教材第四章习题解答
第4章习题与解答
第4章数据库和数据仓库4.1本章知识框架与学习要求数据库技术是数据管理的最新技术，是计算机科学的重要分支。
它已经成为先进信息技术的重要组成部分，是现代计算机信息系统和计算机应用系统的基础和核心。
数据库已经成为人们存储数据、管理信息、共享资源的最先进最常用的技术。
认识和掌握有关的数据库技术对学好本课程具有重要作用。
本章主要介绍了数据库技术的相关概念包括数据的组织层次、数据模型、信息模型、关系规范化等，以及数据库的设计方法，数据库仓库和数据挖掘的概念。
4.1.1 知识框架与学习要求一、数据的描述与组织（掌握）（一）三个世界1．现实世界2．信息世界3．计算机世界（二）数据组织的层次1．数据项（字段）2．记录３．数据文件４．数据库二、数据库管理技术（一）数据管理的发展（了解）1.简单应用阶段2.文件系统阶段3.数据库系统阶段（二）数据库管理系统（掌握）1．数据库系统（DBS）2．数据库管理系统（DBMS）（1）数据库的定义功能（2）数据库的操作功能（3）数据库的保护功能（4）数据库的维护功能（5）数据的存储管理三、数据模型（掌握）（一）信息模型（概念模型）1．信息模型的要素2．两个实体集之间联系的分类３．实体联系模型（E-R模型）（二）数据模型1．数据模型的三要素2．数据模型与信息模型的关系3.三种主要的数据模型（１）层次模型（Hierarchical Model）（２）网状模型（Network Model）（３）关系模型（Relational Model）（三）概念模型向关系模型的转换（四）关系的规范化1．第一范式（1NF）2．第二范式（2NF）3．第三范式（3NF）五、数据库设计（掌握）（一）数据库设计方法简述（二）数据库设计步骤六、数据仓库和数据挖掘（了解）（一）数据仓库1.数据仓库的概念2.数据仓库和数据库的区别3.数据仓库的特性4.数据仓库的基本结构5.数据仓库工具的组成（二）数据挖掘1.数据挖掘的概念2.数据仓库与数据挖掘的关系4.1.2 学习重点本章重点掌握以下几方面的内容：１．三个世界即现实世界、信息世界、计算机世界的特点及区别与联系；2.人工管理阶段、文件系统阶段及数据库系统阶段应用程序与数据关系的区别；3．数据库管理系统功能4．信息（概念）模型的要素、E-R模型的绘制方法；5．数据模型的三要素、数据模型与信息模型的关系、关系模型；6．概念模型向关系模型的转换；7．数据库设计方法和步骤4.2 教材习题与解答4.2.1 习题一、名词解释1.数据库2.记录3.DBMS4.DBS5.概念模式6.数据模型7.概念模型8.键或码9.数据操作10.1NF 11. 2NF 12.3NF 13.关系14.关系模式15.数据仓库16.数据挖掘二、简答题1. 数据库系统组织数据的特点是什么?2. 数据库系统与文件系统的区别是什么?3. 数据管理经历了哪几个阶段?各个阶段的特点是什么?4. 数据模型的三要素是什么？5. 数据库管理系统的主要功能是什么？6. 信息模型的要素有哪些？7. 试述概念模式在数据库中的重要地位。
建筑力学李前程教材第四章习题解
P 4 3
A 2m (a)
B YB
q4-7】如图所示，已知P，求支座A的反力和杆BC受的力。 【解】BC为二力杆，BC杆受的力为轴力SBC。 由∑mA=0 得 SBClsin30o-Pl/2=0 P SBC=P l/2 l/2 X C 30 A 由∑Xi=0 得 Y o XA+SBCcos30 =0 B XA=-0.866P S 由∑Yi=0 得 YA+SBCsin30o-P=0 YA=0.5P
o
A
A
B
A
A
B
