SJ系列砷化镓霍尔元件是一种采用
微电子器件_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
微电子器件_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.处于平衡态的PN结，其费米能级EF（）。
答案:处处相等2.由PN结能带图可见，电子从N区到P区，需要克服一个高度为（）的势垒。
答案:3.不考虑势垒区的产生-复合电流，Jdn和Jdp在PN结的势垒区（）。
答案:均为常数4.正向偏置增加了耗尽层内的载流子浓度且高于其热平衡值，这导致了该区域内载流子出现（）过程占优。
答案:复合5.对突变PN结，反向电压很大时，可以略去，这时势垒电容与（）成反比。
答案:6.在开关二极管中常采用掺金的方法来提高开关管的响应速度。
也可采用掺铂、电子辐照、中子辐照等方法，其目的是（）。
答案:引入复合中心降低少子寿命7.双极晶体管效应是通过改变（）。
答案:正偏PN结的偏压来控制其附近反偏结的电流8.在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为（）。
9.在测量ICBO时，双极型晶体管的发射结和集电结分别处于（）。
答案:反偏和反偏10.为了降低基极电阻，通常采用对非工作基区进行（）的掺杂。
答案:高浓度、深结深11.ICBO代表( ) 时的集电极电流，称为共基极反向截止电流。
答案:发射极开路、集电结反偏12.以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流：（）。
减小栅氧化层厚度13.以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅：（）。
答案:降低衬底掺杂浓度14.以下哪些措施可以防止MOSFET的沟道穿通：（）。
答案:增加衬底掺杂浓度15.当MOSFET的栅极电压较大时，随着温度的温度升高，漏极电流将（）。
答案:减小16.MOSFET的（）是输出特性曲线的斜率，（）是转移特性曲线的斜率。
漏源电导，跨导17.以下哪些措施可以缓解MOSFET阈电压的短沟道效应：（）。
答案:减小氧化层厚度18.PN结的空间电荷区的电荷有（）。
答案:施主离子受主离子19.PN结的内建电势Vbi与（）有关。
答案:温度材料种类掺杂浓度20.反向饱和电流的大小主要决定于半导体材料的（）。
砷化镓基础知识单选题100道及答案解析
砷化镓基础知识单选题100道及答案解析1. 砷化镓的晶体结构属于（）A. 立方晶系B. 六方晶系C. 闪锌矿结构D. 纤锌矿结构答案：C解析：砷化镓的晶体结构属于闪锌矿结构。
2. 砷化镓的禁带宽度约为（）A. 1.12 eVB. 1.42 eVC. 0.67 eVD. 3.4 eV答案：B解析：砷化镓的禁带宽度约为 1.42 eV。
3. 砷化镓主要用于（）A. 集成电路B. 太阳能电池C. 发光二极管D. 以上都是答案：D解析：砷化镓常用于集成电路、太阳能电池、发光二极管等领域。
4. 砷化镓的电子迁移率（）A. 低于硅B. 与硅相近C. 高于硅D. 不确定答案：C解析：砷化镓的电子迁移率高于硅。
5. 以下哪种性质不是砷化镓的特点（）A. 高频性能好B. 耐高温C. 抗辐射能力强D. 成本低答案：D解析：砷化镓成本相对较高，不是其特点。
6. 砷化镓在（）领域应用广泛。
A. 微波B. 红外C. 激光D. 以上都是答案：D解析：砷化镓在微波、红外、激光等领域都有广泛应用。
7. 砷化镓的导带结构是（）A. 单能谷B. 多能谷C. 零能谷D. 不确定答案：B解析：砷化镓的导带结构是多能谷。
8. 砷化镓的热导率（）A. 较高B. 较低C. 适中D. 不确定答案：B解析：砷化镓的热导率较低。
