2013-重点-电子线路_梁明理_第五版答案汇总
电子线路答案 第五版
(π
/
4)
62.83%
1-31 如图所示为 SW7900 三端式负电压输出的集成稳压器内部原理电路，已知输入电
V V 压
= —19v,输出电压
1
=
O
—12v，各管的导通电压| VBE(on)|均为 0.7v，D 的稳定电压
V =7v。 Z2 （1）试说明比较放大器和输出级的工作原理。
V （2）试求向比较放大器提供的基准电压
功率 P。= 60 W，VCC=12.5v。（1）当C=60%时，试计算管耗 PC 和平均分量 I CO 值；（2）若 保持 P。不变，将C 提高到 80%，试问 PC 减少多少？
当 RL > 50 ，交流负载线以 Q2 为中心逆时针转动，但由于激励不变，输出将出现饱和 失真。
(3)VCC =30 V，交流负载线平移到 EF，静态工作点为 Q3，因为 Ibm 不变，所以 Vcm 不 变，Icm 不变，因此 PL 不变，PL= 2.25 W，但 VCC =30 V，所以
乙类
Pomax
1 4 V(BR)CEOI CM
1 60V 3A 45W 4
Pomax 5PCM 5 30W 150W
所以 Pomax Pomax 45W
1-10 单管甲类变压器耦合和乙类变压器耦合推挽功率放大器采用相同的功率管
3DD303、相同的电源电压 VCC 和负载 RL,且甲类放大器的 RL 等于匹配值.。两放大器中若维
电压的变化，达到稳定输出电压的目的。
V V （2）
= —（
REF
Z 2 + VBE(on)）= —（7v+0.7v）= —7.7v
大学电路第五版答案 (3)
大学电路第五版答案第一章绪论1.1 电路基本概念•问题1：答案：电路是由导体和电子器件组成的，用于传输和控制电流、电压和能量的系统。
•问题2：答案：一个封闭的回路中，如果有电流流过，则为电路。
而电路中的电流则是由电势差（电压）推动的。
•问题3：答案：独立源和受控源是电路中的两种基本元件。
独立源以内部方式供应电能；受控源根据电路中其他元件的电压、电流或功率等参数特性而提供电能。
1.2 电路简化方法•问题1：答案：电路简化是指通过将电路中的复杂部分进行简化，从而使得电路更易于分析和理解。
•问题2：答案：电路简化方法主要包括纵向简化和横向简化。
纵向简化是指将电路按照纵向方向进行分离，将多个电阻、电流源和电压源简化为一个等效元件；横向简化是指将电路按照横向方向进行分离，将多个支路简化为一个等效支路。
•问题3：答案：电路简化的目的是为了更方便地进行电路分析和设计。
简化后的电路可以更清晰地展示电路的结构和特性，方便进行计算和模拟。
第二章基本电路定律2.1 基本电路变量和关系•问题1：答案：基本电路变量包括电压、电流和功率。
电压是指电荷在电路中移动时所带的能量单位；电流是指单位时间内通过某一点的电荷数；功率是指单位时间内消耗或输出的能量。
•问题2：答案：欧姆定律是指电阻两端的电压与通过电阻的电流之间成正比的关系。
数学表达式为V = I * R，其中 V 为电压（伏特），I 为电流（安培），R 为电阻（欧姆）。
•问题3：答案：功率计算公式为 P = V * I，其中 P为功率（瓦特），V 为电压（伏特），I 为电流（安培）。
2.2 基本电路定律•问题1：答案：基尔霍夫电流定律是指在任意一个节点中，进入该节点的电流之和等于离开该节点的电流之和。
数学表达式为ΣI(in) = ΣI(o ut)。
•问题2：答案：基尔霍夫电压定律是指在闭合回路中，沿着回路一周的电压之和等于零。
数学表达式为ΣV = 0。
•问题3：答案：基尔霍夫电压定律可以用于分析电路中的电压分布和电流分布，帮助理解电路中各个元件之间的关系。
大学电路第五版答案
大学电路第五版答案第一章简介本章主要介绍了大学电路课程的基本概念和内容，以及本书的组织结构和学习方法。
1.1 课程简介大学电路是电子信息类专业必修的一门基础课程，主要涉及电路基本理论、分析与设计方法、电路元件和仪器的特性等内容。
1.2 学习目标学习本课程的目标是：•掌握电路基本概念和基础理论•熟练掌握电路分析和设计方法•了解电路元件的特性和使用方法•具备解决电路实际问题的能力1.3 本书组织结构本书共分为五章，分别是：1.简介2.基本电路理论3.受控源电路与交流电路4.电路稳定性与反馈5.电力电子与现代电子技术每章包括理论讲解、解题示例和习题，以帮助读者更好地理解和掌握知识。
