光刻胶步骤
干膜光刻胶技术
干膜光刻胶技术一、介绍干膜光刻胶技术1.1 定义干膜光刻胶技术是一种常用于电子器件制造中的光刻工艺。
它是一种逐层涂覆光刻胶的过程，通过光刻胶的暴光和显影来实现对电路或器件的精确定义。
1.2 原理干膜光刻胶技术的基本原理是在待光刻的物体表面上涂覆一层光刻胶，并通过暴光和显影等步骤来实现对光刻胶的处理。
在光刻过程中，光刻胶会形成一个薄膜，保护待光刻物体的某些区域，其余区域则暴露出来以供后续处理。
二、干膜光刻胶的制备2.1 材料准备•光刻胶：选择适合的光刻胶，一般根据需要的分辨率和显影的要求来选择。
•基片：选择质量良好的基片材料。
2.2 胶液制备1.将光刻胶放入特定容器中。
2.按照比例向容器中加入相应的稀释剂。
3.严格按照工艺要求搅拌混合，直至光刻胶和稀释剂均匀混合。
2.3 胶液过滤1.准备一个过滤器。
2.将混合好的胶液通过过滤器，去除杂质和颗粒，以保证胶液的纯净度。
2.4 胶液涂覆1.准备好基片。
2.将过滤好的胶液均匀涂覆在基片表面。
3.使用旋涂机等设备，控制涂覆的厚度和均匀性。
三、干膜光刻胶的光刻步骤3.1 掩膜制备1.选择合适的掩膜材料。
2.利用曝光设备将掩膜图案转移到光刻胶上。
3.2 暴光1.使用光刻机将掩膜上的图案通过紫外线或激光照射到光刻胶上。
2.光刻胶中的光敏化剂会发生反应，产生化学变化。
3.3 烘烤1.将暴光过的光刻胶放入烘烤机中。
2.控制温度和时间，使光刻胶中的物质发生凝聚和固化的过程。
3.4 显影1.准备好显影液。
2.将烘烤后的光刻胶浸泡在显影液中，使显影液与未固化的光刻胶发生化学反应。
3.反应后，使用去离子水清洗光刻胶，去除显影液和剩余的光刻胶。
四、干膜光刻胶技术的应用领域4.1 电子器件制造干膜光刻胶技术广泛应用于电子器件制造过程中。
在集成电路制造中，通过干膜光刻胶技术可以实现对电路结构的精确定义，从而保证电路的正常工作。
4.2 晶体管制造在晶体管的制造过程中，干膜光刻胶技术可用于控制晶体管的栅极和源/漏极区域的尺寸和形状，从而影响晶体管的电性能。
光刻工艺流程
光刻工艺流程
光刻工艺是在半导体制造中至关重要的一个工艺，它是制造芯片必不可少的环节。
本文将介绍光刻工艺流程及其每个步骤的作用和方法。
首先，要准备好硅片和光刻胶。
硅片上会先涂上一层光刻胶，然后通过光刻机对其进行曝光、显影和烘干的操作。
其次，进行光刻胶的涂布。
首先，将准备好的硅片放到光刻机的微小旋转台上，然后，使用光刻胶涂布机器对硅片进行涂布，将光刻胶均匀地涂抹在硅片上。
这个工作是十分重要的，因为如果光刻胶的涂布不均匀，将会影响后续制程的成果。
接着，进行曝光。
将涂好光刻胶的硅片放入光刻机的曝光台中，加入掩模版后，开启光刻机器的曝光光源，使镀有光刻胶的硅片根据掩膜图案将辐射能量吸收。
曝光时间的长短取决于掩膜的复杂程度以及所用的光刻胶类型。
进行显影。
曝光后，将硅片放入显影液中，在显影液中加持一定时间使没有经过曝光的光刻胶部分被清除，从而满足标准掩膜的设计要求。
要注意控制显影液的温度，时间和浓度，否则就会对芯片的制造产生影响。
最后进行烘干。
显影后的光刻胶薄层需要进行烘干，通过烘干将液体显影液中多余的水分挥发掉，光刻胶薄层变得坚硬。
需要注意的是，烘干的温度和时间要正确，不要过度或不足，以确保质量的稳定性。
总之，光刻工艺流程是一个非常精细的制程，非常需要注意每个步骤的细节，更需要操作人员的技术经验和操作规范。
只有这样，我们才能在制造芯片过程中保证产品的一致性和稳定性。
光刻工艺步骤介绍
光刻工艺步骤介绍光刻工艺是半导体芯片制造中不可或缺的一步，其目的是将芯片设计图案转移到光刻胶上，然后通过化学腐蚀或蚀刻的方式将这些图案转移到芯片表层。
下面是一个光刻工艺的详细步骤介绍：1.准备工作：首先需要清洗芯片表面，以去除表面的杂质和污染物。
清洗可以使用化学溶液或离子束清洗仪等设备。
同时，需要准备好用于光刻的基板，这通常是由硅或其他半导体材料制成的。
2.底层涂覆：将光刻胶涂覆在基板表面，胶层的厚度通常在几微米到几十微米之间。
胶液通常是由聚合物和其他添加剂组成的，可以通过旋涂、喷涂或浸涂等方法进行涂覆。
3.烘烤和预烘烤：将涂覆好的光刻胶进行烘烤和预烘烤。
