半导体制冷片选择

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半导体制冷片生产工艺

半导体制冷片生产工艺

半导体制冷片生产工艺半导体制冷片是一种利用半导体材料制作的微型制冷器件,具有体积小、功耗低、效率高、工作稳定等特点。

下面将介绍半导体制冷片的生产工艺。

1. 材料选择:半导体制冷片的核心材料为半导体材料,常用的材料有硅甲烷(SiC)和铋铟合金(Bi2Te3)。

这些材料具有良好的热电性能和半导体特性,能够实现制冷效果。

2. 粉末制备:半导体材料需要通过化学方法或物理方法制备成粉末。

化学方法包括溶剂热法、溶胶-凝胶法等,物理方法包括磨粉、球磨等。

制备好的粉末需要进行粒径控制,以确保制冷片的性能。

3. 材料制备:将制备好的粉末与添加剂按一定比例混合,并利用高温烧结技术将其烧结成块状材料。

烧结温度和时间的控制非常重要,可以影响材料的结晶度和晶界热导率,从而影响制冷片的制冷效果。

4. 组件制备:将制备好的半导体材料进行切割和打磨,得到制冷片的制冷层。

同时,制备好的制冷层要与散热片和电极片进行粘接,以便形成一个完整的半导体制冷片组件。

5. 封装及测试:制冷片组件需要进行封装,通常使用硅胶密封。

然后进行性能测试,包括工作电压、制冷量、制冷温度等参数的测试。

通过测试结果,可以对制冷片进行品质判定和分级。

6. 应用系统集成:制冷片组件可以应用于各种需要制冷的设备中,如电子器件、激光器、光电传感器等。

在应用系统中,需要将制冷片与其他元件进行连接,并进行线路设计和控制。

以上是半导体制冷片的生产工艺简要介绍,该工艺涉及到材料制备、组件制备、封装及测试和应用系统集成等多个环节,需要经过严格的控制和检验,以确保制冷片的性能和质量。

随着技术的不断发展,半导体制冷片的生产工艺也在不断完善,以满足各种应用需求。

铜基半导体制冷片-概述说明以及解释

铜基半导体制冷片-概述说明以及解释

铜基半导体制冷片-概述说明以及解释1.引言1.1 概述铜基半导体制冷片是一种新型的制冷技术,在当前的制冷领域中具有广泛的应用前景。

传统的制冷方式主要是通过压缩机循环制冷剂来进行制冷,而铜基半导体制冷片则不需要使用制冷剂,通过电子的运动来实现制冷效果。

相比传统的制冷方式,铜基半导体制冷片具有许多优势。

首先,铜基半导体制冷片具有高效节能的特点。

相比于压缩机制冷方式,铜基半导体制冷片不需要消耗大量的能源来运行压缩机和驱动制冷剂的循环,因此能够显著节约能源。

此外,铜基半导体制冷片的制冷效果由电子的运动来实现,无需消耗额外的物质,因此制冷效率更高。

其次,铜基半导体制冷片具有体积小、重量轻的特点。

由于铜基半导体制冷片不需要使用体积较大的压缩机和制冷剂,因此整个制冷装置的体积可以大大减小。

这在一些对体积重量有限制的领域,如航天航空、移动通信等领域具有很大的优势。

同时,铜基半导体制冷片的体积小、重量轻还使得其在使用过程中更加便携和灵活,可以适应各种复杂的场景。

此外,铜基半导体制冷片还具有快速制冷、低噪音等特点。

由于铜基半导体制冷片无需等待制冷剂冷却,只需通过电子的运动来实现制冷效果,因此制冷速度更快,可以更快地将物体降温。

同时,铜基半导体制冷片不需要使用压缩机等机械设备,因此噪音更低,使用更加安静。

综上所述,铜基半导体制冷片作为一种新型的制冷技术,具有高效节能、体积小、重量轻、快速制冷和低噪音等优点。

随着制冷技术的不断发展和应用领域的拓展,铜基半导体制冷片有着广阔的发展前景。

1.2文章结构本文将从以下几个方面进行探讨:铜基半导体制冷片的原理及其应用。

具体而言,文章结构包括引言、正文和结论三个主要部分。

在引言部分,我们将概述铜基半导体制冷片的相关背景和基本情况。

首先,我们会介绍制冷技术在现代工业和生活中的重要性,及其与能源消耗和环境保护的关系。

然后,我们会引出铜基半导体制冷片在实现高效制冷的前景和价值。

最后,我们会明确文章结构,简要说明接下来的内容和目的。

半导体制冷片Tec1-12705-40x40

半导体制冷片Tec1-12705-40x40

Chiefly Choice Co.,limitedTe Cooler High Performance and Highly Reliable Solutionfor Cooling and Heating ApplicationsSpecification of Thermoelectric ModuleTec1-12705Thermoelectric Module (Peltier Module)SpecificationsThermoelectrical parametersSpecifications(27ºC hot side temperature)Module material specifications are nominal values based on the hot-side temperature indicated.Thermoelectric material parameter tolerance is +/-10%.In no case should the module temperature be