东南大学模拟电子技术试题与答案
模拟电子技术基础习题解答

模拟电子技术基础(第四版)习题解答(总133页)--本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R大的特点。
( √ )GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。
图解:U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, UO6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图34解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。
五、电路如图所示,V CC =15V ,=100,U BE =。
试问:(1)R b =50k 时,U o= (2)若T 临界饱和,则R b =解:(1)26BB BEB bV U I A R μ-==, 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
东南大学信息学院模电答案作业题_第一章

解: VImax Vz I L min I Z max
Rmin VImin Vz I L max I Z min Rmax
Rmin
VImax Vz VImax Vz 350 I Z max I L min I Z max
Rmax
RLmin VZ I Lmax
《电子线路》作业题
第1章
1-13
A B C
D1
5V
ID
2 k
D
D2
D3
0V 0.7V V
解:接最低电压的二极管导通,其余二极管截止,VD=1.7V 1-14
A B C
D1
D2
D3
D
2 k
解:接最高电压的二极管导通,其余二极管截止,VD=3.3V
1-15
解: a:D截止,VAO=12 V b:D导通,VAO=15 V c:D1导通,D2截止, VAO=0 V d:D1导通,D2导通, VAO51 mV
1-19
解:
I DQ 1 0.25 13.16 (mA) 50 7
rj
VT 26 2 () I DQ 13.16
id
20 sin t 0.37 sin t (mA) 50 2 2
iD I DQ id 13.16 0.37 sin t (mA)
350 10 72.9 mV 350 10
1-24
解:
VImin Vz 375 I Z min I L max
R Rmin
Rmin R Rmax来自VO1 VIrz 10 5 138 .9 mV R rz 350 10
7.5 500 rz 0.015
模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案:A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多,其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案:D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成,已知每级电压放大倍数为Au,则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案:B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案:B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案:B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案:B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓,没关系正确答案:B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案:A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案:C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案:C11、多级放大电路各级的电压增益分别是:10dB、20 dB、30 dB,则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案:C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案:A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案:A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案:D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势,增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高,损耗越大正确答案:D16、当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案:C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
东南大学模拟电子技术试题与答案

二、基本题:(每题5分,共25分)
1.如图所示电路中D为理想元件,已知ui= 5sinωtV,试对应ui画出uo的波形图。
2.测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态(截止、饱和、放大)。
3.已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流,说明管子的类型(NPN或PNP)并在圆圈中画出管子。
八、一串联型稳压电路如图所示。已知误差放大器的Au>>1,稳压管的Uz=6V,负载RL=20Ω。
1.试标出误差放大器的同相、反相端;
2.说明电路由哪几部分组成?
3.求Uo的调整范围;(10分)
参考答案
一、
1.电流、正向、反向;电压。
2.线性、非线性
5.低通、200、200。
6.乙类、0、 、0.2。
二、
2.放大状态。
4.电压-串联、增大、宽。
三、
1.
2.
四、反馈组态为:电压-串联负反馈
五、该放大电路为共基接法,根据瞬时极性法可知引入了负反馈,不能振荡。
更正:将变压器副边的同名端标在“地”的位置即可。
六、
1.
七、运放构成差动输入形式,反相端输入为UI,同相端输入 。
八、
4.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极Re公共电阻对信号的放大作用无影响,对信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比KCMR=。
5.设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为 ,则此滤波器为滤波器,其通带放大倍数为,截止频率为。
6.如图所示的功率放大电路处于类工作状态;其静态损耗为;电路的最大输出功率为;每个晶体管的管耗为最大输出功率的
五、电路如图所示。试用相位条件判断下面的电路能否振荡,将不能振荡的电路加以改正。(6分)
【2024版】模拟电子技术试题库及答案

