大连理工大学805半导体物理2020年考研专业课初试大纲
大连理工大学《半导体物理》考研重点
大工《半导体物理》考研重点第一章、半导体中的电子状态●了解半导体的三种常见晶体结构即金刚石型、闪锌矿和纤锌矿型结构；以及两种化合键形式即共价键和离子键在不同结构中的特点。
●了解电子的共有化运动；●理解能带不同形式导带、价带、禁带的形成；导体、半导体、绝缘体的能带与导电性能的差异；●掌握本征激发的概念。
●理解半导体中电子的平均速度和加速度；●掌握半导体有效质量的概念、意义和计算。
●理解本征半导体的导电机构；●掌握半导体空穴的概念及其特点。
●理解典型半导体材料锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。
重要术语：1.允带2.电子的有效质量3.禁带4.本征半导体5.本征激发6.空穴7.空穴的有效质量知识点：学完本章后，学生应具备以下能力：1.对单晶中的允带和禁带的概念进行定性的讨论。
2.讨论硅中能带的分裂。
3.根据K-k关系曲线论述有效质量的定义，并讨论它对于晶体中粒子运动的意义。
4.本征半导体与本征激发的概念。
5.讨论空穴的概念。
6.定性地讨论金属、绝缘体和半导体在能带方面的差异。
第二章、半导体中的杂质和缺陷能级●掌握锗、硅晶体中的浅能级形成原因，多子和少子的概念；●了解浅能级杂质电离能的计算；●了解杂质补偿作用及其产生的原因；。
●了解锗、硅晶体中深能级杂质的特点和作用；●理解错误!未找到引用源。
-错误!未找到引用源。
族化合物中的杂质能级的形成及特点；●了解等电子陷阱、等电子络合物以及两性杂质的概念；●了解缺陷（主要是两类点缺陷弗仑克耳缺陷和肖脱基缺陷）、位错（一种线缺陷）施主或受主能级的形成。
重要术语1.受主原子2.载流子电荷3.补偿半导体4.完全电离5.施主原子6.非本征半导体7.束缚态知识点：学完本章后，学生应具备如下能力：1.描述半导体内掺人施主与受主杂质后的影响。
2.理解完全电离的概念。
第三章热平衡时半导体中载流子的统计分布●掌握状态密度，费米能级的概念；●掌握载流子的费米统计分布和波尔兹曼统计分布；●掌握本征半导体的载流子浓度和费米能级公式推导和计算；●掌握非简并半导体载流子浓度和费米能级公式推导和计算、杂质半导体的载流子浓度以及费米能级随掺杂浓度以及温度变化的规律；●了解简并半导体及其简并化条件。
大连理工 考研 科目 参考 用书
科目编科目名称参考书目号101 政治理论国家统一命题111 单独考试政治理论我校自主命题，非单独考试考生不得选考201 英语国家统一命题202 俄语国家统一命题203 日语国家统一命题211 单独考试英语我校自主命题，非单独考试考生不得选考212 单独考试俄语我校自主命题，非单独考试考生不得选考213 单独考试日语我校自主命题，非单独考试考生不得选考216 英语各大学外语专业二外使用教材217 日语各大学外语专业二外使用教材218 俄语各大学外语专业二外使用教材219 德语各大学外语专业二外使用教材220 法语各大学外语专业二外使用教材301 数学一国家统一命题302 数学二国家统一命题303 数学三国家统一命题311 教育学专业基础综合国家统一命题312 心理学专业基础综合国家统一命题313 历史学专业基础国家统一命题314 数学(农) 国家统一命题315 化学(农) 国家统一命题360 数学物理方法《数学物理方法》编者：梁昆淼，高等教育出版社361 数学分析《数学分析》编者：李成章、黄玉民，科学出版社，2005年第二版408 计算机学科专业基础综国家统一命题合414 植物生理学与生物化学国家统一命题611 