allowed to (Peltier Module)exceed its maximum operation/storage temperature.Please review all product and technical information,Thermoelectric Module Mounting Procedure,parameter Operation/storage temperature -40°C to +80°Cdefinitions,FAQ's,and ordering information posted on our website before purchasing or using this product.V-Max (VDC)15.40I-Max(A) 5.00Q-Max(W)46.50DT-Max(ºC)67.00Rac(Ohm) 2.51Operation/storaget emperature -40.00℃to +80.00℃Ceramic materia Alumina(Al2O3,white 96%)Internal solder125.00℃Definitions:Imax:Input current resulting in greatest ΔT (ΔTmax)[Amps]Qmax:Maximum amount of heat that can be absorbed at cold face (occurs at I=Imax,ΔT =0℃)[Watts]TH:Temperature of the TEC hot face during operation [℃]ΔTmax:Maximum temperature difference a TEC can achieve (occurs at I=Imax,Qc =0)[℃]Vmax:Voltage at ΔT (ΔTmax)[V olts]Width-A(mm)40.00Flatness-F(mm)0.20Width-B(mm)40.00Parallelism -(mm)0.03Height-H(mm)4.20Wire size-WS(mm²)0.34Wire length-WL(mm)120.00+5mmROHS YesApplicationsFeatures•Analytical Instrumentation •PCR Cyclers•Thermal Test Sockets•Electronic Enclosure Cooling •Chillers (Liquid Cooling)•Power Generation•Thermal Cycling Durability •Power Cycling Reliability •Precise Temperature Control •Strong Lead Attachment •RoHS Compliant•Continuous Operation at High TemperaturesAny more Info needed ,Please feel free to contact us :sales@,or Visit : Address:E-Dong,Guang HaoGongYeQu,QueShanLu,LongHuaXinQu,ShenZhenShi,China,518109Tel:+86-755-27700789,27744129,Fax:+86-755-22630176Tec1-12705。

clc067半导体制冷片参数

clc067半导体制冷片参数

clc067半导体制冷片参数摘要:1.半导体制冷片的概述2.CLC067 半导体制冷片的参数3.CLC067 半导体制冷片的应用4.半导体制冷片的优势与局限正文:【半导体制冷片的概述】半导体制冷片,又称热电制冷片,是一种利用半导体材料特性实现制冷的器件。

它是通过在半导体材料中施加电流,产生帕尔帖效应,将电能直接转换为冷量,从而实现制冷的目的。

半导体制冷片具有结构简单、体积小、无振动、无噪音、安装方便等优点,因此在很多领域都有广泛的应用。

【CLC067 半导体制冷片的参数】CLC067 是一种常见的半导体制冷片型号。

它的主要参数如下:1.制冷面积:67 平方毫米2.制冷功率:40 瓦特3.工作电压:直流5-22 伏特4.温度范围:可调范围约在0-50 摄氏度5.材质:采用优质的半导体材料制成【CLC067 半导体制冷片的应用】CLC067 半导体制冷片广泛应用于各种需要精确控制温度的场合,如:1.电子设备散热:如服务器、通信设备、电源设备等2.医疗器械:如激光设备、核磁共振仪、超声设备等3.实验室设备:如恒温槽、样品保存箱、环境试验箱等4.家用制冷:如酒柜、冰箱、冰柜等【半导体制冷片的优势与局限】半导体制冷片具有以下优势:1.结构简单,体积小,易于安装2.无振动、无噪音,运行平稳3.可实现精确控温,满足多种应用需求4.环保,无制冷剂,避免环境污染然而,半导体制冷片也存在一定的局限性:1.制冷效率相对较低,不适合大功率制冷需求2.温度调节范围有限,不适用于低温或高温环境3.成本相对较高,可能影响市场推广总之,CLC067 半导体制冷片作为一种高效、环保的制冷设备,在许多领域具有广泛的应用前景。

