2006年北京工业大学465线性代数考研真题【圣才出品】
2006年北京工业大学465线性代数考研真题
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【北京工业大学505快题设计】16年真题精讲
北京工业大学505快题设计
目录 1.1真题分析 (2) 1.2 真题剖析 (2) 1.2.1 历年真题 (2) 1.3 真题剖析要点总结 (4) 1.3.1 常考题型分析总结 (4) 1.3.2 常考知识点总结 (4) 1.4 历年真题汇总 (4) 1.4.1 2016年真题 (4)
通过真题的学习和掌握，可以帮助学生把握考试重点。每年的考点在历年试题中几乎都有重复率，因此，通过对历年真题的把握，可以掌握今年考试的重点。另外，可以通过对历年真题的学习，把握出题者的思路及方法。每种考试都有自己的一种固定的模式和结构，而这种模式和结构，通过认真揣摩历年真题，可以找到命题规律和学习规律。因此，本部分就真题进行详细剖析，以便考生掌握命题规律、知悉命题的重点、难点、高频考点，帮助考生迅速搭建该学科考试的侧重点和命题规则。 年份题型分值考察范围（章、节、知识点……） 考察难度 （了解、理解、掌握、应用） 2016 图形题150 对于图形以及图形之间关系能够 准确的理解，明确出题者的考查目的， 能按照一定的逻辑进行草图与效果图 的绘制，设计说明要简洁清晰有说服 力，画面保证干净整洁。 应用 2015 文字题150 对于文字能够准确的理解，并能够 进行同类词组词比较，明确出题者的考 查目的，能按照一定的逻辑进行草图与 效果图的绘制，设计说明要简洁清晰有 说服力，画面保证干净整洁。 应用 2014 文字题150 对于文字能够准确的理解，并能够 进行同类词组词比较，明确出题者的考 查目的，能按照一定的逻辑进行草图与 效果图的绘制，设计说明要简洁清晰有 说服力，画面保证干净整洁。 应用 2013 文字题150 对于文字能够准确的理解，并能够 进行同类词组词比较，明确出题者的考 查目的，能按照一定的逻辑进行草图与 效果图的绘制，设计说明要简洁清晰有 说服力，画面保证干净整洁。 应用 综合来说，__505快题设计__专业课这几年的题型变化很大，主要有_图形题_题型，难度略有增加，侧重于对图形的理解和分析。在复习时，要多进行图形练习，头脑风暴和进行准确、形象、美观的手绘表达，强调包含一定的创意性。 1.2 真题剖析 1.2.1 2016年真题 北京工业大学艺术设计学院505快题设计2016年真题
北工大半导体物理历年真题
历年真题 第一章 1、Si 、GaAs 半导体材料的导带底、价带顶分别在k 空间什么位置？其晶体结构和解理面分别是什么？哪个是直接带隙，哪个是间接带隙？(2006) 2、对于金刚石结构的硅Si 和闪锌矿结构的砷化镓GaAs ，在（111）晶面上，其原子面密度和面间距都是最大，为什么Si 的解理面是（111），而GaAs 不是？(2007) 3、半导体材料的禁带宽度Eg 、N 型半导体杂质激活能△Ed 以及亲和势X 分别表示半导体电子的什么状态特性？（2009年简答题7分） 4、与真空电子运动相比，半导体中电子的运动有何不同？（2009年简答题7分） （1-9题 63分，每小题7分(2010)） 5、如图是一个半导体能带结构的E –k 关系； 1）哪个能带具有x 方向更小的有效质量？ 2）考虑两个电子分别位于两个能带中的十字线处， 哪个电子的速度更大些？ 6、写出硅(Si)和砷化镓(GaAs)的晶体结构、禁带宽度和解理面。？（2011年简答题6分） 第二章 3、高阻的本征半导体材料和高阻的高度补偿的半导体材料的区别是什么？(2006) ? 1 深能级杂质和浅能级杂质概念（西交大） ? 1以硅为例，举例说明掺入浅能级和深能级杂质的目的和作用？（西电） ? 2.什么是浅能级杂质？什么是深能级杂质？列举出半导体硅中各一种杂质元素的例 子。半导体中掺入这些杂质分别起什么作用 ? (2011) 第三章 ? 11、定性画出N 型半导体样品，载流子浓度n 随温度变化的曲线（全温区），讨论 各段的物理意义，并标出本征激发随温度的曲线。设该样品的掺杂浓度为ND 。比较两曲线，论述宽带隙半导体材料器件工作温度范围更宽。 (2006-20分) E 0 E 0 k x 1 2 E