【4-6】已知：(a)m=2.5kN.m,P=5kN;(b)q=1kN/m, P=3kN。求刚架的支座A和B的约束反力。 m 【解】(a)受力分析图如右图 2.5m 由∑Xi=0 得 XA-P×3/5=0 XA=3P/5=3kN ;由∑mB=0 得 X Y m-YA×2+3P/5 ×2.5=0 , YA=5kN 由∑Yi=0 得 YA+YB-4P/5=0 , YB=-1kN (↓) (b)受力分析图如右图 由∑Xi=0 得 XA+P=0 , XA=-P=3kN 2m P 由∑mB=0 得 4q×2-P×3-YA×4=0 3m YA=-0.25kN X Y 由∑Yi=0 得 YA+YB-4q=0 , YB=4.25kN
A o A BC
[4-8]如图，已知P=2kN , q=500N/m。求支座A和B反力。 【解】由∑Xi=0 得 XB=P q 由∑mB=0 得 B P YA ×2-4q ×2=0 Y 2m YA=4q A 由∑Yi=0 得 2m 2m YB+YA-4q=0 Y YB=0
B A
XB
【4-15】已知q=10kN/m , m=40kN.m，求支座A反力。 【解】由于结构上没有水平方向的主动外力， q 故A铰支座水平方向的反力为零。 A B C 由图(a)可知，由三个竖向未知反力， 2m 2m 2m 平行力系只有两个方程，不能求解， Y Y (a) 那么，先看CD杆，见图(b), q C 由∑mC=0 得 D Y 2m 2m YD ×4-2q ×1-m=0 Y (b) YD=15kN; 再看整个结构，由∑mB=0 得 YD ×6-m-4q ×2-YA ×2=0 YA=-15kN(↓)
数字电子技术基础教材第四章答案
习题44－1 分析图P4－1所示得各组合电路,写出输出函数表达式,列出真值表,说明电路得逻辑功能。
解:图(a):;;真值表如下表所示:其功能为一位比较器。
A>B时,;A=B时,;A<B时,图(b):真值表如下表所示:功能:一位半加器,为本位与,为进位。
图(c):真值表如下表所示:功能:一位全加器,为本位与,为本位向高位得进位。
图(d):;;功能:为一位比较器,A<B时,＝1;A=B时,＝1;A>B时,＝14－2 分析图P4－2所示得组合电路,写出输出函数表达式,列出真值表,指出该电路完成得逻辑功能。
解:该电路得输出逻辑函数表达式为:因此该电路就是一个四选一数据选择器,其真值表如下表所示:,当M＝1时,完成4为二进制码至格雷码得转换;当M＝0时,完成4为格雷码至二进制得转换。
试分别写出,,,得逻辑函数得表达式,并列出真值表,说明该电路得工作原理。
解:该电路得输入为,输出为。
真值表如下:由此可得:完成二进制至格雷码得转换。
完成格雷码至二进制得转换。
4－4 图P4－4就是一个多功能逻辑运算电路,图中,,,为控制输入端。
试列表说明电路在,,,得各种取值组合下F与A,B得逻辑关系。
解:,功能如下表所示,两个变量有四个最小项,最多可构造种不同得组合,因此该电路就是一个能产生十六种函数得多功能逻辑运算器电路。
4－5 已知某组合电路得输出波形如图P4－5所示,试用最少得或非门实现之。
解:电路图如下:4－6 用逻辑门设计一个受光,声与触摸控制得电灯开关逻辑电路,分别用A,B,C表示光,声与触摸信号,用F表示电灯。
灯亮得条件就是:无论有无光,声信号,只要有人触摸开关,灯就亮;当无人触摸开关时,只有当无关,有声音时灯才亮。
试列出真值表,写出输出函数表达式,并画出最简逻辑电路图。
解:根据题意,列出真值表如下:由真值表可以作出卡诺图,如下图:C AB 00 10 11 100 1由卡诺图得到它得逻辑表达式为: 由此得到逻辑电路为:4－7 用逻辑门设计一个多输出逻辑电路,输入为8421BCD 码,输出为3个检测信号。
阎石数电第六版课后习题答案详解第四章答案
