不同材质贴片电容器MLCC温度系数、特性规格表

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各种贴片电容容值规格参数表

各种贴片电容容值规格参数表

各种贴片电容容值表X7R贴片电容简述X7R贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。

它的容量相对稳定。

X7R贴片电容特性具有较高的电容量稳定性,在-55℃~125℃工作温度范围内,温度特性为±15%。

层叠独石结构,具有高可靠性。

优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。

应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。

X7R贴片电容容量范围厚度与符号对应表0201~1206 X7R贴片电容选型表1210~2225 X7R贴片电容选型表NPO COG 贴片电容容量规格表默认分类 ??2009-07-15 16:28 ??阅读354???评论1 ?字号:大大? 中中? 小小NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。

它的容量稳定,几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。

尤其适用于高频电子电路。

具有最高的电容量稳定性,在-55℃~125℃工作温度范围内,温度特性为:0±30ppm/℃(COG)、0±60ppm/℃(COH)。

层叠独石结构,具有高可靠性。

优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。

应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。

?我们把用来制造片式多层瓷介电容(MLCC)的陶瓷叫电容器瓷。

这里所说的瓷介就是用电容器瓷制成的陶瓷介质。

大家知道,陶瓷是一类质硬、性脆的无机烧结体。

就其显微结构而论,大都具有多晶多相结构。

其性能往往决定于其成份和结构。

当配方确定之后,能否达到预期的效果,关键取决于制造陶瓷粉料的工艺。

按其用途可以分为三类:①高频热补偿电容器瓷(UJ、SL);②高频热稳定电容器瓷(NPO);③低频高介电容器瓷(X7R、Y5V、Z5U)。

按温度系数分可以分为两类:①负温度系数电容器瓷(即高频热补偿电容器瓷);②正温度系数电容器瓷(即平时我们常说的COG、X7R、Y5V瓷料)。

按工作频率可以分为三类:低频、高频、微波介质。

高频热补偿、热稳定电容器瓷是专供Ⅰ类瓷介电容器作介质用,其瓷料主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。

mlcc温度系数表

mlcc温度系数表

mlcc温度系数表
MLCC 主要用到的是Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ类陶瓷绝缘介质,所以IV类忽略、不讨论。

MLCC 厂家一般都会在其物料代码里标示所用绝缘介质类别,只不过都是精简成一个字符( 或者 2个字符 ),这种做法是为了简化物料代码,但是却不便于直观表达所用绝缘介质。

有些终端用户为了选择容值误差范围相对小的规格,通常误以为把偏差从“M”挡变更为“K”挡,或者把“K”挡变更为“J”挡就可以了。

如果抛开陶瓷绝缘介质的温度特性,一切都是枉然。

关于各类陶瓷绝缘介质温度系数的测试标准请参考TCC 测试,因为这些常见的陶瓷绝缘介质(例如 COG,X7R,X5R,Y5V)的命名都是沿袭 EIA 标准,所以个人认为:这些温度系数测试参考EIA标准比较合适。

通常IEC标准选择的参考温度点是 20℃,而EIA却是25C其测量方法可以简略理解为以25℃点的容量作为参照,第一个测量点:当MLCC 处于最低允许工作温度(比如-55℃)时的容值变化比例;第二个测量点:当MLCC 处于最大允许工作温度(比如125℃)时的容值变化比。

各种贴片电容容值规格参数表

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各种贴片电容容值表X7R贴片电容简述X7R贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。

它的容量相对稳定。

X7R贴片电容特性具有较高的电容量稳定性,在-55℃~125℃工作温度范围内,温度特性为±15%。

层叠独石结构,具有高可靠性。

优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。

应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。

X7R贴片电容容量范围厚度与符号对应表0201~1206 X7R贴片电容选型表1210~2225 X7R贴片电容选型表NPO COG 贴片电容容量规格表默认分类 ??2009-07-15 16:28 ??阅读354???评论1 ?字号:大大? 中中? 小小NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。

它的容量稳定,几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。

尤其适用于高频电子电路。

具有最高的电容量稳定性,在-55℃~125℃工作温度范围内,温度特性为:0±30ppm/℃(COG)、0±60ppm/℃(COH)。

层叠独石结构,具有高可靠性。

优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。

应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。

?我们把用来制造片式多层瓷介电容(MLCC)的陶瓷叫电容器瓷。

这里所说的瓷介就是用电容器瓷制成的陶瓷介质。

大家知道,陶瓷是一类质硬、性脆的无机烧结体。

就其显微结构而论,大都具有多晶多相结构。

其性能往往决定于其成份和结构。

当配方确定之后,能否达到预期的效果,关键取决于制造陶瓷粉料的工艺。

按其用途可以分为三类:①高频热补偿电容器瓷(UJ、SL);②高频热稳定电容器瓷(NPO);③低频高介电容器瓷(X7R、Y5V、Z5U)。

按温度系数分可以分为两类:①负温度系数电容器瓷(即高频热补偿电容器瓷);②正温度系数电容器瓷(即平时我们常说的COG、X7R、Y5V瓷料)。

按工作频率可以分为三类:低频、高频、微波介质。

高频热补偿、热稳定电容器瓷是专供Ⅰ类瓷介电容器作介质用,其瓷料主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。