第二章基本电路理论本章主要讲解了电路中的基本电路元件、基本电路规律和基本电路模型。
2.1 电阻、电容和电感•电阻是电流通过时所产生的阻碍，用欧姆（Ω）表示。
•电容是电压变化时所存储的能量，在电路中常用法拉（F）表示。
•电感是电流变化时所存储的磁能量，在电路中常用亨利（H）表示。
2.2 电势、电流和电阻•电势是电荷所具有的能量，用伏特（V）表示。
•电流是电荷在单位时间内通过截面的数量，用安培（A）表示。
•电阻是电流通过时所产生的阻碍，用欧姆（Ω）表示。
2.3 基本电路规律•基尔霍夫定律：节点电流定律和回路电压定律。
•电压和电流的分压、分流规律。
•等效电路的概念和计算方法。
第三章受控源电路与交流电路本章主要介绍了受控源电路和交流电路的基本理论和分析方法。
3.1 受控源电路•受控源电路的基本组成和特性。
•受控源电路的分析方法：节点分析法和支路分析法。
3.2 交流电路•交流电路的基本理论：正弦波、频率、相位等概念。
•交流电路的分析方法：复数法和相量法。
第四章电路稳定性与反馈本章主要介绍了电路的稳定性和反馈的基本理论和分析方法。
4.1 电路的稳定性•电路的稳定性的概念和判断方法。
•电路的稳定性分析方法。
4.2 反馈•反馈的基本概念和分类。
《电子技术基础》第五版课后答案
第一章数字逻辑习题1．1数字电路与数字信号1.1.2 图形代表的二进制数0101101001．1．4一周期性数字波形如图题所示，试计算：（1）周期；（2）频率；（3）占空比例MSB LSB0 1 2 11 12 （ms）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms 频率为周期的倒数，f=1/T=1/0.01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10%1.2数制2 1.2.2将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数（要求转换误差不大于4（2）127 （4）2.718解：（2）（127）D=72-1=（10000000）B-1=（1111111）B=（177）O=（7F）H（4）（2.718）D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H1.4二进制代码1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码：（1）43 （3）254.25解：（43）D=（01000011）BCD1.4.3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示：P28（1）+ （2）@ （3）you (4)43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。
（1）“+”的ASCⅡ码为0101011，则（00101011）B=（2B）H（2）@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H(3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75(4)43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,331.6逻辑函数及其表示方法1.6.1在图题1. 6.1中，已知输入信号A，B`的波形，画出各门电路输出L的波形。
解: (a)为与非， (b)为同或非，即异或第二章 逻辑代数 习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式 (3)A B AB AB ⊕=+（A ⊕B ）=AB+AB A B A B ⊕ABAB A B ⊕AB +AB0 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 11111由最右边2栏可知，A B ⊕与AB +AB 的真值表完全相同。
高频电子线路第五版课后习题答案