北京工业大学2013-2014概率论与数理统计考题答案
6一北京工业大学2013-2014学年第一学期期末 数理统计与随机过程(研) 课程试卷 学号 姓名 成绩 注意：试卷共七道大题，请写明详细解题过程。数据结果保留3位小数。 考试方式：半开卷，考试时只允许看教材《概率论与数理统计》 浙江大学 盛 骤等编第三版（或第四版）高等教育出版社，不能携带和查阅任何其他书籍、纸张、资料等。考试时允许使用计算器。 考试时间120分钟。 一、（10分）设学生某次考试成绩服从正态分布),(2σμN ，现从中随机抽取36位的考试成绩, 算得平均分为66.5，标准差为15分。问在显著性水平0.05下，从样本看， (1)是否接受“70=μ”的假设？ (2)是否接受“2216≤σ”的假设？ 解：已知 05.0,36,15,5.66====αn S X （1）70:,70:10≠=μμH H 由书中结论知，检验问题的拒绝域为 )1(702 -≥-n t n S X α 4.136 1570 5.6670=-= -n S X ，查表得0301.2)35()1(025.02 ==-t n t α，所以，接受原假设。 ， （2）22122016:,16:>≤σσH H 检验问题的拒绝域为 )1(16 )1(2 2 2-≥-n S n αχ 7617.301615)136(16)1(2 222=-=-S n ，802.49)136()1(2 05.02=-=-χχαn ，所以，接受原假设。
二、（15分）在某公路上观察汽车通过情况，取15秒为一个时间单位，记下锅炉汽车 分布？(显著性水平取0.05α=) 解：805.0200 14113282681920?=*+*+*+*+*==x λ 并组后k=4,而此处r=1,故自由度为k-r-1=2, 200.932-200=0.932<991.5)2(2 05.0=χ,所以是Poisson 分布
北工大半导体物理历年真题
历年真题 第一章 1、Si、GaAs半导体材料的导带底、价带顶分别在k空间什么位置？其晶体结构和解理面分别是什么？哪个是直接带隙，哪个是间接带隙？(2006) 2、对于金刚石结构的硅Si和闪锌矿结构的砷化镓GaAs，在（111）晶面上，其原子面密度和面间距都是最大，为什么Si的解理面是（111），而GaAs不是？(2007) 3、半导体材料的禁带宽度Eg、N型半导体杂质激活能△Ed以及亲和势X分别表示半导体电子的什么状态特性？（2009年简答题7分） 4、与真空电子运动相比，半导体中电子的运动有何不同？（2009年简答题7分） （1-9题63分，每小题7分(2010)）Array 5、如图是一个半导体能带结构的E–k关系； 1）哪个能带具有x方向更小的有效质量？ 2）考虑两个电子分别位于两个能带中的十字线 处， 哪个电子的速度更大些？ 6、写出硅(Si)和砷化镓(GaAs)的晶体结构、禁带 宽度和解理面。？（2011年简答题6分） 第二章 3、高阻的本征半导体材料和高阻的高度补偿的半导体材料的区别是什么？(2006) ? 1 深能级杂质和浅能级杂质概念（西交大） ?1以硅为例，举例说明掺入浅能级和深能级杂质的目的和作用？（西电） ? 2.什么是浅能级杂质？什么是深能级杂质？列举出半导体硅中各一种杂质元素的例子。半导体中掺入这些杂质分别起什么作用? (2011) 第三章 ?11、定性画出N型半导体样品，载流子浓度n随温度变化的曲线（全温区），讨论各段的物理意义，并标出本征激发随温度的曲线。设该样品的掺杂浓度为ND。比 较两曲线，论述宽带隙半导体材料器件工作温度围更宽。(2006-20分)
北京工业大学2013-2014考题答案