这一步的目的是除去胶液中的溶剂和挥发物，使胶层更加均匀和稳定。
烘烤的温度和时间可以根据不同的胶液和工艺要求来确定。
4.掩膜对位：将掩膜和基板进行对位。
掩膜是一个透明的玻璃或石英板，上面有芯片设计的图案。
对位过程可以通过显微镜或光刻机上的对位系统来进行。
5.曝光：将掩膜下的图案通过光源进行曝光。
光源通常是由紫外线灯或激光器组成的。
曝光时间和光照强度的选择是根据胶层的特性和所需的图案分辨率来确定的。
6.感光剂固化：曝光后，光刻胶中的感光剂会发生化学反应，使胶层中的暴露部分固化。
这一步被称为光刻胶的显影，可以通过浸泡在显影剂中或使用喷雾设备来进行。
7.显影：在光刻胶上进行显影，即移去显影剂无法固化的胶层。
显影的时间和温度可以根据胶层的特性和图案的要求来确定。
显影过程通常伴随着机械搅动或超声波搅拌，以帮助显影剂的渗透和清洗。
8.硬化：为了提高图案的耐久性和稳定性，可以对显影后的芯片进行硬化处理。
硬化可以通过烘烤、紫外线照射或热处理等方法来实现。
9.检查和修复：在完成光刻工艺后，需要对光刻图案进行检查。
如果发现图案存在缺陷或错误，可以使用激光修复系统或电子束工作站等设备进行修复。
10.后处理：最后，需要对光刻胶进行去除，以准备进行下一步的制造工艺。
去除光刻胶的方法可以采用化学溶剂、等离子体蚀刻或机械刮伤等。
光刻胶工艺
TRACK工艺简介摘要本文简要介绍关于涂胶、显影工艺的一些相关内容。
引言超大规模IC对光刻有五个基本要求，即：高分辨率、高灵敏度、精密的套刻对准、低缺陷和大尺寸上的加工问题（如温度变化引起晶圆的胀缩等）。
这五个基本要求中，高分辨率、高灵敏度和低缺陷与涂胶、显影工艺有很密切的关系。
第一节涂胶工艺1光刻胶光刻胶主要由树脂（Resin）、感光剂（Sensitizer）及溶剂（Solvent）等不同材料混合而成的，其中树脂是粘合剂（Binder）, 感光剂是一种光活性（Photoactivity）极强的化合物，它在光刻胶内的含量和树脂相当，两者同时溶解在溶剂中，以液态形式保存。
除了以上三种主要成分以外，光刻胶还包含一些其它的添加剂（如稳定剂，染色剂，表面活性剂）。
光刻胶分为正胶和负胶。
负胶在曝光后会产生交联（Cross Linking）反应，使其结构加强而不溶解于显影液。
正胶曝光后会产生分解反应，被分解的分子在显影液中很容易被溶解，从而与未曝光部分形成很强的反差。
因负胶经曝光后，显影液会浸入已交联的负性光刻胶分子内，使胶体积增加，导致显影后光刻胶图形和掩膜版上图形误差增加，故负胶一般不用于特征尺寸小于0.3um的制造。
典型的正胶材料是邻位醌叠氮基化合物，常用的负胶材料是聚乙稀醇肉桂酸酯。
CSMC-HJ用的是正性光刻胶。
在相同的光刻胶膜厚和曝光能量相同时，不同光刻胶的感光效果不同。
在一定的曝光波长范围内，能量低而感光好的胶称为灵敏度，反之则认为不灵敏。
我们希望在能满足光刻工艺要求的情况下，灵敏度越大越好，这样可减少曝光时间，从而提高产量。
2涂胶涂胶是在结净干燥的圆片表面均匀的涂一层光刻胶。
常用的方法是把胶滴在圆片上，然后使圆片高速旋转，液态胶在旋转中因离心力的作用由轴心沿径向飞溅出去，受附着力的作用，一部分光刻胶会留在圆片表面。
在旋转过程中胶中所含溶剂不断挥发，故可得到一层分布均匀的胶膜。
涂胶过程有以下几个步骤：1.1涂胶前处理（Priming）：要使光刻胶精确地转移淹膜版上的图形，光刻胶与圆片之间必须要有良好的粘附。
光刻加工的工艺过程
光刻加工的工艺过程光刻制程是一种基于光敏感化学物质的加工技术，广泛应用于半导体制造、屏幕制造、光学元件制造等领域。
下面将介绍光刻加工的主要工艺过程。
第二步是涂覆光刻胶。
将光刻胶溶液倒在基板表面并旋转，使其均匀地覆盖整个表面。
通常会使用一台称为光刻胶旋涂机的设备来实现这一步骤。
涂覆后，通过烘烤将剩余的溶剂去除，使光刻胶形成薄膜。
第三步是准备掩模。
掩模是一种具有特定图案的光刻掩膜，可以通过光照将图案转移到光刻胶上。
掩模通常是由玻璃或石英制成的，上面有一个透明的图案结构。
通过投影仪或激光绘制工艺将图案转移到掩模上。
第四步是对光刻胶进行曝光。