高频电子线路第五版课后习题答案高频电子线路第五版课后习题答案高频电子线路是电子工程中的一个重要分支，其研究的是高频电路的设计、分析和优化。
在学习高频电子线路的过程中，课后习题是巩固知识、提高技能的重要方式。
本文将为大家提供高频电子线路第五版课后习题的答案，希望对大家的学习有所帮助。
第一章：基础知识1. 什么是高频电子线路？高频电子线路是指工作频率在几十千赫兹（kHz）到几百千赫兹（MHz）之间的电子线路。
它主要应用于无线通信、雷达、卫星通信等领域。
2. 高频电子线路的特点有哪些？高频电子线路的特点包括信号失真小、传输损耗小、耦合效应显著、传输线效应显著、元器件参数变化大等。
3. 什么是S参数？S参数是描述高频电子线路中信号传输和反射特性的参数。
S参数包括S11、S12、S21和S22四个参数，分别表示输入端反射系数、传输系数、输出端反射系数和逆传输系数。
第二章：传输线1. 什么是传输线？传输线是一根用于传输高频信号的导线。
常见的传输线有平行线、同轴电缆和微带线等。
2. 传输线的特性阻抗有哪些？传输线的特性阻抗包括平行线的特性阻抗、同轴电缆的特性阻抗和微带线的特性阻抗等。
3. 传输线的特性阻抗如何计算？平行线的特性阻抗可以通过导线间距、导线半径和介质介电常数等参数计算得到。
同轴电缆的特性阻抗可以通过内外导体半径和介质介电常数等参数计算得到。
微带线的特性阻抗可以通过导线宽度、介质厚度和介质介电常数等参数计算得到。
第三章：射频二极管1. 什么是射频二极管？射频二极管是一种特殊的二极管，其工作频率在几十千赫兹（kHz）到几百千赫兹（MHz）之间。
射频二极管具有快速开关速度和低噪声等特点。
2. 射频二极管的工作原理是什么？射频二极管的工作原理是基于PN结的电子流动和载流子的注入与抽取。
当正向偏置时，电子从N区域流向P区域，形成电流；当反向偏置时，电子不能流动，形成电流截止。
3. 射频二极管的主要参数有哪些？射频二极管的主要参数包括最大工作频率、最大直流电流、最大反向电压、最大功率损耗和最大噪声系数等。
(完整版)电子线路-梁明理第五版全答案
第1章 半导体器件的特性1.1知识点归纳1.杂质半导体与PN 结在本征半导体中掺入不同杂质就形成N 型和P 型半导体。
半导体中有两种载流子，自由电子和空穴，载流子因浓度而产生的运动成为扩散运动，因电位差而产生的运动成为漂移运动。
在同一种本征半导体基片上制作两种杂质半导体，在它们的交界面上，上述两种运动达到动态平衡，就形成了PN 结。
其基本特性是单向导电性。
2.半导体二极管一个PN 结引出电极后就构成了二极管，加上正向偏压时形成扩散电流，电流与电压呈指数关系，加反向电压时，产生漂移电流，其数值很小。
体现出单向导电性。
3晶体管晶体管具有电流放大作用，对发射极正向偏置集电极反向偏置时，从射区流到基区的非平衡少子中仅有很少部分与基区的多子复合，形成基极电流B I ，而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流C I ，体现出B I 对C I 的控制，可将C I 视为B I 控制的电流源。
晶体管有放大、饱和、截止三个工作区域。
4.场效应管场效应管是电压控制器件，它通过栅-源电压的电场效应去控制漏极电流，因输入回路的PN 结处于反向偏置或输入端处于绝缘状态因此输入电阻远大于晶体管。
场效应管局又夹断区（即截止区）、横流区（即线性区）和可比阿安电阻区三个工作区域。
学完本章后应掌握：1.熟悉下列定义、概念和原理：自由电子与空穴，扩散与漂移，复合，空间电荷区，PN 结，耗尽层，导电沟道，二极管单向导电性，晶体管和场效应管的放大作用及三个工作区域。
2.掌握二极管、稳压管、晶体管，场效应管的外特性，主要参数的物理意义。
1.2习题与思考题详解1-1试简述PN 结的形成过程。
空间电荷压，阻挡层，耗尽层和势垒压等名称是根据什么特性提出来的。
答：PN 结的形成过程：当两块半导体结合在一起时，P 区的空穴浓度高于N 区，于是空穴将越过交界面由P 区向N 区扩散；同理，N 区的电子浓度高于P 区，电子越过交界面由N 区向P 区扩散。
多子由一区扩散到另一区时，形成另一区的少子并与该区的多子复合，因此，在交界面的一侧留下带负电荷的受主离子，另一侧留下带正电荷的施主离子。
电子线路 第五版 (梁明理) 高等教育出版社 课后答案[WORD版本](1)