北京工业大学2013-2014学年第一学期期末 数理统计与随机过程(研) 课程试卷 学号 姓名 成绩 注意：试卷共七道大题，请写明详细解题过程。数据结果保留3位小数。 考试方式：半开卷，考试时只允许看教材《概率论与数理统计》 浙江大学 盛 骤等编第三版（或第四版）高等教育出版社，不能携带和查阅任何其他书籍、纸张、资料等。考试时允许使用计算器。 考试时间120分钟。 一、（10分）设学生某次考试成绩服从正态分布),(2σμN ，现从中随机抽取36位的考试成绩, 算得平均分为66.5，标准差为15分。问在显著性水平0.05下，从样本看， (1)是否接受“70=μ”的假设？ (2)是否接受“2216≤σ”的假设？ 解：已知 05.0,36,15,5.66====αn S X （1）70:,70:10≠=μμH H 由书中结论知，检验问题的拒绝域为 )1(702 -≥-n t n S X α 4.136 1570 5.6670=-= -n S X ，查表得0301.2)35()1(025.02 ==-t n t α，所以，接受原假设。 ， （2）22122016:,16:>≤σσH H 检验问题的拒绝域为 )1(16 )1(2 2 2-≥-n S n αχ 7617.301615)136(16)1(2 222=-=-S n ，802.49)136()1(2 05.02=-=-χχαn ，所以，接受原假设。
二、（15分）在某公路上观察汽车通过情况，取15秒为一个时间单位，记下锅炉汽车 分布？(显著性水平取0.05α=) 解：805.0200 14113282681920?=*+*+*+*+*==x λ 并组后k=4,而此处r=1,故自由度为k-r-1=2, 200.932-200=0.932<991.5)2(2 05.0=χ,所以是Poisson 分布
北京工业大学 北工大 1998数据结构 考研真题及答案解析
北京工业大学1998年硕士研究生入学考试试题 考试科目：数据结构 一、试写出在双向链表da中的插人操作算法，算法中插入位置的获取可直接引人getnodep(da,i)，其中参数da为双向链表，i是要插人的位置，要求算法中含有双向链表da的结点结构描述。（6分） 二．已知二叉树BT各结点的先序、中序遍历序列分别为ABCDGF和CBAEDF，试画出该二叉树。（6分） 三．设哈希表a、b分别用向量a[0..9],b[0..9]表示，哈希函数均为H（key）=key MOD 7,处理冲突使用开放定址法，Hi=[H(key)+Di]MOD 10,在哈希表a中Di用线性探测再散列法，在哈希表b中Di用二次探测再散列法,试将关键字{19,24, 10,17,15, 38,18,40}分别填入哈希表a,b 中,并分别计算出它们的平均查找长度ASL。（8分） 四、设有下列递归算法:（10分） FUNCTINON VOL(n:integer):integer; V AR x :integer: BEGIN IF n=0 THEN vol:=0 ELSE BEGIN READ(x); vol:=vol(n-1)+x END; END. 如该函数被调用时，参数n值为4,读人的x值依次为5,3,4,2，函数调用结束时返回值voL 为多少?用图示描述函数执行过程中，递归工作栈的变化过程 五、已知下列字符A、B、C、D，E、F，G的权值分别为3、12、7、4、2、8，11，试填写出 其对应哈夫曼树HT的存储结构的初态和终态。（l0分）
六．试对下列给出的有向图回答问题：（15分） l·画出该有向图的十字链表存储结构,其中:顶点结点结构: data:结点数据域: tailvex,tlink:指向该顶点为弧头、弧尾的第一条弧的指针。 弧结点结构 tailvex，headvex:分别为弧头和弧尾在图中的序号; hlink,tlink:指向弧头相同和弧尾相同的下一条弧的指针; weight::弧上的权值。 2·判断该有向图是否含有强连通分量，若有请将它们画出来。 3．试给出顶点C到其他各顶点的最短路径。 七、计算下列给出AOE网中各顶点所表示的事件发生时间Ve（j）,Vl(j)和各边所表示活动的开始时间e（i），l(i)，并找出其关键路径。(10分)
北京工业大学考研真题 数据结构1999
