电子技术基础第五版第五章
电工类第五版《电子技术基础》全章节习题与及答案
电工类第五版《电子技术基础》全章节习题与及答案一．填空题：(共59题)1.PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位高。
2.硅二极管导通时的正向管压降约为0.7V 。
3.锗二极管导通时的正向管压降约为0.2V 。
4.半导体三极管放大的实质是小电流控制大电流。
5.工作在截止和饱和状态的三极管可作为开关器件使用。
6.三极管的极限参数分别是I CM、P CM和U CEO。
7.在共射极放大电路中输出电压和输入电压的相位相反。
[此处图片未下载成功]8.小功率三极管的输入电阻经验公式= 30 09.放大电路产生非线性失真的根本原因静态工作点不合适。
10.在放大电路中负载电阻值越大其电压放大倍数越大。
11.反馈放大器是由基本放大电路和反馈电路组成。
12.电压负反馈的作用是稳定输出电压。
13.电流负反馈的作用是稳定输出电流。
14.反馈信号增加原输入信号的反馈叫正反馈。
15.反馈信号减弱原输入信号的反馈叫负反馈。
16.放大直流信号时放大器应采用的耦合方式为直接耦合。
17.为克服零漂常采用长尾式和具有恒流源的差动放大电路。
18.集成运放按电路特性分类可分为通用型和专用型。
19.线性状态的理想集成运算放大器，两输入端电位差=0。
20.线性状态的理想集成运算放大器，两输入端的电流=0。
21.单门限电压比较器中的集成运放工作在开环状态。
22.单门限电压比较器中的集成运放属于线性应用。
23.将交流电变换成直流的过程叫整流。
24.在单相桥式整流电路中，如果负载电流是20A,则流过每只晶体二极管的电流是10 A。
25.在输出电压平均值相等的情况下，三相半波整流电路中二极管承受的最高反向电压是三相桥式整流电路的2倍.26.整流二极管的冷却方式有自冷、风冷和水冷三种。
27.检查硅整流堆正反向电阻时对于高压硅堆应用兆欧表。
28.三端可调输出稳压器的三端是指输入、输出和调整三端。
29.三端固定输出稳压器CW7812型号中的12表示为 12 V。
(完整word版)电力电子技术第五版课后习题答案
电力电子技术第五版课后习题答案第二章 电力电子器件2. 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或：u AK >0且u GK >0。
3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
4. 图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 1、I 2、I 3。
002π2π2ππππ4π4π25π4a)b)c)图1-430图2-27 晶闸管导电波形解：a) I d1=π21⎰ππωω4)(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1=⎰ππωωπ42)()sin (21t d t I m =2m I π2143+≈0.4767 I m b) I d2 =π1⎰ππωω4)(sin t td I m =πm I (122+)≈0.5434 I m I 2 =⎰ππωωπ42)()sin (1t d t I m =22mI π2143+≈0.6741I m c) I d3=π21⎰20)(πωt d I m =41 I m I 3 =⎰202)(21πωπt d I m =21 I m5. 上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶闸管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少？