IGBT驱动器驱动能力计算

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北京落木源 IGBT驱动器TX-DE106D2产品手册 - 说明书

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高隔离电压的大功率IGBT二单元驱动板TX-DE106D2产品手册目录一、概述 (4)二、结构框图 (4)三、电气参数 (4)3.1 极限参数 (4)3.2 驱动特性 (5)3.3 工作条件 (6)3.4 短路保护特性 (6)3.5 对输入电源要求 (6)四、波形图 (7)4.1 正常驱动波形图 (7)4.3 说明 (7)五、尺寸结构和输入输出接口 (8)5.1 元器件位置示意图 (8)5.2 输入输出接口 (8)5.2.1 电源输入插座Jp (8)5.2.2 信号输入插座Js (8)5.2.3 驱动输出插座Jo1、Jo2 (9)六、应用电路说明 (9)6.1 DC/DC电源输入端Vdc的连接 (9)6.2 驱动板低压侧信号的连接 (9)6.2.1 逻辑电源Vdd (9)6.2.2 输入信号PWM (9)6.2.3 报警信号/Short (9)6.2.4 复位信号Reset (9)6.3 驱动板高压输出侧的连接 (9)6.3.1 驱动输出功率的计算 (9)6.3.2 IGBT的连接 (10)6.3.3 栅极电阻 (10)6.4 短路保护参数的设置 (10)6.4.1 短路保护阈值Vn的设置 (10)6.4.2 保护盲区Tblind的设置 (10)6.4.3 软关断时间Tsoft的设置 (11)6.5 驱动输出脉冲测试方法 (11)6.6 加装死区模块QP102的说明 (11)6.7 典型应用连接 (11)七、相关产品信息 (11)7.1 TX-KE106 (11)7.2 TX-PD106(DC-DC高隔离模块电源) (12)7.3 TX-QP102(死区控制芯片) (12)7.4 TX-DE106D1 (12)八、常见问题 (12)九、其它说明 (12)TX-DE106D2 高隔离电压、大电流IGBT 2单元驱动板一、概述∙ 高隔离电压二单元隔离驱动板,可驱动两只电压≤4500V 的 全系列IGBT 。

IGBT栅极驱动电阻的选择和计算

IGBT栅极驱动电阻的选择和计算

IGBT栅极驱动电阻的选择和计算韩朋乐【摘要】栅极电阻对IGBT的动态特性有很大影响,因此对栅极驱动电阻的选择进行探讨,分析了栅极电阻选择不当可能引发的问题,并给出了选择办法,最终通过一种实际的计算方式进行了计算分析.【期刊名称】《通信电源技术》【年(卷),期】2019(036)003【总页数】3页(P36-38)【关键词】栅极电阻;IGBT;动态特性【作者】韩朋乐【作者单位】国家知识产权局专利局专利审查协作河南中心,河南郑州 450001【正文语种】中文0 引言IGBT是常用的电力电子开关元件,其驱动输入端呈现容性。

当使用PWM信号对IGBT进行控制驱动时,信号会通过栅极驱动电阻对器件的输入端进行充放电。

因此,栅极电阻对IGBT的开关时间、损耗等开关参数有重要影响,也决定了开关过程的EMI干扰和电压、电流的上升下降速率。

所以,栅极驱动电阻的大小对IGBT 驱动电路的设计重要性不言而喻。

现有的各种数据手册中一般仅仅给出驱动电阻的测试典型值,并未对其大小进行选择计算。

因此,本文着眼于这一问题,给出了驱动电阻的选择和计算方法。

1 由栅极电阻引起的误动作1.1 与IGBT结电容相关联的误开通IGBT的集电极-栅极和发射极-栅极之间存在着结电容,分别是CCG和CCE,是由器件的固有工艺结构引起的。

