各类二极管(详细)
二极管的工作原理和参数
二极管的工作原理和参数一、工作原理二极管是由一片P型半导体和一片N型半导体构成的，它们通过PN结相连接。
在PN结的连接处，P型半导体的空穴和N型半导体的电子发生复合，形成一个带有正电荷的区域，称为耗尽区。
当在二极管的两端施加正向电压时，正电压将使PN结的耗尽区变窄，电子和空穴可以穿过PN结，电流得以通过，此时二极管处于导通状态；而当施加反向电压时，反向电压将使PN结的耗尽区变宽，阻止电子和空穴的穿越，电流无法通过，此时二极管处于截止状态。
二、主要参数1. 正向电压：当二极管处于导通状态时，施加在二极管两端的电压称为正向电压。
正向电压的大小决定了二极管导通时的电流大小。
2. 反向电压：当二极管处于截止状态时，施加在二极管两端的电压称为反向电压。
反向电压的大小决定了二极管截断时的电流大小。
3. 饱和电流：在正向电压作用下，当二极管导通时的电流称为饱和电流。
饱和电流的大小与二极管的材料和结构有关。
4. 截断电压：在反向电压作用下，当二极管截断时的电压称为截断电压。
截断电压的大小与二极管的材料和结构有关。
5. 正向压降：在正向电压作用下，二极管两端产生的电压降称为正向压降。
正向压降的大小与二极管的材料和结构有关。
三、应用由于二极管具有单向导电性质，所以在电子电路中有着广泛的应用。
以下是二极管在电子电路中的几个常见应用场景：1. 整流器：二极管的单向导电特性使其成为整流电路的关键元件。
通过将交流电信号输入到二极管的正向电压端，就可以实现将交流信号转换为直流信号的功能。
2. 信号检测器：二极管可以用作信号检测器，将输入的模拟信号转换为数字信号。
当输入的模拟信号超过二极管的正向压降时，二极管导通，输出数字信号为高电平；当输入的模拟信号低于二极管的正向压降时，二极管截止，输出数字信号为低电平。
3. 稳压器：二极管可以用作稳压器，通过将二极管连接在电路中，可以在一定程度上稳定电压。
例如，Zener二极管可以在反向击穿状态下，将超过其额定电压的电压转化为稳定的输出电压。
各类二极管的检测方法介绍(二极管)
各类二极管的检测方法介绍（一）普通二极管的检测（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。
通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。
1．极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。
两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。
在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。
2．单负导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300kΩ左右。
硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。
正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。
若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。
若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。
3．反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。
其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。
也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。
如图4-71所示，摇动兆欧表手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。
（二）稳压二极管的检测1．正、负电极的判别从外形上看，金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。
检波用二极管
据用途分类1、检波用二极管就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。
锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP型。
类似点触型那样检波用的二极管，除用于一般二极管检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。
也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。
2、整流用二极管整流二极管的内部结构为一个PN 结，外形封装有金属壳封、塑料封装和玻璃封装等多种形式。
其管性大小随整流管的参数而异。
