电子技术基础第二章整流与滤波电路习题册
电子技术基础(含答案)
《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。
一、单选题1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。
A. 击穿B. 截止C. 放大D. 饱和2.二极管的主要特性是（）。
A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在N型半导体中（）。
A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A.放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。
A.50B.80C.100D.6.稳压管的稳压是其工作在（）。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。
A.饱和B.截止C.放大D.击穿10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A.大于B.小于C.等于D.大于或等于11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。
A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结反偏13.下列关于半导体的说确的是（）。
201X年《电子技术基础》复习资料(题目)
一、填空题1、多极放大电路常用的耦合方式有三种： 耦合、 耦合和 耦合。
2、半导体中中存在两种载流子： 和 。
纯净的半导体称为 ，它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为 。
杂质半导体分为两种： 半导体——多数载流子是电子；P 型半导体——多数载流子是 。
当把P 型半导体和N 型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个 ，这是制造半导体器件的基础。
3、在本征半导体中加入5价元素可形成 半导体，加入3价元素可形成 半导体。
4、对一个放大电路进行静态分析，首先应作该放大电路的 通路，而作，动态分析时，应作该放大电路的 通路。
若放大电路的静态工作点设置不合理或信号太大，在放大信号时会容易引起输出信号失真。
非线性失真分为 失真和 失真。
5、一只三极管的β＝50，当A I B μ10=时，集电极电流是 mA 。
6、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数 ；负反馈使放大倍数 ；但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是 ，交流负反馈能够 改善放大电路的 。
7、电压负反馈使输出 保持稳定，因而 了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而 了输出电阻。
串联负反馈 了放大电路的输入电阻；并联负反馈则 了输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态： 式、 式、 式和 式。
8、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的 成分，同时，尽量保留其中的 成分。
滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。
电容滤波适用于 电流，而电感滤波适用于 电流。
在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低 成分。
9、直流稳压电源一般由变压器电路、 及 和稳压电路四部分组成。
10、在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av= Av1是 放大器，Av2是 放大器，Av3是放大器。
11、集成运算放大器在状态和条件下，得出两个重要结论他们是：和( )12、基本门电路有门、门和门。
《电工技术》试题和答案解析__整流滤波电路
第一章整流滤波电路一、填空题1、（1-1，低）把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成 PN结。
2、（1-1，低）半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压导通，外加反偏电压截至。
3、（1-1，低）利用二极管的单向导电性，可将交流电变成直流电。