9. 以下哪种工艺常用于制备砷化镓（）A. 气相外延B. 液相外延C. 分子束外延D. 以上都是答案：D解析：气相外延、液相外延、分子束外延等工艺都常用于制备砷化镓。
10. 砷化镓的电阻率（）A. 很小B. 很大C. 适中D. 不确定答案：D解析：砷化镓的电阻率取决于其掺杂情况等因素，不确定。
11. 砷化镓的发光波长主要在（）A. 紫外区B. 可见光区C. 红外区D. 以上都不是答案：C解析：砷化镓的发光波长主要在红外区。
12. 砷化镓的硬度（）A. 较高B. 较低C. 适中D. 不确定答案：B解析：砷化镓的硬度较低。
13. 以下哪种元素常用于砷化镓的掺杂（）A. 硼B. 磷C. 铝D. 以上都是答案：D解析：硼、磷、铝等元素常用于砷化镓的掺杂。
2024高考物理回归课本基础知识填空18.1传感器—知识点填空含答案
2024高考物理回归课本基础知识填空传感器—知识点填空1．传感器及工作原理（1）传感器的定义：能够感受诸如力、温度、光、声、化学成分等量，并能把它们按照一定的规律转换为便于传送和处理的另一个物理量（通常是电压、电流等量），或转换为电路的的元件。
（2）非电学量转换为电学量的意义：把转换为电学量，可以方便地进行测量、传输、处理和。
2．光敏电阻的特点及工作原理（1）当半导体材料受到或者温度时，会有更多的电子获得能量成为电子，同时也形成更多的空穴，于是导电能力明显增强。
（2）光敏电阻是用材料（如硫化镉）制成的，它的特点是光照越强，电阻越。
它能够把这个光学量转换为这个电学量。
3．热敏电阻和金属热电阻的特点（1）热敏电阻：用材料制成。
可分为正温度系数的热敏电阻和负温度系数的热敏电阻。
①正温度系数的热敏电阻随温度升高电阻。
①负温度系数的热敏电阻（如氧化锰热敏电阻）随温度升高电阻。
（2）金属热电阻：金属的电阻率随温度而增大，利用这一特性，金属丝也可以制作成传感器，称为热电阻。
4．霍尔元件的特点（1）霍尔元件在电流、电压稳定时，载流子所受和二力平衡。
（2）霍尔电压：UH=k IBd（d为薄片的厚度，k为霍尔系数）。
其中的变化与成正比，所以霍尔元件能把磁感应强度这个磁学量转换成电压这个电学量。
5．力传感器的作用及原理（1）应变式力传感器可以用来测、、等各种力。
（2）应变片能够把这个力学量转换为这个电学量。
6．温度传感器的工作原理（1）双金属片温度传感器的工作原理：温度变化时，因双金属片上层金属与下层金属的不同，双金属片发生弯曲从而控制电路的。
（2）①电饭锅中温度传感器为。
感温铁氧体常温下具有铁磁性，温度上升到约时，失去铁磁性，这一温度称为该材料的“居里温度”或“居里点”。
①用手按下开关按钮通电加热，开始煮饭，当锅内温度达到时，感温铁氧体失去铁磁性，与永磁体失去吸引力，被弹簧弹开，从而推动杠杆使触点开关。
7．光传感器的原理及应用（1）光传感器能把转换为。
一种霍尔电流传感器的电路设计
设计了一种零磁通型霍尔电流传感器，可广泛应用于交流变频驱动、焊接电源、开关电源、不间断电源等领域。
该零磁通型霍尔电流传感器通过砷化镓霍尔元件检测由通电电流产生的磁场，继而有效地检测被测电流［1］。
由于霍尔元件产生的霍尔电势很微弱，而且还存在较大的失调电压，因此对霍尔电压的放大和对不等位电势的补偿是该设计的两个主要需要解决的问题，而且霍尔元件中载流子浓度等随温度变化而变化，因此还需用温度补偿电路对其温度补偿。
1系统设计框架系统分为4个部分：1）霍尔元件的供电电路，由电压基准（电流基准）芯片为霍尔片提供工作电流；2）霍尔元件及磁芯，将感应片感应的磁场（该磁场由通电电流产生）转化为霍尔电压；3）放大电路，将微弱的霍尔电压进行放大；4）反馈部分，利用了磁平衡原理：一次侧电流所产生的磁场，通过二次线圈电流进行补偿，使磁芯始终处于零磁通工作状态。
