场强度π/2，即充电电流超前电压π/2，由此可得单位时间内每单位体积中所损耗的能量为：⎰•=ωππω/202Edt j W 。
将位移电流密度代入上式得：0cos sin 2-/20002=•=⎰ωπωωπωtdt t E D W2.4电介质电导类型：1.电子/空穴电导2.离子/空格点电导3.电泳电导。
电子材料导论复习
电子材料导论1.压电效应答：（1）当在某一特定方向对晶体施加应力时，在与应力垂直方向两端表面能出现数量相等，符号相反的束缚电荷—正压电效应（2）当一块具有压电效应的晶体置于外电场中，由于晶体的电极化造成的正负电荷中心位移，导致晶体变形，形变量与电场强度成正比—逆压电效应。
2.电畴答：具有自发极化的晶体中存在一些自发极化取向一致的微小区域。
3.霍尔效应答：在一块半导体某一方向上加有电场，并在垂直方向上加有磁场，在两种外力作用下，载流子的运动发生变化，结果在半导体的两端产生一横向电场，其方向同时垂直于电流和磁场。
4.平衡载流子答：载流子的产生和复合两个相反过程建立起动态平衡，这种状态下的载流子为平衡载流子。
5.非平衡载流子答：当用电子能量大于该半导体禁带宽度的光照射时，光子的能量传给了电子，使价带中的电子跃迁到导带，从而产生导带的自由电子和价带的自由空穴，即非平衡自由载流子。
6.辐射性复合答：由于电子与空穴的复合以光能的形式辐射能量。
（1）电子和空穴由于碰撞而复合（2）通过杂质能级的复合（3）激子复合7.非辐射性复合答：由跃迁能量转换为低能声子而形成。
（1）阶段性的放出声子的复合（2）俄歇过程（3）表面复合8.固体电解质答：具有离子导电性能的固体物质。
9.功能材料答：指除强度性能外，还有其特殊功能，或能实现光、电、磁、热力等不同形式的交互作用和转换的非结构材料。
10.发光材料答：在各种类型激发作用下能产生光发射的材料。
11.玻璃键合答：在厚膜导电材料中含有玻璃，通过离子的相互渗透作用使它的基片表面形成键合，这种键合类型称为玻璃键合。
12.氧化物键合答：在厚膜导电材料中含有金属氧化物，通过离子的相互渗透作用使它的基片表面形成键合，这种键合类型称为氧化物键合。
13.负温度系数（NTC）热敏材料答：将电阻率随温度升高而下降的材料，称为负温度系数材料，简称NTC材料。
P38414.正温度系数（PTC）热敏材料答：将电阻率随温度升高而增大的材料，称为正温度系数材料，简称PTC材料。
材料导论期末考点总结
材料导论期末考点总结材料导论是一门综合性的学科，广泛涉及材料科学、材料工程以及相关学科的知识体系。
期末考试是对学生对所学知识的综合应用能力的考察，理解和掌握期末考点对于顺利通过考试至关重要。
本文将对材料导论期末考点进行总结，以便学生在复习时有针对性地了解和把握重点内容。
一、晶体和晶体缺陷1.晶体的结构和性质：晶格、晶体结构类型、晶体的性质与晶格结构之间的关系。
2.晶体缺陷的分类和特点：点缺陷、线缺陷、面缺陷的具体分类和特点。
3.晶体缺陷的原因和形成机制：热原子运动、拉伸和压缩等外力、辐射等原因引起晶体缺陷形成的机制。
4.晶体缺陷对材料性能的影响：晶体缺陷对导电性、导热性、塑性、疲劳性等材料性能的影响。
二、金属材料的结构和性能1.金属晶体结构：简单立方、面心立方、体心立方晶体结构的特点和性质。
2.金属的力学性能：塑性和韧性的概念、强度、硬度、延性、弹性模量等力学性能的定义和计算方法。
3.金属的物理性能：导电性、导热性、合金化等物理性能的定义、计算和提高途径。
三、陶瓷材料的结构和性能1.陶瓷晶体结构：离子晶体结构的特点、堆垛方式、层间间隔和离子间离心距的关系。
2.陶瓷的物理性能：绝缘性、压电性、磁性、光学性质等物理性能的定义、计算和提高途径。
3.陶瓷的力学性能：脆性的概念、强度、硬度、韧性等力学性能的定义和计算方法。