各种贴片电容容值规格全参数表

各种贴片电容容值规格全参数表

各种贴片电容容值表X7R贴片电容简述X7R贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。

它的容量相对稳定。

X7R贴片电容特性具有较高的电容量稳定性,在-55℃~125℃工作温度范围内,温度特性为±15%。

层叠独石结构,具有高可靠性。

优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。

应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。

X7R贴片电容容量范围厚度与符号对应表0201~1206 X7R贴片电容选型表1210~2225 X7R贴片电容选型表NPO COG 贴片电容容量规格表默认分类2009-07-15 16:28 阅读354 评论1字号:大大中中小小NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。

它的容量稳定,几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。

尤其适用于高频电子电路。

具有最高的电容量稳定性,在-55℃~125℃工作温度范围内,温度特性为:0±30ppm/℃(COG)、0±60ppm/℃(COH)。

层叠独石结构,具有高可靠性。

优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。

应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。

我们把用来制造片式多层瓷介电容(MLCC)的陶瓷叫电容器瓷。

这里所说的瓷介就是用电容器瓷制成的陶瓷介质。

大家知道,陶瓷是一类质硬、性脆的无机烧结体。

就其显微结构而论,大都具有多晶多相结构。

其性能往往决定于其成份和结构。

当配方确定之后,能否达到预期的效果,关键取决于制造陶瓷粉料的工艺。

按其用途可以分为三类:①高频热补偿电容器瓷(UJ、SL);②高频热稳定电容器瓷(NPO);③低频高介电容器瓷(X7R、Y5V、Z5U)。

按温度系数分可以分为两类:①负温度系数电容器瓷(即高频热补偿电容器瓷);②正温度系数电容器瓷(即平时我们常说的COG、X7R、Y5V瓷料)。

按工作频率可以分为三类:低频、高频、微波介质。

高频热补偿、热稳定电容器瓷是专供Ⅰ类瓷介电容器作介质用,其瓷料主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。

各种贴片电容容值规格参数表

各种贴片电容容值规格参数表

各种贴片电容容值表X7R贴片电容简述X7R贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。

它的容量相对稳定。

X7R贴片电容特性具有较高的电容量稳定性,在-55℃~125℃工作温度范围内,温度特性为±15%。

层叠独石结构,具有高可靠性。

优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。

应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。

X7R贴片电容容量范围厚度与符号对应表NPO COG 贴片电容容量规格表默认分类 2009-07-15 16:28 阅读354 评论1字号:大大中中小小NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。

它的容量稳定,几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。

尤其适用于高频电子电路。

具有最高的电容量稳定性,在-55℃~125℃工作温度范围内,温度特性为:0±30ppm/℃(COG)、0±60ppm/℃(COH)。

层叠独石结构,具有高可靠性。

优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。

应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。

半导体瓷:其电气性能对外界物理条件极其敏感,可制造各种敏感元件。

比如热敏电阻,气敏电阻。

磁性瓷:即铁氧体瓷,是铁磁性氧化物。

用以制造高频或微波铁氧体器件、以及恒磁器件。

如VCD中的磁珠。

微波介质瓷:其品质因素大,频率特性好,可制作声表面波滤波器(SAWF);陶瓷滤波器(CF)。

贴片电容的材质规格贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材质规格,不同的规格有不同的用途。

下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。

不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是敝司三巨电子公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册。

NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。

在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。

贴片陶瓷电容分类及温度特性

贴片陶瓷电容分类及温度特性

CLASS I C0G/NP0-55~+1250±30PPM/⁰CX5R-55~+850±15%X7R-55~+1250±15%X6S-55~+1050±22%Y5V-30~+85-82%~+22%X7S-55~+1250±22%CLASS IIX7T-55~+125-33%~+22%U2J-55~+125-750±120PPM/⁰CX7U-55~+125-56%~+22%X6T-55~+105-33%~+22%Z5U10~+85-56%~+22%MURATA X8G-55~+1500±30PPM/⁰CⅠ类陶瓷电容器(ClassⅠceramic capacitor)过去称高频陶瓷电容器(High-frequency ceramic capacitor),介质采用非铁电(顺电)配方,以TiO2为主要成分(介电常 数小于150),因此具有最稳定的性能;或者通过添加少量其他(铁电体)氧化物,如CaTiO3 或SrTiO3,构成“扩展型”温度 补偿陶瓷,则可表现出近似线性的温度系数,介电常数增加至500。