北京工业大学1999年硕士研究生入学考试试题 考试科目：数据结构 一、（26分）填空、选择（一个或多个）题，1-6题每小题2分： 1下面的叙述中，不正确的是（） A关键活动不按期完成就会影响整个工程的完工时间。 B任何一个关键工程提前完成，将使整个工程提前完成。 C所有关键活动都提前完成，则使整个工程提前完成。 D提些关键活动若提前完成，则将使整个工程提前完成。 2 下面的排序算法中，不稳定得是（） A 起泡排序 B 折半插入排序C简单选择排序D希尔排序E基数排序F堆排序。 3包含结点A，B，C的二叉树有-----------种不同的状态，---------种不同的二叉树。 4包含结点A，B，C的树有------种不同形态，------种不同的树。 5分块检索中，若索引表和各块内存均用顺序查找，则有900各元素的线性表分成-----块最好：若分成25块；其平均查找长度为--------。 6下面的程序段中，对ｘ的赋值语句的频度为------------（表示为n的函数） ＦＯＲ Ｉ：＝ １ＴＯ Ｎ ＤＯ ＦＯＲ Ｊ：＝１ ＴＯＩ ＤＯ ＦＯＲ Ｋ：＝Ｉ ＴＯ Ｊ ＤＯ ｘ：＝ｘ＋ＤＥＬＴＡ； ７（８分）设有字符序列Ｑ Ｈ Ｃ Ｙ Ｐ Ａ Ｍ Ｓ Ｒ Ｄ Ｆ Ｘ要求按字符升列排序： 采用初是长为４的希尔（３ｂｅｌｌ）排序，一趟扫描的结果是――――――――― 采用以元素为分界元素的快速排序，一躺扫描的结果是------------。 8（6分）已知广义表：A-（0），B-（），C-（a，b，c，d），D-（A，B，C）它们的存储结构图为（接两种结构种的任一种即可）：
二（6分）编写递归程序将二叉树逆时针旋转90度打印出来。如右图：（要求用类PASCAL 语言，并描述结构）。 三 （8分）用依次输入的关键字13，29，41，19，5，1，7和6建一棵三阶B-树， 画出建该树的变化过程示意图（每插入一个结点至少用一张图）。 四（共20分）已知顶点1——6和输入边与权值的序列（如右框中）： 2 4 6 每行三个数表示一条边的两个端点和其权值，共11行。 2 3 2 请你： 1（8分）采用邻接多重表表示该无向网，用类PASCAL 语言描述该数据结构，画出存储结构示意图，要求符和在边结点链表头部插入的算法和输入序列的次序。 3 4 4 3 6 10 2（4分）分别写出从顶点1出发的深度优先和广度优先遍历顶点 序列，以及相 应的生成树。 4 5 7 3（8分）按PRIM 算法列表计算，从顶点1始求最小生成树，并图示该树。 5 6 151 2 5 1 3 8 1 4 3 3 5 1 4 6 11 五（12分）下面函数的功能是在一个按访问频度不增有序的，带头结点的双向链 环上检索关键值为x 的结点，对该结点访问频度计数，并维护该链环有序。若为找到，则插入该结点。所有结点的频度域初值在建表时都为零。请将程序中四处空缺补写完整。 TYPE Link=node
北京工业大学 期末考试 概率统计试题 概率统计(工)试题答案
北京工业大学 概率论与数理统计课程期末考试(工类)试题答案 一. 填空题(每空3分，共30分) 1. 设()0.5P A =,()0.6P B =,()0.7P A B =，则()| 2/3 P A B =。 2. 若X 为[]1,0区间上均匀分布，记} 3.01.0{≤≤=X A ，Y 表示对X 进行25次独立观测时事件A 发生的次数。则= )(Y E 5 , =)(Y Var 4 。 3. 若随机变量21,X X 相互独立，且1X ～)3,3(2N ，2X ～)2,1(2N ，令 212X X X -=,则X ～ ) 5,1(2N ,{}46-<
n X X X n 为抽自正态总体),(2σμN 的随机样本，记 ∑∑==--==n i i n i i X X n S X n X 1 22 1)(11,1. 则σμ/)(-X n ～ N （0，1） ，2/)(S X n μ-～ n-t 1 ，22/)1(σS n -～ 2 1 -n χ。 6．设10021,,,X X X 是抽自正态总体)1,( μN 的简单样本，则μ的置信系数为0.95 的置信区间为[, 0.1960.196X X ]。 注2：Z 为正态分布N (0,1)的右分位点,0 1，96.1025.0=Z ，645.105.0=Z 。 二．计算题(每题14分，共70分，做题时须写出解题过程，否则不能得分) 1．有型号相同的产品两箱，第一箱装12件产品，其中两件为次品；第二箱装8件，其中一件为次品。先从第一箱中随机抽取两件放入第二箱，再从第二箱中随机抽取一件。 (1). 求从第二箱中取出次品的概率； (2). 若从第二箱中取出了次品，求从第一箱中未取到次品的概率。