四、高分子材料的结构和性能1.高分子链结构：线性链、支化链和交联链的结构特点和分子量对聚合物结构和性能的影响。
2.高分子的物理性能：热稳定性、熔融性、黏度、玻璃化转变温度等物理性能的定义和计算方法。
3.高分子的力学性能：强度、韧性、刚性、弹性恢复性等力学性能的定义和计算方法。
五、复合材料的结构和性能1.复合材料的组成和结构：基体材料、增强材料和界面相的特点和组成关系。
2.复合材料的力学性能：强度、韧性、疲劳性、层间剪切强度等力学性能的定义和计算方法。
3.复合材料的物理性能：导电性、导热性、热稳定性等物理性能的定义和计算方法。
电子材料导论 李言荣 习题参考答案
与基片表面形成键合。加入氧化铋，能改善导体膜与基片的键合强度。 这类键合称为玻璃键合。 氧化物键合：采用金属氧化物替代玻璃，从而改善玻璃键合强度的键合类型称为 氧化物键合。
7. 对薄膜导体有哪些要求？列出几种常用的薄膜导体材料。P72 答：对薄膜导体的要求：导电性好、可焊性和耐焊接性好、化学稳定性高、附着 性好、成本低。薄膜导体材料分类：单元素薄膜和多层薄膜。单元素薄膜：铝膜； 多层薄膜：二元系铬金；三元系钛钯金；四元系钛铜镍金。
电子材料导论 复习题（李言荣版）
注明：本文档为电子材料导论（李言荣 2001 旧版）课后复习题参考答案，题目 大部分来源于书本归纳，小部分（书本答案不明确或不全）来源于网络，可供 考生备考《电子材料基础》、《电子材料导论》等课程作为参考。该版本目前（15 年）应为网络答案最全版本，历年真题可垂询 QQ1285864186。时间和水平有限， 不足之处敬请谅解。
8. 导电聚合物按结构特征和导电机理分为哪几种类型？P83 答：导电高分子材料为导电聚合物，按结构特征和导电机理可分为： ①载流子为自由电子的电子导电聚合物； ②载流子为能在聚合物分子间迁移的正负离子的离子导电聚合物； ③载流子为在可逆氧化还原反应中可转移的电子的氧化还原性导电聚合物。
9. 试述电子导电型聚合物中掺杂剂、掺杂量跟电导率之间的关系。P85+P86 答：电子导电型聚合物掺杂方式有两种：①通过加入第二种具有不同氧化态的物 质②通过聚合材料电极表面，进行氧化或还原反应直接改变聚合物的荷电状态。 掺杂剂也有两种：P-掺杂剂，电子接受体，氧化反应；N-掺杂剂，电子给予体， 还原反应。
电子材料导论各章复习汇总
电⼦材料导论各章复习汇总电⼦材料复习资料第⼀章名词解释1、电⼦材料：是指与电⼦⼯业有关的、在电⼦学与微电⼦学中使⽤的材料，是制作电⼦元器件和集成电路的物质基础。
结构电⼦材料是指能承受⼀定压⼒和重⼒，并能保持尺⼨和⼤部分⼒学性质（强度、硬度及韧性等）稳定的⼀类材料；功能电⼦材料是指除强度性能外，还有特殊性能，或能实现光、电、磁、热、⼒等不同形式的交互作⽤和转换的⾮结构材料；先进电⼦材料是指具有优异的性能的⾼科技产品，正在进⾏商业化或研制之中，并具有⼀定的保密性。
2、晶胞：对于实际的三维晶体，将其恰当地划分成⼀个个完全等同的平⾏六⾯体，叫晶胞。
3、晶⾯：由不同位置原⼦组成的平⾯4、对于固体-固体界⾯，当这些固体属同⼀晶相，仅结晶取向不同时，这种界⾯称为晶界(grain boundary)或晶体边界(crystal boundary)，当这些固体晶相不同，即组成和晶体构造都不相同时，其界⾯称为相界(phase boundary)。
5、理想表⾯是为分析问题⽅便⽽设定的⼀种理想的表⾯结构。
6、实际表⾯是指材料经过⼀般的加⼯（切割、研磨、抛光、清洗）后，保持在常温、常压下的表⾯，当然有时也可能在低真空或⾼温之下。
7、不存在吸附物也不存在氧化层的固体表⾯，称为清洁⾯8、驰豫结构是指表⾯区晶格结构保持不变，只是晶格常数变化。
9、表⾯结构重构：是指表⾯结构和体结构出现了本质的不同。