单独考试数学我校自主命题，非单独考试考生不得选考614 基础英语各大学英语专业使用教材615 日语水平测试各大学高年级专业日语教材616 综合俄语各大学俄语专业使用教材618 现代汉语①《现代汉语》编者：黄伯荣、廖序东高等教育出版社2007年增订四版②《现代汉语语法研究教程》编者：陆俭明，北京大学出版社，2005年版619 传播学《传播学原理》，编者：张国良复旦大学出版社1995年12月《传播学教程》，编者：郭庆光中国人民大学出版社1999年11月620 民商法原理《民法》编者：魏振瀛，北京大学出版社、高等教育出版社，第三版《商法》编者：范健，北京大学出版社、高等教育出版社，第三版621 马克思主义哲学原理《马克思主义哲学原理》编者：陈先达，中国人民大学出版社，第二版《马克思主义哲学教程》编者赵家祥，聂锦芳，张立波，北京大学出版社，2003年622 管理学基础（1）《管理学》编者：汪克夷等，大连理工大学出版社，2006年第4版（2）《行政管理学》编者：夏书章，高等教育出版社、中山大学出版社，2008年版（3）《教育管理学》编者：陈孝彬，北京师范大学出版社，1999年修订本注：（2）、（3）任选其一623 城市规划历史与理论《中国城市建设史》中国建筑工业出版社《外国城市建设史》中国建筑工业出版社《城市规划原理》中国建筑工业出版社（第3版）624 建筑设计理论综合《中国建筑史》中国建筑工业出版社《外国建筑史（19世纪末叶以前）》中国建筑工业出版社《外国近现代建筑史》中国建筑工业出版社625 中外美术史《中国美术史》洪再新编著，中国美术学院出版社《外国美术简史》中央美术学院美术史系外国美术史教研室编著，高等教育出版社或中国青年出版社626 分析化学及分析化学实《分析化学》编者宫为民等，大连理工大学出版社，2006年第三版验《仪器分析》编者刘志广等，大连理工大学出版社，2007年第二版627 药物化学《药物化学》郑虎主编，第五版，人民卫生出版社《药物化学》，仉文生，李安良主编，高等教育出版社630 无机化学《无机化学》无机化学教研室主编，高等教育出版社，2006 第五版631 分子生物学《现代分子生物学》编者：朱玉贤、李毅,北京高等教育出版社636 体育学专业基础综合《学校体育学》人民体育出版社出版，周登嵩主编，2004《运动训练学》人民体育出版社，体育院校通用教材《运动生理学》人民体育出版社，体育院校通用教材678 社会保障学《社会保障学》编者：陈树文、郭文臣，大连理工大学出版社，第一版501 建筑设计（6小时）《中国建筑史》建工出版社《外国建筑史（19世纪末以前）》建工出版社《建筑空间组合论》编者：彭一刚502 规划设计（6小时）《城市规划资料集》中国建筑工业出版社，第5、6分册，城市设计503 命题创作（手绘）（6小时)801 英语专业综合语言学部分（50分）：参考书目：《语言学教程》（修订版），胡壮麟，北京大学出版社。
半导体物理教学大纲
《半导体物理》教学大纲课程名称：半导体物理学英文名称：Semiconductor Physics课程编号：课程类别：专业选修课使用对象：应用物理、电信专业本科生总学时： 48 学分： 3先修课程：热力学与统计物理学；量子力学；固体物理学使用教材：《半导体物理学》刘恩科等主编，电子工业出版社出版一、课程性质、目的和任务本课程是高等学校应用物理专业、电子与信息专业本科生的专业选修课。
本课程的目的和任务是：通过本课程的学习使学生获得半导体物理方面的基本理论、基本知识和方法。
通过本课程的学习要为应用物理与电信专业本科生的半导体集成电路、激光原理与器件、功能材料等后续课程的学习奠定必要的理论基础二、教学内容及要求本课程所使用的教材，共13章，概括可分为四大部分。
