芯片散热的热传导计算
散热片计算方法
征热传导过程的物理量在图3的导热模型中,达到热平衡后,热传导遵循傅立叶传热定律:Q=K·A·(T1-T2)/L (1)式中:Q为传导热量(W);K为导热系数(W/m℃);A 为传热面积(m2);L为导热长度(m).(T1-T2)为温度差.热阻R表示单位面积、单位厚度的材料阻止热量流动的能力,表示为:R＝(T1-T2)/Q＝L/K·A(2)对于单一均质材料,材料的热阻与材料的厚度成正比;对于非单一材料,总的趋势是材料的热阻随材料的厚度增加而增大,但不是纯粹的线形关系.对于界面材料,用特定装配条件下的热阻抗来表征界面材料导热性能的好坏更合适,热阻抗定义为其导热面积与接触表面间的接触热阻的乘积,表示如下:Z＝(T1-T2)/(Q/A)＝R·A (3)表面平整度、紧固压力、材料厚度和压缩模量将对接触热阻产生影响,而这些因素又与实际应用条件有关,所以界面材料的热阻抗也将取决于实际装配条件.导热系数指物体在单位长度上产生1℃的温度差时所需要的热功率,是衡量固体热传导效率的固有参数,与材料的外在形态和热传导过程无关,而热阻和热阻抗是衡量过程传热能力的物理量.芯片工作温度的计算如图4的热传导过程中,总热阻R为:R=R1+R2+R3 (4)式中:R1为芯片的热阻;R2为导热材料的热阻;R3为散热器的热阻.导热材料的热阻R2为:R2＝Z/A (5)式中:Z为导热材料的热阻抗,A为传热面积.芯片的工作温度T2为:T2＝T1+P×R (6)式中:T1为空气温度;P为芯片的发热功率;R为热传导过程的总热阻.芯片的热阻和功率可以从芯片和散热器的技术规格中获得,散热器的热阻可以从散热器的技术规格中得到,从而可以计算出芯片的工作温度T2.实例下面通过一个实例来计算芯片的工作温度.芯片的热阻为1.75℃/W,功率为5W,最高工作温度为90℃,散热器热阻为1.5℃/W,导热材料的热阻抗Z为5.8℃cm2/W,导热材料的传热面积为5cm2,周围环境温度为50℃.导热材料理论热阻R4为:R4＝Z/A＝5.8 (℃·cm2/W)/ 5(cm2)=1.16℃/W(7)由于导热材料同芯片和散热器之间不可能达到100%的结合,会存在一些空气间隙,因此导热材料的实际热阻要大于理论热阻.假定导热材料同芯片和散热器之间的结合面积为总面积的60%,则实际热阻R3为:R3＝R4/60%＝1.93℃/W(8)总热阻R为:R=R1+R2+R3=5.18℃/W (9)芯片的工作温度T2为:T2＝T1+P×R＝50℃+(5W× 5.18℃/W)＝75.9℃ (10)可见,芯片的实际工作温度75.9℃小于芯片的最高工作温度90℃,处于安全工作状态.如果芯片的实际工作温度大于最高工作温度,那就需要重新选择散热性能更好的散热器,增加散热面积,或者选择导热效果更优异的导热材料,提高整体散热效果,从而保持芯片的实际工作温度在允许范围以内(作者:方科 )转载欢迎您的下载，资料仅供参考！致力为企业和个人提供合同协议，策划案计划书，学习课件等等打造全网一站式需求。
芯片电路热的设计指南
芯片电路热设计指南半导体器件产生的热量来源于芯片的功耗，热量的累积必定导致半导体结点温度的升高，随着结点温度的提高，半导体器件性能将会下降，因此芯片厂家都有规定半导体器件的结点温度。
在普通数字电路中，由于低速电路的功耗较小，在正常的散热条件下，芯片的温升不会太大，所以不用考虑芯片的散热问题。
而在高速电路中，芯片的功耗较大，在正常条件下的散热不能保证芯片的结点温度不超过允许工作温度，因此需要考虑芯片的散热问题。
1、热量传递在通常条件下，热量的传递通过传导、对流、辐射3种方式进行。
传导是通过物体的接触，将热流从高温向低温传递，导热率越好的物体则导热性能越好，一般来说金属导热性能最好；对流是通过物体的流动将热流带走，液体和气体的流速越快，则带走的热量越多；辐射不需要具体的中间媒介，直接将热量发送出去，真空中效果更好。
散热时需要考虑3种传热方式。