1.5 限幅电路如图P1.5所示，设D 为理想二极管，输入电压v i 为正弦波，其振幅大于V R 。
试绘出输出电压v O 的波形。
解：(1)当v i <V R 时（V R >0），二极管D 导通，相当于短接，v O =v i ，输出为正弦波。
当v i >V R 时，二极管D 截止，相当于断路，输出电压v O =V R ，被限幅在V R 值上。
分析结果是，本电路只输出小于V R 值的正弦波部分，大于V R 的正弦波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—（a ）所示。
(2)当v i <V R （V R <0）时，二极管D 导通，相当于短接，v O =v i ，输出为正弦波（输出为负半周部分波形）。
当v i >V R 时，二极管D 截止，相当于断路，输出电压v O =V R 。
分析结果是，本电路只输出小于V R 值的正弦波部分，大于V R 的正弦波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—（b ）所示。
(3)当v i <V R （V R >0）时，二极管D 导通，相当于短路，v O =V R ，输出直流电压V R 。
当v i >V R 时，二极管D 截止，相当于断路，输出电压v O =v i ，输出正弦波。
分析结果是，本电路只输出大于V R 值的正弦波部分，小于V R 的输出波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—（c ）所示。
(4)当v i <V R （V R >0）时，二极管D 截止，相当于断路，v O =V R ，输出直流电压V R 。
当v i >V R 时，二极管D 导通，相当于短接，输出电压v O =v i ，输出正弦波。
分析结果是，本电路只输出大于V R 值的正弦波部分，小于V R 的输出波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—（d ）所示。
1.6 双向限幅电路如图P1.6所示，设D 1、D 2为理想二极管，输入电压v i 为正弦波，其振幅大于V im =3V R 。
电子技术基础第五版习题册参考答案
电子技术基础第五版习题册参考答案电子技术基础是一门涉及广泛且实用性强的学科，其第五版习题册对于学习者巩固知识、提升能力具有重要意义。
以下是为您提供的参考答案，希望能对您的学习有所帮助。
一、直流电路部分1、电路的基本概念和定律习题 1：计算通过电阻 R ＝5Ω 的电流，已知电阻两端的电压为10V。
解：根据欧姆定律 I ＝ U/R，可得 I ＝ 10V ／5Ω ＝ 2A。
习题 2：已知电源电动势 E ＝ 12V，内阻 r ＝1Ω，外接电阻 R ＝5Ω，求电路中的电流和电源的端电压。
解：电路中的总电阻 R总＝ R ＋ r ＝5Ω ＋1Ω ＝6Ω，电流 I ＝ E ／ R总＝ 12V ／6Ω ＝ 2A。
电源的端电压 U ＝ IR ＝2A × 5Ω ＝ 10V。
2、电阻的串联、并联和混联习题 3：三个电阻 R1 ＝2Ω，R2 ＝3Ω，R3 ＝6Ω 串联，求总电阻。
解：总电阻 R ＝ R1 ＋ R2 ＋ R3 ＝2Ω ＋3Ω ＋6Ω ＝11Ω。
习题 4：两个电阻 R1 ＝4Ω，R2 ＝12Ω 并联，求总电阻。
解：总电阻 1/R ＝ 1/R1 ＋ 1/R2 ，即 1/R ＝1/4Ω ＋1/12Ω ，解得 R ＝3Ω 。
3、基尔霍夫定律习题 5：在如图所示的电路中，已知 I1 ＝ 2A，I2 ＝－1A，I3 ＝3A，求 I4 。
解：根据基尔霍夫电流定律，在节点处电流的代数和为零，所以 I1 ＋ I2 ＋ I3 ＋ I4 ＝ 0 ，即 2A 1A ＋ 3A ＋ I4 ＝ 0 ，解得 I4 ＝－4A 。
习题 6：在如图所示的电路中，已知 U1 ＝ 10V，U2 ＝－5V，U3＝ 3V，求 U4 。
解：根据基尔霍夫电压定律，在回路中电压的代数和为零，所以U1 U2 U3 ＋ U4 ＝ 0 ，即 10V （－5V) 3V ＋ U4 ＝ 0 ，解得 U4 ＝－12V 。
二、交流电路部分1、正弦交流电的基本概念习题 7：已知正弦交流电压 u ＝ 10sin(314t ＋ 30°） V，求其最大值、有效值、角频率、频率和初相位。