当IGBT关断时,由于线路中的感性,使得电流并不会立即消失,而是寻找合适的通路。

同时,突变的电压会引起这一电流通路,结电容的存在使得关断电流沿着栅极驱动电阻到地。

当这一电流足够大时,栅极会产生一个足够高的电压,使得器件开通[1],如图1所示。

其中,RDriver是驱动芯片的输出等效电阻,栅极驱动电阻是RGon/off,IGBT栅极的等效电阻是RGint。

在开关管关断时,开关管两端电压产生突变,变化的电压会在结电容CCG两端产生电流:因此,结电容CCG会不断充电。

CCG和CGE相互串联,进行分压。

电流iCG通过结电容CCG、驱动电阻RGon/off、CGE回到驱动地,于是栅极电阻两端会产生一个并不需要的电平:当这一电平值的大小超过IGBT的开通阈值电压时,IGBT就会发生误开通。

基于M57962L的IGBT驱动电路

基于M57962L的IGBT驱动电路

基于M57962L的IGBT驱动电路【摘要】IGBT具有开关速度快、栅极驱动电流小、驱动功率大等特点得到广泛应用。

针对IGBT 驱动的实际要求,介绍了IGBT工作特性,并利用M57962L 设计出一种适用的IGBT驱动电路。

【关键词】M57962L;IGBT;驱动;电路ABSTRACT:This article describes the IGBT gate drive circuit protection classification,analysis of the trends of the IGBT driver protection circuit,common IGBT drive optocoupler isolated,transformer isolated typical circuit analysis,and common market manufacturers.IGBT drive operating parameters and compares the performance analysis on the MOSFET fault in the engineering practice to discuss the principle of selection of IGBT driver reference.KEY WORDS:M57962L;IGBT;drive;circuit引言IGBT是一种新型功率器件,即绝缘栅极双极集体管(Isolated Gate Bipolar Transistor),是上世纪末出现的一种复合全控型电压驱动式电力电子器件。

它将GTR和MOSFET的优点集于一身:输入阻抗高,开关频率高,工作电流大等,在变频器、开关电源、弧焊电源等领域得到广泛地应用[1]。

IGBT具有一个2.5V~5.0V的阀值电压,有一个容性输入阻抗,因此IGBT 对栅极电荷集聚很敏感。

IGBT驱动电阻计算详解

IGBT驱动电阻计算详解

IGBT驱动电路参数计算详解电阻大功率IGBT 模块在使用中驱动器至关重要,本文介绍在特定应用条件下IGBT门极驱动性能参数的计算方法,经验公式及有关CONCEPT 驱动板的选型标准,得出的一些参数值可以作为选择一款合适IGBT驱动器的基本依据。

1 门极驱动的概念IGBT存在门极-发射极电容Cge,门极-集电极电容Cgc,我们将IGBT的门极等效电容定义为Cg,门极驱动回路的等效电路如下图所示:其本质是:一个脉冲电压源向RC电路进行充放电,对于这个电压源,有2个物理量我们需要关心,1.它的功率;2.它的峰值电流。

2 驱动功率的计算驱动器是用来控制功率器件的导通和关断。

为了实现此功能,驱动器对功率器件的门极进行充电以达到门极开通电压VGE_on,或者是对门极进行放电至门极关断电压VGE_off。

门极电压的两种电平间的转换过程中,在驱动器门极驱动电阻及功率器件组成的回路中产生一定的损耗。

这个参数我们称为驱动功率PDRV。

驱动器必须根据其所驱动的功率器件所需的驱动功率来选择。

驱动功率可以从门极电荷量QGate,开关频率fIN,以及驱动器实际输出电压摆幅ΔVGate 计算得出:P DRV = Q Gate * f IN * ΔV Gate (Eq. 1)备注:P DRV: 驱动器每通道输出功率;f IN: IGBT开关频率;Q Gate :IGBT门极电荷,可从规格书第一页查出,不同IGBT该数值不同;ΔV Gate:门极驱动电压摆幅,等于驱动正压+U 和负压–U 之间差值。

如果门极回路放置了一个电容CGE (辅助门极电容),那么驱动器也需要对该电容进行充放电,如图1 所示:图1.带外接阻容的门级驱动只要CGE 在一个周期内被完全的充放电,那么RGE 值并不影响所需驱动功率。