例如使用导热率好的材料，如铜、铝及其合金做导热材料，通过增加风扇来加强对流，通过材料处理来增强辐射能力等。
2、简单热量传递模型热量分析中引入一个热阻参数，类似于电路中的电阻。
如果电路中的电阻计算公式为R=ΔE/I，则对应的热阻对应公式为R=ΔT/P（P表示功耗，单位W, ΔT表示温差，单位℃）。
热阻的单位为℃/W，表示功率增加1W时所引起的温升。
考虑集成芯片的热量传递，可以使用如下图形描述高速电路设计中的散热考虑在普通的数字电路设计中，我们很少考虑到集成电路的散热，因为低速芯片的功耗一般很小，在正常的自然散热条件下，芯片的温升不会太大。
随着芯片速率的不断提高，单个芯片的功耗也逐渐变大，例如：Ｉｎｔｅｌ的奔腾ＣＰＵ的功耗可达到25W。
当自然条件的散热已经不能使芯片的温升控制在要求的指标之下时，就需要使用适当的散热措施来加快芯片表面热的释放，使芯片工作在正常温度范围之内。
通常条件下，热量的传递包括三种方式：传导、对流和辐射。
传导是指直接接触的物体之间热量由温度高的一方向温度较低的一方的传递，对流是借助流体的流动传递热量，而辐射无需借助任何媒介，是发热体直接向周围空间释放热量。
散热片计算方法
征热传导过程的物理量在图3的导热模型中,达到热平衡后,热传导遵循傅立叶传热定律:Q=K·A·(T1-T2)/L (1)式中:Q为传导热量(W);K为导热系数(W/m℃);A 为传热面积(m2);L为导热长度(m).(T1-T2)为温度差.热阻R表示单位面积、单位厚度的材料阻止热量流动的能力,表示为:R＝(T1-T2)/Q＝L/K·A (2)对于单一均质材料,材料的热阻与材料的厚度成正比;对于非单一材料,总的趋势是材料的热阻随材料的厚度增加而增大,但不是纯粹的线形关系.对于界面材料,用特定装配条件下的热阻抗来表征界面材料导热性能的好坏更合适,热阻抗定义为其导热面积与接触表面间的接触热阻的乘积,表示如下:Z＝(T1-T2)/(Q/A)＝R·A (3)表面平整度、紧固压力、材料厚度和压缩模量将对接触热阻产生影响,而这些因素又与实际应用条件有关,所以界面材料的热阻抗也将取决于实际装配条件.导热系数指物体在单位长度上产生1℃的温度差时所需要的热功率,是衡量固体热传导效率的固有参数,与材料的外在形态和热传导过程无关,而热阻和热阻抗是衡量过程传热能力的物理量.芯片工作温度的计算如图4的热传导过程中,总热阻R为:R=R1+R2+R3 (4)式中:R1为芯片的热阻;R2为导热材料的热阻;R3为散热器的热阻.导热材料的热阻R2为:R2＝Z/A (5)式中:Z为导热材料的热阻抗,A为传热面积.芯片的工作温度T2为:T2＝T1+P×R (6)式中:T1为空气温度;P为芯片的发热功率;R为热传导过程的总热阻.芯片的热阻和功率可以从芯片和散热器的技术规格中获得,散热器的热阻可以从散热器的技术规格中得到,从而可以计算出芯片的工作温度T2.实例下面通过一个实例来计算芯片的工作温度.芯片的热阻为1.75℃/W,功率为5W,最高工作温度为90℃,散热器热阻为1.5℃/W,导热材料的热阻抗Z为5.8℃cm2/W,导热材料的传热面积为5cm2,周围环境温度为50℃.导热材料理论热阻R4为:R4＝Z/A＝5.8 (℃·cm2/W)/ 5(cm2)=1.16℃/W (7)由于导热材料同芯片和散热器之间不可能达到100%的结合,会存在一些空气间隙,因此导热材料的实际热阻要大于理论热阻.假定导热材料同芯片和散热器之间的结合面积为总面积的60%,则实际热阻R3为:R3＝R4/60%＝1.93℃/W (8)总热阻R为:R=R1+R2+R3=5.18℃/W (9)芯片的工作温度T2为:T2＝T1+P×R＝50℃+(5W× 5.18℃/W)＝75.9℃(10)可见,芯片的实际工作温度75.9℃小于芯片的最高工作温度90℃,处于安全工作状态.如果芯片的实际工作温度大于最高工作温度,那就需要重新选择散热性能更好的散热器,增加散热面积,或者选择导热效果更优异的导热材料,提高整体散热效果,从而保持芯片的实际工作温度在允许范围以内(作者:方科)转载。