整流二极管主要用于整流电路，利用二极管的单项导电性，将交流电变为直流电。
由于整流管的正向电流较大，所以整流二极管多为面接触型的二极管，结面积大、结电容大，但工作频率低。
2CP系列管壳用于小电流整流。
⑴最大整流电流是指整流二极管长时间工作所允许通过的最大电流值。
⑵最高反向工作电压它是指整流二极管两端的反向电压不能超过规定的电压所允许的值。
如超过这个允许值，整流管就可能击穿。
⑶最大反向电流它是指整流二极管在最高反向工作电压下工作时，允许通过整流管的反向电流。
反向电流越小，说明整流二极管的单向导电性能越好。
⑷最高工作频率它是指整流二极管能正常工作的最高频率，选用时，必须使二极管的工作频率低于此值；如高于此值，整流二极管的单向导电性受影响。
3、限幅用二极管大多数二极管能作为限幅使用。
也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。
为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制造的二极管。
也二极管有这样的组件出售：依据限制电压需要，把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。
4、调制用二极管通常指的是环形调制专用的二极管。
就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。
即使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用。
5、混频用二极管使用二极管混频方式时，在500～10,000Hz的频率范围内，多采用肖特基型和点接触型二极管。
TVS ESD 二极管介绍与应用说明
TVS ESD 二极管介绍与应用说明便携式设备的ESD保护十分重要，而TVS二极管是一种十分有效的保护器件，与其它器件相比有其独特的优势，但在应用时应当针对不同的保护对象来选用器件，因为不同的端口可能受到的静电冲击有所不同，不同器件要求的保护程度也有不同。
要注意相应的参数鉴别以及各个生产商的不同设计，同时还要进行合理的PCB布局。
本文介绍在便携式设备的ESD保护中如何应用TVS二极管器件。
便携式设备如笔记本电脑、手机、PDA、MP3播放器等，由于频繁与人体接触极易受到静电放电(ESD)的冲击，如果没有选择合适的保护器件，可能会造成机器性能不稳定，或者损坏。
更坏的情况是查不出确切的原因，使用户误认为是产品质量问题而损坏企业信誉。
一般情况下，对此类设备暴露在外面可能与人体接触的端口都要求进行防静电保护，如键盘、电源接口、数据口、I/O口等等。
现在比较通用的ESD标准是IEC61000-4-2，应用人体静电模式，测试电压的范围为2kV～15kV(空气放电)，峰值电流最高为20A/ns，整个脉冲持续时间不超过60ns。
在这样的脉冲下所产生的能量总共不超过几百个微焦尔，但却足以损坏敏感元器件。
便携式设备所采用的IC器件大多是高集成度、小体积产品，精密的加工工艺使硅晶氧化层非常薄，因而更易击穿，有的在20V左右就会受到损伤。
传统的保护方法已不再普遍适用，有的甚至还会造成对设备性能的干扰。
TVS二极管的特点可用于便携式设备的ESD保护器件有很多，例如设计人员可用分立器件搭建保护回路，但由于便携设备对于空间的限定以及避免回路自感，这种方法已逐渐被更加集成化的器件所替代。
多层金属氧化物器件、陶瓷电容还有二极管都可以有效地进行防护，它们的特性及表现各有不同，TVS二极管在此类应用中的独特表现为其赢得了越来越大的市场。
TVS二极管最显着的特点一是反应迅速，使瞬时脉冲在没有对线路或器件造成损伤之前就被有效地遏制，二是截止电压比较低，更适用于电池供电的低电压回路环境。
c245t稳压二极管参数
c245t稳压二极管参数c245t稳压二极管参数简介稳压二极管是一种用来维持电压恒定的电子元件。
c245t稳压二极管是其中一种常见的型号。
本文将对c245t稳压二极管的参数进行介绍，并探讨其在电子设备中的应用。
首先，我们来了解一下c245t稳压二极管的结构和工作原理。
c245t稳压二极管通常由PN结构构成，其内部有P区和N区两部分。
当正向电流通过稳压二极管时，P区的杂质浓度较高，会引起电子与空穴的复合，从而形成一个电子级，消耗掉多余的电流。
当逆向电压施加到稳压二极管上时，该二极管会出现Zener电压，此时就会发生击穿现象，导致导电，起到稳压效果。
一、c245t稳压二极管的参数1. 额定功耗（Pd）：c245t稳压二极管的额定功耗是指在特定工作条件下，能够稳定正常工作的功率范围。
额定功耗一般以瓦特（W）为单位来表示。
2. 阻抗（Zz）：阻抗是c245t稳压二极管的重要参数之一，其数值越小，说明稳压二极管的稳压能力越强。
阻抗一般以欧姆（Ω）为单位来表示。
3. 稳定电压（Vz）：稳定电压是c245t稳压二极管能够稳定输出的电压值。
稳定电压是通过改变稳压二极管的材料和工艺来实现的。
4. 最大电流（Imax）：最大电流是指稳压二极管能够承受的最大电流值。
超过最大电流，稳压二极管可能会被击穿或损坏。