半导体制冷片参数

半导体制冷片参数

半导体制冷片参数
1. 片型:XYZ-N型半导体制冷片
2. 外形尺寸:长(L) x 宽(W) x 高(H) = 10mm x 10mm x 2mm
3. 材料:先进半导体材料
4. 制冷电源电压:12V
5. 最大制冷功率:20W
6. 制冷温度范围:-10°C 至25°C
7. 最大工作电流:2A
8. 外界环境温度范围:-20°C 至50°C
9. 最高温度差:ΔT = 35°C
10. 整体热阻:R = 0.15°C/W
11. 工作噪音: < 40 dB
12. 响应时间: < 1秒
13. 绝缘电阻:> 10 MΩ
14. 导热界面材料:优质硅胶
15. 导热界面厚度:0.1mm
16. 接口类型:电缆引线
17. 重量:小于10克
18. 数字控制:支持数字温度控制
19. 寿命:> 10,000小时
20. 产品认证:符合ISO 9001和RoHS标准的生产
21. 封装:封装材料符合高热导率要求
22. 包装:防静电包装
23. 可定制化设计:支持根据客户需求定制设计
注意:以上参数仅为示例,不针对任何特定型号或厂商,并且与现有产品的实际性能可能存在差异。

请在购买前详细了解制冷片的规格和性能,确保其符合您的应用需求。

普通半导体制冷片型号、规格、参数

普通半导体制冷片型号、规格、参数

普通半导体制冷片型号、规格、参数普通半导体制冷片型号、、普通半导体制冷片型号、、2011-09-25 14:36 半导体制冷片的工作原理是:当一块N 型半导体材料和一块P 型半导体材料联结成电偶对时,在这个电路中接通直流电流后,就能产生能量的转移,电流由N 型元件流向P 型元件的接头吸收热量,成为冷端由P 型元件流向N 型元件的接头释放热量,成为热端。

吸热和放热的大小是通过电流的大小以及半导体材料N、P 的元件对数来决定,以下三点是热电制冷的温差电效应。

一八二二年德国人塞贝克发现当两种不同的导体相连接时,如两个连接点保持不同的温差,则在导体中产生一个温差电动势:ES=S.△T 式中:ES 为温差电动势S(?)为温差电动势率(塞贝克系数) △T 为接点之间的温差一八三四年法国人珀尔帖发现了与塞贝克效应的效应,即当电流流经两个不同导体形成的接点时,接点处会产生放热和吸热现象,放热或吸热大小由电流的大小来决定。

Qл=л.Iл=aTc 式中:Qπ为放热或吸热功率π为比例系数,称为珀尔帖系数I 为工作电流 a 为温差电动势率Tc 为冷接点温度当电流流经存在温度梯度的导体时,除了由导体电阻产生的焦耳热之外,导体还要放出或吸收热量,在温差为△T 的导体两点之间,其放热量或吸热量为:Qτ=τ.I.△T Qτ为放热或吸热功率τ为汤姆逊系数I 为工作电流△T 为温度梯度以上的理论直到本世纪五十年代,苏联科学院半导体研究所约飞院士对半导体进行了大量研究,于一九五四年发表了研究成果,表明碲化铋化合物固溶体有良好的制冷效果,这是最早的也是最重要的热电半导体材料,至今还是温差制冷中半导体材料的一种主要成份。

约飞的理论得到实践应用后,有众多的学者进行研究到六十年代半导体制冷材料的优值系数,才达到相当水平,得到大规模的应用,也就是我们现在的半导体制冷片件。

中国在半导体制冷技术开始于50 年代末60 年代初,当时在国际上也是比较早的研究单位之一,60 年代中期,半导体材料的性能达到了国际水平,60 年代末至80 年代初是我国半导体制冷片技术发展的一个台阶。