芯片热阻公式(一)
芯片热阻公式(一)芯片热阻公式1. 什么是芯片热阻？芯片热阻（Thermal Resistance）是指芯片导热效果的一个物理量。
它表示通过芯片的单位面积上的热量与单位温度差之间的比值。
2. 芯片热阻公式芯片热阻公式如下所示：Rθ = (Tj - Ta) / P其中，•Rθ: 芯片热阻（单位为°C/W）•Tj: 芯片温度（单位为°C）•Ta: 环境温度（单位为°C）•P: 芯片功率（单位为W）3. 举例说明电子设备热管理在电子设备中，芯片热阻是非常重要的一个参数，它决定了芯片在工作过程中的温度变化。
若芯片热阻过高，会导致芯片温度过高，降低电子器件的性能以及寿命。
例如，假设一个芯片的环境温度为35°C，功率为2W，而芯片热阻为2°C/W。
根据芯片热阻公式计算，我们可以得到：Rθ = (Tj - Ta) / PRθ = (Tj - 35°C) / 2W2°C/W = (Tj - 35°C) / 2WTj - 35°C = 4°CTj = 39°C因此，该芯片的温度为39°C。
优化芯片散热设计芯片热阻公式可以帮助工程师优化芯片的散热设计。
通过在设计阶段考虑芯片热阻，可以选择合适的散热材料以及散热方式，来降低芯片的温度。
合理的散热设计可以提高芯片的性能以及可靠性。
例如，假设一个芯片的环境温度为30°C，功率为5W，而芯片热阻为°C/W。
我们希望降低芯片的温度至30°C以下。
Rθ = (Tj - Ta) / P°C/W = (Tj - 30°C) / 5WTj - 30°C = °CTj = °C根据计算结果，芯片温度为°C。
如果我们希望芯片温度降低至30°C以下，可以尝试使用更好的散热材料或者改变散热方式，以降低芯片热阻。
半导体功率器件的散热计算(精)
半导体功率器件的散热计算晨怡热管2006-12-31 0:58:06【摘要】本文通过对半导体功率器件发热及传热机理的讨论，导出了半导体功率器件的散热计算方法。
【关键词】半导体功率器件功耗发热热阻散热器强制冷却一、半导体功率器件的类型和功耗特点一般地说，半导体功率器件是指耗散功率在1瓦或以上的半导体器件。
按照半导体功率器件的运用方式，可分为半导体功率放大器件和半导体功率开关器件。
1、半导体功率放大器件半导体功率放大器又因其放大电路的类型分为甲类放大器、乙类推挽放大器、甲乙类推挽放大器和丙类放大器。
甲类放大器的理论效率只有50%，实际运用时则只有30%左右；乙类推挽放大器的理论效率也只有78.5%，实际运用时则只有60%左右；甲乙类推挽放大器和丙类放大器的效率介乎甲类放大器和乙类推挽放大器之间。
也就是说，半导体功率放大器件从电源中取用的功率只有一部分作为有用功率输送到负载上去，其余的功率则消耗在半导体功率放大器件上，半导体功率放大器在工作时消耗在半导体功率放大器件上的功率称为半导体功率放大器件的功耗。
半导体功率放大器件的功耗为其集电极—发射极之间的电压降乘以集电极电流：P D=U ce·I c（式1—1）式中P D为半导体功率放大器件的功耗（单位W）。
U ce为半导体功率放大器件集电极—发射极之间的电压降（单位V）。
I c为半导体功率放大器件的集电极电流（单位A）。
线性调整型直流稳压电源中的调整管是工作在放大状态的半导体功率放大器件，所以其功耗的计算和半导体功率放大器件的功耗计算是相似的。
例如一个集成三端稳压器，其功耗就是：输入端—输出端电压差乘以输出电流。
2、半导体功率开关器件半导体功率开关器件例如晶体闸流管、开关三极管等。
它们的工作状态只有两个：关断（截止）或导通（饱和）。
理想的开关器件在关断（截止）时，其两端的电压较高，但电流为零，所以功耗为零；导通（饱和）时流过它的电流较大，但其两端的电压降为零，所以功耗也为零。
电脑芯片制造中的热传导分析
电脑芯片制造中的热传导分析随着科技的不断进步和电子产品的普及，电脑已经成为现代人生活中不可或缺的一部分。
而电脑芯片作为电脑的核心部件，其性能的优劣直接影响着电脑的整体性能。
