模拟电子技术基础试题及复习资料
模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)
《模拟电子技术》复习试题一一、填空（每空1分，共20分）1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。
2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。
3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。
4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。
5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，T接成共基1组态，T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。
6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。
7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。
二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。
601.06===B C I I β， 985.01≈+=ββα （各1分，共2分）2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？R应如何接入？（在图中连接）f答：应接入电压串联负反馈（1分）R接法如图（1分）f（2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。
答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分）3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。
答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。
模拟电子技术基础试题汇总附有答案
模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。
A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。
( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生( B )失真。
( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。
A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。
B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。
C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。
D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。
7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。
A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b 变高。
8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A )A. －2.5VB. －5VC. －6.5VD. －7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入( C )。
模拟电子技术基础复习资料
模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是（空隙）, 而少数载流子是（自由电子）。
2. 在N型半导体中, 多数载流子是（电子）, 而少数载流子是（空隙）。
3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接（ N ）区, 电源的负极应接（ P ）区。
4．当PN结正向偏置时, 电源的正极应接（ P ）区, 电源的负极应接（ N ）区。
5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结（正向）偏置, 集电结（反向）偏置。
6．根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为（反向饱和）电流, 在室温下约等于（ 26mV ）。
7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（漏极）、（栅极）和（源极）与之相应。
8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用（电压取样）负反馈, 为稳定输出电流, 应采用（电流取样）负反馈。
9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用（串联－电压求和）负反馈, 为减少输出电阻, 应采用（电压取样）负反馈。
10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. ）。
11. 在BJT放大电路的三种组态中, （共集电极）组态输入电阻最大, 输出电阻最小。
（共射）组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。
12.在BJT放大电路的三种组态中，.共集电. ）组态的电压放大倍数小于1，.共.）组态的电流放大倍数小于1。
13. 差分放大电路的共模克制比KCMR＝（）, 通常希望差分放大电路的共模克制比越（大）越好。
14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区（高掺杂）, 二是基区很（薄）并掺杂浓度（最低）。
15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将（不变）, 而共模放大倍数将（减小）, 共模克制比将（增大）。
16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（阻容）, （变压器）和（直接）耦合三种。
17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是（零点漂移）。
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4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？
答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同？其导通和阻断的条件有什么不同？
答：普通二极管根据其单向导电性可知，阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通，反之阻断，可用于整流、钳位、限幅和电子开关；普通三极管在放大电路中起放大作用，在数字电子技术中起开关作用，普通三极管用于放大作用时，只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用，当发射极反偏时就会阻断放大信号通过；用作开关元件时，当发射结和集电结都正偏时，它就会饱和导通，当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时，晶体管就截止，阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件，只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构，有阳极，阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通，即：晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的，还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通（晶闸管一旦导通后，门控极即失去作用）；当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或者晶闸管在导通情况下，其主回路电压（或电流）减小到接近于零值时，晶闸管也会自动关断。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