4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时,需选用欧姆挡的R×1k档位,检测中若指针偏转较大,可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用?三极管会损坏吗?为什么?
答:集电极和发射极对调使用,三极管不会损坏,但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大,且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同?其导通和阻断的条件有什么不同?
答:普通二极管根据其单向导电性可知,阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通,反之阻断,可用于整流、钳位、限幅和电子开关;普通三极管在放大电路中起放大作用,在数字电子技术中起开关作用,普通三极管用于放大作用时,只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用,当发射极反偏时就会阻断放大信号通过;用作开关元件时,当发射结和集电结都正偏时,它就会饱和导通,当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时,晶体管就截止,阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件,只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构,有阳极,阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通,即:晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的,还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通(晶闸管一旦导通后,门控极即失去作用);当晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受多大电压,晶闸管都处于阻断状态,或者晶闸管在导通情况下,其主回路电压(或电流)减小到接近于零值时,晶闸管也会自动关断。
(完整版)模拟电子基础的复习题及答案

模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路:①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下,上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ,输入电阻最 ,频带最宽 的电路是 ;只能放大电流,小 的电路是②,输出电阻最小 的电路是③② ;既能放大电流,又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③;只能放大电压,不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中,已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ,电流放大系BEQ数为β,B- E 间动态电阻为 r 。
填空:beV CC U BEQ( 1)静态时, I 的表达式为BQ, I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ;,U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L (2)电压放大倍数 的表达式为A u,输入电阻 的表达式为r be,输出电阻 的表达式为R R // r be R R ;0 Ci B(3)若减小 R ,则 I 将 A ,r 将 C ,将 C ,R 将iC ,A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时, R 减小到一定程度,输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中,(1)若测得输入电压有效值为 10mV ,输出电压有效值为 1.5V ,则其电压放 大倍数 = 150 ;若已知此时信号源电压有效值为 20mV ,信号源内阻A u为 1k Ω,则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i(2)若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ,带 5 k Ω负载时变为 0.75V , 则放大电路 的输出电阻 Ro(3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真,则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)

模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。
模拟信号是连续变化的信号,可以表示任意数值;数字信号是离散变化的信号,只能表示有限的数值。
2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。
电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。
模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域;数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。
第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流,并给出它们的单位。
电压(V)是电势差,单位为伏特(V);电流(I)是电荷通过导体的速率,单位为安培(A)。
2.列举常见的电压源和电流源。
常见的电压源有电池、发电机、电源等;常见的电流源有电流表、发电机、电源等。
3.简述欧姆定律的定义和公式。
欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。
根据欧姆定律,电流等于电压与电阻之间的比值,即I=V/R,其中I为电流,V为电压,R为电阻。
第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。
电阻是指导体对电流的阻碍程度,单位为欧姆(Ω)。
2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么?给出示意图。
–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加,即R= R1 + R2 + … + Rn,其中R为总电阻,R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加,再取倒数,即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn,其中R为总电阻,R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。
电压分压原理指的是当在一个电阻网络中,多个电阻串联,电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。
电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。
电容是指导体上储存电荷的能力,单位为法拉(F)。
2.串联电容和并联电容的计算方法是什么?给出示意图。
–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加,再取倒数,即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn,其中C为总电容,C1、C2、…、Cn为各个电容值。
模拟电子技术教程习题答案