电子技术基础第五版习题册参考答案
电子技术基础第五版习题册参考答案电子技术基础是一门涉及电子电路、电子元件、电子系统等多个方面的重要学科，对于学习电子工程、通信工程、计算机科学等相关专业的学生来说，掌握这门学科的知识至关重要。
而习题册则是巩固和检验所学知识的有效工具，通过完成习题，可以加深对概念的理解，提高解决实际问题的能力。
在这本电子技术基础第五版习题册中，涵盖了丰富的题型和知识点。
下面我们将对部分习题的参考答案进行详细的阐述。
首先，来看一些关于电路基本概念和定律的习题。
比如，在分析电路中电流、电压和电阻的关系时，我们要熟练运用欧姆定律。
对于一个简单的串联电路，已知电源电压和各个电阻的阻值，通过欧姆定律 I ＝ U ／ R，就可以计算出电路中的电流。
而在并联电路中，各支路的电压相等，通过电阻的倒数之和来计算总电阻。
再如，在涉及到基尔霍夫定律的习题中。
基尔霍夫电流定律（KCL）指出，在任何一个节点处，流入节点的电流之和等于流出节点的电流之和。
基尔霍夫电压定律（KVL）则表明，在任何一个闭合回路中，各段电压的代数和等于零。
通过这些定律，可以对复杂电路进行有效的分析和计算。
在二极管和三极管的相关习题中，需要理解它们的特性和工作原理。
二极管具有单向导电性，正向导通时电阻较小，反向截止时电阻很大。
三极管则可以作为放大元件和开关元件使用，通过控制基极电流来实现对集电极电流的控制。
例如，在分析三极管放大电路时，要考虑静态工作点的设置。
静态工作点的合适与否直接影响到电路的放大效果和稳定性。
通过计算基极电阻、集电极电阻等参数，来确定静态工作点的位置。
在集成运算放大器的习题中，重点是掌握其基本运算功能，如加法、减法、积分、微分等。
通过合理选择反馈电阻和输入电阻，可以实现不同的运算功能。
对于数字电路部分，要熟悉逻辑门的功能和逻辑表达式。
与门、或门、非门、与非门、或非门等基本逻辑门是构建数字电路的基础。
通过逻辑门的组合，可以实现各种复杂的逻辑功能。
例如，在设计一个简单的组合逻辑电路时，根据给定的逻辑功能，列出真值表，然后根据真值表写出逻辑表达式，最后通过逻辑门的连接来实现该功能。
梁明理电子线路习题解(补充)
v+i － +VBB 1.5V
+VCC
9V RC
2k
RB
+ 3DG6
16k
vo
－
iC/mA 5 4
2.8 3 2
0.8 1
125A
100A 75A 50A iB=25A
0
24
6
8 10 vCE/V
(a)
(b)
解： (1)可由输出特性曲线直接计算得出 hfe，方法如下：在 vCE=4V 处找出 IB=25A 和 75A 两
(2)电路其他参数不变，RC 由 2k变为 5.1k，Q 点移至何处？
(3)电路其他参数不变，RB 由 16k变为 32k，Q 点移至何处？
(4)电路其他参数不变，VCC 由 9V 减至 6V，Q 点移至何处？
+ vi － +VBB 1.5V
+VCC
9V RC
2k
RB
+ 3DG6
16k
vo
D
D
R
D
+
vi －
R VR
+
+
vO
vi
－
－
R VR
++ vO vi －－
D VR
++
vO vi －－
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在集电结外电场作用下形成漂移电流 I C ，体现出 I B 对 I C 的控制，可将 I C 视为 I B 控
制的电流源。晶体管有放大、饱和、截止三个工作区域。 4.场效应管 场效应管是电压控制器件，它通过栅-源电压的电场效应去控制漏极电流，因输
限流电阻 R=500 Ω
求：１. vi = 15v, R2 = 2KΩ 时，电路工作是否正常？
vo = ?
２. vi = 10v, R2 = 800Ω 时，电路工作情况如何？
什么？
３. vi = 20v, R2 开路，电路可能出现什么情况？为
空间电荷压：在 PN 结内无可移动的带电荷之缘故。 势垒层：在 PN 结中，N 区电位高于 P 区电位，两区存在接触电位差之缘故。 耗尽层：在 PN 结中，只有不能移动的数量相等的正负离子，而载流子因扩散 和复合而消耗掉了之故。 阻挡层：由于 PN 结中存在接触电势压，阻挡了电子扩散之故。
1-2（1）在室温下，当硅二极管的反向电流达到其反向饱和电流 IR(sat)的 95%时，反 向电压是多少?