半导体制冷片分类

半导体制冷片分类

半导体制冷片分类
1. Peltier制冷片:Peltier制冷片采用热电效应原理,通过直流
电源将热量从一侧转移到另一侧,实现制冷或加热。

它具有体积小、无振动、可靠性高等特点,广泛用于电子设备、激光器、光通信设备、冷热交换等领域。

2. 热电复合制冷片:热电复合制冷片结合了制冷剂制冷和Peltier制冷的优点,能够实现更高的制冷效率和更低的温度。

这种制冷片一般由多个Peltier制冷单元组成,通过热电-热力
耦合实现制冷。

常见应用领域包括热电空调、冷冻设备等。

3. 磁制冷片:磁制冷片利用磁场调控磁性材料的物理状态,实现制冷。

其工作原理包括反磁俘获效应、自发磁致冷效应等。

磁制冷片具有高效节能、无环境污染等特点,适用于低温制冷领域,如超导磁体制冷、液氮制冷等。

4. 光子晶体制冷片:光子晶体制冷片利用光学原理,通过改变光子晶体材料与外界热源的光学耦合,实现制冷效果。

它具有结构紧凑、无机械运动、可控性好等特点,适用于微型制冷器件、光电子器件等。

以上是常见的半导体制冷片分类,随着科技的不断发展,可能还会有新的制冷技术和制冷片的分类出现。

半导体制冷片效率

半导体制冷片效率

半导体制冷片效率半导体制冷片是一种常用于制冷设备中的关键元件,其效率对整个制冷系统的性能起着至关重要的作用。

本文将介绍半导体制冷片的工作原理、影响效率的因素以及提高效率的方法。

工作原理半导体制冷片通过Peltier效应实现制冷,其基本工作原理是利用半导体材料在电流作用下产生的热量和冷量来实现制冷效果。

当电流通过半导体制冷片时,两个不同导热性质的半导体材料之间会产生热量和冷量的传递,从而实现局部降温或升温。

影响效率的因素半导体制冷片的效率受多种因素影响,主要包括以下几点:1.半导体材料的选择:半导体制冷片所选用的半导体材料的导热性能和电导率直接影响到制冷效果的好坏。

通常情况下,导热性能好、电导率高的材料会使制冷效果更佳。

2.工作温度差:半导体制冷片的制冷效果与所需降温或升温的温度差有关,温差越大通常意味着制冷片需要消耗更多的电能来实现相同的制冷效果。

3.电流密度:传输电流密度的大小决定了制冷片的热量和冷量的转换效率,过高或过低的电流密度都会影响到制冷效果。

4.散热设计:制冷片的散热设计也是影响效率的关键因素,良好的散热设计可以有效降低制冷片的工作温度,提高制冷效率。

提高效率的方法为了提高半导体制冷片的效率,可以采取以下措施:1.优化半导体材料的选择,选择导热性能好、电导率高的材料;2.设计合理的散热系统,确保制冷片工作在适宜的温度范围;3.控制电流密度,避免过高或过低的电流密度;4.考虑工作温度差,合理设置温度差以达到较高的制冷效率。

综上所述,半导体制冷片的效率受多方面因素影响,通过选择合适的材料、优化散热设计和合理控制电流密度,可以有效提高制冷片的效率,为制冷系统的性能提供更好的支持。

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致冷片的性能在应用致冷片前,要进一步的了解它的性能,实际上致冷片的冷端从周围吸收的热Qπ外,还有两个,一个是焦耳热QJ;另一个是传导热QK。

电流从元件内部通过就产生焦耳热,焦耳热的一半传到冷端,另一半传到热端,传导热从热端传到冷端。

产冷量QC=Qπ-QJ-QK=(2P-2n).Tc.I-1/2j2R-K(Th-Tc)式中,R表示一对电偶的总电阻,K是总热导。

热端散掉的热Qh=Qπ+Qj-Qk=(2p-2n).Th.I+1/2I2R-K(Th-Tc)从上面两公式中可以看出,输入的电功率恰好就是热端散掉的热与冷端吸收的热之差,这就是“热泵”的一种:Qh-Qc=I2R=P由上式得出一个电偶在热端放出的热量Qh等于输入电功率与冷端产冷量之和,相反得出冷端产冷量Qc等于热端放出的热量与输入电功率之差。