其系统总流程图如图1所示。
2系统硬件电路设计系统由±5V 的稳压源供电。
用一片电压基准芯片REF3012为砷化镓系列的霍尔元件HW300B 提供基准电压。
HW300B 是一款可采用电压模式供电和电流模式供电的霍尔元件，HW300B 放在开有气隙的集磁环的气隙里，并用胶水加以固定（霍尔元件和集磁环相对位置如果发生变化，会影响产生的霍尔电势的大小）。
霍尔元件的输出接至仪器放大器AD620，作为放大器的差模出入端和共模输入端。
放大器的增益可通过调节1、8引脚之间的10k Ω的电位器改变。
放大器的输出接反馈线圈，该反馈线圈绕在集磁环上，其绕线方向能使通过它的电流产生的磁场与集磁环收集到的磁场方向相反。
反馈线圈末端放1个75k Ω的精阻接地，可以通过测量精阻两端的电压，计算反馈线圈中的电流，进而推算穿过集磁环中心的被测电流的大小。
其具体电路图如图2所示。
收稿日期：2010-04-24稿件编号：201004091作者简介：卢敏（1987—），女，河南三门峡人，硕士研究生。
【单元练】2021年高中物理选修2第五章【传感器】测试题(答案解析)
一、选择题1．下列说法不正确的是（）A．霍尔元件是把磁感应强度这个磁学量转换为电压这个电学量的一种元件B．话筒是一种常用的声传感器，其作用是将电信号转换为声信号C．电子秤所使用的传感器是力传感器，是把形变这个力学量转化为电压这个电学量D．电熨斗能够自动控制温度的原因是它装有双金属片温度传感器，这种传感器作用是控制电路的通断B解析：BA．霍尔元件是把磁感应强度这个磁学量转换为电压这个电学量的一种元件。
故A正确。
B．话筒是一种声传感器，其作用是将声信号转换为电信号。
故B错误。
C．电子秤所使用的传感器是力传感器，是把形变这个力学量转化为电压这个电学量。
故C 正确。
D．电熨斗通过温度传感器实现温度的自动控制，通过双金属片传感器控制电路的通断。
故D正确。
本题选择错误的，故选B。
2．传感器已广泛应用于日常生活。
下列传感器能够将力学量转换为电学量的是（）A．应变片B．干簧管C．热敏电阻D．霍尔元件A解析：AA．应变片是在外力的作用下产生机械形变，其电阻发生相应变化，从而将力学量转换为电学量。
A正确；B．干簧管是将磁学量转化为电学量，B错误；C．热敏电阻是将温度转化为电学量，C错误；D．霍尔元件是将磁学量转化为电学量，D错误。
故选A。
3．如图所示，额温枪因其具有快速、无接触测温的特点，广泛应用在各类新型冠状病毒防控场所．额温枪核心部件的传感器是（）A．位移传感器B．声音传感器C．力传感器D．红外温度传感器D 解析：D额温枪核心部件的传感器是红外温度传感器。
故选D。
4．下列说法中正确的是（）A．红外体温计能将人体红外线辐射的变化，转化成反应体温的电学量变化B．受迫振动的固有频率会随驱动力频率的变化而变化C．单摆的振动周期与摆球的质量有关D．高速宇宙飞船中的一小时比地球上的一小时短A解析：AA．红外体温计能将人体红外线辐射的变化，转化成反应体温的电学量变化，故A正确；B．受迫振动的固有频率不会随驱动力频率的变化而变化，故B错误；C．单摆振动的周期2LTg=可知单摆的振动周期与摆球质量无关。
自动检测技术学习通课后章节答案期末考试题库2023年
自动检测技术学习通课后章节答案期末考试题库2023年1.测量锅炉烟道中的烟气温度，应选用（）型的热电偶参考答案:普通2.测量CPU散热片的温度应选用（）型的热电偶。
参考答案:薄膜3.（）的数值越大，热电偶的输出热电势就越大。
参考答案:热端和冷端的温差4.正常人的体温为37°C，则此时热力学温度约为（）。
参考答案:310K5.电容式接近开关对（）的灵敏度最高。
参考答案:鸡饲料6.在两片间隙为1mm的两块平行极板的间隙中插入（），可测得最大的电容量。