北京工业大学历年考题
北京工业大学历年美术考题 2014年北京工业大学美术专业考试题目 考点信息：北京考点第一场考试 素描考题：正面女青年默写。 创意速写：用餐具表现欢快。 色彩题目：啤酒瓶子一个，三个梨，一个白盘子里面放着打开的鸡蛋，山楂若干，衬布两到三块，要求横构图。 考点信息：北京考点第二场考试 素描考题：我的老师男正面默写。 创意速写：用自行车表现欢快。 色彩题目：深色罐子，苹果，葡萄，一个铜盘子，两块布，一个水杯等。 考点信息：北京考点第三场考试 素描考题：四分之三女青年。 创意速写：用调色板为主表现多元化。 色彩题目：深色罐子，两个苹果，一个刀，一个盘子，一个玻璃杯，两块布，要求横构图。 2013年北京工业大学美术专业考试题目 考点信息：北京考点（1月20日） 素描科目：短发女青年，角度不限。 色彩科目：默写水粉静物-陶罐、水杯、水果刀各一件，梨一个，山楂若干，衬布两块。用水粉颜料，写生色彩手法，自行组织构图，横向用纸。 创意速写：玩具表现关爱 考点信息：北京考点（1月19日） 素描考题：3/4女青年 色彩考题：玻璃酒瓶、杯子、盘子、苹果、水果刀、两块衬布 创意速写：剪刀变异 2012北京工业大学美术专业试题： 11日：色彩;一个酒瓶，一个高脚杯，橘子，白盘子，金属勺，两块布随意，素描：我的男同学四分之三 创意速写：用桌椅表现矛盾 12日：素描：男运动员四分之三 色彩：一个酒瓶一个酒杯一个盘苹果枣两块衬布 创意速写：用鞋表达喜悦 13日：素描：女演员四分之三侧 色彩：啤酒瓶，玻璃杯，苹果，梨，盘子，水果刀，两块衬布 创意速写：用饮料瓶表现运动
2011年北京工业大学艺术设计学院美术专业考试题 14日：素描：戴帽子的女大学生 色彩：葡萄酒瓶子、高脚杯、白盘子、一串葡萄、两个梨、两块衬布，横构图 创意速写：用球拍表现律动 15日：素描：女大学生3/4侧，默写 色彩：陶罐、白盘、水果刀、装牛奶玻璃杯、面包、橘子三个、衬布两块，横构图 创意速写：用杯子表现旋律 16日：素描：女大学生 色彩：一个酒瓶、一个杯、梨、山楂、白盘子、刀、两块衬布，横构图，默写 创意速写：用“森”表现成长 17日：素描：我的教师（男中年） 色彩：苹果、橘子、面包片、白盘子、重色陶罐，横构图 创意速写：以手为元素表现力量 2010年北京工业大学美术类专业考试试题 第一场：色彩：一个深色罐子、一个白盘子、两个苹果、一个高脚杯、两块衬布（两个冷暖小稿、一个大稿） 第二场：色彩：一个红酒瓶、一把香蕉、一个玻璃杯、两个橙子、五个枣、两块衬布（两个冷暖小稿、一个大稿） 第三场：色彩：一个啤酒瓶、一个玻璃杯、两个梨、两个橘子、两块衬布（两个冷暖小稿、一个大稿） 第四场：色彩：一个陶罐、一把餐刀、一个啤酒瓶、土豆、西红柿、黄瓜、两块衬布（两个冷暖小稿、一个大稿） 23日：色彩：一个陶罐、一个桔子、一个梨、一个白盘子、一个高脚杯、两块衬布（两个冷暖小稿、一个大稿） 24日：色彩：一个切开的西瓜、一个白盘子、若干山楂、两块衬布（两个冷暖小稿、一个大稿） 25日：素描：男青年色彩：一个罐子、两个苹果、一个白盘子、两块衬布（两个冷暖小稿、一个大稿） 2009年北京工业大学艺术类专业考题 第一场 色彩：默写。一个葡萄酒瓶、两个苹果、一个茄子、一把刀、一个白盘子、两块衬布。画两个小稿（一冷一暖）任选一，画一个大稿 第二场色彩：默写。一个灌子、一把刀、一个透明玻璃杯、三个苹果。画两个小稿（一冷一暖）任选一，画一个大稿
北京工业大学2013学硕真题