这两种介质损耗小、绝缘电阻高、温度特性好。

特别适 用于振荡器、谐振回路、高频电路中的耦合电容,以及其他要求损耗小和电容量稳定的电路,或用于温度补Ⅱ类陶瓷电容器(Class Ⅱ ceramic capacitor)过去称为为低频陶瓷电容器(Low frequency ceramic capacitor),指用铁电陶瓷作介质的电容器,因此也称铁电陶瓷电容 器 。

这类电容器的比电容大,电容量随温度呈非线性变化,损耗较大,常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗 和电容量稳定性要求不高的电路中。

其中Ⅱ类陶瓷电容器又分为稳定级和可用级。

X5R、X7R属于Ⅱ类陶瓷的稳定级,而Y5V和Z5U属于可用级。

一文详解MLCC电容的介质类别和温度系数

一文详解MLCC电容的介质类别和温度系数

一文详解MLCC电容的介质类别和温度系数温度系数指温度变化时,电子元件特定物理量的相对变化,单位为ppm/°C,最常见的是电阻温度系数(temperature coefficient of resistance,TCR)和电容温度系数(temperature character of capacitor,TCC)。

前者较直观,如MCR01S电阻器的TCR在-55~+155温度范围内为±400ppm/°C,这容易理解。

BOM表中的MLCCMLCC电容器的温度特性有些繁杂,常以C0G、X5R、X7R、X7T、X8R、X6S、Y5V、Z5U等字母组合表示。

这些代码由美国电工协会(EIA)标准确定,分别代表了不同温度特性的电容器类别。

陶瓷电容器类别根据电容器使用的陶瓷介质不同,EIA-198标准把陶瓷电容器分为两类,I类陶瓷电容器、II类陶瓷电容器。

MLCC的温度特性I类陶瓷电容器I类陶瓷电容器采用EIA I类材料——C0G(NP0)电介质,这是一种添加有铷、钐和一些其它稀有氧化物的高性能陶瓷材料。

这种陶瓷的电容器电气性能最稳定,容量较基准值变化往往远小于1pF,基本上不随温度、电压、时间的改变,属超稳定型、低损耗电容材料类型,适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。

EIA标准采用“字母+数字+字母”代码表示Ⅰ类陶瓷温度系数(TCC)。

比如常见的C0G陶瓷电容器的意义是:C:表示电容温度系数的有效数字为0ppm/℃;0:表示有效数字的倍乘因数为-1(即10的0次方);G:表示随温度变化的容差为±30ppm。

Ⅰ类陶瓷电容器的温度特性代码这样,C0G电容器的温度系数(TCC)为:0×(-1)ppm/℃±30ppm/℃。

而相应的其他Ⅰ类陶瓷的温度系数,例如U2J电容TCC为:-750 ppm/℃±120 ppm/℃。

II类陶瓷电容器II类陶瓷电容器采用EIA II类温度稳定型电介质。

mlcc的温度系数

mlcc的温度系数

mlcc的温度系数MLCC温度系数(Temperature Coefficient of MLCC)介绍:多层陶瓷电容器(MLCC)是一种常见的电子元件,广泛应用于电子产品中。

温度系数是衡量MLCC性能的重要指标之一。

本文将详细介绍MLCC温度系数的概念、计算方法以及其对电容器性能的影响。

一、MLCC温度系数的概念温度系数是指在一定温度范围内,电容器电容值与温度变化之间的关系。

温度系数通常用ppm/℃(百万分之一/摄氏度)来表示。

正温度系数表示电容值随温度的升高而增加,负温度系数则表示电容值随温度的升高而减小。

二、MLCC温度系数的计算方法MLCC温度系数的计算方法一般采用下述公式:温度系数 = (C2 - C1) / (C1 * ΔT) * 10^6其中,C1为参考温度下的电容值,C2为目标温度下的电容值,ΔT 为目标温度与参考温度之间的温度差。

三、MLCC温度系数的影响因素1. 材料特性:MLCC的温度系数与材料的选择有关。

常用的材料有C0G、X7R、Y5V等,它们具有不同的温度系数范围。

2. 制造工艺:制造工艺的不同也会对MLCC的温度系数产生影响。

例如,不同的烧结温度和冷却速率会导致材料结构的变化,从而影响电容值随温度变化的程度。

3. 封装方式:MLCC的封装方式也会对温度系数产生影响。

封装方式不同,电容器内部的结构也不同,从而导致温度系数的差异。

四、MLCC温度系数的应用1. 温度补偿电路:由于MLCC的温度系数不同,可以通过组合不同温度系数的电容器来实现温度补偿电路。

这样可以在不同温度下保持电容值的稳定性。

2. 温度传感器:利用MLCC的温度系数,可以设计出用于测量温度的传感器。

通过测量电容值的变化,可以推算出环境温度。

五、MLCC温度系数的注意事项1. 温度系数的选择:在实际应用中,根据具体需求选择合适的温度系数,以保证电容器在工作温度范围内的稳定性。

2. 温度系数与精度的关系:温度系数越小,电容器的稳定性越高。

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