4、（1-1，低）根据二极管的单向导电性性，可使用万用表的R×1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越大越好。
5、（1-1，低）锗二极管工作在导通区时正向压降大约是0.3 ，死区电压是。
6、（1-1，低）硅二极管的工作电压为0.7 ，锗二极管的工作电压为0.3 。
7、（1-1，中）整流二极管的正向电阻越小，反向电阻越大，表明二极管的单向导电性能越好。
8、（1-1，低）杂质半导体分型半导体和型半导体两大类。
9、（1-1，低）半导体二极管的主要参数有、，此外还有、、等参数，选用二极管的时候也应注意。
10、（1-1，中）当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象雪崩。
11、（1-1，中）发光二极管是把能转变为能，它工作于状态；光电二极管是把能转变为能，它工作于状态。
12、（1-2，中）整流是把转变为。
滤波是将转变为。
电容滤波器适用于的场合，电感滤波器适用于的场合。
13、（1-1，中）设整流电路输入交流电压有效值为U2，则单相半波整流滤波电路的输出直流电压U L（AV）= ，单相桥式整流电容滤波器的输出直流电压U L（AV）= ，单相桥式整流电感滤波器的输出直流电压U L（AV）= 。
14、（1-1，中）除了用于作普通整流的二极管以外，请再列举出2种用于其他功能的二极管：，。
15、（1-1，低）常用的整流电路有和。
16、（1-2，中）为消除整流后直流电中的脉动成分，常将其通过滤波电路，常见的滤波电路有，，复合滤波电路。
17、（1-2，难）电容滤波器的输出电压的脉动τ与有关，τ愈大，输出电压脉动愈，输出直流电压也就愈。
《电子技术基础》练习册
第一章整流滤波电路一、填空题1、把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成。
2、半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压，外加反偏电压。
3、利用二极管的，可将交流电变成。
4、根据二极管的性，可使用万用表的R×1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越越好。
5、锗二极管工作在导通区时正向压降大约是，死区电压是。
6、硅二极管的工作电压为，锗二极管的工作电压为。
7、整流二极管的正向电阻越，反向电阻越，表明二极管的单向导电性能越好。
8、杂质半导体分型半导体和型半导体两大类。
9、半导体二极管的主要参数有、，此外还有、、等参数，选用二极管的时候也应注意。
10、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。
11、发光二极管是把能转变为能，它工作于状态；光电二极管是把能转变为能，它工作于状态。
12、整流是把转变为。
滤波是将转变为。
电容滤波器适用于的场合，电感滤波器适用于的场合。
13、设整流电路输入交流电压有效值为U2，则单相半波整流滤波电路的输出直流电压U L（AV）= ，单相桥式整流电容滤波器的输出直流电压U L（AV）= ，单相桥式整流电感滤波器的输出直流电压U L（AV）= 。
14、除了用于作普通整流的二极管以外，请再列举出2种用于其他功能的二极管：，。
15、常用的整流电路有和。
16、为消除整流后直流电中的脉动成分，常将其通过滤波电路，常见的滤波电路有，，复合滤波电路。
17、电容滤波器的输出电压的脉动τ与有关，τ愈大，输出电压脉动愈，输出直流电压也就愈。
18、桥式整流电容滤波电路和半波整流电容滤波电路相比，由于电容充放电过程（a.延长，b.缩短），因此输出电压更为（a.平滑，b.多毛刺），输出的直流电压幅度也更（a.高，b.低）。
二、选择题1、具有热敏特性的半导体材料受热后，半导体的导电性能将。
A、变好B、变差C、不变D、无法确定2、P型半导体是指在本征半导体中掺入微量的。
04《电子技术基础》单元练习(四)(滤波电路)
《电子技术基础》单元练习（四）滤波电路一、填空题1、所谓滤波，就是保留脉动直流电中的成分，尽可能滤除其中的成分，把脉动直流电变成直流电的过程。
2、滤波电路一般接在电路的后面，常用的滤波电路有滤波、滤波和滤波等几种。
3、滤波电路适用于大电流负载，滤波电路的直流输出电压高。
4、负载电阻RL的阻值越、滤波电路C的容量越，电容的滤波效果越好。
5、在大功率整流设备中，为防止故障，必须安装保护和保护的元器件。
6、负载电阻RL的阻值越、滤波电感L的电感受量越，电感滤波效果越好。