这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少?解：额定电流I T(AV) =100A 的晶闸管，允许的电流有效值I =157A ，由上题计算结果知a) I m1≈4767.0I≈329.35， I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈6741.0I≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314,I d3=41 I m3=78.5第三章 整流电路1. 单相半波可控整流电路对电感负载供电，L ＝20mH ，U 2＝100V ，求当α＝0︒和60︒时的负载电流I d ，并画出u d 与i d 波形。
模电总结复习资料_模拟电子技术基础(第五版)
绪论一.符号约定•大写字母、大写下标表示直流量。
如：V CE、I C等。
•小写字母、大写下标表示总量〔含交、直流〕。
如：v CE、i B等。
•小写字母、小写下标表示纯交流量。
如：v ce、i b等。
•上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。
如：等。
二．信号〔1〕模型的转换〔2〕分类〔3〕频谱二.放大电路〔1〕模型〔2〕增益如何确定电路的输出电阻r o？三．频率响应以及带宽第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
电子教案《数字电子技术(第5版_杨志忠)》教学资源第5章练习题参考答案
电压波形。
图 Ｐ５ ２
图［题 ］ 图［题 ］
５ ２ Ａ
５ ２ Ｂ
［题 ５ ３］ 在同步 ＲＳ 触发器中，已知 ＣＰ、Ｒ、Ｓ 输入的电压波形如图 Ｐ５ ３ 所示，试画出
输出 Ｑ 端的电压波形。设触发器的初始状态为 Ｑ ＝０。
［解］ 根据由与非门组成同步 ＲＳ 触发器的逻辑功能画输出 Ｑ 的电压波形。Ｑ 电压波形中
［解］ 先画出 、 Ｑ０ Ｑ０ 和 、 Ｑ１ Ｑ１ 的电压波形，再根据 Ｙ１ ＝ Ｑ０ Ｑ１ 和 Ｙ２ ＝ Ｑ０ Ｑ１ 的与非关系，
画出输出 Ｙ１ 和 Ｙ２ 的电压波形，如图［题 ５ １４］所示。
图 Ｐ５ １４
图［题 ５ １４］
第 ５ 章 集成触发器 １２７
［题 ５ １５］ 图 Ｐ５ １５ 是一个用 ＴＴＬ 边沿双 ＪＫ 触发器组成的单脉冲发生器，ＣＰ 为连续脉 冲，试分析其工作原理，并画出 ｕＯ 的电压波形图。 ［解］ 由图 Ｐ５ １５ 可知，平时 Ｓ 开关接地，ＦＦ０ 的 Ｊ０ 接地，同时 Ｋ０ ＝ ，１ ＦＦ１ 的直接置 ０ 端通过 Ｓ 开关接地。因此，触发器 ＦＦ０ 和 ＦＦ１ 都处于 ０ 状态，Ｑ０ ＝ Ｑ１ ＝ ０，输出 ｕＯ 为低电平 ０。 当 Ｓ 开关按下时，接高电平 １，这时 ＦＦ０ 和 ＦＦ１ 都为 Ｔ′触发器，处于计数状态。在 ＣＰ 下 降沿作用下，ＦＦ０ 由 ０ 状态翻到 １ 状态，Ｑ０ ＝ １，输出 ｕＯ 由低电平 ０ 跃到高电平 １。 当输入下一个 ＣＰ 的下降沿时，ＦＦ０ 由 １ 状态翻到 ０ 状态，Ｑ０ 输出一个负跃变，输出 ｕＯ 由高电平 １ 跃到低电平 ０，与此同时，Ｑ０ 输出的负跃变使 ＦＦ１ 由 ０ 状态翻到 １ 状态，Ｑ１ 输出 的低电平使 ＦＦ０ 置 ０，从而保证了 Ｓ 开关每按一次，ｕＯ 输出一个正脉冲，输入和输出电压波形 如图［题 ５ １５］所示。 当 Ｓ 开关放开时，Ｓ 又接地，ＦＦ０ 和 ＦＦ１ 又回到初始的 ０ 状态，为下一次输出正脉冲做好准备。
电子技术基础课后习题答案五章
第五章集成运算放大器5-1 什么是直接耦合放大器？它试用于那些场合？与阻容耦合放大器相比有哪些优点？答：用来放大缓慢变化的信号或某个直流量的变化（统称为直流信号）的放大电路，称为直流放大器。