将掩模和光刻胶放置在光刻机上，掩模上的图案通过紫外线或激光照射到光刻胶上。
光刻机会在特定时间和能量下曝光光刻胶，使得光刻胶发生化学或物理变化，覆盖光刻胶的部分被固化。
第五步是显影光刻胶。
将经过曝光的光刻胶放入显影液中进行显影，显影液会溶解未固化的光刻胶，只留下曝光过的图案结构。
显影液通常是一种酸或碱性溶液，根据光刻胶的材料不同，选择不同的显影液。
第六步是清洗和后处理。
将显影后的光刻胶通过清洗步骤去除显影液和残留的光刻胶，以及任何其他杂质。
清洗通常使用化学溶液或超声波清洗。
完成清洗后，可以进行后处理，如烘干或氧等离子处理，以进一步改善光刻胶的性能。
通过上述工艺过程，光刻加工可以实现高分辨率的图案转移，制造出微小的器件和结构。
在半导体制造业中，光刻加工是生产微型集成电路的关键步骤之一、随着技术的不断发展，光刻加工的分辨率和精度也在不断提高，为微电子和光电子领域的创新和进步提供了重要支持。
光刻胶概念一览表
光刻胶概念一览表光刻胶概念一览表随着微电子、半导体、光电子和其他高新技术的发展，对光刻胶的需求越来越大。
然而，对于光刻胶这一概念，很多人并不太了解。
下面，我们将介绍一些与光刻胶相关的概念，以便更好地了解和使用光刻胶。
1、光刻胶的定义光刻胶是一种通过光刻技术，将图案或图像的形状转移到半导体材料表面的重要材料之一。
光刻胶可用于制备微型电子元件、机械装置和图案。
2、光刻胶的分类按照用途的不同，光刻胶可以分为以下几类：（1）正胶：用于沟槽、线、阵列等结构的制备。
（2）反胶：用于制备负图案，主要是负形结构。
（3）双层胶：由覆盖在基础上的正胶和底部的反胶组成，用于加深沟槽和减小线宽度。
3、光刻胶的制备过程光刻胶的制备大致可以分为三个步骤：（1）底层制备：这一步骤包括淀粉和玻璃等基础结构的制备。
（2）胶层覆盖：在基础结构上覆盖光刻胶。
（3）曝光和蚀刻：曝光胶层并进行蚀刻，从而将光刻胶中的图形转移到基础结构表面。
4、光刻胶的性能指标（1）分辨率：指的是光刻胶加工后的线宽度。
（2）感光度：光刻胶吸收和转化光辐射的能力。
（3）显影性能：显影液在胶层表面停留时间和显影效果的好坏。
5、光刻胶的应用领域（1）微电子：在集成电路制造中，光刻胶可用于制造各种微型电子元件。
（2）半导体：光刻胶是制造高精度半导体元件的重要材料之一。
（3）光学：光刻胶可以用于制造微型透镜和其他光电子器件。
综上所述，光刻胶是现代高科技制造中不可或缺的材料。
通过对光刻胶相关的概念、分类、制备过程、性能指标和应用领域的介绍，希望读者能够更好地了解和使用光刻胶。
光刻胶制造工艺及生产设备
光刻胶制造工艺及生产设备《光刻胶制造工艺及生产设备》光刻胶是一种在集成电路制造及光学器件制造中广泛使用的关键材料。
它的主要功能是在半导体材料表面形成一层保护膜，用于传递光刻图案并定位，从而实现微细结构的制造。
在整个光刻胶制造过程中，工艺和设备起到了至关重要的作用。
光刻胶的制造工艺可以分为两个主要步骤：涂布和固化。
在涂布步骤中，液态的光刻胶通过一系列的工艺步骤被均匀地涂布在基板上。
这些工艺步骤包括流平、旋涂、烘干和除尘等。
通过这些步骤，可以确保光刻胶在基板表面形成完整且均匀的薄膜。
固化步骤是将涂布在基板上的光刻胶通过紫外光进行固化，从而使得光刻胶形成坚固的保护膜。
在这个步骤中，紫外光源的选择和参数的调整非常重要，以确保光刻胶的固化质量和速度。
为了实现高质量的光刻胶制造，需要使用相应的设备。
光刻胶制造设备主要包括光刻胶涂布机、烘干机和紫外光固化机。
光刻胶涂布机通过旋涂技术将光刻胶均匀地涂布在基板上。
烘干机用于去除涂布过程中产生的溶剂和水分，从而促进光刻胶的固化。
紫外光固化机则是通过提供恰当的紫外光源，将涂布在基板上的光刻胶进行固化。
除了以上主要的制造工艺和设备，光刻胶制造还需要考虑其他因素，如原材料质量、环境控制和质量检测等。
在选择光刻胶原料时，需要考虑其光学特性、化学稳定性和可加工性等因素。
而在生产过程中，需要严格控制温度、相对湿度和洁净度等环境参数，以确保光刻胶的制造质量。
最后，在生产设备和工艺中，还需要进行质量检测和监控，以保证光刻胶的性能和一致性。
总结起来，光刻胶制造工艺及生产设备在半导体和光学器件制造中扮演着重要的角色。