参考答案:湿的纸7.镍铬-镍硅热电偶的分度号为( )。
参考答案:K8.霍尔元件采用恒流源激励是为了（）。
参考答案:克服温漂9.电子秤中所使用的应变片应选择（）应变片。
参考答案:金属箔式10.在使用测谎器时，被测试人由于说谎、紧张而手心出汗，可用( )传感器来检测。
参考答案:湿敏电阻11.当天气变化时，有时会发现在地下设施（例如地下室）中工作的仪器内部印制板漏电增大，机箱上有小水珠出现，磁粉式记录磁带结露等，影响了仪器的正常工作。
该水珠的来源是( )。
参考答案:空气的绝对湿度基本不变，但气温下降，室内的空气相对湿度接近饱和，当接触到温度比大气更低的仪器外壳时，空气的相对湿度达到饱和状态，而凝结成水滴12.若霍尔元件的磁场和电流同时改变方向，霍尔电势的极性将保持不变。
（）参考答案:对13.MQN气敏电阻可测量 C 的浓度，TiO2气敏电阻可测量( )的浓度。
参考答案:锅炉烟道中剩余的氧气14.霍尔元件属于（）。
参考答案:四端元件15.应变测量中，希望灵敏度高、线性好、有温度自补偿功能，应选择（）测量转换电路。
参考答案:四臂全桥16.上网搜索一款应变式压力传感器，查找它的原理，外形，参数，价格等信息。
参考答案:应变式压力传感器17.传感器由哪及部分组成？参考答案:118.传感器静态特性技术指标有哪些？参考答案:1。
电子仪器仪表装配工考试找答案三
电子仪器仪表装配工考试找答案三1、单选（）是电工仪器仪表装配的主要依据。
A、装配草图B、装配工具使用手册C、造价测算表D、成册产品图样正确答案：D2、判断题我国电工仪表等级是依据示（江南博哥）值相对误差来划分的。
正确答案：错3、填空题为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用（）滤波电路。
正确答案：带阻4、问答题简述常用元器件装配前的预处理过程。
正确答案：1、浸焊：导线浸锡、元器件管脚浸锡。
2、整形：引线加工、引线整形。
3、处理：表面处理、筛选处理。
5、填空题双极型晶体管是（）控制器件，单极型晶体管是（）控制器件。
正确答案：电流；电压6、填空题发光二极管在正向电压（）某一值时，电流极小，不发光；当电压（）某一值后正向电流随电压迅速增加，发光。
正确答案：小于；超过7、单选电测量指示仪表的最大基本误差是仪表示值于（）的最大绝对差值除以仪表量程，以百分数表示。
A、测量的平均值B、各次测量的实际值C、各次测量平均化整后的值D、各次测量的均方值正确答案：B8、单选放大电路中，常把输入电压、输出电压以及直流电源的公共端称为（）端，用符号“⊥”表示。
A、正极B、负极C、输入D、“地”正确答案：D9、单选LC并联谐振回路的品质因数Q值越高，则选频能力（）。
A、越强B、越弱C、不变D、不一定正确答案：A10、单选图样分类编号法的分类与电工仪器仪表的（）无关。
A、零件的主要特征B、部件的主要特征C、整机的主要特征D、结构原理正确答案：C11、填空题晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。
硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
正确答案：正向导通；反向截止；0.7V；0.3V12、问答题数字信号和模拟信号的最大区别是什么？数字电路和模拟电路中，哪一种抗干扰能力较强？正确答案：数字信号是离散的，模拟信号是连续的，这是它们的最大区别。
它们之中，数字电路的抗干扰能力较强。
13、单选冯．诺依曼计算机的工作原理是（）。
几种常见压力传感器的测量原理了解一下
几种常见压力传感器的测量原理了解一下自动化技术的进步带动了工业设备的更新换代。
除了液柱式压力计、弹性式压力表外，工业设备中采用更多的是可将压力转换成电信号的压力变送器和传感器。