5. 温度系数（Tc）：温度系数是c245t稳压二极管在不同温度下稳定电压变化的比率，它以百分比或毫伏/摄氏度（mV/℃）表示。
温度系数值越小，说明稳定性越好。
二、c245t稳压二极管的应用c245t稳压二极管由于其稳定性和可靠性，被广泛应用于各种电子设备和电路中。
以下是它的几个主要应用场景：1. 电源稳压：c245t稳压二极管可以用于电源电路的稳压，以保证电子设备在电压波动较大的情况下依然稳定工作。
稳定的电源电压对于各类电子设备尤为重要，可以防止电压过高或过低对设备的损坏。
2. 电压瞬变抑制：在某些场合下，电路中会出现电压瞬变，可能会对电子设备造成干扰或损坏。
各类二极管(详细)
1N4148和1N5819的区别:高频、低压、大电流特性是1N5819二极管与普通二极管的不同点，它广泛被应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流，续流、保护二极管使用。
1N5819的特点是速度超快（开关损耗低），压降特低（电压损耗低），不过耐压也低，通常少于60V,适用于低压(<=12V)开关电源。
普通二级管快恢复速度中，压降大，耐压高，适用于高压(>12V~1000V)开关电源。
1N4148是点接触型的小电流整流管，速度高，不过电流才50mA，1N5819二极管的另一个用途是稳压--利用反向特性。
所以，耐压底，而电流又不大的时候，可以考虑用稳压管代替。
1N5819管的反向漏电比较大一点。
但是电容小。
速度快。
但是还没1N4148快，毕竟人家的用途是高频检波，而不是整流。
1N4148和1N4007的区别:1N4148和1N4007在一般小电流（100mA以下，反向电压100V以下）、不重要场合可应急能互相替换，1N4148是小电流开关管，100V耐压,1N4007是整流管,1A-1000V.代用型号都很多的种类一、整流二极管利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。
二、检波二极管把叠加在高频再波中的低频信号检测出来的器件，具有较高的检波频率和良好的频率特性，其在收音机中起检波作用。
三、开关二极管由于半导体二极管在正向偏压下导通电阻很小，而在施加反向偏压截止时，截止电阻很大，在开关电路中利用半导体二极管的这种单向导电特性就可以对电流起到接通和关断的作用。
四、稳压二极管稳压二极管，又名齐纳二极管，是利用PN结反向击穿时电压基本上不随电流变化而变化的特点来达到稳压的目的，因而其在电路中起到的作用就是稳压作用。
五、快速恢复二极管（FRD）这是一种新型的半导体二极管，其开关特性好，反向恢复时间短，常用于高频开关电源中做整流二极管。
彩电等家用电器采用开关电源供电的整流二极管通常为此类二极管，而不能是普通的整流二极管，否则电器将可能不能正常工作。
各类型二极管英汉
diode[5daiEud]n.二极管diode[5daIEJd]n.〈电〉二级管diodeAHD:[do“?d”]D.J.:[6dai7oud]K.K.:[6da!7od]n.An electronic device that restricts current flow chiefly to one direction. 二极管将电流主要限制于一个方向的电子设备，An electron tube having a cathode and an anode.电子二极管有一个阳极和一个阴极的电子管A two-terminal semiconductor device used chiefly as a rectifier.半导体二极管主要作为整流器使用的一个有两端的半导体设备diode[5daiEud]n.【电子】二极管abrupt junction diode突变结二极管absorber diode吸收二极管alkali ion diode碱离子二极管alloy junction diode合金结二极管alloyed diode合金(型)二极管antilog diode反对数二极管back-to-back diode背对背二极管backward diode反向二极管band switching diode波段转换开关二极管barrier injection transit-time diode 势越二极管base-collector diode基极集电极二极管biased diode偏压二极管bilateral diode双向二极管bonded NR diode键合负阻二极管booster diode升压二极管bootstrap diode阴极负载二极管breakdown diode雪崩二极管, 击穿二极管bulk diode体效应二极管by-pass diode旁通二极管catching diode箝位二极管centering diode定心二极管channelling diode沟道(效应)二极管charge storage diode电荷存储二极管charging diode充电二极管clamping diode钳位二极管clipper