通过合理的工艺步骤和优质的设备选择，可以实现高质量的光刻胶制造，并对微细结构的制造提供了可靠的保障。
光刻胶生产方法
光刻胶生产方法
光刻胶生产方法主要包括以下步骤：
1.原材料准备：选择合适的聚合物和感光剂。
2.聚合物合成：将单体与引发剂、稳定剂等添加剂一起反
应，通过聚合反应得到聚合物。
3.感光剂添加：将感光剂添加到聚合物中，通过搅拌或溶
解的方式，使感光剂均匀分散在聚合物中。
4.溶剂调配：根据光刻胶的用途和性能要求，选择合适的
溶剂进行调配。
5.混合和搅拌：将聚合物、感光剂和溶剂按照一定的比例
混合，并通过搅拌使其均匀混合。
6.过滤和除泡：混合好的光刻胶需要进行过滤和除泡处理，
以去除其中的杂质和气泡，以保证光刻胶的纯净度。
7.包装和贮存：将处理好的光刻胶装入适当的容器中，并
进行密封，以防止光刻胶受到外界环境的污染。
光刻胶通常需要在低温下贮存，以延长其保质期。
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1、硅片清洗烘干（Cleaning and Pre-Baking）方法：湿法清洗＋去离子水冲洗＋脱水烘焙（热板150～250C,1～2分钟，氮气保护）目的：a、除去表面的污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）；b、除去水蒸气，是基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性（对光刻胶或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。
2、涂底（Priming）方法：a、气相成底膜的热板涂底。
HMDS蒸气淀积，200～250C,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；b、旋转涂底。
缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS 用量大。
目的：使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性。
3、旋转涂胶（Spin-on PR Coating）方法：a、静态涂胶（Static）。
硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85%,旋涂后约占10～20%）；b、动态（Dynamic）。
低速旋转（500rpm_rotation per minute）、滴胶、加速旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。
决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；旋转速度，速度越快，厚度越薄；影响光刻胶均匀性的参数：旋转加速度，加速越快越均匀；与旋转加速的时间点有关。
一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关（因为不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率）：I-line最厚，约0.7～3μm；KrF的厚度约0.4～0.9μm；ArF的厚度约0.2～0.5μm。
4、软烘（Soft Baking）方法：真空热板，85～120C,30～60秒；目的：除去溶剂（4～7%）；增强黏附性；释放光刻胶膜内的应力；防止光刻胶玷污设备；5、边缘光刻胶的去除（EBR，Edge Bead Removal）。
光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。
边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离（Peeling）而影响其它部分的图形。
所以需要去除。
方法：a、化学的方法（Chemical EBR）。
软烘后，用PGMEA或EGMEA去边溶剂，喷出少量在正反面边缘出，并小心控制不要到达光刻胶有效区域；b、光学方法（Optical EBR）。