驱动功率可以从以下公式得出:P DRV = Q GATE * f IN *ΔV GATE + C GE * f IN*ΔV GATE2(Eq. 2)这个功率是每个IGBT 驱动时必须的,但门极的充放电是没有能量损失的,这个功率实际上损失在驱动电阻及外部电路中。

igbt功耗计算

igbt功耗计算

1IGBT 的驱动特性及功率计算陈暹辉深圳裕能达电气有限公司摘要:根据目前市场的使用情况,介绍IGBT 的驱动特性及不同功率计算。

关键词:开通损耗 关断损耗 栅极电阻 导通压降 短路时间1 IGBT 的驱动特性1.1 驱动特性的主要影响因素IGBT 的驱动条件与IGBT 的特性密切相关。

设计栅极驱动电路时,应特别注意开通特性、负载短路能力和d v /d t 引起的误触发等问题。

栅极电压 U ge 增加(应注意U ge 过高而损坏IGBT ),则通态电压下降(Eon 也下降),如图1所示(此处以200 A IGBT 为例)。

由图1中可看出,若U ge 固定不变时,导通电压将随集电极电流增大而增高,如图1 a ,电流容量将随结温升高而减少(NPT 工艺正温度特性的体现)如图1b 所示。

(a )Uge 与Uce 和Ic 的关系 (b )Uge 与Ic 和Tvj 的关系图1 栅极电压U ge 与U ce 和T vj 的关系栅极电压 U ge 直接影响 IGBT 的可靠运行,栅极电压增高时有利于减小IGBT 的开通损耗和导通损耗,但同时将使IGBT 能承受的短路时间变短(10 μs 以下),使续流二极管反向恢复过电压增大,所以务必控制好栅极电压的变化范围,一般V ge 可选择在-10~+15 V 之间,关断电压-10 V ,开通电压+15 V 。

开关时U ge 与I g 的关系曲线见图2 a 和图2 b 所示。

栅极电阻R g 增加,将使IGBT 的开通与关断时间增加,使开通与关断能耗均增加,但同时,可以使续流二极管的反恢复过电压减小,同时减少EMI 的影响。

而门极电阻减少,则又使d i /d t 增大,可能引发IGBT 误导通,但是,当R g 减少时,可(a)开通时 (b)关断时 图2 开关时U ge 与 I g 的关系曲线以使得IGBT 关断时由d u /d t 所带来误触发的可能性减小,同时也可以提高IGBT 承受短路能量的能力,所以R g 大小各有好坏,客户可根据自己设计特点选择。

IGBT基本参数详解

IGBT基本参数详解

第一部分IGBT模块静态参数1,:集射极阻断电压在可使用的结温范围内,栅极和发射极短路状况下,集射极最高电压.手册里一般为25℃下的数据,随着结温的降低,会逐渐降低.由于模块内外部的杂散电感,IGBT在关断时最容易超过限值。

2,:最大允许功耗在25℃时,IGBT开关的最大允许功率损耗,即通过结到壳的热阻所允许的最大耗散功率.其中,为结温,为环境温度。

二极管的最大功耗可以用同样的公式获得.在这里,顺便解释下这几个热阻,结到壳的热阻抗,乘以发热量获得结与壳的温差;芯片热源到周围空气的总热阻抗,乘以发热量获得器件温升;芯片结与PCB间的热阻抗,乘以单板散热量获得与单板的温差。

3,集电极直流电流在可以使用的结温范围流集射极的最大直流电流.根据最大耗散功率的定义,可以由最大耗散功率算出该值.所以给出一个额定电流,必须给出对应的结和外壳的温度。

)4,可重复的集电极峰值电流规定的脉冲条件下,可重复的集电极峰值电流.5,RBSOA,反偏安全工作区IGBT关断时的安全工作条件。

如果工作期间的最大结温不被超过,IGBT在规定的阻断电压下可以驱使两倍的额定电流。

6,短路电流短路时间不超过10us。

请注意,在双脉冲测试中,上管GE之间如果没有短路或负偏压,就很容易引起下管开通时,上管误导通,从而导致短路。

7,集射极导通饱和电压在额定电流条件下给出,Infineon的IGBT都具有正温度效应,适宜于并联。

随集电极电流增加而增加,随着增加而减小.可用于计算导通损耗.根据IGBT的传输特性,计算时,切线的点尽量靠近工作点。

对于SPWM方式,导通损耗由下式获得,M为调制因数;为输出峰值电流;为功率因数。

第二部分 IGBT模块动态参数1,模块内部栅极电阻为了实现模块内部芯片的均流,模块内部集成了栅极电阻,该电阻值常被当成总的驱动电阻的一部分计算IGBT驱动器的峰值电流能力.2,外部栅极电阻数据手册中往往给出的是最小推荐值,可以通过以下电路实现不同的和。