10、在⼀些单晶⾦属的表⾯区原⼦的重新排列时，它与内部（衬底）原⼦的排a列⽆直接关系，这种表⾯结构称超结构。
11、纳⽶材料是三维空间尺⼨中⾄少有⼀维处于纳⽶量级（1-100nm）的尺度范围内或由此作为基本单元构成的材料。
包括：纳⽶微粒、纳⽶结构、纳⽶复合材料；12、表⾯效应：粒⼦直径减少到纳⽶级，表⾯原⼦数和⽐表⾯积、表⾯能都会迅速增加；处于表⾯的原⼦数增多，使⼤部分原⼦的周围（晶场）环境和结合能与⼤块固体内部原⼦有很⼤的不同：表⾯原⼦周围缺少相邻的原⼦，有许多悬空键，具有不饱和性质，易与其它原⼦相结合，故具有很⼤的化学活性。
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1.简述电子材料与信息技术间的关系？材料，能源，信息技术是当前攻击工人的新革命的三大支柱。
在电子信息产业中，介电，磁电，光电，半导体，敏感等材料是信息技术基础和先导。
2. 简述半导体材料的分类及典型半导体材料的能带特点？功能分：微电子，光电半导体，热电半导体，微波半导体，敏感半导体等材料。
化学分：元素半导体，有机半导体等。
结构：晶态和非晶态半导体。
能带特点：晶体中电子作共有化运动后，相应的能量也不同于孤立原子中的电子，将发生变化；原来孤立的原子能级都分裂成一组组彼此相距很近的能级，每组构成一个能带。
能带能级对应于晶体中电子作共有化运动的能量称为允带。
允许带间的能量范围对共有化运动状态时禁止的，称为禁带。
典型半导体材料的能带结构与绝缘体类似，只有禁带宽度较窄，一般在2eV以下。
3. 硅主要以什么状态存在，为什么它不是一个好的光电子材料？硅在自然界中主要以二氧化硅或硅酸盐化合物的形式存在。
光电子材料的能带结构最好是直接带隙，而硅是间接带隙，而且对光的反射较强，光射在硅表面，能量损失30%左右，所以它不是一个号的光电子材料。
4. 电子材料可分为几代，每一代的代表材料是什么？三代：第一代是以Si和Ge为代表的单质半导体材料，第二代以GaAs和InP为代表的化合物半导体材料，第三代是以GaN和金刚石为代表的宽禁带半导体材料。
5. 半导体微结构材料分类方法及主要生长方法？分为三维材料二维材料一维材料零维材料，按衬底不同分为GaAs基材料，InP基材料，Si基材料，生长方法：分子束外延MBE；金属有机化合物气相淀积MOCVD。
6.光电子材料可分为几类？典型的探测器材料是那些？5类，激光材料，光电探测，光学功能，光纤，光电显示材料。
典型的探测器材料有：HgCdTe,PtSi，PbS，InSb 等。
7.激光晶体和激光玻璃的特点是什么？激光晶体的特点是：荧光线宽，功率大，荧光寿命长，宽吸收带，高泵蒲量子效率。
激光玻璃的特点：无荧光或较窄荧光，激光阀值高，储能能量大，热学性能差，膨胀系数大，热导率小，易于获得高光学质量和尺寸材料，各向同性。
8. 非线性光学晶体的性质？非线性光学系数大；能够实现相应匹配；透光波段宽，透明度高；有高的光转换效率；有较高的抗光损伤阀值；物理、化学性能稳定，硬度大；易于加工，价格低廉。
9. 光纤工作原理及结构特点？工作原理：全反射；结构特点：光导纤维由芯料外敷以涂层材料而成，大多数呈圆柱状。
10.简要回答主要集成电路衬底材料和互连材料及其发展方向？衬底材料：Si、SoI、3-5族氮化物半导体材料；发展方向：高热导率，高稳定性，宽带隙，耐高温材料。
主要互连材料：金属导电，绝缘介质材料。
发展方向：高热到率，低电阻率，抗点迁移率和应力迁移性好的材料发展。
11. 基板材料应该具有哪些特性，什么材料适合作基板？即高导热率。
低介电常数与芯片具有良好的热匹配、低膨胀系数，优良的机械加工性能、化学活性小、低成本、无毒及电极的相容等性能。
陶瓷，玻璃，树脂等材料。