即硅片边缘曝光（WEE，Wafer Edge Exposure）。
在完成图形的曝光后，用激光曝光硅片边缘，然后在显影或特殊溶剂中溶解；6、对准（Alignment）对准方法：a、预对准，通过硅片上的notch或者flat 进行激光自动对准；b、通过对准标志（Align Mark），位于切割槽（Scribe Line）上。
另外层间对准，即套刻精度（Overlay），保证图形与硅片上已经存在的图形之间的对准。
7、曝光（Exposure）曝光中最重要的两个参数是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。
如果能量和焦距调整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的图形。
表现为图形的关键尺寸超出要求的范围。
曝光方法： a、接触式曝光（Contact Printing）。
掩膜板直接与光刻胶层接触。
曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。
缺点：光刻胶污染掩膜板；掩膜板的磨损，寿命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。
b、接近式曝光（Proximity Printing）。
掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为10～50μm。
可以避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤。
但是同时引入了衍射效应，降低了分辨率。
1970后适用，但是其最大分辨率仅为2～4μm。
c、投影式曝光（Projection Printing）。
在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。
一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。
优点：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影响减小。
投影式曝光分类：扫描投影曝光（Scanning Project Printing）。
70年代末～80年代初，〉1μm工艺；掩膜板1：1，全尺寸；步进重复投影曝光（Stepping-repeating Project Printing或称作Stepper）。
80年代末～90年代，0.35μm（I line）～0.25μm （DUV）。
掩膜板缩小比例（4：1），曝光区域（Exposure Field）22×22mm（一次曝光所能覆盖的区域）。
增加了棱镜系统的制作难度。
扫描步进投影曝光（Scanning-Stepping Project Printing）。
90年代末～至今，用于≤0.18μm 工艺。
采用6英寸的掩膜板按照4：1的比例曝光，曝光区域（Exposure Field）26×33mm。
优点：增大了每次曝光的视场；提供硅片表面不平整的补偿；提高整个硅片的尺寸均匀性。
但是，同时因为需要反向运动，增加了机械系统的精度要求。
在曝光过程中，需要对不同的参数和可能缺陷进行跟踪和控制，会用到检测控制芯片/控片（Monitor Chip）。
根据不同的检测控制对象，可以分为以下几种：a、颗粒控片（Particle MC）：用于芯片上微小颗粒的监控，使用前其颗粒数应小于10颗；b、卡盘颗粒控片（Chuck Particle MC）：测试光刻机上的卡盘平坦度的专用芯片，其平坦度要求非常高；c、焦距控片（Focus MC）：作为光刻机监控焦距监控；d、关键尺寸控片（Critical Dimension MC）：用于光刻区关键尺寸稳定性的监控；e、光刻胶厚度控片（PhotoResist Thickness MC）：光刻胶厚度测量；f、光刻缺陷控片（PDM，Photo Defect Monitor）：光刻胶缺陷监控。
举例：0.18μm的CMOS扫描步进光刻工艺。