IGBT 的驱动特性及功率计算

IGBT 的驱动特性及功率计算

IGBT 的驱动特性及功率计算1 IGBT 的驱动特性1.1 驱动特性的主要影响因素IGBT的驱动条件与IGBT的特性密切相关。

设计栅极驱动电路时,应特别注意开通特性、负载短路能力和dv/dt 引起的误触发等问题。

栅极电压U ge增加(应注意U ge过高而损坏IGBT),则通态电压下降(E on也下降),如图1所示(此处以200A IGBT为例)。

由图1中可看出,若U ge固定不变时,导通电压将随集电极电流增大而增高,如图1a,电流容量将随结温升高而减少(NPT工艺正温度特性的体现)如图1b所示。

(a)Uge与Uce和Ic的关系(b)Uge与Ic和Tvj的关系图1 栅极电压U ge与U ce和T vj的关系栅极电压U ge直接影响IGBT 的可靠运行,栅极电压增高时有利于减小IGBT的开通损耗和导通损耗,但同时将使IGBT能承受的短路时间变短(10μs以下),使续流二极管反向恢复过电压增大,所以务必控制好栅极电压的变化范围,一般U ge可选择在-10~+15 V之间,关断电压-10 V,开通电压+15 V。

开关时U ge与I g的关系曲线见图2 a和图2 b所示。

(a)开通时 (b)关断时图2 开关时U ge与I c的关系曲线栅极电阻R g增加,将使IGBT的开通与关断时间增加,使开通与关断能耗均增加,但同时,可以使续流二极管的反恢复过电压减小,同时减少EMI的影响。

而门极电阻减少,则又使di/dt增大,可能引发IGBT误导通,但是,当R g减少时,可以使得IGBT关断时由du/dt 所带来误触发的可能性减小,同时也可以提高IGBT承受短路能量的能力,所以R g大小各有好坏,客户可根据自己设计特点选择。

图3为R g大小对开关特性的影响,损耗关系请参照图4所示。

图3 R g大小对开关特性的影响(di/dt 大小不同)图4 门极电阻R g与E on/E off由上述可得:IGBT 的特性随门极驱动条件的变化而变化,就象双极型晶体管的开关特性和安全工作区随基极驱动而变化一样。

(完整版)IGBT动态参数

(完整版)IGBT动态参数

IGBT模块参数详解二-IGBT动态参数IGBT模块动态参数是评估IGBT模块开关性能如开关频率、开关损耗、死区时间、驱动功率等的重要依据,本文重点讨论以下动态参数:模块内部栅极电阻、外部栅极电阻、外部栅极电容、IGBT寄生电容参数、栅极充电电荷、IGBT开关时间参数,结合IGBT模块静态参数可全面评估IGBT芯片的性能。