在电脑芯片制造过程中，热传导分析是一个非常重要的步骤。
本文将就电脑芯片制造中的热传导分析进行探讨。
一、热传导的意义热传导是指热量从高温物体传导到低温物体的过程。
在电脑芯片中，由于组件之间工作时的高温状态，需要通过热传导来将热量有效地传导到散热器或其他散热设备中，以保证芯片的正常运行。
热传导的优劣直接关系到电脑芯片的散热性能和稳定性。
二、热传导分析的方法在电脑芯片制造中，热传导分析是必不可少的一环。
下面介绍几种常见的热传导分析方法：1. 热阻分析法热阻分析法是最常用的热传导分析方法之一。
通过测量不同点的温度差，来计算电脑芯片散热部分的热阻，从而评估散热性能。
热阻越小，意味着芯片散热能力越强。
2. 热传导模拟仿真热传导模拟仿真是一种通过数值计算的方式来模拟和分析电脑芯片内部的热传导情况。
使用这种方法可以更加准确地了解电脑芯片的热传导状况，并在设计阶段进行优化。
3. 热红外成像热红外成像技术是一种通过红外相机来观察物体表面的热分布情况的方法。
通过检测芯片表面的温度分布，可以评估芯片不同区域的散热能力，并找出潜在的热点问题。
三、热传导分析的重要性热传导分析在电脑芯片制造中具有重要的意义。
以下是热传导分析的几个重要方面：1. 散热性能评估通过热传导分析，可以评估芯片的散热性能，包括热阻、热传导系数等指标。
这些指标直接影响芯片的工作温度和稳定性。
2. 散热设计优化热传导分析结果可以帮助设计师了解芯片散热情况，并提供优化建议。
例如，在散热结构设计上采用更好的散热材料，或者增加散热凸点等。
3. 热点问题检测通过热传导分析，可以发现电脑芯片中存在的热点问题。
这些问题可能导致芯片在工作过程中温度过高，从而影响电脑的性能和寿命。
四、热传导分析的应用实例热传导分析在电脑芯片制造中有着广泛的应用。
芯片散热的热传导计算(图)
芯片散热的热传导计算(图)讨论了表征热传导过程的各个物理量，并且通过实例，介绍了通过散热过程的热传导计算来求得芯片实际工作温度的方法随着微电子技术的飞速发展，芯片的尺寸越来越小，同时运算速度越来越快，发热量也就越来越大，如英特尔处理器3.6G奔腾4终极版运行时产生的热量最大可达115W，这就对芯片的散热提出更高的要求。
设计人员就必须采用先进的散热工艺和性能优异的散热材料来有效的带走热量，保证芯片在所能承受的最高温度以内正常工作。
如图1所示，目前比较常用的一种散热方式是使用散热器，用导热材料和工具将散热器安装于芯片上面，从而将芯片产生的热量迅速排除。
本文介绍了根据散热器规格、芯片功率、环境温度等数据，通过热传导计算来求得芯片工作温度的方法。
图1散热器在芯片散热中的应用芯片的散热过程由于散热器底面与芯片表面之间会存在很多沟壑或空隙，其中都是空气。
由于空气是热的不良导体，所以空气间隙会严重影响散热效率，使散热器的性能大打折扣，甚至无法发挥作用。
为了减小芯片和散热器之间的空隙，增大接触面积，必须使用导热性能好的导热材料来填充，如导热胶带、导热垫片、导热硅酯、导热黏合剂、相转变材料等。
如图2所示，芯片发出的热量通过导热材料传递给散热器，再通过风扇的高速转动将绝大部分热量通过对流（强制对流和自然对流）的方式带走到周围的空气中，强制将热量排除，这样就形成了从芯片，然后通过散热器和导热材料，到周围空气的散热通路。
图2芯片的散热表征热传导过程的物理量图3一维热传导模型在图3的导热模型中，达到热平衡后，热传导遵循傅立叶传热定律：Q=K·A·(T1-T2)/L (1)式中：Q为传导热量（W）；K为导热系数（W/m℃）；A 为传热面积（m2）；L为导热长度（m）。
(T1-T2)为温度差。
热阻R表示单位面积、单位厚度的材料阻止热量流动的能力，表示为：R＝(T1-T2)/Q＝L/K·A (2)对于单一均质材料，材料的热阻与材料的厚度成正比；对于非单一材料，总的趋势是材料的热阻随材料的厚度增加而增大，但不是纯粹的线形关系。
大功率半导体器件用散热器风冷热阻计算公式和应用软件