Qh=P+Qc Qc=Qh-P致冷片的选择过程半导体致冷应用产品的心脏部分是半导体致冷片,根据半导体温差电堆的特点,弱点及应用范围,选用电堆时首先应确定以下几个问题:1、确定电堆的工作状态。

根据工作电流的方向和大小,就可以决定电堆的致冷,加热和恒温性能,尽管最常用的是致冷方式,但也不应忽视它的致热和恒温性能。

2、确定致冷时热端实际温度。

因为电堆是温差片件,要达到最佳的致冷效果,电堆必须安装在一个良好的散热片上,根据散热条件的好坏,决定致冷时电堆热端的实际温度,要注意,由于温度梯度的影响,电堆热端实际温度总是要比散热片表面温度高,通常少则零点几度,多则高几度、十几度。

同样,除了热端存在散热梯度以外,被冷却的空间与电堆冷端之间也存在温度梯度。

3、确定电堆的工作环境和气氛。

这包括是工作在真空状况还是在普通大气,干燥氮气,静止或流动空气及周围的环境温度,由此来考虑保温(绝热)措施,并决定漏热的影响。

4、确定电堆工作对象及热负载的大小。

除了受热端温度影响以外,电堆所能达到的最低温度或最大温差是在空载和绝热两个条件下确定的,实际上工作的,电堆既不可能真正绝热,也必须有热负载,否则无意义。

5、确定致冷片的级数。

电堆级数的选定必须满足实际温差的要求,即电堆标称的温差必须高于实际要求的温差,否则达不到要求,但是级数也不能太多,因为电堆的价格随着级数的增加而大大提高。

6、电堆的规格。

选定电堆的级数以后,就可以选定电堆的规格,特别是电堆的工作电流。

因为同时能满足温差及产冷的电堆有好几种,但是由于工作条件不同,通常选用工作电流最小的电堆,因为这时配套电源费用较小,然而电堆的总功率是决定因素,同样的输入电功率减少工作电流就得增加电压(每对元件0.1v),因而元件对数就得增加。

7、确定电堆的数量。

这是根据能满足温差要求的电堆产冷总功率来决定的,它必须保证在工作温度时电堆产冷量的总和大于工作对象热负载的总功率,否则无法达到要求。

电堆的热惯性非常小,空载下不大于一分钟,但是由于负载的惯性(主要是由于负载的热容量造成的),因此实际要达到设定温度时的工作速度要远远大于一分钟,多时达几小时。

如工作速度要求愈大,电堆的数量也就愈多,热负载的总功率是由总热容量加上漏热量(温度愈低、漏热量愈大)。

上述七个方面是选用电堆时考虑的一般原则,根据上述原用户首先应根据需要提出要求来选择致冷片件。

一般的要求:①、给定使用的环境温度Th℃②、被冷却的空间或物体达到的低温度Tc℃③、已知热负载Q(热功率Qp、漏热Qt)W已知Th、Tc和Q,再根据温差致冷片的特性曲线就可估算所需的电堆及电堆数量。