RGint:模块内部栅极电阻:为了实现模块内部芯片均流,模块内部集成有栅极电阻。

该电阻值应该被当成总的栅极电阻的一部分来计算IGBT驱动器的峰值电流能力。

RGext:外部栅极电阻:外部栅极电阻由用户设置,电阻值会影响IGBT的开关性能。

上图中开关测试条件中的栅极电阻为Rgext的最小推荐值。

用户可通过加装一个退耦合二极管设置不同的Rgon和Rgoff。

已知栅极电阻和驱动电压条件下,IGBT驱动理论峰值电流可由下式计算得到,其中栅极电阻值为内部及外部之和。

实际上,受限于驱动线路杂散电感及实际栅极驱动电路非理想开关特性,计算出的峰值电流无法达到。

如果驱动器的驱动能力不够,IGBT的开关性能将会受到严重的影响。

最小的Rgon由开通di/dt限制,最小的Rgoff由关断dv/dt限制,栅极电阻太小容易导致震荡甚至造成IGBT及二极管的损坏。

Cge:外部栅极电容:高压IGBT一般推荐外置Cge以降低栅极导通速度,开通的di/dt及dv/dt被减小,有利于降低受di/dt影响的开通损耗。

IGBT寄生电容参数:IGBT寄生电容是其芯片的内部结构固有的特性,芯片结构及简单的原理图如下图所示。

输入电容Cies及反馈电容Cres是衡量栅极驱动电路的根本要素,输出电容Coss限制开关转换过程的dv/dt,Coss造成的损耗一般可以被忽略。

其中:Cies = C GE + C GC:输入电容(输出短路)Coss = C GC + C EC:输出电容(输入短路)Cres = C GC:反馈电容(米勒电容)动态电容随着集电极与发射极电压的增加而减小,如下图所示。