大功率半导体器件用散热器风冷热阻计算公式和应用软件2012-03-12 14:17:31 作者：来源：中国电力电子产业网文章概要如下：一、计算公式为了推导风冷散热器热阻计算公式作如下设定：1，散热器是由很多块金属平板组成，平板一端连在一起成一块有一定厚度的基板，平板之间存在间隙，散热器的基本单元是一块平板;2，平板本身具有一定的长度、宽度和厚度(L×l×b)。
平板的横截面积A =L × b;3，由n个平板(齿片)组成的散热器如图一所示，平板(齿片)数为n ;4，由此可见，参数L即为散热器长，或称“截长”;5，设散热器端面周长为“S”。
大功率半导体器件安装在基板上，工作时产生的热通过接触面传到散热器的过程属于固体导热。
散热器平板周围是空气。
风冷条件下平板上的热要传到空气中属于固体与流体间的传热。
所以风冷散热器总热阻等于两部分热阻之和：Rzo(总热阻)= Rth(散热器内固体传热)+ Rthk(散热器与空气间的传热热阻)引用埃克尔特和..德雷克著的“传热与传质”中的基本原理和公式。
推导出如下实用公式：Ks 为散热器金属材料的导热系数。
20℃时，纯铝：KS = 千卡/ 小时米℃;纯铜：Ks = 332 千卡/ 小时米℃;参数L、l、b、S的单位：米;风速us 单位：米/秒如散热器端面的周边长为S 、散热器的长为L，忽略两端面的面积，散热器的总表面积为： A = S L 。
代入上式后，强迫风冷条件下散热器总热阻公式也可写成：对某一型号的散热器来说参数Ks、b、n、S 都是常数。
用此公式即可求出不同长度L、不同风速us条件下的总热阻，并可作出相应曲线。
本公式的精确性受到多种因素的影响存在一定误差。
主要有：ⅰ，受到环境空气的温度、湿度、气压等自然因素的影响。
如散热器金属的热导系数“Ks”与金属成分及散热器工作时温度有关，本文选用的是20℃时的纯铝。
ⅱ，文中所用的“风速”是指“平均风速”。
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芯片散热的热传导计算(图)
讨论了表征热传导过程的各个物理量，并且通过实例，介绍了通过散热过程的热传导计算来求得芯片实际工作温度的方法
随着微电子技术的飞速发展，芯片的尺寸越来越小，同时运算速度越来越快，发热量也就越来越大，如英特尔处理器3.6G奔腾4终极版运行时产生的热量最大可达115W，这就对芯片的散热提出更高的要求。
设计人员就必须采用先进的散热工艺和性能优异的散热材料来有效的带走热量，保证芯片在所能承受的最高温
度以内正常工作。
如图1所示，目前比较常用的一种散热方式是使用散热器，用导热材料和工具将散热器安装于芯片上面，从而将芯片产生的热量迅速排除。
本文介绍了根据散热器规格、芯片功率、环境温度等数据，通过热传导计算来求得芯片工作温度的方
法。
图1散热器在芯片散热中的应用
芯片的散热过程
由于散热器底面与芯片表面之间会存在很多沟壑或空隙，其中都是空气。
由于空气是热的不良导体，所以空气间隙会严重影响散热效率，使散热器的性能大打折扣，甚至无法发挥作用。
为了减小芯片和散热器之间的空隙，增大接触面积，必须使用导热性能好的导热材料来填充，如导热胶带、导热垫片、导热硅酯、导热黏合剂、相转变材料等。
如图2所示，芯片发出的热量通过导热材料传递给散热器，再通过风扇的高速转动将绝大部分热量通过对流（强制对流和自然对流）的方式带走到周围的空气中，强制将热量排除，这样就形成了从芯片，然后通过散热器和导热材料，到周围空气的散热通路。
图2芯片的散热
表征热传导过程的物理量
图3一维热传导模型
在图3的导热模型中，达到热平衡后，热传导遵循傅立叶传热定律：
Q=K·A·(T1-T2)/L (1)
式中：Q为传导热量（W）；K为导热系数（W/m℃）；A 为传热面积（m2）；L
为导热长度（m）。
(T1-T2)为温度差。
热阻R表示单位面积、单位厚度的材料阻止热量流动的能力，表示为：
R＝(T1-T2)/Q＝L/K·A(2)