数据结构部分 一、单项选择题（10分,每题1分） 下列每个题目中有四个选项，其中只有一个是正确的。试根据题目的陈述，选择正确答案。 1.下面是有关抽象数据类型概念的论述，其中正确的说法是（）。 A.抽象数据类型于存储结构有关 B.抽象数据类型于数据结构是同义词 C.抽象数据类型是指一个数学模型以及定义在该模型上的一组操作 D.抽象数据类型是指描述客观事物切由计算机处理的数值、字符等符号的总称 2.下面是有关算法时间复杂度的论述，其中正确的说法是（）。 A.算法的时间复杂度与数据规模无关 B.算法的时间复杂度与算法的语句频度无关 C.算法的时间复杂度与算法采用的解决问题的策略无关 D.算法的时间复杂度与选择的程序设计语言无关 3将一个递归算法转换为非递归算法，通常需要借用的数据结构是（） A栈B队列C线性表 D 广义表 4.假设包含t个非零元素的稀疏矩阵A含有m行n列，并采用三元组顺序表压缩存储， 其快速转置算法的时间复杂度为（）。 A O (m+t) B O(n+t) C O(m+n) D O(m*n) 5下面是有关赫夫曼树的论述，其中正确的说法是（） A赫夫曼树一定是一棵完全二叉树 B 赫夫曼树与二叉排序树是同义词 C 在赫夫曼树中，结点的度数只可能为0,2 D 在赫夫曼树中，结点的度数可能为0，1，2 6假设一棵完全二叉树含有456个结点，则度为0,1,2的结点的个数分别为（） A 227, 1, 228 B 228, 1, 227 C228, 0, 228 D不确定 7 下面是有关生成树的论述，其中正确的说法是（） A生成树中没有回路 B 任意给定的无向图只对应一棵生成树 C 一棵生成树内的顶点之间不一定连通 D包含n个顶点的无向连通图所对应的生成树不一定包含n个顶点
北京工业大学 期末考试 概率统计试题 答案
“概率论与数理统计”课程(工)试题答案 一、填空题（每空2分,共30分） 1．设,A B 为事件，()0.4, ()0.6P A P A B ==。当A 与B 互不相容时, =)(B P 0.2 ；当A 与B 相互独立时,=)(B P 1/3 。 2．设连续型随机变量X 的分布函数为0.5,0, ()0,0.x a be x F x x -?+≥=?n X X X n 为抽自正态总体),(2σμN 的随机样本，记 ∑∑==--==n i i n i i X X n S X n X 1 22 1)(11,1. 则X ～ N (μ,σ2 /n) ， 2/)(S X n μ-～n-t 1 ， 22/)1(σS n -～ 2 1 -n χ。 6．设125, ,X X 是抽自总体2~(,)X N μσ的随机样本，经计算得25, =0.09x s =。根据本 试卷第6页上的t 分布表与2χ分布表，得未知参数μ的置信系数为0.95的置信区间为[4.876166, 5.123834]，2 σ的置信系数为0.95的置信区间为[0.05487, 0.17418]。 二、解答题 (每小题14分，共70分) 1． 根据世界卫生组织数据，我国居民肺癌患病率为38.46人/10万人。另外根据我国《居 民营养与健康状况调查》结果，居民吸烟率为31%，而根据医学研究发现，吸烟者患肺癌的概率是不吸烟者的10.8倍。 (1). 求不吸烟者患肺癌的概率与吸烟者患肺癌的概率各是多少； (2). 随机抽取一位居民做检查后，发现其患有肺癌。求这个居民是吸烟者的概率。 解 随机抽取一位居民，用B 1表示其吸烟，B 2表示不吸烟，A 表示患有肺癌。则 P (A )=38.46/100000=410846.3-?，P (B 1)=0.31, P (B 2)=0.69. 再设P (A |B 2)=x , 则P (A | B 1)=10.8×P (A | B 2)=10.8x 。 (1). 由全概率公式，得 , 038.4 69.08.1031.0 )|(）B ()|(）B ()(10846.322114x x x B A P P B A P P A P =+?=+==?- 解上述方程，得5105345.9-?=x 。所以，P (A |B 2)=5105345.9-?=x , 即9.5245人/10万人；P (A | B 1)=3100286.1-?, 即102.86人/10万人。 (2). 由贝叶斯(或条件概率)公式，得
北京工业大学 期末考试 概率统计试题 考试 试题