适用于放大缓慢变化的低频信号和交流信号，与阻容耦合放大器相比能够放大缓慢的低频信号，不紧能够放大直流信号，也可以放大交流信号。
5-2 直接耦合放大器有什么特殊问题？在电路上采取什么办法来解决？答：直接耦合放大器采用直接耦合方式，因而带来了前后级的静态工作点相互影响，相互牵制的特殊问题。
因此在电路的V2的射级上加接了R e2 ，抬高了V2管的射级电位，或者将R e2换成稳压二极管V Z ，采用NPN和PNP管组成的互补耦合电路。
5-3 解释：共模信号、差模信号、共模放大倍数、差模放大倍数、共模抑制比。
答：共模信号：在差分放大电路中，把大小相等，极性相同的输入信号称为共模信号；差模信号：在差分放大电路中，把大小相等，极性相反的输入信号称为差模信号；共模放大倍数：在差分放大电路中，共模放大倍数为双输出端的差值，为零，这样更好的抑制了零点漂移现象。
差模放大倍数：在差分放大电路中，差模放大倍数为双输出端的差值，放大倍数为A vd = -βvOvI = -βRcrbe，该电路多用一只三极管以换取对零点漂移的抑制共模抑制比：差模放大倍数与共模放大倍数的比值称为共模抑制比K CMR =AvdAvc当电路完全对称时A vc为零，则共模抑制比K CMR 无穷大。
5-4 集成运放由哪几部分组成？试分析其作用。
答：集成运放主要由以下部分组成输入级：由差分电路组成，应用该电路的目的是力求较低的“零飘”和较高的共模抑制比；中间级：高增益的电压放大电路组成；输出级：三极管射极输出器互补电路组成；偏置电路：为集成运放各级电路提供合适而稳定的静态工作点。
5-5 集成运放有哪些常用参数？解释这些参数的含义。
答：（1）开环差模电压放大倍数 A VO无反馈时集成运放的放大倍数。
《电子技术基础(第五版)》电子课件第五章
R
0 A 1
V2 1 0B
Y 0 1
二极管“与”门电路
与门的逻辑功能：“全1出1，有0出0”
第五章
门电路及组合逻辑电路
二、 “ 或”门电路
1、“或”逻辑关系： 决定一事件结果的诸条件中，只要有一个或一个以 上具备时，事件就会发生的逻辑关系。 真值表 A 0 B 0 Y 0 开关A
0
1
1 0 1
R
V1
0 1 A V2 Y 01
UCC
-5V
二极管“或”门电路
或门的逻辑功能：“全0出0，有1出1”
第五章
门电路及组合逻辑电路
三、“非”门电路
1、“非”逻辑关系
真值表 只要条件具备，事件便不会发生；条件不具备， 事件一定发生的逻辑关系。 R
A
0
Y
1
电源
开关A
灯Y
1
0
非逻辑关系 逻 辑 符 号
逻辑函数式
输入信号VI
输出信号V0
t t pd
通常tPLH ＞tPHL ，tpd 越小，电 PLH PHL 路的开关速度越高。 一般tpd = 10ns～40ns
t 2
第五章
门电路及组合逻辑电路
U CC 4A 14 13
4B 12
4Y
11
3A 10
3B 9
3Y 8
74LS00
1 1A
2
1B
3 1Y
4
YA
A
1 非门
Y
第五章
门电路及组合逻辑电路
2、三极管“非”门电 路
非门电路：实现非逻辑关系的电路
+UCC +5V
（1 ）A 为0 时
《模拟电子技术基础(第五版 康华光主编)》 复习提纲
模拟电子技术基础复习提纲第一章绪论）信号、模拟信号、放大电路、三大指标。
（放大倍数、输入电阻、输出电阻）第三章二极管及其基本电路）本征半导体：纯净结构完整的半导体晶体。
在本征半导体内，电子和空穴总是成对出现的。
N型半导体和P型半导体。
在N型半导体内，电子是多数载流子；在P型半导体内，空穴是多数载流子。
载流子在电场作用下的运动称为漂移；载流子由高浓度区向低浓度区的运动称为扩散。
P型半导体和N型半导体的接触区形成PN结，在该区域中，多数载流子扩散到对方区域，被对方的多数载流子复合，形成空间电荷区，也称耗尽区或高阻区。