二、选择题1、半波整流电路加滤波电容后，正确的说法是（）A、输出电压不变B、二极管的导通时间变短C、二极管承受的最大反向电压不变2、整流滤波电路如图所示，设图中变压器的副边电压有效值V2=10V，参数满足R L C>>（2～5）T/2。
则输出电压平均值为（）A、10VB、14VC、16VD、12V3、在桥式整流电路中接入电容 C滤波后，输出直流电压较未加C时（）A、升高B、降低C、不变4、在桥式整流电路中接入电容 C滤波后，二极管的导通角（）A、变大B、变小C、不变5、在桥式整流电路中接入电容 C滤波后，外特性（）A、变好B、变坏C、不变6、在下图电路中，U2=10V，若电容C脱焊，则U C=（）A、4.5VB、9VC、2VD、4V7、在题6所示电路中，若某一个二极管接反，则（）A、变压器有半周被短路，会引起元器件损坏B、变为半波整流C、电容C将过压击穿D、稳压管将过流损坏8、在题6所示电路中，若某一个二极管脱焊，则（）A、变压器有半周被短路，会引起元器件损坏B、变为半波整流C、电容C将过压击穿D、稳压管将过流损坏三、分析计算题1、某单相半波整流电容电路，负载电阻RL为1KΩ，若要求负载两端的电压为100V，试确定：（1）画出电路图；（2）所用二极管的参数；（3）所用电容器的容量和耐压值。
2、单相全波整流电路电容滤波电路如图所示，已知U1=220V，RL=10Ω，并要求负载电压U L=12V。
电力电子技术复习习题
电⼒电⼦技术复习习题第1章电⼒电⼦器件填空题：1.电⼒电⼦器件⼀般⼯作在__开关__状态。
电⼦技术包括信息电⼦技术和电⼒电⼦技术两⼤类。
2.在通常情况下，电⼒电⼦器件功率损耗主要为__通态损耗__，⽽当器件开关频率较⾼时，功率损耗主要为__开关损耗___。
3.电⼒电⼦器件组成的系统，⼀般由__控制电路__、__驱动电路_、__主电路__三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加__保护电路___。
4.按内部电⼦和空⽳两种载流⼦参与导电的情况，电⼒电⼦器件可分为_单极型_、_双极型__、_复合型_三类。
5.电⼒⼆极管的⼯作特性可概括为_单向导电性_。
6.电⼒⼆极管的主要类型有_普通⼆极管_、_快恢复⼆极管_、_肖特基⼆极管_。
晶闸管派⽣器件：快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管。
7.肖特基⼆极管的开关损耗_⼩于_快恢复⼆极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本⼯作特性可概括为 _门极_ 正向有触发则导通、反向截⽌ ___关断_ 。
9.对同⼀晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值⼤⼩上有I L_=(2~4)_IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值⼤⼩上应为，UDRM_<_Ubo。
11.逆导晶闸管是将_⼆极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同⼀管芯上的功率集成器件。
12.GTO的_GTO元的阴极和门极并联_结构是为了便于实现门极控制关断⽽设计的。
13.功率晶体管GTR从⾼电压⼩电流向低电压⼤电流跃变的现象称为_击穿_。
14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截⽌区对应后者的_截⽌区_、前者的饱和区对应后者的_放⼤区_、前者的⾮饱和区对应后者的_饱和区_。
15.电⼒MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数，对器件并联时均流有利。
16.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升⾼⽽_下降_，开关速度_⼩于_电⼒MOSFET 。
电力电子技术第二章整流电路答案
21. 单相半波可控整流电路对电感负载供电， L ＝20mH ， U 2＝100V ，求当 α＝0 和 60 时的负载电流 I d ，并画出 u d 与 i d 波形。
解： α＝0 时，在电源电压 u 2 的正半周期晶闸管导通时，负载电感 导通时刻，负载电流为零。
在电源电压u 2 的负半周期，负载电感导通。