对于单一均质材料，材料的热阻与材料的厚度成正比；对于非单一材料，总的趋势是材料的热阻随材料的厚度增加而增大，但不是纯粹的线形关系。
对于界面材料，用特定装配条件下的热阻抗来表征界面材料导热性能的好坏更合适，热阻抗定义为其导热面积与接触表面间的接触热阻的乘积，表示如
下：
Z＝(T1-T2)/(Q/A)＝R·A(3)
表面平整度、紧固压力、材料厚度和压缩模量将对接触热阻产生影响，而这些因素又与实际应用条件有关，所以界面材料的热阻抗也将取决于实际装配条件。
导热系数指物体在单位长度上产生1℃的温度差时所需要的热功率，是衡量固体热传导效率的固有参数，与材料的外在形态和热传导过程无关，而热阻和热阻抗是
衡量过程传热能力的物理量。
图4芯片的工作温度
芯片工作温度的计算
如图4的热传导过程中，总热阻R为：
R=R1+R2+R3 (4)
式中：R1为芯片的热阻；R2为导热材料的热阻；R3为散热器的热阻。
导热材料
的热阻R2为：
R2＝Z/A (5) 式中：Z为导热材料的热阻抗，A为传热面积。
芯片的工作温度T2为：
T2＝T1+P×R(6)
式中：T1为空气温度；P为芯片的发热功率；R为热传导过程的总热阻。
芯片的热阻和功率可以从芯片和散热器的技术规格中获得，散热器的热阻可以从散热器的技术规格中得到，从而可以计算出芯片的工作温度T2。
实例
下面通过一个实例来计算芯片的工作温度。
芯片的热阻为1.75℃/W，功率为5W，最高工作温度为90℃，散热器热阻为1.5℃/W，导热材料的热阻抗Z为
5.8℃cm2/W，导热材料的传热面积为5cm2，周围环境温度为50℃。
导热材料理
论热阻R4为：
R4＝Z/A＝
5.8 (℃·cm2/W)/5(cm2)=1.16℃/W(7) 由于导热材料同芯片和散热器之间不可能达到100％的结合，会存在一些空气间隙，因此导热材料的实际热阻要大于理论热阻。
假定导热材料同芯片和散热器之间的结合面积为总面积的60％，则实际热阻R3为：
R3＝R4/60%＝1.93℃/W(8)
总热阻R为：
R=R1+R2+R3=5.18℃/W(9)
芯片的工作温度T2为：
T2＝T1+P×R＝50℃+(5W× 5.18℃/W)＝
75.9℃(10)
可见，芯片的实际工作温度75.9℃小于芯片的最高工作温度90℃，处于安全工
作状态。
如果芯片的实际工作温度大于最高工作温度，那就需要重新选择散热性能更好的散热器，增加散热面积，或者选择导热效果更优异的导热材料，提高整体散热效果，从而保持芯片的实际工作温度在允许范围以内。
我用7805 7810如何计算散热片尺寸？
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我用7805 7810如何计算散热片尺寸？
以7805为例说明问题。
设I=350mA，Vin=12V，则耗散功率Pd=(12V-5V)*0.35A=2.45W 按照TO-220封装的热阻θJA=54℃/W，温升是132℃，设室温25℃，
那么将会达到7805的热保护点150℃，7805会断开输出。
正确的设计方法是：
首先确定最高的环境温度，比如60℃，查出民品7805的最高结温TJMAX=125℃，那么允许的温升是65℃。
要求的热阻是65℃/2.45W=26℃/W。
再查7805的热阻，TO-220封装的热阻θJA=54℃/W，TO-3封装（也就是大家说的“铁壳”）的热阻θJA=39℃/W，均高于要求值，都不能使用（虽然达不到热保护点，但是超指标使用还是不对的）。
所以不论那种封装都必须加散热片，资料里讲到加散热片的时候，应该加上4℃/W的壳到散热片的热阻。
计算散热片应该具有的热阻也很简单，与电阻的并联一样，即54//x=26，x=50℃/W。
其实这个值非常大，只要是个散热片即可满足。
国产散热器厂家其实就是把铝型材做出来，然后把表面弄黑。
热阻这种最基本的参数他们恐怕从来就没有听说过。
如果只考虑散热功率芯片的输入输出电压差X电流是芯片的功耗，这就是散热片的散热功率。