第1～5章，晶体半导体的基本知识和性质的阐述；第6～9章归结为半导体的接触现象；第10～12章，半导体的各种特殊效应；第13章，非晶态半导体。
全部课堂教学为48学时，对上述内容作了必要的精简。
10～13章全部不在课堂讲授，留给学生自学或参考，其他各章的内容也作了部分栅减。
具体内容和要求如下：第1章半导体中的电子状态1.半导体的晶格结构和结合性质2.半导体中的电子状态和能带3.半导体中电子的运动有效质量4.本征半导体的导电机构空穴5.回旋共振6.硅和锗的能带结构7.III-V族化合物半导体的能带结构8.II-VI族化合物半导体的能带结构9.Si1-xGex合金的能带10.宽禁带半导体材料基本要求：将固体物理的晶体结构和能带论的知识应用到半导体中，以深入了解半导体中的电子状态；明确回旋共振实验的目的、意义和原理，进而了解主要半导体材料的能带结构。
（限于学时，本章的第7-10节可不讲授，留学生参阅，不作具体要求）。
重点：半导体中的电子运动；有效质量；空穴概念。
难点：能带论的定性描述和理解；锗、硅、砷化镓能带结构第2章半导体中杂质和缺陷能级1.硅、锗晶体中的杂质能级2.III-V族化合物中的杂质能级3.氮化镓、氮化铝、氮化硅中的杂质能级4.缺陷、位错能级基本要求：根据不同杂质在半导体禁带中引入能级的情况，了解其性质和作用，由其分清浅杂质能级（施主和受主）和深能级杂质的性质和作用；了解缺陷、位错能级的特点和作用。
哈尔滨工业大学805物理光学2020年考研专业课初试大纲
2020年硕士研究生入学考试大纲
考试科目名称：物理光学考试科目代码：[805]
一、考试要求：
要求考生全面系统地掌握物理光学的基本概念和基本理论，具有较强的综合分析问题的能力，灵活运用所学知识解决实际问题。
二、考试内容：
1）光在各向同性介质中的传输特性
a: 光波的特性
b: 光波在各向同性介质界面上的反射和折射
c: 光波在金属表面上的反射和折射
d: 光的吸收、色散和散射
2) 光的干涉和干涉仪
a: 双光束干涉（分波前、分振幅）
b: 平行平板多光束干涉
c: 典型干涉仪及其应用（迈克耳逊干涉仪、法布里—珀罗干涉仪、马赫—泽德干涉仪、平面干涉仪、泰曼干涉仪等）
d: 光的相干性（条纹对比度、干涉的定域性）
3）光的衍射及其应用
a: 光的衍射基础理论
b: 夫琅和费衍射
c: 菲涅耳衍射
d: 衍射的应用（光学系统的分辨本领、衍射光栅）
4）光在各向异性介质中的传输特性
a: 理想单色平面光波在晶体中的传播(光在晶体中传播的几何法描述)
b: 光波在晶体表面上的反射和折射（光在晶体表面上的双折射、双反射）
c: 晶体光学元件（各种偏振棱镜、波片、补偿器）
d: 晶体的偏光干涉（马吕斯定律、平行偏振光的干涉）
e: 晶体的感应双折射(电光效应、法拉第效应)。
2023 804半导体物理大纲
2023年804半导体物理大纲一、导言在当今信息社会，半导体技术正在发挥着日益重要的作用。
而要学习半导体技术，就必须首先了解半导体物理这门学科的基本知识。
本文将介绍2023年804半导体物理的大纲内容。
二、大纲内容1. 半导体基本概念(1) 半导体的定义和特性(2) 半导体材料的分类与特点(3) 禁带宽度和载流子2. 半导体的基本物理过程(1) 载流子的产生与复合(2) PN结的形成和特性(3) 势垒和击穿电压3. 半导体器件(1) PN结二极管的特性和应用(2) 晶体管的结构和工作原理(3) MOS场效应管的特性和应用4. 半导体材料特性(1) 硅(Si)材料的物理特性(2) 加工工艺与性能测试(3) 新型半导体材料的研究进展5. 半导体器件的制造工艺(1) 制造工艺的基本流程(2) 光刻、腐蚀、沉积等工艺的原理和方法(3) 半导体器件的后工艺处理6. 半导体器件的应用(1) 信息通信领域(2) 光电子领域(3) 消费电子领域三、大纲解读本大纲内容涵盖了半导体物理学科的基本理论、典型器件原理和制造工艺，并涉及到半导体材料的特性和应用。