1、确定致冷片的型号规格2、选定型号后,查阅该型号的温差电致冷特性曲线图。

3、由使用环境温度和散热方式确定致冷片的热端温度Th,得出相近的Tc。

4、在相应的特性曲线图中查出冷端Qc的产冷量。

5、由所需的产冷量Q除以每个电堆的产冷量Qc就得到所需的电堆数量N=Q/Qc■GL模組(半導體製冷片)GLII Modulemodel numberImax Vmax(A)(V)ΔTmax(℃)Qmax(W)ΔTmax(℃)Qmax(W)ExternalDimensions(mm) Th=27℃Th=50℃Lc Wc Lh Wh HFPH1-3102NC 3.8 4.4 5.015.015.04.70 FPH1-7102NC 2.08.870.010.277.011.220.020.0FPH1-12702AC15.718.219.530.030.0 4.75FPH1-3103NC 3.87.38.015.015.03.80 FPH1-7103NC 3.08.870.016.677.018.020.020.0FPH1-12703AC15.729.832.530.030.0 3.85FPH1-3104NC 3.88.69.515.015.03.970.077.0 3.60 FPH1-7104NC8.818.720.920.020.0FPH1-12704AC 15.7 35.2 39.0 30.0 30.0 3.65FPH1-3106NC 3.8 13.0 14.3 15.0 15.03.10FPH1-7106NC6.08.8 70.029.7 77.032.7 20.0 20.0FPH1-12706AC15.753.159.1 30.0 30.0 3.15FPH1-1707NC2.1 7.4 8.2 15.0 15.03.90FPH1-3107NC 3.8 13.614.9 20.0 20.0 6.070.077.0FPH1-7107AC 8.8 31.1 34.230.030.03.95FPH1-12707AC15.755.661.0 40.0 40.0FPH1-1708NC2.1 10.3 11.3 15.0 15.03.40FPH1-3108NC 3.8 18.820.8 20.0 20.0 8.570.077.0FPH1-7108AC 8.8 43.1 48.030.030.03.45FPH1-12708AC15.777.185.0 40.0 40.0GLII Module / 2-Tier Cascade Modulemodel numberImax Vmax(A) (V)ΔTmax (℃)Qmax (W)ΔTmax (℃)Qmax (W)External Dimensions (mm)Th=27℃ Th=50⊥Lc Wc Lh Wh HFPK2-19808NC8.516.185.051.695.058.040.040.07.05<<<Test Report of GLII ModuleGL 模組通用規格1. 最大耐熱溫度:150℃(保證使用溫度範圍:—40~100℃)2. 允許的最大壓縮載荷:1MPa3. 引線規格:PVC UL 規格品4. 耐濕密封:KE347(信越有機矽類)或者以近似產品密封模組的面。

Standard Modulemodel numberImax(A)Vmax (V)ΔTmax Qmax External Dimensions (℃) (W) (mm)Th=27℃ L W HTEC1-1703 2.1 3.9 15 15 TEC1-3103 3.8 7.020 20 TEC1-35033.54.2 688.0 15 TEC1-7103 8.6 16.030304.7TEC1-12703 15.4 29.0 40 40TEC1-1704 2.1 4.2 15 15 TEC1-3104 3.8 7.5 20 20 TEC1-35044.04.2 688.4 15 TEC1-7104 8.6 17.030304.7TEC1-12704 15.4 32.0 40 40TEC1-1705 2.1 5.5 15 15 TEC1-3105 3.8 10.0 20 20 TEC1-35055.04.2 68 11.0 15 TEC1-7105 8.6 23.030304.1TEC1-12705 15.4 41.0 40 40TEC1-1706 2.1 7.1 15 15 TEC1-3106 3.8 13.0 20 20 TEC1-35066.04.2 68 14.5 15 TEC1-7106 8.6 29.030304.0TEC1-12706 15.4 53.0 40 40TEC1-1707 2.1 7.5 15 15 TEC1-3107 3.8 13.6 20 20 TEC1-35077.04.2 68 15.4 15 TEC1-7107 8.6 31.030303.7TEC1-12707 15.4 55.0 40 40TEC1-1708 2.1 10.0 15 15 TEC1-3108 3.8 18.0 20 20 TEC1-35088.54.2 68 20.0 15 TEC1-7108 8.6 42.030303.8TEC1-12708 15.4 75.0 40 40TEC1-1271212.015.468 110.040403.7TEC1-12715 15.0 130.050 50 3.5 TEC1-6308 7.6 37.4 20 3.8 TEC1-19908 8.5118.0 4040 TEC1-1991313.024.1200.0 5050 3.5TES1-31023.83.71515TES1-7102 2.08.6 668.5 20 20 5.1TES1-12702 15.4 15.2 30 30TES1-31033.86.51515TES1-7103 3.08.6 6615.0 20 20 3.8TES1-12703 15.4 27.0 30 30TES1-31043.88.11515TES1-7104 4.08.6 66 18.7 20 20 3.6TES1-12704 15.4 33.4 30 30TES1-31063.812.21515TES1-7106 6.08.6 66 27.9 20 20 3.3TES1-12706 15.450.5 30 30TES1-143044.017.366 4040403.7TEC1-602525.86.368125.0Standard Module / 2-Tier Cascade ModuleLh=48 Wh=48Lc=40 Wc=40 5.5model numberImax(A)Vmax (V)ΔTmax (℃)Qmax (W)External Dimensions (mm)Th=27℃Lc WcLh WhHTEC2-198088.514.985.0 50.040406.8。

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