因此，在电源电压 u 2 的一个周期里，以下方程均成立：L di d 2U 2 sin tdt2考虑到初始条件：当 t ＝0时 i d ＝0可解方程得：2U 2 i d(1 cos t)L1 2 2U 22(1 cos t)d( t) L2U 2=2u d 与 i d 的波形如下图：量在 u 2负半周期180 ~300 期间释放，因此在 u 2 一个周期中 60 ~300 期间以下微分方程成 立： L d d itd2U 2 sin t其平均值为此时 u d 与 i d 的波形如下图：α ＝ 60 °时， L 储能， 电感 L 储藏的能L 储能，在晶闸管开始 L 释放能量，晶闸管继续I d考虑初始条件：当t ＝ 60 时 i d ＝ 0 可解方程得：i d2U 2 L 1( cos t)I d52U 2 1 33 2U L 2 (12 cos t)d( t) =2U 22L =11.25(A)2．图2-9 为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，问该变压器还有直流磁化问题吗？试说明：①晶闸管承受的最大反向电压为2 2U2 ；②当负载是电阻或电感时，其输出电压和电流的波形与单相全控桥时相同。
答：具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，该变压器没有直流磁化的问题。
因为单相全波可控整流电路变压器二次测绕组中，正负半周内上下绕组内电流的方向相反，波形对称，其一个周期内的平均电流为零，故不会有直流磁化的问题。
以下分析晶闸管承受最大反向电压及输出电压和电流波形的情况。
①以晶闸管VT 2为例。
电子技术基础与技能题库(三)
第一章：直流稳压电路第一节：整流滤波电路一、填空题1、整流是将交流电压转换为_________电压，但整流后的电压是脉动直流电压，含有交流成分。
2、全波整流电路负载两端的电压大约是变压器二次电压的_____倍。
3、滤波是从脉动直流电压中滤除交流分量，使之成为___________电压。
4、电容滤波即将电容器________连接于负载两端，滤除交流分量。
5、电感滤波即将电感器与________串联，以限制交流分量通过负载。
6、二极管最主要的特性是___________二、判断题1、二极管的正向电阻比反向电阻大。
（）2、二极管两端加上正向电压就能导通。
（）3、全波整流电路电容滤波负载上电压是二次电压的1.2倍。
（）4、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。
（）5、整流输出电压加电容滤波后，电压脉动减小了，输出电压也下降了。
（）6、在半波整流电路中，接入滤波电容时的输出电压平均值约等于变压器二次电压（）7、整流电路是直流电源的核心部分，它是利用二极管的单向导电性，将输入的交流电压转换为脉动的直流电压。
（）8、整流电路是直流电源的核心部分，它是利用二极管的单向导电性。
（）9、常用的整流电路有半波整流电路和桥式整流电路。
（）10、半波整流电路二极管流过的电流为负载上电流的一半。
（）11、电容滤波电路是利用电容两端电压不能突变，在电容充、放电过程中使输出电压趋于平滑。
（）12、电容滤波电路通常选电容比较大，效果越好。
（）13、稳压二极管稳压电路输出电流不受稳压二极管最大稳定电流的限制。
（）三、选择题1、二极管具有（)A、信号放大作用B、单向导电性C、双向导电性2、用万用表测得二极管的正、反向电阻都很大，则二极管（）A、特性良好B、已被击穿C、内部开路3、在用万用表测量二极管过程中，对于同一种二极管，用万用表不同的档位测出的正向电阻值不同，主要原因是（）A、万用表在不同的档位，其内阻不同B、二极管有非线性的伏安特性C、被测二极管质量差4、关于电容滤波，下列说法错误的是（）A、输出电压高B、在大电流是滤波效果好C、带负载能力差D、电源接通瞬间整流管要承受较大的浪涌电流5、关于电感滤波，下列说法错误的是（）A、体积小B、对变动的负载滤波效果好C、带负载能力好D、整流管不会受到浪涌电流的损害四、计算题1、有一直流负载，电阻为1.5KΩ，要求工作电流为10mA，如果采用半波整流电路，试求电源变压器二次电压为多少？2、有一直流负载需直流电压6V，直流电流0.4A，如果采用单相桥式整流电路，试求电源变压器二次电压为多少？流过二极管的平均电流为多少？第二节：直流稳压电源一、选择题1、用一只直流电压表测量一只接在电路中的稳压二极管（2CW13）的电压，读数只有0.7V，这种情况表明该稳压二极管（）A、工作正常B、接反C、已经击穿2、硅稳压二极管稳压电路中，硅稳压二极管必须与限流电阻串接，此限流电阻的作用是（）A、提供偏流B、仅是限制电流C、限流和调压3、一个稳压二极管稳压值为8V，另一个稳压二极管稳压值为7.5V，若把两个二极管的正极并接，再将负极并接，组成一个稳压电路该稳压值为（）A、8VB、7.5VC、15.5V二、填空题1、直流稳压电源是一种交流电网电压发生变化时，或负载变动时，能保持___________电压基本稳定的直流电源。
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第二章整流与滤波电路