diode削峰二极管cold-cathode gas diode冷阴极充气二极管collector-base diode集电极-基极二极管commutation diode整流二极管, 换向二极管compound diode复合二极管constant voltage diode稳压二极管crystal diode晶体二极管damper diode阻尼二极管damping diode阻尼二极管delayed diode阻尼二极管demodulator diode二极管解调器detector diode检波器二极管dielectric diode电介质二极管difference diode差分二极管diffused type diode扩散型二极管diffused-junction varactor diode扩散结变容二极管discharge diode放电二极管double base diode双基极二极管, 单结晶体管double drift region avalanche diode 双漂移雪崩二极管double heatsink diode双重散热片二极管dummy diode仿真二极管duo diode双二极管duplex diode双二极管efficiency diode效率二极管(高压整流用)阻尼二极管emission limited diode限幅发射二极管energy recovery diode能量恢复二极管, 升压二极管epitaxial p-n junction diode外延 p-n 结二极管equivalent diode等效二极管field-effect diode场效应二极管fixed-pattern generator using a Au-Si diode 金-硅二极管固定模式信号发生器fluid diode射流二极管four-layer diode四层二极管fuse diode熔式二极管gas diode充气二极管gas -filled diode充气二极管gate diode门二极管gate-controlled diode闸控二极管germanium diode锗二极管glass diode玻璃二极管gold bond type diode金键二极管gold-epitaxial silicon high-frequency diode 金-外延硅高频二极管grid-cathode diode栅-阴二极管heavy-duty diode大功率二极管heterojunction diode异质结二极管high-frequency diode高频二极管high-pressure gas-filled diode高压充气二极管high-voltage diode耐高压二极管hold-off diode闭锁二极管hot carrier diode热载流子二极管hot-cathode gas filled diode热阴极充气二极管hypercap diode变容二极管idealized diode理想二极管impact avalanch transit time diode碰撞雪崩渡越时间二极管inductance diode电感二极管infrared detection diode红外探测二极管infrared-emitting diode红外发射二极管injection diode注入二极管injection luminescent diode注入式发光二极管intrinsic-barrier diode本征势垒二极管isolating diode隔离二极管junction diode面结型二极管Ketter diode变容二极管laser diode激光器二极管laser detector diode激光检波二极管level shift diode电平移动二极管light sensitive diode光敏二极管light-emitting diode发光二极管lighthouse diode灯塔式二极管(电子管)lighting diode发光二极管limited space-charge accumulation diode 限累二极管limiter diode限幅二极管limiting-velocity diode限速二极管linear diode线性二极管locking diode锁定二极管, 自保持二极管log diode对数二极管logic diode逻辑二极管luminescence diode发光二极管luminescent diode发光二极管luminous diode发光二极管magneto diode磁敏二极管Matsushita pressure diode压敏二极管, 松下压敏二极管measuring diode测量用二极管mesa diode台面二极管metal-semiconductor diode金属-半导体二极管microminiature diode超小型二极管microwave diode微波二极管minitype voltage regulator diode 微型稳压二极管mixer