通过学习这些内容，能够使学生对半导体物理学科有一个系统和全面的了解，为今后从事相关领域的研究和应用打下良好的基础。
四、总结半导体技术的发展日新月异，学习半导体物理知识已经成为大势所趋。
深入了解半导体物理的基本知识和原理是十分必要的。
希望通过本文的介绍，能够对读者理解2023年804半导体物理大纲内容有所帮助。
在2023年，半导体技术已经成为信息技术、通信、光电子、消费电子等领域的关键支撑，半导体物理的重要性也日益凸显。
在这样的背景下，学习半导体物理已经成为许多科学技术专业的必修课程。
2023年804半导体物理大纲的内容将更加注重半导体技术的前沿研究和创新应用，以适应日益发展的半导体产业需求。
在半导体基本概念部分，除了介绍半导体的定义和特性外，还将加入对新型半导体材料如石墨烯、氮化镓等的介绍，以及其在半导体器件中的应用。
新版大连理工大学电子科学与技术考研经验考研参考书考研真题
新版⼤连理⼯⼤学电⼦科学与技术考研经验考研参考书考研真题考研是我⼀直都有的想法，从上⼤学第⼀天开始就更加坚定了我的这个决定。
我是从⼤三寒假学习开始备考的。
当时也在⽹上看了很多经验贴，可是也许是学习⽅法的问题，⾃⼰的学习效率⼀直不⾼，后来学姐告诉我要给⾃⼰制定完善的复习计划，并且按照计划复习。
于是回到学校以后，制定了第⼀轮复习计划，那个时候已经是5⽉了。
开始基础复习的时候，是在⽹上找了⼀下教程视频，然后跟着教材进⾏学习，先是对基础知识进⾏了了解，在5⽉-7⽉的时候在基础上加深了理解，对于第⼆轮的复习，⾃⼰还根据课本讲义画了知识构架图，是⾃⼰更能⼀⽬了然的掌握知识点。
8⽉⼀直到临近考试的时候，开始认真的刷真题，并且对那些⾃⼰不熟悉的知识点反复的加深印象，这也是⼀个⾃我提升的过程。
其实很庆幸⾃⼰坚持了下来，⾝边还是有⼀些朋友没有⾛到最后，做了⾃⼰的逃兵，所以希望每个⼈都坚持⾃⼰的梦想。
本⽂字数有点长，希望⼤家耐⼼看完。
⽂章结尾有我当时整理的详细资料，可⾃⾏下载，⼤家请看到最后。
⼀、⼤连理⼯⼤学电⼦科学与技术的初试科⽬为：（101）思想政治理论、（201）英语⼀、（301）数学⼀、(805)半导体物理或(851)电⼦技术⼆、(805)半导体物理参考书⽬为：《《半导体物理学》，编者：孟宪章、康昌鹤，吉林⼤学出版社或《半导体物理学讲义》(第六稿)，编者：胡礼中，⼤连理⼯⼤学教育书店出售三、(851)电⼦技术参考书⽬为：《电⼦技术基础—模拟部分》（第五版），编者：康华光，陈⼤钦，张林，⾼等教育出版社，2006年。
《数字电路与系统》，编者：戚⾦清、王兢，电⼦⼯业出版社，2016第3版关于英语其实我的英语基础还是⽐较差的，起码在考研之前，这让我在英语学习中有⼀个⾮常⼤的坎要过，不过好在只要过了这个坎，英语成绩⼀定会有⼀个⼤幅度的提升，为了度过这个坎，我⽤了整整两个⽉的时间去看英语，⽤到的资料就是⽊糖英语的真题和单词，什么娱乐活动都没有，就只是看英语不停的坎，付出了读⽂章读到恶⼼的代价，虽然当时觉得真的很痛苦，但是实际上现在想来还是值得的，毕竟英语的分数已经超乎我的想象。
半导体器件物理复习指导纲要.doc
4•导出NPN缓变基区晶体管：
1）基区的缓变杂质分布引入的自建电场:
2）基区内电子分布（3-55）：
3）电流（3-56）：