(2) 计算偏压为 ±0.1V 时，相应的正向电流和反向电流的比值。 （3）如果反向饱和电流为 10nA，计算相应于电压为 0.6 时的正向电流，并说明 这一结果与实际不符的原因。
VD
解：(1) 因为 ID = IR(sat)( e VT －1)
所以 VD = VTln ID = 26mv×ln0.95 = -1.33 mv IR(SAT )
1-4 怎样用万能表判断二极管的极性和好坏？
答：判断二极管的极性与好坏，选择万用表“R × 1K” 电阻档，此时黑表棒为正极，
红表棒为电源负极。用黑红表棒接待测二极管两极，观察阻值大小，再反过来相接， 观察阻值大小，若两次测量均大，说明二极管断路，若第一次测量阻值大，第二次 测量阻值小，则测量值小的连接时，黑表棒接二极管的阳极，红表棒接二极管的阴 极；并说明二极管是好的；若两次测量阻值均小，说明二极管被击穿。
1-5 限幅电路如图所示，设 D 为 理想二极管，输入电压 vi 为正弦波，其振幅大于 VR ，
试给出输出电压为 UO 的波形。
解：
1-6 双向限幅器如图所示，设 D1D2 为理想二极管，输入电压为正弦波，其振 幅 Vi=3VR ，试给出输出电压 UO 的波形。
-3-
第一章 半导体器件特性
1-7 双向限幅器如图所示，设 D1D2 为理想二极管，输入电压 vi 由 0-100V 作线性变 化，给出相对于 vi 的输出电压UO 随时间变化的曲线。
VD
(2) I D IR
=
I R(sat) (e VT
VR
I R (sat ) (e VT
−1) − 1)
=
VD VR
= −1
(3)
1-3 在测量二极管的正向电阻时，用表的“R×10”档测出的阻值小而用“R×100” 档测出大，原因何在？
-2-
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答：因为万用表“R×10”档的内阻小，测量二极管的正向阻值小,而“R×100”档 的内阻大，测量的二极管的正向阻值大。
解： V A
=
VR2 R1
− V R1 + R2
× R1
+ VR1
=
80 − 20 ×100 + 20 =
100 + 200
40(V )
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高等学校电子类辅导教材
《电子线路》学习指导书
1-8 求图所示各电路中的电流 I 和电压 V（设电路中的二极管为理想二极管）
解：ａ 对于 D1D2 D3 管正向偏压， D3 的偏压最大先导通，随之 D1 D2 反偏截
入回路的 PN 结处于反向偏置或输入端处于绝缘状态因此输入电阻远大于晶体管。 场效应管局又夹断区（即截止区）、横流区（即线性区）和可比阿安电阻区三个工作 区域。
学完本章后应掌握： 1.熟悉下列定义、概念和原理：自由电子与空穴，扩散与漂移，复合，空间电 荷区，PN 结，耗尽层，导电沟道，二极管单向导电性，晶体管和场效应管的放大作 用及三个工作区域。 2.掌握二极管、稳压管、晶体管，场效应管的外特性，主要参数的物理意义。
止。所以 UO =1V
．I
5V =
− 1V
= 4mA
1K
ｂ D1D2 D3 均处于正向偏置状态，D1 的偏置电压大先导通， D2 D3 则由于
D1 的导通反偏而截止。则U O = 3V , I = 5mA
1-9 稳压管稳压电路如图示，已知稳压管稳定电压 V=6V 最大稳定电流 I Z max ＝25mA
-1-
第一章 半导体器件特性
1.2 习题与思考题详解
1-1 试简述 PN 结的形成过程。空间电荷压，阻挡层，耗尽层和势垒压等名称是根据 什么特性提出来的。
答：PN 结的形成过程： 当两块半导体结合在一起时，P 区的空穴浓度高于 N 区，于是空穴将越过交界
面由 P 区向 N 区扩散；同理，N 区的电子浓度高于 P 区，电子越过交界面由 N 区向 P 区扩散。多子由一区扩散到另一区时，形成另一区的少子并与该区的多子复合， 因此，在交界面的一侧留下带负电荷的受主离子，另一侧留下带正电荷的施主离子。 于是在交界面附近形成一个空间电压区，即 PN 结。
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第 1 章 半导体器件的特性 1.1 知识点归纳
本章介绍了半导体的基本知识，阐说了半导体二极管、晶体管（BJT）和场效应 管（FET）的工作原理特性曲线和主要参数。
1.杂质半导体与 PN 结 在本征半导体中掺入不同杂质就形成 N 型和 P 型半导体。半导体中有两种载流 子，自由电子和空穴，载流子因浓度而产生的运动成为扩散运动，因电位差而产生 的运动成为漂移运动。在同一种本征半导体基片上制作两种杂质半导体，在它们的 交界面上，上述两种运动达到动态平衡，就形成了 PN 结。其基本特性是单向导电 性。 2.半导体二极管 一个 PN 结引出电极后就构成了二极管，加上正向偏压时形成扩散电流，电流 与电压呈指数关系，加反向电压时，产生漂移电流，其数值很小。体现出单向导电 性。 3 晶体管 晶体管具有电流放大作用，对发射极正向偏置集电极反向偏置时，从射区流到