12.简要回答半导体IC封装技术的功能，介绍微电子封装技术发展趋势？保护、供电、冷却微电子器件、提供器件和外界的电和机械上的联系、保护芯片的导电丝。
发展趋势：多芯片封装，超薄型封装，三维封装乃至光互连。
13. 什么是微机电系统？简述其特点？其工艺与微电子工艺有哪些不同？是以微传感器，微执行器以及驱动和控制电路为基本元器件组成。
特点：体积小、质量轻、功耗低，谐振频率高，响应时间短。
微机电系统及器件的制造远非集成电路加工工艺所能及，必须在集成电路工艺基础上扩展一些专用的微机械加工技术，包括体型加工技术，表面加工技术，构件间的相互组装技术键合及封装技术，才能制造出具有一定性能的微器件和微机电系统。
14.磁性材料按其组成可分为几类，各有何特点？金属磁性材料和铁氧体磁性材料。
金属：磁导率大，磁滞损耗小，稳定性高。
铁氧体：导电性属半导体范畴，高介电性。
15.软磁材料和永磁材料的磁滞回线的特点是什么？软磁材料的磁滞回线窄而长，起始磁导率高，矫顽力小，容易获得磁性也容易失去磁性。
永磁材料的具有高的剩余磁感应强度和矫顽力，磁能积高，凸出系数和恢复磁导率趋于1，稳定性好。
16.铁电材料和铁磁体有何相似的性质？铁电材料在某温度范围内，具有自发极化，且其极化强度可以因外电场而反向，同铁磁体具有磁滞回线一样，铁电材料具有电滞回线，铁磁体具有磁畴，铁电材料也具有铁电畴。
铁电材料还有一个温度临界温度时，晶体发生结构向转变，自发极化消失，没有铁电性。
17.简述声光效应和磁光效应？声光效应：声波对光的“衍射”现象，声波在透明介质中形成的介质密度的周期性疏密变化，可视为一条光栅，光栅条间隔等于声波波长，光通过声波光栅时产生衍射；当光透过透明的磁性物质或被磁性物质反射时，由于存在自发磁化强度M，将产生的各项异性，故可以观测到各种特殊的光学现象，这些现象总称为慈光效应。
18.正温度系数材料和负温度系数材料的特点？正温度系数材料的电阻率随着温度升高二增大，负温度系数材料的电阻率随着温度升高而减少。
19.典型的气敏材料及敏感机理？典型的气敏材料有：SnO2气敏材料，ZnO气敏材料，氧化铁系气敏材料，钙钛矿型气敏材料。
敏感机理：当被测气体在该物质表面吸附后，引起其电学特性发生变化。
20.典型的电解电容器材料是什么？通过什么方法可以制备？典型的电解电容器材料有：铝和钼，它们主要都是通过电化学的方法在金属阳极表面生成氧化膜电解质。
21.介电陶瓷的特点是什么？介电常数高，变化范围大；串联电感小；高强度，高可靠性，耐高温；电阻率高，耐高点强度。
22.简述一种新型薄膜材料特点，制备方法和应用？Si基非晶态半导体薄膜：特点长程有序，短程无序，可以部分实现连续性的物性控制；制备方法：SiH4气体的辉光放电分解法，溅射法，光CVD，提高沉淀速率；应用：半导体集成电路。
23.为什么说微电子材料是最重要的信息材料，光电子材料是发展最快的信息材料，光子材料是最有前途的信息材料，请予以说明？微电子材料：芯片材料、基板材料、封装材料、光刻材料、各种电子化学材料。
光电子材料：应用于光电子材料的总称，是指具有光子和电子的产生、转换、传输功能的材料，光电子材料是光电技术的先导和基础，光电子材料的研制与发展对光电子技术起推动促进作用。
24.信息技术的哪几个环节依靠材料和元器件的发展？信息技术的获取，传输，存储，显示，处理环节依靠材料和元器件的发展。
25.晶体有哪些主要特征？有规则的外形；均匀性；解理性；固定的熔点；各向异性。
26.简要说明单晶、多晶、非晶体的主要特点？单晶体是指在整个晶体中，原子按照同一种方式排列，整个材料被一个晶格结构所贯穿，各向异性，有规则的外形和固定的熔点；多晶体是由若干个不同取向的小单晶组成，各项同性，无规则的外形，原子仍对称和周期性排列，有固定的熔点，非晶体中原子排列不具有周期性，各项同性，无规则的外形和固定的熔点。