《概率论与数理统计》工 考试试卷 考试说明： 考试方式：闭卷 考试时间： 承诺：本人已学习了《北京工业大学考场规则》和《北京工业大学学生违纪处分条例》，承诺在考试过程中自觉遵守有关规定，服从监考教师管理，诚信考试，做到不违纪、不作弊、不替考。若有违反，愿接受相应的处分。 承诺人： 学号： 班号： 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 注：本试卷共 六 大题，共 6 页，满分100分，考试时必须使用卷后附加的统一答题纸或草稿纸。 卷 面 成 绩 汇 总 表（阅卷教师填写） 1．设A ，B 为随机事件，且P （A ）= 0.7，P (A -B ) = 0.3，则P （AB ）= 。 2．已知5.0)(,4.0)(,3.0)(===B A P B P A P ，则)|(B A B P ? = 。 3．设A ，B 为随机事件，则 A 与B 互斥的充要条件是 ； A 与 B 相互独立的充要条件是 。 4．设 X 服从参数为λ的泊松分布，且 P{X=0}=1/2 ，则λ= ； (3)E X += ； Var(21)X += 。 5. 设),(~p n B X ,已知28.1)(, 6.1)(==X Var X E , 则n = ； p= 。 6. 若2~(1,)X N σ，且{}020.9544P X <<=，则{}0P X <= 。 7. 已知随机变量X 的概率密度为 ??? ?? >+=其它0 0)1(2)(2x x x f π， 则X Y ln = 的概 率密度)(y f Y = 。
北京工业大学历年专硕真题
专硕2013年 解答题 4 给定关键字序列（26,10,17,12,38,60,19,48,7,40,39），完成下列操作： （1）按照此关键字的排列顺序构建一棵二叉排序树，画出所构建的这棵二叉排序树。（2）按照此关键字的排列顺序构建一棵平衡二叉树，患处所构建的这棵平衡二叉树。（3）分别求出在等概率的情况下，构建的二叉排序树和平衡二叉树的平均查找长度ASL。 5 假设某个哈希表的地址范围为0~10，哈希函数为H(K)=K MOD 11，解决冲突的方法为线性探测法。根据关键字的输入序列构造的哈希表为： 哈希地址0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 关键码21 30 35 25 52 51 41 42 32 回答下列问题： （1）下面是构造这个哈希表的关键字输入序列，试将缺少的三个关键字填写完整。 42,32,21,35,51,25，，， （2）依次写出查找关键字30时需要比较的每个关键字。 需要比较的关键字 （3）如果查找没个关键字的概率相等，计算这个哈希表查找成功的平均查找长度。 ASL= 。 四，算法阅读题（15,分，每题5分） Status Algorithm（BiTree T,LinkList &H) { H=(LinkList)malloc(sizefo(LNode)); if(H==NULL) return ERROR; H->next=NULL; if(T){ InitStack(S); p=T; do{ while(p){ Push(S,p); p=p->lchild; } if(!StackEmpty(S)){ Pop(S,p); q=(LinkList)malloc(sizeof(LNode)); if(q==NULL) return ERROR; q->data=p->data; q->next=H->next; H->next=p; p=p->rchild; } }while(p||!StackEmpty(S)); }
北京工业大学激光原理2006-2014考研真题汇编
★所有答案必须做在答题纸上，做在试卷上无效! 一填空题（50分） 1. 激光具有，，的特点。 2. 实现受激辐射放大的条件是。 3. 实现激光振荡的条件是。 4. 共轴球面腔（腔长为L，两球面镜的半径分别为R1，R2），其稳定性条件是。 5. 根据稳定腔模式理论的解析解，对圆形镜共焦腔，镜面上的场分布可以近似为函数表示。 6. 基膜高斯光束强度在1/e2点的远场发散角为。 7. 光束衍射倍率因子M2的定义为。 8. 圆波导本征模场具有波导内的场为，波导外的场为。 激光器波长是。 9. Nd:YAG激光器波长是，CO 2 10. 导体二极管激光器是以半导体材料为工作物质，其能带结构由，，和构成 二简述题（70分）（每小题10分） 1. 说明自发辐射，受激辐射，受激吸收 2. 烧孔效应 3. 弛豫振荡效应 4. 兰姆凹陷稳频原理 5. 激光器频率牵引 6. 量子效率 7. Q调制激光器工作原理 三计算题（30分）（每小题10分） 应是多少？ 1.氦氖激光器的相干长度是1Km，它的单色性Δλ/λ 2.腔长为10cm的Nd：YAG激光器，增益介质充满腔，其折射率为1.83，其纵模间隔为多少？ 3.某氦氖激光器采用共焦腔，腔长L=30cm，放电管半径a=0.1cm，震荡波长为0.6238 μm，腔的菲涅 尔数为多少？