阎石数电第六版课后习题答案详解第四章答案在《阎石数电第六版》教材第四章中，主要介绍了逻辑代数、逻辑函数和逻辑图的相关内容。
本文将对第四章的课后习题答案进行详细解析。
4.1 课后习题答案详解题目1已知 F = A·B+C 和 G = A+B·C，求 F+G 的简化结果。
答案解析首先，根据 F = A·B+C 和 G = A+B·C，可以得到 F+G 的表达式：F+G = (A·B+C) + (A+B·C)对 F+G 进行展开并合并项，得到：F+G = A·B+C+A+B·C再对表达式进行化简，得到简化结果：F+G = A+B+C所以，F+G 的简化结果为 A+B+C。
题目2已知 F = A·B+C 和 G = A+C，求 F · G 的简化结果。
答案解析首先，根据 F = A·B+C 和 G = A+C，可以得到 F · G 的表达式：F · G = (A·B+C) · (A+C)对 F · G 进行展开并合并项，得到：F ·G = A·B·A + A·B·C + C·A + C·C再对表达式进行化简，得到简化结果：F ·G = A·B·A + A·B·C + C由于 A·B·A 可以简化为 A·B，所以简化后的结果为：F ·G = A·B + A·B·C + C题目3已知 Z = X+Y+AB，求Z · (X′+AB′) 的简化结果。
答案解析首先，对Z · (X′+AB′) 进行展开，得到：Z · (X′+AB′) = (X+Y+AB) · (X′+AB′)将两个括号中的表达式进行展开，得到：Z · (X′+AB′) = X·X′ + X·AB′ + Y·X′ + Y·AB′ + AB·X′ + AB·AB′化简表达式，得到简化结果：Z · (X′+AB′) = 0 + AB′ + 0 + 0 + 0 + AB·AB′由于X·X′ = 0，Y·X′ = 0，AB·X′ = 0，所以简化后的结果为：Z · (X′+AB′) = AB′ + AB·AB′题目4已知Z = A · (X+Y)′+B·C，求Z · (X′+Y′) 的简化结果。
大学化学课后习题答案解析(第四章)
第四章电化学与金属腐蚀1.是非题(对的在括号内填“+”，错的填“-”号)(1)取两根铜棒，将一根插入盛有0.1mol·dm-3CuSO4溶液的烧杯中，另一根插入盛有1mol·dm-3CuSO4溶液的烧杯中，并用盐桥将两只烧杯中的溶液连结起来，可以组成一个浓差原电池。
( )(2)金属铁可以置换Cu2+，因此三氯化铁不能与金属铜反应。
( )(3)电动势E(或电极电势φ)的数值与反应式(或半反应式)的写法无关，而标准平衡常数Kθ的数据，随反应式的写法(即化学计量数不同)而变。
( )(4)钢铁在大气的中性或弱酸性水膜中主要发生吸氧腐蚀，只有在酸性较强的水膜中才主要发生析氢腐蚀。
( )(5)有下列原电池(-)Cd|CdSO4(1.0mol·dm-3)||CuSO4(1.0mol·dm-3)|Cu(+) 若往CdSO4溶液中加入少量Na2S 溶液，或往CuSO4溶液中加入少量CuSO4·5H2O晶体，都会使原电池的电动势变小。
( )解：（1）+；（2）–；（3）+；（4）+；（5）–。
2.选择题(将所有正确答案的标号填入空格内)(1)在标准条件下，下列反应均向正方向进行：Cr2O72 - +6Fe2++14H+=2Cr3++6Fe3++7H2O2Fe3++Sn2+=2Fe2++Sn4+它们中间最强的氧化剂和最强的还原剂是______。