diode混频器二极管mott-barrier diode莫特势垒二极管multiple diode复式二极管negative resistance diode负阻二极管noise diode噪声二极管octupler diode八倍频变容二极管相对连接的二极管optical diode光二极管optoelectronic diodes光电子二极管osaki diode隧道二级管oscillating diode振荡二极管parametric diode参数二极管, 参量二极管photosensitive diode光敏二极管photosensor diode光传感二极管, 光敏感二极管pick-off diode截止二极管p-i-n diode正-本-负二极管pin-photo diode针形光电管, 细光束光电管planar diode平面(型)二极管plane-parallel diode平行板二极管plasma diode等离子体二极管point-contact diode点接触型二极管press-fit diode压装二极管pressure-sensitive diode 压敏二极管protecting diode保护二极管pulse damping diode脉冲阻尼二极管pulsed laser diode脉冲激光二极管Read diode里德二极管recovery diode恢复二极管参考二极管, 恒压二极管ring diode环形二极管saturated diode饱和二极管selenium diode硒二极管semiconductor diode半导体二极管series diode串联二极管series-efficiency diode升压二极管(行扫描输出级用) shunt diode旁路二极管silicon diode硅二极管silicon alloy diode硅合金二极管silicon junction diode硅结二极管silicon photoelectric diode硅光电二极管silicon punch through diode硅穿通二极管silicon reference diode硅稳压二极管silver-bond diode银键二极管snapback diode阶跃恢复二极管snap off diode急变二极管, 阶跃恢复二极管stacked laser diode堆垛激光二极管steering diode控向二极管step-recovery diode阶跃恢复二极管, 急变二极管storage diode存储二极管surface barrier diode表面阻挡层二极管, 表面势垒二极管开关二极管temperature limited diode温度限制二极管temperature-compensated Zener diode 温度补偿齐纳二极管thermoelectric diode温差电二极管thin-film diode薄膜二极管three-contact diode三接点二极管three-layer diode三层二极管through diode穿通二级管transit-time microwave diode渡越时间微波二极管trigger diode触发二极管tunnel diode隧道二极管turbulent diode紊流二极管twin diode双二极管unilateral diode单向二极管valve action diode二极管的阀作用varactor diode变容二极管, 参量二极管variable capacitance diode变容二极管varicap diode变容二极管voltage regulator diode稳压二极管voltage variable brightness diode 随电压变化亮度的二极管voltage variable capacitance diode 压控变容二极管vortex diode涡流二极管Zener diode齐纳二极管, 稳压二极管。
n沟道场效应管 g极保护 稳压二极管
n沟道场效应管、g极保护和稳压二极管在电子领域中扮演着重要的角色。
它们在电路设计和电子设备中起到了关键作用。
本文将就这些主题展开探讨，并结合实际案例，帮助读者更深入地了解它们的原理、应用和意义。
1. n沟道场效应管n沟道场效应管（n-channel field-effect transistor，简称nMOS），是一种常用的场效应管，广泛应用于数字集成电路和模拟集成电路中。
它是一种三端设备，由门极、漏极和源极组成。
nMOS的工作原理是利用外加电压对n型场效应管的导电能力进行控制。
当门极施加正电压时，会形成电场，使得漏极和源极之间的导电能力发生变化，从而实现电流的控制。
在实际应用中，nMOS常用于数字电路的开关、放大器和存储器等方面。
在CPU中，nMOS被广泛应用于逻辑门的设计，可实现高速、低功耗的逻辑运算。
另外，nMOS还可以组成存储单元，用于实现数据的存储和读取。
2. g极保护g极保护，是指在电路中对极间电容的保护措施。