★所有答案必须做在答题纸上，做在试卷上无效! 一试解释下列名词（100分）（每小题10分） 1.模式，纵模，横模 2.共焦参数，模体积，发散角 3.共焦谐振腔，稳定谐振腔，非稳定谐振腔 4.高斯光束，俄米高斯光束，拉盖尔高斯光束 5.荧光线宽，增益线宽，激光线宽 6.自然加宽，均匀加宽，非均匀加宽 7.增益系数，激光振荡阈值，激光损伤阈值 8.空间烧孔效应，频率牵引效应，频率排斥效应 9.驰豫振荡，调Q，锁模 10.自发辐射跃迁，受激辐射跃迁，受激吸收跃迁 二填空题（30分）（每小题3分） 1. 激光具有，，的特点。 2. 实现受激辐射放大的条件是。 3. 实现激光振荡的条件是。 4. 共轴球面腔（腔长为L，两球面镜的半径分别为R1，R2），其稳定性条件是。 5. 根据稳定腔模式理论的解析解，对圆形镜共焦腔，镜面上的场分布可以近似为函数表示。 6. 基膜高斯光束强度在1/e2点的远场发散角为。 7. 光束衍射倍率因子M2的定义为。 8. 圆波导本征模场具有波导内的场为，波导外的场为。 激光器波长是。 9. Nd:YAG激光器波长是，CO 2 10. 导体二极管激光器是以半导体材料为工作物质，其能带结构由，，和构成 三计算题（20分） 1. 增益： 若光束通过1m长的介质后，光强增大了一倍，求此介质的增益系数（5分） 2. 相干性： 应是多少？ 为使氦氖激光器的相干长度是1Km，它的单色性Δλ/λ 3. 高斯光束： 某高斯光束的束腰半径为w =0.3mm，光波长λ=632.8 nm，求束腰处与束腰相距30cm处的q参 数。
北京工业大学2013年875材料科学基础考研真题
北京工业大学2013年硕士研究生入学考试 ★所有答案必须做在答题纸上，做在试题纸上无效 一、名词解释（20分） 1、范德华键 2、惯习面 3、全位错 4、再结晶 5、非均匀形核 6、柯肯达尔效应 7、调幅分解 8、重心法则 9、一级相变10、多滑移 二、填空（20分） 1、晶体按对称性可分为（1）晶族，（2）晶系，共有（3）点群，（4）空间群。 2、晶态固体中，扩散的微观机制有（5）（6）（7）（8） 3、强化金属材料的方法为（9）（10）（11）（12）。 4、固态相变的驱动力是（13），而阻力是（14）和（15）。 5、Fe原子的基态电子组态为（16）。 6、发生在固体表面的吸附可分为（17）和（18） 7、线性高分子可以反复使用称为（19）塑料，交联高分子不可以反复使用，称为（20）塑料。 三、判断正误（10分） 1、根据施密特定律，滑移方向越平行于拉伸方向，越容易产生滑移。( ) 2、再结晶完成后，在不同的条件下，可发生正常晶粒长大和异常晶粒长大。( ) 3、热加工是指高于回复温度的加工。( ) 4、氢键属于分子间力的一种，具有方向性和饱和性( ) 5、晶粒越细小，材料强度，硬度越高，塑性，任性越好。( ) 6、从扩散角度考虑，小角晶界的迁移率比大角晶界低。( ) 7、铁素体软而韧，渗碳体硬而脆，由此两相组成的铁碳合金性能取决于二者配合的显微结构。( ) 8、三元系相图中，共晶点温度的自由度为0，此时为三相平衡。( ) 9、贝氏体转变中，Fe和C均不发生扩散。( ) 10、fcc和hcp 的堆垛方式相同，因为它们具有相同的堆积系数。( ) 四、论述及计算题（共100分）。 1、画出体心立方晶体的密排面（-110），密排向[11-1]，六方的密排面（0001），密排向[11-20]（9分） 2、试分析在面心立方金属中，位错b1=a/2[10-1]，b2=a/6[1-21]，b3=a/3[11-1]，位错反映b1+b2=b3，能否发生反应？并指出其中三个位错分别是什么类型的位错，反应后生成的位错能否在滑移面上滑动。（6分）