模拟电子技术复习题+参考答案
模拟电子技术复习题+参考答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、差分放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：B2、射极输出器是典型的（）。
A、电压并联负反馈；B、电压串联负反馈。
C、电流串联负反馈；正确答案：B3、集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、直接耦合B、阻容耦合C、变压器耦合D、光电耦合正确答案：A4、二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。
（）A、对 :B、错正确答案：B5、若在本征硅中掺入适量的五价杂质元素，就可生成多子为自由电子的N型半导体。
A、正确 ;B、错误正确答案：A6、双极三极管是一种（）A、电流控制的电压源B、电流控制的电流源C、电压控制的电流源D、电压控制的电压源正确答案：B7、理想集成运放的输入电阻为（）。
A、0；B、不定。
C、∞；正确答案：C8、集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时，运放处于（）A、深度负反馈B、正反馈C、负反馈D、自激振荡正确答案：D9、NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现底削波时的失真为（）失真。
A、截止B、频率C、饱和D、交越正确答案：C10、基本放大电路中的主要放大对象是( )。
A、直流信号;B、交流信号;C、交直流信号均有。
正确答案：B11、晶体三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。
（）A、对 :B、错正确答案：B12、集成运放的非线性应用存在( )现象。
A、虚断;B、虚地;C、虚断和虚短。
正确答案：A13、若使晶体三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结反偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结反偏；C、发射结反偏、集电结正偏。
D、发射结正偏、集电结正偏；正确答案：B14、微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：A15、若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路，则电路中晶体三极管处于（）。
(完整版)模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。
填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
模拟电子技术基础试题库(附答案)
模拟电子技术基础试题库（附答案）一、选择题1. 下列哪种器件是双极型晶体管的三个电极名称？A. 发射极、基极、集电极B. 发射极、基极、地C. 发射极、基极、输入端D. 发射极、基极、输出端答案：A2. 下列哪种电路是模拟电子技术中最基本的放大电路？A. 差分放大电路B. 积分放大电路C. 微分放大电路D. 互补放大电路答案：A3. 下列哪种元件在放大电路中起到反馈作用？A. 电容B. 电感C. 电阻D. 运算放大器答案：A4. 下列哪种放大电路具有输入阻抗高、输出阻抗低的特点？A. 固定偏置放大电路B. 分压式偏置放大电路C. 串联型放大电路D. 并联型放大电路答案：B5. 下列哪种放大电路可以实现电压放大和倒相？A. common-emitter amplifier（共射放大器）B. common-base amplifier（共基放大器）C. common-collector amplifier（共集放大器）D. emitter-follower（发射极跟随器）答案：A6. 下列哪种放大电路具有电压放大倍数可调的特点？A. 固定偏置放大电路B. 分压式偏置放大电路C. 串联型放大电路D. 并联型放大电路答案：C7. 下列哪种电路可以实现信号的整流？A. 半波整流电路B. 全波整流电路C. 桥式整流电路D. 滤波电路答案：A8. 下列哪种电路可以实现信号的滤波？A. 半波整流电路B. 全波整流电路C. 桥式整流电路D. 滤波电路答案：D9. 下列哪种电路可以实现信号的积分和微分？A. 积分放大电路B. 微分放大电路C. 滤波电路D. 整流电路答案：B10. 下列哪种电路可以实现信号的放大和滤波？A. 放大电路B. 滤波电路C. 积分电路D. 微分电路答案：A二、填空题1. 晶体管的三个电极分别为____、____、____。
答案：发射极、基极、集电极2. 放大电路的目的是____。
答案：放大信号3. 运算放大器是一种具有____、____和____的放大器。
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一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。
(1I)只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；( )(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用；( )(3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的；( )(4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；( )(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；( )(6)由于放大的对象象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都豪无变化；( )(7)只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
( )【解答】(1)×。
放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。
(2) √。
放大的特征就是功率的放大。
(3)×。
应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。
(4)×。
．(5) √。
设置合适的静态工作点。
(6)×。
任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。
(7)×。
二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电对交流信号均可视为短路。
，【解答1 (a)不能。
因为输人信号被VBB所影响。
(a)例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极?【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道，P沟道的场效应管，必须在UGs<0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点，而且会造成管子损坏。
‘而对于绝缘栅型效应管，由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能用测晶体管的办法来检测。
对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。
自测题分析与解答一、判断下列说法是否正确，用“√’’和“×’’表示判断结果填人空内。
(1)在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
( )(2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( )(3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( )GSu大于零，则其输入电阻会明显变小。
( )(6)若耗尽型N沟道MOS管的GS【解答】(1) √。
三价元素产生空穴正好中和五价元素的自由电子，当空穴足够多时就能将N型半导体转变为P型半导体。
，．(2)×。
N型半导体内的多子，电子在没有受到激发的状态下，不能变成自由电子。
(3) √。
由于扩散作用在空间形成空间电荷区，空间电荷区内电场的加强正好阻止扩散作用，所以在没有外加能量的作用下，结电流为零。