那么这些压力变送器和传感器是如何将压力信号转换为电信号的呢？1、压电压力传感器基于压电效应（Piezoelectric effect），利用电气元件和其他机械把待测的压力转换成为电量，再进行相关测量工作的测量精密仪器。
压电传感器只可以应用在动态测量当中。
主要的压电材料是：磷酸二氢胺、酒石酸钾钠和石英。
随着技术的发展，压电效应也已经在多晶体上得到应用了。
例如：压电陶瓷，铌镁酸压电陶瓷、铌酸盐系压电陶瓷和钛酸钡压电陶瓷等等都包括在内。
以压电效应为工作原理的传感器是机电转换式和自发电式传感器。
它的敏感元件是用压电材料制作而成的。
当压电材料受到外力作用时表面会形成电荷，电荷通过电荷放大器、测量电路的放大以及变换阻抗以后，就会被转换成为与所受外力成正比关系的电量输出。
它用来测量力以及可以转换成为力的非电物理量，例如：加速度和压力。
优点是：重量较轻、工作可靠、结构简单、信噪比高、灵敏度高以及信频宽等。
缺点是：有部分电压材料忌潮湿，因此需要采取一系列的防潮措施；而输出电流响应又比较差，就要使用电荷放大器或者高输入阻抗电路来弥补这个缺点。
2、压阻压力传感器压阻效应是用来描述材料在受到机械式应力下所产生的电阻变化。
不同于压电效应，压阻效应只产生阻抗变化，并不会产生电荷。
大多数金属材料与半导体材料都被发现具有压阻效应。
由于硅是现今集成电路的主要材料，以硅制作而成的压阻元件的应用就变得非常有意义。
电阻变化不单是来自与应力有关的几何形变，而且也来自材料本身与应力相关的电阻，这使得其程度因子大于金属数百倍之多。
压阻压力传感器一般通过引线接入惠斯登电桥中。
平时敏感芯体没有外加压力作用，电桥处于平衡状态（称为零位），当传感器受压后芯片电阻发生变化，电桥将失去平衡。
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900～1800
900～1800
1700～3000
1700～3000
VH的温度系数
аVH
(%/℃)
Ii=5mA B=100mT
-0.07
-0.07
-
-
Ii=3mA B=100mT
-
-
-0.07
-0.07
输入电阻与输出电阻的温度系数
аR
(%/℃)
Ii=1mA B=0mT
0.3
0.3
0.3
0.3
线性度
ΔKH(%)
Ii=5mA
B=0～500mT
2 (MAX)
2 (MAX)
-
-
Ii=3mA
B=0～500mT
-
-
2 (MAX)
2 (MAX)
封装外形图（单位：mm）
SJ系列砷化镓霍尔元件是一种采用Ⅲ-Ⅴ族半导体材料砷化镓(GaAs)单晶,用离子注入工艺制作的磁电转换元件，可将磁场强度信号线性地转换成电压讯号输出。
产品特点线性度优良温度稳定性好采用微型封装
典型应用
磁场测量无刷电机电流传感器无触点开关位置控制转速检测
功能பைடு நூலகம்框图
极限参数
参 数
符 号
量 值
单 位
最大控制电流
Ii
SJ119
5
mA
SJ411-9
SJ126
3
SJ411-6
工作环境温度
TA
-55～125
℃
储存温度范围
TS
-55～150
℃
电特性（TA＝25℃）
参 数
符 号
测试条件
型号和量值
SJ119
SJ411-9
SJ126
SJ411-6
霍尔输出
电压
VH
(mV)
Ii=5mA B=100mT
50～130
50～130
-
-
Ii=3mA B=100mT
-
-
66～96
66～96
不等位电压
VO/VH
(%)
Ii=5mA B=0/ B=100mT
≤10
≤10
-
-
Ii=3mA B=0/ B=100mT
-
-
≤10
≤10
输入电阻
Ri (Ω)
Ii=1mA
500～900
500～900
910～1500
910～1500
输出电阻
RO(Ω)