(a)Sn2+和Fe3+(b)Cr2O72 -和Sn2+(c)Cr3+和Sn4+(d)Cr2O72 -和Fe3+(2)有一个原电池由两个氢电极组成，其中有一个是标准氢电极，为了得到最大的电动势，另一个电极浸入的酸性溶液[设p(H2)=100kPa]应为(a)0.1mol·dm-3HCl (b)0.1mol·dm-3HAc+0.1mol·L-1NaAc(c)0.1mol·dm-3Hac (d)0.1mol·dm-3H3PO4(3)在下列电池反应中Ni(s)+Cu2+(aq)→Ni2+(1.0mol·dm-3)+Cu(s)当该原电池的电动势为零时，Cu2+浓度为(a)5.05×10-27mol·dm-3(b)5.71×10-21mol·dm-3(c)7.10×10-14mol·dm-3(d)7.56×10-11mol·dm-3(4)电镀工艺是将欲镀零件作为电解池的（）；阳极氧化是将需处理的部件作为电解池的（）。
《固体物理学》房晓勇主编教材-习题解答参考04第四章 晶体结构中的缺陷
第四章 晶格结构中的缺陷4.1 试证明，由N 个原子组成的晶体，其肖托基缺陷数为sB k T s n Ne μ−=其中s μ是形成一个空位所需要的能量。
证明：设由N 个原子组成的晶体，其肖托基缺陷数为s n ，则其微观状态数为!()!s !s s N P N n n =− 由于s μ个空位的出现，熵的改变[]!ln lnln ()ln()ln ()!!B s B B s s s s s s N S k P k k N N N n N n n n N n n Δ===−−−−− 晶体的自由能变化为 []ln ()ln()ln s s s s B s s s F n T S n k T N N N n N n n n μμ=−Δ=−−−−−s要使晶体的自由能最小B ()ln 0s s s sT n F u k T n N ⎡⎤⎛⎞∂Δ=+=⎜⎟⎢⎥∂−⎣⎦⎝⎠n 整理得s B k T s s n e N n μ−=− 在实际晶体中，由于,s n N <<s s s n n N N n ≈−，得到 sB k T s n Ne μ−=4.2 铜中形成一个肖托基缺陷的能量为1.2eV ，若形成一个间隙原子的能量为4eV ，试分别计算1300K 时肖托基缺陷和间隙原子数目，并对二者进行比较。
已知，铜的熔点是1360K 。
解：（王矜奉4.2.4）根据《固体物理学》4-8式和4-10式，肖托基缺陷和间隙原子数目分别为 s B k T s n Neμ−= 11B k T n Ne μ−= 得19231.21.61051.38101300 2.2510sB k T s n Ne NeN μ−−××−−−××===× 191231.2410161.381013001 3.2110B k T n Ne Ne N μ−−××−−−××===×4.3 设一个钠晶体中空位附近的一个钠原子迁移时，必须越过0.5eV 的势垒，原子振动频率为1012Hz 。
弹性力学简明教程(第四版)_第四章_课后作业题答案
弹性力学简明教程(第四版)_第四章_课后作业题答案本页仅作为文档封面，使用时可以删除This document is for reference only-rar21year.March第四章 平面问题的极坐标解答【4-8】 实心圆盘在r ρ=的周界上受有均布压力q 的作用，试导出其解答。
【解答】实心圆盘是轴对称的，可引用轴对称应力解答，教材中的式（4-11），即22(12ln )2(32ln )20AB CAB C ρϕρϕσρρσρρτ⎫=+++⎪⎪⎪⎪=-+++⎬⎪⎪⎪=⎪⎭ (a) 首先，在圆盘的周界（r ρ=）上，有边界条件()=r q ρρσ=-，由此得-q 2(12ln )2AB C ρσρρ=+++= (b)其次，在圆盘的圆心，当0ρ→时，式（a ）中ρσ，ϕσ的第一、第二项均趋于无限大，这是不可能的。
按照有限值条件（即，除了应力集中点以外，弹性体上的应力应为有限值。