模拟电子技术教程习题答案Document number【SA80SAB-SAA9SYT-SAATC-SA6UT-SA18】第6章习题答案1. 概念题:(1)由运放组成的负反馈电路一般都引入深度负反馈,电路均可利用虚短路和虚断路的概念来求解其运算关系。
(2)反相比例运算电路的输入阻抗小,同相比例运算电路的输入阻抗大,但会引入了共模干扰。
(3)如果要用单个运放实现:A=-10的放大电路,应选用 A 运算电路;将u正弦波信号移相+90O,应选用 D 运算电路;对正弦波信号进行二倍频,应选用F 运算电路;将某信号叠加上一个直流量,应选用 E 运算电路;将方波信号转换成三角波信号,应选用 C 运算电路;将方波电压转换成尖顶波信号,应选用 D 运算电路。
A. 反相比例B. 同相比例C. 积分D. 微分E. 加法 F. 乘方(4)已知输入信号幅值为1mV,频率为10kHz~12kHz,信号中有较大的干扰,应设置前置放大电路及带通滤波电路进行预处理。
(5)在隔离放大器的输入端和输出端之间加100V的电压会击穿放大器吗(不会)加1000V的交流电压呢(不会)(6)有源滤波器适合于电源滤波吗(不适用)这是因为有源滤波器不能通过太大的电流或太高的电压。
(7)正弦波发生电路中,输出端的晶体管一定工作在放大区吗(一定)矩形波发生电路中,输出端的晶体管一定工作在放大区吗(不一定)(8)作为比较器应用的运放,运放一般都工作在非线性区,施密特比较器中引入了正反馈,和基本比较器相比,施密特比较器有速度快和抗干扰性强的特点。
(9)正弦波发生电路的平衡条件与放大器自激的平衡条件不同,是因为反馈耦合端的极性不同,RC正弦波振荡器频率不可能太高,其原因是在高频时晶体管元件的结电容会起作用。
(10)非正弦波发生器离不开比较器和延时两个环节。
(11)当信号频率等于石英晶体的串联谐振或并联谐振频率时,石英晶体呈阻性;当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时,石英晶体呈感性;其余情况下石英晶体呈容性。
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其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。
三、如图所示电路中,β=100, ,试计算:(15分)
1.放大电路的静态工作点;(6分)
2.画出放大电路的微变等效电路;(3分)
3.求电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro;(6分)
四、判断如图所示电路中引入了何种反馈,并在深度负反馈条件下计算闭环放大倍数。(9分)
八、一串联型稳压电路如图所示。已知误差放大器的Au>>1,稳压管的Uz=6V,负载RL=20Ω。
1.试标出误差放大器的同相、反相端;
2.说明电路由哪几部分组成?
3.求Uo的调整范围;(10分)
参考答案
一、
1.电流、正向、反向;电压。
2.线性、非线性。
3.共基、共射、共集。
4.差模、共模、 。
5.低通、200、200。
4.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极Re公共电阻对信号的放大作用无影响,对信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比KCMR=。
5.设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为 ,则ห้องสมุดไป่ตู้滤波器为滤波器,其通带放大倍数为,截止频率为。
6.如图所示的功率放大电路处于类工作状态;其静态损耗为;电路的最大输出功率为;每个晶体管的管耗为最大输出功率的
倍。
二、基本题:(每题5分,共25分)
1.如图所示电路中D为理想元件,已知ui= 5sinωtV,试对应ui画出uo的波形图。
2.测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态(截止、饱和、放大)。
3.已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流,说明管子的类型(NPN或PNP)并在圆圈中画出管子。
一、一、填空题(20分,每空1分)
1.双极型三极管是控制器件,当其工作在放大区时发射结需要加偏置,集电结需要加偏置。场效应管是控制器件。
2.在有源滤波器中,运算放大器工作在区;在滞回比较器中,运算放大器工作在区。
3.在三极管多级放大电路中,已知Au1=20,Au2=-10,Au3=1,则可知其接法分别为:Au1是放大器,Au2是放大器,Au3是放大器。
五、电路如图所示。试用相位条件判断下面的电路能否振荡,将不能振荡的电路加以改正。(6分)
六、用理想运放组成的电压比较器如图所示。已知稳压管的正向导通压降UD=0.7V,UZ= 5V。
1.试求比较器的电压传输特性;
2.若ui=6sinωtV,UR为方波如图所示,试画出uo的波形。(10分)
七、理想运放电路如图所示,设电位器动臂到地的电阻为KRW,0≤K≤1。试求该电路电压增益的调节范围。(10分)
1.误差放大器的同相在下方、反相端在上方。
2.电路由四个部分构成:(1)由R1、R2和RW构成的取样电路;(2)由运放构成负反馈误差放大器;(3)由R和DW构成基准电压电路;(4)由T1和T2复合管构成调整管。
3.
6.乙类、0、 、0.2。
二、
2.放大状态。
4.电压-串联、增大、宽。
三、
1.
2.
四、反馈组态为:电压-串联负反馈
五、该放大电路为共基接法,根据瞬时极性法可知引入了负反馈,不能振荡。
更正:将变压器副边的同名端标在“地”的位置即可。
六、
1.
七、运放构成差动输入形式,反相端输入为UI,同相端输入 。
八、