空间电荷区内电场产生的漂移最终与扩散达到平衡。
PN结最重要的电特性是单向导电性，PN结加正向电压时，电阻值很小，PN结导通；PN结加反向电压时，电阻值很大，PN结截止。
PN 结反向击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿；PN结的电容效应包括扩散电容和势垒电容，前者是正向偏置电容，后者是反向偏置电容。
）二极管的V-I 特性（理论表达式和特性曲线））二极管的三种模型表示方法。
（理想模型、恒压降模型、折线模型）。
（V BE=）第四章双极结型三极管及放大电路基础）BJT的结构、电路符号、输入输出特性曲线。
（由三端的直流电压值判断各端的名称。
由三端的流入电流判断三端名称电流放大倍数））什么是直流负载线什么是直流工作点）共射极电路中直流工作点的分析与计算。
有关公式。
(工作点过高，输出信号顶部失真，饱和失真，工作点过低，输出信号底部被截，截止失真)。
）小信号模型中h ie和h fe含义。
）用h参数分析共射极放大电路。
（画小信号等效电路，求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻）。
）常用的BJT放大电路有哪些组态（共射极、共基极、共集电极）。
各种组态的特点及用途。
P147。
（共射极：兼有电压和电流放大，输入输出电阻适中，多做信号中间放大；共集电极（也称射极输出器），电压增益略小于1，输入电阻大，输出电阻小，有较大的电流放大倍数，多做输入级，中间缓冲级和输出级；共基极：只有电压放大，没有电流放大，有电流跟随作用，高频特性较好。
电子技术基础(模拟部分)第五版课件(全部)
end
2.1 集成电路运算放大器
2.2 理想运算放大器
2.3 基本线性运放电路
2.4 同相输入和反相输入放大电 路的其他应用
§引 言
➢在半导体制造工艺的基础上，把整个电路中元器 件制作在一块硅基片上，构成特定功能的电子电路， 称为集成电路。简单来说，集成电路是把元器件和 连接导线全部制作在一小块硅片上而成的电路。
• 电容利用PN结结电容，一般不超过几十pF。需要大 电容时，通常在集成电路外部连接。不能制电感，级 与级之间用直接耦合；
• 二极管用三极管的发射结代。比如由NPN型三极管 短路其中一个PN结构成。
运算放大器外形图
2.1 集成电路运算放大器
1. 集成电路运算放大器的内部组成单元
集成运算放大器是一种高电压增益，高输入电阻和 低输出电阻的多级直接耦合放大电路。
(+60μV,+12V)
Avo=2×105
解：取a点（+60μV,+12V）， b点（60μV,-12V），连接a、b两点得ab线 段，其斜率Avo=2×105, ∣vP-vN∣<60 μV时，电路工作在线性区； ∣vPvN∣>60 μV，则运放进入非线性区。 运放的电压传输特性如图所示。
(-60μV,-12V)
输入输出回路没有公共端
1.5 放大电路的主要性能指标
1. 输入电阻
Ri
vt it
1.5 放大电路的主要性能指标
2. 输出电阻
vt
R o
vs 0,RL
it
注意：输入、输出电阻为交流电阻
1.5 放大电路的主要性能指标
3. 增益
反映放大电路在输入信号控制下，将供电电源能量
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A
B V5 V1 V6
C1
V2 E2
V7
Y
V4
R3
第五章
门电路及组合逻辑电路
TTL与非门逻辑功能小结
输入端全为高电平，输 出为低电平
输入至少有一个为低电 平时，输出为高电平 由此可见电路的输出和 输入之间满足与非逻辑 关系
A B V5 +UCC
R1 C2 V1 V6 C1