27.请简要说明三种电子材料微观分析方法？（1）原子发射光谱：不同的元素，其电子结构不同在光谱中波长的组成和特征谱不同，可从原子受激后发射的光谱及其强度对元素进行定性和定量的分析。
（2）结构分析方法：X射线衍射分析法，X射线在晶体中传播满足一下关系发生反射：n=2d布喇格反射公式，为X射线波长，d为晶面间间距，为反射角，通过对衍射花样的分析，可以获得晶体结构的各种参数。
测量衍射峰的位置，可以得到晶胞的尺寸，对称性及晶面取向。
（3）显微分析法：光学显微镜50~1500倍，透射显微镜几十万倍，扫描显微镜几千~几万倍，可以观察晶体结构、晶粒的大小和形状，晶粒分布、晶粒取向、晶体缺陷。
28.简述电子材料发展趋势？晶体大尺寸化；晶体结构完美化；多功能化；复合化；低维化；智能化。
29.研究半导体材料的结构主要有那两个途径？（1）能带论：从晶体结构长程周期性研究电子能态结构；（2）化学键理论：从物质化学组成，短程周期性研究电子能态结构。
30.简要说明什么是半导体材料掺杂，主要掺杂方式有哪些？重掺杂和轻掺杂有什么不同，各用到哪方面？半导体掺杂就是在纯净的半导体掺入浅能级杂质，主要的掺杂方式有热扩散和离子注入，重掺杂与轻掺杂的区别在于多子的浓度的大小，重掺杂多子浓度大于轻掺杂浓度多子的浓度。
重掺杂用在做三极管的发射区，轻掺杂用在做三极管的基区。
31.将简述Ge、Si的主要物理、化学性质？都具有灰色金属光泽的固体，硬而脆；锗的金属性更显著。
在空气和常温下化学性质时稳定的，但升温时，却容易同氧，氯等多种物质发生化学反应，锗不溶于盐酸和稀硫酸，但能溶于弄硫酸，浓硝酸，王水以及HF-HNO3，混合酸中。
硅不溶于HCL.H2SO4,HNO3,及王水,溶于HF-HNO3混合酸中,锗与浓碱几乎不起作用,但很容易溶于H2O2-NaOH混合液,硅与碱在常温下就能发生反应.32.请简述三、五族化合物半导体的性质、晶体结构、能带特点？典型材料:GaAs,Inp等.综合强度高,熔点高,禁带宽度大,载流子迁移率高,能带结构为直接跃迁型,几乎所以得三五族化合物都排列成两种形式的晶体结构,即立方闪锌矿型结构和六角纤维锌矿型结构.33.请简述GaN的特性？GaN是一种坚硬稳定的高熔点材料.晶体结构主要为闪锌结构,晶格常数随生长条件,杂质浓度,化学配比的变化而变化.非掺杂GaN为N型,电子浓度为10(14~16)|cm3,呈高电导,利用它的禁带宽度可制成蓝光器件.34.什么是半导体微结构材料，简述其分类及生长方法?具有半导体异质结构,超晶格和具有量子效应的半导体材料为半导体微结构材料.按维数分为:三维,两维,一维,零维材料,按衬底不同可分:GaAs基材料,InP基材料,Si基材料.生长方法主要有:分子束外延MBE,金属有机化合物气相淀积MOCVD.35.简述激光晶体的发展趋势？大功率激光,可调谐激光,二极管泵浦激光,新波长晶体激光,适合光纤通信新材料激光36.简述HgCdTe红外探测器的特点？（1）Hg1-xCdTe材料是HgTe-CdTe赝二系化合物半导体合金材料，其禁带Eg是组分x和温度T的函数，对x和T的调节和选择，使Eg从半金属HgTe（-0.3ev）至半导体CdTe的Eg（1.648ev）之间连续变化，适当选择x和T可以设计所需波长的探测器材料，探测范围1~25微米；（2）HgCdTe是一种本征半导体材料，其光吸收系数比非本征半导体材料大得多，大约1微米厚的材料可做到有效的光吸收，探测器具有很高的量子效率；（3）HgCdTe材料热激发速率小，可在较高温度下工作；（4）HgCdTe材料有很小的电子有效质量，很高的电子迁移率，低的本征载流子浓度和小的介电常数，HgCdTe探测器有较高的光电导增益和响应率，适合研制高频响应，频带宽的探测器。