），当=0ρ时，必须有0A B ==。
把上述条件代入式（b ）中，得/2C q =-。
所以，得应力的解答为-q 0ρϕρϕσστ===。
【4-9】 半平面体表面受有均布水平力q ，试用应力函数2(sin 2)ΦρB φC φ=+求解应力分量（图4-15）。
【解答】（1）相容条件：将应力函数Φ代入相容方程40∇Φ=，显然满足。
（2）由Φ求应力分量表达式=-2sin 222sin 222cos 2B C B C B Cρϕρϕσϕϕσϕϕτϕ⎧+⎪⎪=+⎨⎪=--⎪⎩（3）考察边界条件：注意本题有两个ϕ面，即2πϕ=±，分别为ϕ±面。
在ϕ±面上，应力符号以正面正向、负面负向为正。
因此，有2()0,ϕϕπσ=±= 得0C =； -q 2(),ρϕϕπτ=±= 得2qB =-。
将各系数代入应力分量表达式，得sin 2sin 2cos 2q q q ρϕρϕσϕσϕτϕ⎧=⎪⎪=-⎨⎪=⎪⎩ 【4-14】 设有内半径为r 而外半径为R 的圆筒受内压力q ，试求内半径和外半径的改变量，并求圆筒厚度的改变量。
人教版(2024新版)七年级数学上册第四章习题练课件：4.1 课时2 多项式及整式
项数是3，多项式的次数为多项式中次数最高的项的次数，故次数为
3 + 5 = 8.
4.教材P94T3变式多项式4 4
− 2 3 2
+
3 3
− 5 −
1
中，它的项分别为
2
−
−
五
五
_____，________，_____，_______，____，这个多项式为____次____项式.
4.1 整式
课时2 多项式及整式
习题练
知识点1 多项式的概念
1.[2024廊坊期末]下列各式中是多项式的是( D )
1
A.
2
B.2
1
C.
2
D. 2 − 2
知识点2 多项式的项与次数
2.[2024深圳龙华区期末]多项式− 2 + 3 − 5的二次项系数是( B
A.− 2
B.−1
C.3
项的系数互为相反数,所以 = −3.故 + = −3 + 4 = 1.
素养提升
11.抽象能力教材P94T9变式[2024咸阳实验中学期中]在某次综合与实践活
动中，小聪同学了解到鞋号（码）与脚长 mm 的对应关系如表：
鞋号/码
…
33
34
35
36
37
…
脚长/mm
…
215
220
225
230
235
2 + + ，共2个；整式有6，，1，3， − ，
2 + + ，共6个.故D项的说法正确.
9.如果一个多项式的各项次数都相同，那么这个多项式叫作齐次多项
式．如 3 + 3 2 + 4 + 2 3 是3次齐次多项式.若 +3 2 − 6 3 2 是齐
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第四章晶体结构习题解答
1．是非题
①离子晶体中正、负离子的堆积方式主要取决于离子键的方向性。
（）
②由于共价键十分牢固，因而共价化合物的熔点均较高。
（）
③金属材料具有优良的延展性与金属键没有方向性有关。
（）
④分子晶体的物理性质取决于分子中共价键的强度。
（）
【解答】①错误，离子键没有方向性和饱和性。
②错误，化合物熔点的高低取决于晶体结点上原子、分子或离子等微粒之间的作用力的大小。
③正确。
④错误，分子晶体的物理性质取决于晶格结点上分子与分子之间作用力的大小。
2．选择题（选择1个或2个正确答案）
①下列几种固体物质晶格中，由独立分子占据晶格结点的是（）
A. 石墨
B. 干冰
C. SiC
D. NaCl
E. SiF
4
②晶格能的大小可用来表示（）
A. 共价键的强弱
B. 金属键的强弱
C. 离子键的强弱
D. 氢键的强弱
③由常温下Mn
2O
7
是液体的事实，估计Mn
2
O
7
中的Mn与O之间的化学键
是（）。