1）用0和1两个数码来表示 2）基数为2，逢二进一，即1+1=10 3）二进制数的权值为2i，i由所在的位数决定。 4）任意一个二进制数，都可按其权位展成多 项式的形式 （N）2=（Kn-1 K1 K0。 K-1 K-m）2
=Kn-1 2n-1++K121+K020+K-1 2-1+K-m 2-m
4）任意一个十进制数，都可按其权位展开成多项式的形式 （N）10=（Kn-1 K1 K0。 K-1 K-m）10
=Kn-1 10 ++K110 +K010 +K-1 10 ++K-m 10
n-1 1 0 -1
-m
n 1 K 10i i i m
第五章
2. 二进制
门电路及组合逻辑电路
1
1 1
电源
开关B
灯Y
1
逻辑函数式
Y AB
逻 辑 符 号
或逻辑关系
A B
≥1
或门
Y
第五章
2. 二极管“或”门电路
门电路及组合逻辑电路
或门电路：实现或逻辑关系的电路 （1）A、B均为0时 输出为“0” （2）A为0，B为1时 输出为“1” （3）A为1，B为0时 输出为“1” （4）A为1，B为1时
VN、VP中至少有一只管子导通，使 Uo=Ui，这相当于开关接通，传输 门传输信息
输出 1 0
逻辑符号
止 门控制信号
由此可见传输门相当于一个理想的
开关，且是一个双向开关
第五章
门电路及组合逻辑电路
传输门
（2）CMOS模拟开关 a）电路结构 当C=1时，传输门导通， 开关接通，Uo=Ui 当C=0时，传输门截止， 开关断开 b）逻辑符号
反相器
CMOS模拟开关
第五章
门电路及组合逻辑电路
三、其他类型集成门电路
1. 集电极开路与非门（OC门）
第五章
门电路及组合逻辑电路
第五章
门电路及组合逻辑电路
第五章
门电路及组合逻辑电路
一般门电路的输出端是不可直接相 连的，因为那可能会使门电路损坏。只有 OC门的输出端才能直接相连， 从而实现 线与的功能。
第五章
门电路及组合逻辑电路
U CC 4 A 14 13
4B 12
4Y 11
3A 10
3B 9
3Y 8
74LS00
1 1A
2 1B
3 1Y
4 2A
5 2B
6 2Y
7 GND
TTL“与非”门的引脚图
第五章
门电路及组合逻辑电路
二、MOS集成门电路
1. MOS管的开关特性
数字逻辑电路中的MOS管均是增强型MOS管，它具有以下特点： NMOS管：
并能对逻辑电路图、逻辑表达式、真值表三者进行互换。
第五章
一、数制与码制
１. 数制及其相互转换 位置计数法
门电路及组合逻辑电路
按权展开式
（1）十进制
(369)10 =3 102 + 6 101+ 9 100
权 权 权 特点： 1）有0～9十个数码，基数是10 2）基数10，逢十进一，即9+1=10 3）不同数位上的数具有不同的权值10i。
第五章
门电路及组合逻辑电路
中间级是放大级，由V2、R2和R3组 成，V2的集电极C2和发射极E2可以 分别提供两个相位相反的电压信号
+UCC
输入级由多发射极晶体管 V1 、 二极 一、 TTL与非门电路 管 V5 、 V6 和基极电组 R1 组成，它 实现了输入变量A、B的与运算
R1
R2 C2
R4 V3
V1
UCC
+5V
R
0 A 1
V2
Y 0 1
1 0B
二极管“与”门电路
与门的逻辑功能：“全1出1，有0出0”
第五章
二、 “ 或”门电路
2. “或”逻辑关系 真值表 A 0一事件结果的诸条件中，只要有一个或一个以 上具备时，事件就会发生的逻辑关系。 开关A
0
1
1 0 1
当决定一事件的所有条件都具备时，事件才发生的逻 辑关系。
开关A
开关B
A 断
功能表 B Y
断
合 断 合
灭
灭 灭 亮
电源
灯Y
断 合
与逻辑关系
合
第五章
与逻辑的表示方法：
真值表
门电路及组合逻辑电路
功能表 A 0 B 0 Y 0 A B Y
断
断