一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）电容滤波适用于大电流场合，而电感滤波适用于高电压场合。
（）
（2）全波整流电路中，流过每个整流管的平均电流只有负载电流的一半。
（）
（3）单相桥式整流电容滤波电路中与单相半波整流电容滤波电路中，每个二极管承受的反向电压相同。
（）
（4）半波整流电路中，流过二极管的平均电流只有负载电流的一半。
（）
（5）硅稳压管并联型稳压电路的负载任意变化，稳压管都能起稳压作用。
（）
（6）电解电容的电极有正、负之分，使用时正极接高电位，负极接低电位。
（）
（7）任何电子电路都需要直流电源供电，因此需要直流稳压电源。
（）
（8）在整流电路后仅用电阻就构成滤波电路。
（）
（9）整流电路能将交流电压转换成单向脉动电压，是利用了二极管的单向导电性。
（（）
（10）全波整流电路中，其中一个整流管短路时对整流电路不影响，输出仍为全波整流。
（）
二、选择正确答案填入空内。
1、滤波电路中整流二极管的导通角较大，峰值电流很小，输出特性较好，适用于低电压、大电流场合的滤波电路是（）
A、电感
B、电容
C、复式
D、有源
分析如下图，选择正确答案填在括号内（第2题～第5题），已知U2=10V。
2、接入滤波电容后，输出直流电压为（）
A、升高
B、降低
C、不变
D、为零
3、接入滤波电容后，二极管的导通角为（）
A、加大
B、减小
C、不变
D、为零
4、输出电压的平均值U O约为（）
A、10V
B、14V
C、16V
D、12V
5、若D1短路，则（）
A、U0减小一半
B、U O不变
C、D3、D4发热
D、D2或变压器烧坏
分析如下图，选择正确答案填写在括号内（第6题～第11题）。
6、设U2有效值为10V，则电容两端电压为（）
A、 B、9V C、12V D、14V
7、若电容C脱焊，则Ui为（）
A、 B、9V C、12V D、14V
8、若二极管D4接反，则（）
A、变压器被短路，D1、D2或变压器被烧坏
B、变为半波整流
C、电容C将过压而击穿
D、稳压管过流而烧坏
9、若电阻R短路，则（）
A、U O将下降
B、变为半波整流
C、电容C将过压而击穿
D、稳定管过流而损坏
10、设电路正常工作，当电网电压波动而使U i增大时（负载不变），I R将增大，则I W将（）
A、增大
B、减小
C、基本不变
D、为零
11、设电路正常工作，当负载电流I O增大时（电网电压不变），I R将基本不变，则I W将（）
A、增大
B、减小
C、基本不变
D、为零
12、在单相整流电路中，流过负载电阻的电流是（）
A、交流电流
B、平滑直流
C、脉动直流
D、纹波电流
13、在单相桥式整流电路中，设变压器副边电压有效值为U2，若负载开路，则每只整流二极管承受的最高反向电压是（）
A、2U2
B、U2
C、2U2
D、U2
14、在单相桥式整流电路中，设变压器副边电压有效值为U2=100V，则负载两端平均电压是（）
A、100V
B、90V
C、45V
D、141V
15、在单相桥式整流电路中，如果某个整流二极管极性接反，则会出现（）现象
A、输出电压升高
B、输出电压为零
C、有半周短路，输出电压明显下降
D、输出电压不变
三、填空题
1、硅稳压管通常工作在区域。
2、整流电路将电压变成脉动的电压。
3、发光二极管是将信号转换成信号，光敏二极管是将信号转换成信号。
4、完成整流这一任务主要靠二极管的特性。
5、常见的几种单相整流电路有、、等电路。
6、的作用是将交流电网电压变成整流电路要求的交流电压。
7、全波整流电路中，在正弦交流电的整个周期内，两个二极管轮流，负载中均有电流通过。
8、桥式整流电路中，四个二极管承受的最大反向电压均为。
9、单相全波整流电路，实际上就是半波整流电路的组合。
10、由于全波整流电路充分利用了正弦交流电的正、负半周进行整流，故输出电压，输出电流。
相对于半波整流来说，输出电压和输出电流可增加倍，且脉动也比较。
四、分析与计算题
1、如下图，变压器次级电压有效值为10V，二极管为理想二极管，电容C足够大，求：
（1）开关S1、S2分别合上和全部都合上的三种情况下，直流输出电压的平均值约为多少
（2）若D1开路，在以上三种情况下，直流输出电压的平均值又各为多少
2、如图，当电路分别出现下述故障时，用万用表直流档测量输出电压UO应分别为多少（已知U2=20V）（1）D1被烧断、C开路
（2）D1接反
（3）RL开路
（4）C开路
3、电路如图所示，
（1）分析当UI升高时，该电路的稳压过程。
（2）试分析该电路是否允许R=0，为什么
4、如图，U2=120V，未加电容C时负载两端电压为多少加了滤波电容并在空载情况下直流电压为多少。