A. 离子键
B. 共价键
C. 金属键
D. 氢键
④下列四种离子晶体中熔点最高的是（）。
A. CaF
2 B. BaCl
2
C. NaCl
D. MgO
【解答】① B，E；② C；③ B；④ D。
3．指出下列物质晶态时的晶体类型
① O
2
② SiC
③ KCl ④ Ti 。
【解答】①分子晶体；②原子晶体；③离子晶体；④金属晶体。
4．根据有关性质的提示，估计下列几种物质固态时的晶体类型
①固态物质熔点高，不溶于水，是热、电的良导体。
②固态时熔点1000℃以上，易溶于水中。
③常温为固态，不溶于水，易溶于苯。
④ 2300℃以上熔化，固态和熔体均不导电。
【解答】①金属晶体；②离子晶体；③非极性分子晶体；④原子晶体。
5．熔融固态的下列物质时，需克服什么力？
a. 离子键；
b. 共价键；
c. 氢键；
d. 取向力；
e. 诱导力；
f. 色散力。
① CCl
4
② MgO
③ SiO
2④ H
2
O
【解答】① f；② a；③ b；④ c,d,e,f 。
6．以列表的方式比较K、Cr、C、Cl四种元素的外层电子构型、在周期表中的分区、单质的晶体类型、熔点、硬度。
7．由书中相关表格查出：1、密度最小的；2、熔点最低的；3、熔点最高的；
4、硬度最大的；
5、导电性最好的金属的元素符号及其相应数据。
【解答】密度最小的金属：Li,0.53g.cm-3；熔点最低的金属是汞，-38.84℃；熔点最高的金属是W，3410℃；导电性最好的金属是Ag，电导率是0.631×108σ/S.m-1。
8．什么叫晶格？四种基本类型晶体中，晶格结点上存在什么微粒？粒子之间存在什么作用力？对物质性质有何影响？
【解答】晶体是由原子、离子、分子等微粒在空间按一定规律周期性地重复排列构成的固体物质。
将晶体的微粒抽象为几何学中的点，无数这样的点在空间按照一定的规律重复排列而成的几何构型叫做晶格。
晶体类型基本微粒结合力对物理性质的影响
离子晶体正离子、负离子静电引力
硬、脆、不导电，难导热，易溶性溶剂，熔
化或溶解可导电，高熔、沸点，低挥发
原子晶体原子共价键
高硬度，高熔、沸点，不导电，不导热，不
溶于任何溶剂
分子晶体
非极性分子或极
性分子分子间力、
氢键
非极性分子：软，低熔、沸点，易挥发，低
导电和导热性，易溶于非极性溶剂；
极性分子：略硬，略高熔、沸点，适当挥发，
低导电，适当导热，易溶于极性溶剂。
金属晶体
金属原子、金属正
离子和自由电子金属键
一般高硬度，高熔、沸点，高导电，高导热，
优良机械加工性和延展性；
9．何谓晶格能？影响晶格能的因素有哪些？晶格能与物质的物理性质有何
关系？
【解答】离子键的强度可用晶格能（U）的大小来衡量。
在标准状态（100kPa，298.15K）下，将1mol的离子晶体解离成自由的气态正、负离子所吸收的能量称为离子晶体的晶格能，单位为kJ·mol-1。
晶格能的大小与正、负离子的电荷数成正比，与正、负离子间的距离成反比。
相同类型的离子晶体比较，离子的电荷越高，正、负离子半径越小，其晶格能越大，正、负离子间的结合力越强，此离子晶体的离子键越牢固，晶体的熔点越高、硬度也越大。
10．碳与硅是同族元素，为什么干冰和石英（SiO
2
）的物理性质却相差很远。
【解答】碳与硅是同族元素，但干冰（CO
2
）是非极性型分子晶体，分子间只存在很弱的色散力，所以干冰很软，熔、沸点低，易挥发（升华），易溶于非
极性溶剂中。
石英（SiO
2
）是原子晶体，占据晶格结点上的是原子，原子间通过
共价键结合在一起，原子型晶体中，由于原子之间的共价键比较牢固，键的强度比较高，所以原子型晶体一般具有高硬度，高熔、沸点，极低或没有挥发性，不导电，难导热，熔化时也不导电，在极性或非极性溶剂中基本都不溶解。