光源：KrF氟化氪DUV光源（248nm）；数值孔径NA：0.6～0.7；焦深DOF：0.7μm；分辨率Resolution：0.18～0.25μm（一般采用了偏轴照明OAI_Off-AxisIllumination和相移掩膜板技术PSM_Phase Shift Mask增强）；套刻精度Overlay：65nm；产能Throughput：30～60wafers/hour（200mm）；视场尺寸Field Size：25×32mm；8、后烘（PEB，Post Exposure Baking）方法：热板，110～130C,1分钟。
目的：a、减少驻波效应；b、激发化学增强光刻胶的PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。
9、显影（Development）方法：a、整盒硅片浸没式显影（Batch Development）。
缺点：显影液消耗很大；显影的均匀性差；b、连续喷雾显影（Continuous Spray Development）/自动旋转显影（Auto-rotation Development）。
一个或多个喷嘴喷洒显影液在硅片表面，同时硅片低速旋转（100～500rpm）。
喷嘴喷雾模式和硅片旋转速度是实现硅片间溶解率和均匀性的可重复性的关键调节参数。
c、水坑（旋覆浸没）式显影（Puddle Development）。
喷覆足够（不能太多，最小化背面湿度）的显影液到硅片表面，并形成水坑形状（显影液的流动保持较低，以减少边缘显影速率的变化）。
硅片固定或慢慢旋转。
一般采用多次旋覆显影液：第一次涂覆、保持10～30秒、去除；第二次涂覆、保持、去除。
然后用去离子水冲洗（去除硅片两面的所有化学品）并旋转甩干。
优点：显影液用量少；硅片显影均匀；最小化了温度梯度。
显影液：a、正性光刻胶的显影液。
正胶的显影液位碱性水溶液。
KOH和NaOH因为会带来可动离子污染（MIC，Movable Ion Contamination），所以在IC制造中一般不用。
最普通的正胶显影液是四甲基氢氧化铵（TMAH）（标准当量浓度为0.26，温度15～25C）。
在I线光刻胶曝光中会生成羧酸，TMAH显影液中的碱与酸中和使曝光的光刻胶溶解于显影液，而未曝光的光刻胶没有影响；在化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist）中包含的酚醛树脂以PHS形式存在。
CAR中的PAG产生的酸会去除PHS 中的保护基团（t-BOC），从而使PHS快速溶解于TMAH显影液中。
整个显影过程中，TMAH没有同PHS发生反应。
b、负性光刻胶的显影液。
二甲苯。
清洗液为乙酸丁脂或乙醇、三氯乙烯。
显影中的常见问题：a、显影不完全（Incomplete Development）。
表面还残留有光刻胶。
显影液不足造成；b、显影不够（Under Development）。
显影的侧壁不垂直，由显影时间不足造成；c、过度显影（OverDevelopment）。
靠近表面的光刻胶被显影液过度溶解，形成台阶。
显影时间太长。
10、硬烘（Hard Baking）方法：热板，100～130C（略高于玻璃化温度Tg），1～2分钟。
目的：a、完全蒸发掉光刻胶里面的溶剂（以免在污染后续的离子注入环境，例如DNQ酚醛树脂光刻胶中的氮会引起光刻胶局部爆裂）；b、坚膜，以提高光刻胶在离子注入或刻蚀中保护下表面的能力；c、进一步增强光刻胶与硅片表面之间的黏附性；d、进一步减少驻波效应（Standing Wave Effect）。
常见问题：a、烘烤不足（Underbake）。
减弱光刻胶的强度（抗刻蚀能力和离子注入中的阻挡能力）；降低针孔填充能力（Gapfill Capability for the needle hole）；降低与基底的黏附能力。
b、烘烤过度（Overbake）。
引起光刻胶的流动，使图形精度降低，分辨率变差。
另外还可以用深紫外线（DUV，Deep Ultra-Violet）坚膜。
使正性光刻胶树脂发生交联形成一层薄的表面硬壳，增加光刻胶的热稳定性。
在后面的等离子刻蚀和离子注入（125～200C）工艺中减少因光刻胶高温流动而引起分辨率的降低。