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际最大值仍有可能超过 DC/DC 变换器的额定功率, 为了作这种校核, 我们可以在驱动板的输 入电源与输入电容之间加分流器或探针,用示波器进行观察测试。 注意:由于内部有 DC/DC 变换器,驱动板的输入电流纹波,可以通过在副边加低电 感电容和选择低 ESR 方式就近驱动 IGBT 以减少引线长度来降低。
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确定 BT 门极电荷以及门极电容
对于设计一个驱动器来讲,最重要的参数是门极电荷,在很多情况下,IGBT 数据手册 中这个参数没有给出,另外,门极电压在上升过程中的充电过程也未被描述。 无论如何, 门极的充电过程相对而言能够简单地通过测量得到。 因而要驱动一个 IGBT, 我们最好使用一个专用的驱动器。 除此之外, 在设计中至少我们知道在应用中所需的门极电 压(例如±15V) 。 首先,在负载端没有输出电压的情况下,我们可以作如下计算。门极电荷可以利用公式 计算: Q=∫idt=CΔU 确定了 Q, 我们可以用示波器观测门极电压,同时电压的上升ΔU 在测量中也能在示波 器上清楚的观测到。 (见图 1) 利用公式 CIN=Q/ΔU。实际的输入电容能够通过计算得到。 尤其要注意的是,在应用中,实际的输入结电容 CIN 在设计中是具有很大意义的。
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门极驱动电流的计算
驱动器的最大输出电流必须大于等于实际所需的门极驱动电流。计算公式如下: IGmax=
U RG (min)
ΔU 是整个门极上升电压,例如±15V 驱动,ΔU=30V。而 RG(min) 则是电路中选择的 最小驱动电阻。
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驱动板的选择
选择一个功率等级的驱动板,必须注意一下几点: 1) 驱动板必须提供所需的功率; 2) 最大的输出电流必须大于等于实际所需的 IGBT 门极电流。 驱动板输入电流不能超过手册中所标注的最大电流,至少不能重复出超,特别在高门极 电容 (并联电路) 情形和较低工作频率下, 这一点尤其需要校核。 对间隙性的脉冲同样如此。 在这两种情况下,尽管平均电流(通过电流表测得)低于手册中的规定值,但输入电流的实
所需的驱动功率: P=f*Q*ΔU=8*2150*30=0.516W 接下来,加上 0.4W 的内部功耗 0.516W+0.4W=0.916W 8K 频率下驱动器的内部开关损耗可以忽略不计。当门极电压低于±14V 而不是±15V 时,同样依据以上计算。这样在设计中留有一定的余量也是十分有益的。 。 如 RG =4.7Ω,那么 IGmax=
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Ciss 在折算中的经验公式
在 IGBT 手册中的电容值 Ciss,在实际电路应用中不是一个特别有用的参数,因为它是 通过电桥测得的, 由于测量电压太小而不能到达门极门槛电压, 在实际开关中增加的内部回 馈效应(Miller 效应)在测量中未被包括在内。在测量电路中,一个 25V 的电压加在集电极 “C”上,在这种测量构架下,所测结电容要比 Vce=0V 时要小一些。因此,Ciss 仅仅只能 在 IGBT 互相作比较时使用。 对于 SIEMENS 和 EUPEC 的 IGBT 而言, 下面的经验公式经过验证是较为准确可信的。 CIN=5Ciss (Ciss 可从 IGBT 手册中得到)
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引言
我们在选择和设计 IGBT 驱动器时经常会碰到一些问题和不确定因素。 部分原因是厂家 对 IGBT 描述的不够充分; 另一方面是由于 IGBT 手册中所给的输入结电容 Ciss 值与在应用 中的实际的输入结电容值相差甚远。依据手册中的 Ciss 值作设计,令许多开发人员走入歧 途。下面给出了不同功率等级的驱动电路选择和设计的正确计算的步骤。
6
计算实例
对于一个 200A 的 IGBT 模块, 选择 EUPEC 公司的 BSM200GB120DN2, 工作频率在 8KHZ. 第一个参数门极电荷测量波形如图一所示: Q 及ΔU 值通过示波器可测得: Q=2150nAs ΔU=30V 门极电容 CIN=
Q 2150 As = =71.6nF U 30V
IGBT Drivers
Wang Yingbo
Correctly
Li Haijin
Calculated
Chen Shijun
(Wuhan Newrock Electric Technology co.,ltd, Wuhan,Hubei 430072,China) Abstract:The drivers of high power rate IGBT is important in power electronics. This paper introduces what you must know when dimensioning an IGBT driver, and choices about concept driver. Keywords: IGBT; driver; the gate charge
U 30 = =6.4A RG 4 .7
在这种情况下,我们最终选择了 IHD280 半桥电路驱动板,其典型参数是:内部 DC/DC 变换器功率为 2W, 每个通道 1W,最大的驱动能力是 8A.。
7
结语
依据以上所述的分析计算方法,我们可以设计和选择一个能满足我们实际需要的 IGBT 驱动器。
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驱动功率的计算
在输入结电容中存贮的能量可通过如下计算: W= 1 2 CINΔU
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这里,ΔU 是门极上上升的整个电压。比如,在±15V 驱动电压下,ΔU 是 30V。 在每个工作周期,门极被充电二次。一个 IGBT 所需的驱动功率计算如下: P=f ·CIN·ΔU
2
如门极电荷先前已通过测量得到,则 P=f ·Q·ΔU 这个功率是每个 IGBT 驱动时必须的,但门极的充放电是没有能量损失的,这个功 率实际上损失在驱动电阻及外部电路中。 注意:这个功率是表示在电路中实际需要的,而在驱动电路中的其它损耗(包括供 电电源损耗)不包含在内。 驱动器中 DC/DC 变换器的总输出功率在 concept 公司智能驱动板说明书中被标明 了,对于半桥电路驱动器,由于总变换器功率被标明了,因此总输出功率的一半即是每 个通道的功率。另外,还有一部分功率损失在驱动电路元件中。总功率损耗通常是由一 个静态的、固定的损耗加上最终驱动损耗组成。 Concept 驱动板静态损耗描述如下: IHD215/280/680 每个通道 0.4W IHD580FX 每个通道 0.8W IGD608/615AX 整个板 0.5W IGD508/515EX(无光藕元件) 0.5W 在 IGD508/515 中,光藕的发送及接收所损失的功率应被计算在内。光藕接收器所 用的 5V 电源是由外部 16V 供电电源线性变换得来, 这部分的损耗应该用+16V 乘以电流 计算,而不是用+5V 计算。 每个通道的静态损耗也可通过测量得到,具体如下: 断开输入侧的电压供应(DC/DC 变换器的逆流) ,16V 的电压直接加在 Cs , COM 脚 两端(等效副边电容) 。驱动板在静态时的消耗电流(没有输入脉冲时)同有脉冲工作 时一样,能够直接从电路中的电流表读出。
IGBT 驱动器驱动能力的计算
王映波, 李海金, 陈诗君
(武汉新瑞科电气技术有限公司,湖北,武汉 430072) 摘要:大功率 IGBT 在使用中驱动器至关重要,本文给出了不同功率等级 IGBT 驱动器的设计计算方法, 经验公式及有关 CONCEPT 驱动板的选型标准。 关键字:IGBT;驱动器;门极电荷
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