断
合 断 合
灭
灭
0
1 1
1 0
1
0
0 1 逻 辑 符 号
合
合 A B
当|UGS|>|UT| 时，管子导通，导通电阻很小，相当于开关闭合
当|UGS|<|UT| 时，管子截止，相当于开关断开 PMOS管与NMOS管相反。
CMOS器件型号的符号和意义举例
第五章
门电路及组合逻辑电路
（1）非门 工作原理： a）输入为低电平“0”时 衬底与漏源间的 PN 结始终处于反偏， VP导通， VN截止 NMOS 管的衬底总是接到电路的最低电 位， PMOS 管的衬底总是接到电路的最 输出Y 为高电平“ 1” 高电位 b)输入为高电平“1”时 VP截止，VN导通 输出为低电平“0”。 实现逻辑“非”功能 柵极相连做 输入端
第五章
逻辑符号对照 国标符号
门电路及组合逻辑电路
曾用符号
美国符号
A
B A B
& Y A B
A B
Y
A B
A B A
Y
≥1
Y A B A
B 1
Y A
Y
Y
A
A
Y
Y
第五章
国标符号
门电路及组合逻辑电路
曾用符号 美国符号
A B
&
Y A B
A B
Y
A B
Y
A
B
≥1
Y A B
A
B
Y
门电路及组合逻辑电路
“１”和“０”没有数值大小的概念，仅
表示事物相互对立的两种状态。
第五章
门电路及组合逻辑电路
§5-2 集成门电路
1. 了解TTL、CMOS门电路的特点，掌握其逻辑功
能，并能根据逻辑功能写出相应的逻辑符号、逻 辑表达式和真值表。 2. 了解CMOS传输门和模拟开关电路，掌握其逻 辑符号。 3. 了解常用的国际和国外逻辑符号及其对应关 系。
1 电路实现“与非”逻辑功能 每个输入端与一 个 NMOS
F AB管和一个 PMOS 管的栅极相
连
第五章
（3）或非门
门电路及组合逻辑电路
两个串联的 PMOS 管VP1、VP2
输入“或非”门电路结构如图 a）当A和B为低电平时： 输出高电平
止 通
0 1
b）当A和B有一个或一个以上 每个输入端与一 0个 为高电平时： 个 NMOS 管 和 一 电路输出低电平
PMOS管的栅极相连
通 通
1 0
电路实现“或非”逻辑功能 Y=A+B
通 止 止 止
两个并联的 NMOS管 VN1、VN2
第五章
门电路及组合逻辑电路
3. CMOS传输门与模拟开关
（1）CMOS传输门 工作原理： a）当C 为低电平时，
VN、VP截止，传输门相当于开 关断开，传输门保存信息 止
b）当C为高电平时，
n 1 K 2i i i m
+UCC
= UA + Ube1 = 1V， V2、V4
截止， UY≈UCC 输出高电平
0.3V A 3.6V B
V2
E2 R3
V7 Y V4
TTL”与非”门的典型电路
第五章
门电路及组合逻辑电路
TTL与非门逻辑功能分析
输入端全为高电平
R1 R2 C2
R4 V3
+UCC
V1 、 V5 、 V6 管截止 ，这 时Uc1 ≈ Ucc V2、V4饱和导 通， UY≈0 输出低电平
PMOS
漏极相连 做输出端
NMOS
FA
第五章
（2）与非门
门电路及组合逻辑电路
止 止 通 止
两个并联的 PMOS 管VP1、VP2
二输入“与非”门电路结构如图 a）当A和B为高电平时: 输出低电平
b ）当 A 和 B 有一个或一个 以上为低电平时: 电路输出高电平
1 0
1 0
止 通 通 通
两个串联的 NMOS VN1、VN2
A B
A B
Y
A B
=1 Y A B A B
Y
Y
第五章
门电路及组合逻辑电路
§5-3 逻辑代数基础
1. 能熟练地掌握二进制数和十进制数之间的转换，掌握
逻辑代数的基本运算法则，会进行数制间的转换，熟悉
8421BCD码的编码规则。 2. 掌握逻辑代数的基本定律、公式和规则，能运用逻辑
代数法化简逻辑函数，掌握由真值表写逻辑表达式的方法，
R1
A B V5