4）基区输运因子（3-59）：
解:1•教材P112-113推导
2•学习指导
5.利用和Z间的关系证明：o
证明：
比较，有：
06.根据基区电荷控制方程导出：（3-98）。
解：详见学习指导
%1.《半导体器件物理学习指导》孟庆巨编 吉林大学国家精品课程 网站一半导体器件物理
四•学生作业
五…历年期末试题
六.历年吉林大学微电了学与固体电了学专业攻读硕士学位研究生入 学试题及复试试题
第二章PN结
一.基本概念与问题解释(37个)
PN结同质结异质结O同型结O异型结O高低结金属-半导体结 突变结线性缓变结单边突变结空间电荷区中性区耗尽区耗尽 近似势垒区少子扩散区扩散近似正向注入反向抽取正偏复合 电流反偏产牛电流隧道电流产纶隧道电流的条件隧道二极管的 主要特点过渡电容(耗尽层电容)扩散电容等效电路反向瞬变 电荷贮存贮存电荷隧道击穿雪崩击穿 临界电场雪崩倍增因子 雪崩击穿判据
※乞导出基区穿通电压
解：见学习指导
三重要图、表（8个）
1.画出图3.6并根据图3-6说明BJT的放大作用。
解:教材P98-99
2.画出BJT电流分量示意图3.7,写出各极电流及极电流之间关系公 式。（3T）~ （3-4）。
解：教材P100
3.解释图3.13中的电流增益随集电极电流的变化。
解答：1•学习指导
2.学生作业
2-19（补）解答:学生作业。
五更高能力考察问题（3个）
1.利用少子分布示意图2-22定性解释PN结反向瞬变现象。
大连理工大学805 半导体 物理2021年考研专业课初试大纲
大连理工大学2021年硕士研究生入学考试大纲
科目代码：805 科目名称：半导体物理
主要内容如下：
1、晶体结构周期性、对称性、布拉伐格子、倒格子、常见晶体
的晶体结构。
2、一维单原子链振动、一维双原子链振动、玻恩/卡门边界条件、布里渊区、格波、声子概念、晶格中的缺陷和杂质。
3、半导体中的电子运动状态和能带、价带、导带、禁带、载流子、杂质能级和杂质补偿效应。
4、半导体中载流子的状态密度及费密分布函数、导带电子密度、价带空穴密度、本征半导体、杂质半导体和简并半导体。
5、半导体中的载流子散射、电导现象和霍耳效应。
6、半导体中非平衡载流子的产生和复合、载流子的连续性方程、非平衡载流子的连续性方程、非平衡载流子的扩散与漂移。
7、半导体中金属/半导体接触的整流现象、pn结及其整流现象、异质结。
8、半导体表面态与表面空间电荷区、表面场效应现象和MIS
结构、MOS的电容/电压特性。
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大连理工大学2020年硕士研究生入学考试大纲
科目代码：805 科目名称：半导体物理
试题分为简答题和分析题，其中简答题约占33%，分析题（计算题、推导、证明或画图题）约占67%，具体要求如下：
1、晶体结构周期性、对称性、布拉伐格子、倒格子、常见晶体的晶体结构。
2、一维单原子链振动、一维双原子链振动、玻恩/卡门边界条件、布里渊区、格波、
声子概念、晶格中的缺陷和杂质。
3、半导体中的电子运动状态和能带、价带、导带、禁带、载流子、杂质能级和杂质补
偿效应。
4、半导体中载流子的状态密度及费密分布函数、导带电子密度、价带空穴密度、本征
半导体、杂质半导体和简并半导体。
5、半导体中的载流子散射、电导现象和霍耳效应。
6、半导体中非平衡载流子的产生和复合、载流子的连续性方程、非平衡载流子的连续
性方程、非平衡载流子的扩散与漂移。
7、半导体中金属/半导体接触的整流现象、pn结及其整流现象、异质结。
8、半导体表面态与表面空间电荷区、表面场效应现象和MIS结构、MOS的电容/电压
特性。