(4)×。
在外加反向电压的作用下，基区的非平衡少子，在外电场作用下越过集电极到达集电区形成漂移电流。
(5)√。
当、|UGs l增大时，耗尽层加宽，沟道变窄，沟道电阻增大。
当沟道消失时，RGs趋于无穷大。
4(6)×。
因为在制作MOS管子时，在Si02中渗人大量正离子，在正离子的作用下，P型衬底表层形成反型层，因为反型层的存在，所以输入电阻不会明显变小。
二、选择正确答案填人空内。
(1)PN结加正向电压时，空间电荷区将。
．A．变窄 B．基本不变 C．变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在。
A．正向导通 B．反向截止 C．反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A．前者反偏、后者也反偏B．前者正偏、后者反偏C．前者正偏、后者也正偏u=0时，能够工作在恒流区的场效应管有。
(4)GSA．结型管 8．增强型MOS管 C．耗尽型MOS管【解答】 (1)A。
由于外电场的作用，将多数载流子推向空间电荷区，从而使其变窄。
(2)C。
稳压二极管在反向击穿时，在一定的电流范围内，端电压几乎不变，表现良好的稳压特性。
(3)B。
晶体管工作在放大状态时，发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE．集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流Jc。
(4)A、C。
对于结型场效应管犹Gs一0时，耗尽层很窄，导电沟道很宽，能够工作在恒流区。
而对于耗尽型MOS管，由于其Si02中掺人大量正离子，那么当犹Gs—o时，漏一源之间存在导电沟道，因此只要有正向电压作用就存在恒流区。
．U=0.7 V。
三、写出图Tl．3所示各路的输出电压值，设二极管导通电压D图Tl ．3【解答】 根据二极管正向导通反向截止的原理：1O U ≈1.3 V 2O U =0 3O U ≈一l.3 V 4O U ≈2V 5O U ≈1.3 V 6O U ≈-2V四、已知稳压管的稳压值Z U =6V ，稳定电流的最小值min Z I =5 mA 。
求图Tl ．4所示电路 N005中1O U 和2O U 各为多少伏。
图Tl ．4【解答】 图(a)Dz 导通，所以1O U 为6 V ；图(b)Dz 未导通，所以2O U 为5 V 。
五、电路如图Tl ．5所示，β=100，BE U =0.7 V 。
试问(1)Rb=5 0 k Ω时，o U =?(2)若T 临界饱和，则Rb≈?【解答】 (1)26BB BE B BV U I uA R -== 2.6c B I I mA β==2CE CC C C U V I R V =-=那么2O CE U U V ==(2)临界饱和时，0.7CES BE U U V ==，所以 2.86CC CES C CV U I mA R -== 2.86CB I I uA β== 45.4BB BE B BV U R k I -==Ω N006习题全解1．1 选择合适答案填人空内。
’ (1)在本征半导体中加入 元素可形成N 型半导体，加入 元素可形成P 型半导体。
A ．五价B ．四价C ．三价(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。
A ．增大B ．不变C ．减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当B I 从12uA 增大到2 2uA 时，Ic 从1 mA 变为2 mA ， 那么它的β约为 。
A ．83 8．91 C ．100(4)当场效应管的漏极直流电流D I 从2 mA 变为4mA 时，它的低频跨导m g 将 。
A ．增大B ．不变C ．减小【解答】 (1)A C 。
五价元素取代晶格中硅原子的位置形成N 型半导体，硅晶体中掺人三价元素，使之取代晶格中的硅原子的位置，形成P 型半导体。
(2)A 。
温度的升高，加强载流子的运动，从而加剧漂移运动的进行，从而反向饱合电流将增大。
(3)C 。
由公式p —A 瓦ic 一糌--1 000(4)A 。
gm 是转移特性曲线上某一点的切线的斜率，可通过式求导得到，gm 与切点的位 置密切相关，由于转移特性曲线的非线性，因而iD 愈大，gm 也愈大。
N007（N050）自测题分析与解答一、现有基本放大电路：A ．共射电路B ．共集电路C ．共基电路D ．共源电路E ．共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
(1)要求输入电阻为l k Ω至2 k Ω，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 ，第二级应采用 。
(2)要求输入电阻大于l0M Ω，电压放大倍数大于300，第一级应采用 ，第二级应 采用 。
(3)要求输入电阻为l00k Ω至200k Ω，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用，第二级应采用 。
(4)要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于l0M Ω，输出电阻小于l00Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。
(5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且|ui A •|=|/i O U I ••|>1000，输出电阻R<100Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。
【解答】 (1)A A (2)D A (3)B A (4)D B (5)C B共射放大电路具有较高的放大倍数，输人电阻不高，减小输出电阻将影响电路的放大倍 数。
共集电极电路，电压放大倍数小于1，输入电阻较高，信号源内阻不很低时仍可获取较大输入信号，输出电阻小，所以带负载能力较强，因此多用于输入级、输出级，共基放大电路：电压放大倍数同共射相同，输入电阻比共射电路小，输出电阻相同，在要求频率特性高的场合多用共基电路。
二、选择合适答案填入空内（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
A 、元件老化B 、晶体管参数受温度影响C 、放大倍数不够稳定D 、电源电压不稳定（2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。
A 、便于设计B 、放大交流信号C 、不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是 。
A 、克服温漂B 、提高输入电阻C 、稳定放大倍数（4）差分放大电路的差模信号是两个输入信号的 ，共模信号是两个输入端信号的 。
A 、差B ．和C ．平均值（5)用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re ，将使电路的——。
A 差模放大倍数数值增大B ．抑制共模信号能力增强C 差模输入电阻增大（6)互补输出级采用共集形式是为了——。
’A 电压放大倍数大B 不失真输出电压大C 带负载能力强【解答】(1)A 、B 、D （2）C(3)A(4)AC(5) B(6)C三、电路如图T3．3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时|BEQ U | ≈0.7V 。
试求：（1)静态时T1，管和T2管的发射极电流。
（2)若静态时“o u >0，则应如何调节Rc2的值才能使o u =0V?若静态o u =0V ，则Rc2=?电压放大倍数为多少？【解答】(1)333()/0.3C Z BEQ E I U U R mA =-= 120.15E E I I mA ==图T3．3(2)若静态时o u >0，应减少Rc2才能使o u =0 V 。
静态时1u =0时，o u =0，则由此可以推得T4管的集电极电流44/0.6CQ EE C I V R mA == 则可以计算的经过Rc2的电流为224/0.150.0030.147RC C CQ I I I mA β=-=-=(N051结束)自测题分析与解答。
选择正确答案填入空内。
1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 。
A ．输入电压幅值不变，改变频率B ．输入电压频率不变，改变幅值C ．输入电压的幅值与频率同时变化2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是——，而低频信号作用 时放大倍数数值下降的原因是 。