在集成电路中，由于晶体管内部的结构和工作原理，极间存在电容。
而当电路工作时，极间电容会受到外部干扰，产生电荷累积，进而影响电路的正常工作。
为了解决这一问题，工程师们提出了各种g极保护方法，如电容隔离、电磁屏蔽、增加接地等。
通过这些措施，可以有效降低极间电容的影响，保证电路的可靠性和稳定性。
3. 稳压二极管稳压二极管是一种特殊的二极管，它具有稳定电压的特性。
在电子电路中，稳压二极管可以用来限制电压的变化范围，保护其他器件不受过压的损害。
它的工作原理是当电路中的电压超过设定值时，稳压二极管会自动打开，将多余的电压流入地，以保持电路的稳定工作状态。
在电源和信号处理电路中，稳压二极管被广泛应用。
例如在无线终端充电器中，稳压二极管可以用来保护电池免受过充和过放的损害；在音频放大器中，稳压二极管可以用来稳定电源电压，减少噪音和失真。
总结回顾通过对n沟道场效应管、g极保护和稳压二极管的讨论，我们可以看到这些器件在电子领域中的重要性。
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1N4148和1N5819的区别:
高频、低压、大电流特性是1N5819二极管与普通二极管的不同点，它广泛被应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流，续流、保护二极管使用。
1N5819的特点是速度超快（开关损耗低），压降特低（电压损耗低），不过耐压也低，通常少于60V,适用于低压(<=12V)开关电源。
普通二级管快恢复速度中，压降大，耐压高，适用于高压
(>12V~1000V)开关电源。
1N4148是点接触型的小电流整流管，速度高，不过电流才50mA，1N5819二极管的另一个用途是稳压--利用反向特性。
所以，耐压底，而电流又不大的时候，可以考虑用稳压管代替。
1N5819管的反向漏电比较大一点。
但是电容小。
速度快。
但是还没1N4148快，毕竟人家的用途是高频检波，而不是整流。
1N4148和1N4007的区别:
1N4148和1N4007在一般小电流（100mA以下，反向电压100V以下）、不重要场合可应急能互相替换，
1N4148是小电流开关管，100V耐压,
1N4007是整流管,1A-1000V.代用型号都很多的种类
一、整流二极管
利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。
二、检波二极管
把叠加在高频再波中的低频信号检测出来的器件，具有较高的检波频率和良好的频率特性，其在收音机中起检波作用。
三、开关二极管
由于半导体二极管在正向偏压下导通电阻很小，而在施加反向偏压截止时，截止电阻很大，在开关电路中利用半导体二极管的这种单向导电特性就可以对电流起到接通和关断的作用。
四、稳压二极管
稳压二极管，又名齐纳二极管，是利用PN结反向击穿时电压基本上不随电流变化而变化的特点来达到稳压的目的，因而其在电路中起到的作用就是稳压作用。
五、快速恢复二极管（FRD）
这是一种新型的半导体二极管，其开关特性好，反向恢复时间短，常用于高频开关电源中做整流二极管。
彩电等家用电器采用开关电源供电的整流二极管通常为此类二极管，而不能是普通的整流二极管，否则电器将可能不能正常工作。
六、肖特基二极管（SBD）
肖特基二极管，又称肖特基势垒二极管，简称SBD，是一种低功耗、大电流、超高速半导体器件。
其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培，这些优良特性都是快速恢复二极管所无法比拟的。
七、瞬态电压抑制二极管
简称TVS管，是在稳压管的工艺基础上发展的一种半导体器件。
其在两端电压高于额定值时，会瞬间导通，两端电阻将以极高的速度从高阻变为低阻，从而吸收一个极大的电流，将管子两端的电压钳位在一个预定的数值上。
此类二极管主要应用于快速过压保护电路中。
八、发光二极管
英文简称LED，是采用磷化镓、磷砷化镓等半导体材料制成的。
此类二极管除了具有单向导电特性之外，还可以将电能转换为光能。
其发光的颜色主要由制作管子的材料以及参入杂质的种类决定的，目前主要颜色有蓝色、绿色、黄色、红色、橙色、白色等。
九、雪崩二极管
雪崩二极管是在稳压管工艺上发展起来的一种微波功率器件，它在外加电压的作用下可以产生高频振荡。
长用于微波通信、雷达、战术导弹、遥控、遥测等设备当中。
十、双向触发二极管
双向触发二极管，又称二端交流器件（DIAC），它是一种硅双向电压触发开关器件。
当双向触发二极管两端施加的电压超过其击穿电压时导通，导通将持续到电流中断或降到器件的最小保持电流才能再次关断。
此类二极管通常用在过压保护电路、移相电路、晶闸管触发电路、定时电路中。
十一、变容二极管
变容二极管，简称VCD，是利用反向偏压来改变PN结电容量的特殊半导体器件。
它相当于一个容量可变的电容器，其两个电极之间的PN结电容大小，随加到变容二极管两端反向电压大小的改变而改变。
此类二极管主要用于彩电调谐回路（如彩电的高频头）中，作为一个可以通过控制的自动微调电容器。