电子科技大学硕士研究生入学考试复试考试大纲-电子科技大学微电子
2024年硕士研究生招生专业课考试大纲---新一代电子信息技术(含量子技术等)、集成电路工程(复试)
附件5：广东技术师范大学2024年硕士研究生招生专业课考试大纲填报表一、考试科目代码及名称：F242计算机网络二、招生单位（盖公章）：基本内容：I考查目标掌握计算机网络的基本工作原理；掌握计算机网络和数据通信方面的基本理论和知识；掌握计算机网络分层次的体系结构；掌握计算机网络物理层、数据链路层、网络层、传输层及应用层的基本原理；掌握TCP/IP协议集中各层协议的数据格式和主要功能，包括ARP、IP、UDP、TCP、HTTP、DHCP等协议；掌握集线器、网络适配器、以太网交换机、路由器等网络设备的工作原理。
II考试内容弟一早第一节互联网概述知识要点：互连网、互联网第二节互联网的组成知识要点：边缘部分、核心部分、客户服务器方式、对等方式、分组交换第三节计算机网络类别知识要点：广域网、城域网、局域网、接入网第四节计算机网络的性能知识要点：速率、带宽、吞吐量、时延第五节计算机网络体系结构知识要点：协议、协议三要素、TCP/IP体系结构、具有五层协议的体系结构、PDU.服务弟一早第一节物理层基本概念知识要点：机械特性、电气特性、功能特性、过程特性第二节数据通信的基础知识知识要点：数据通信系统的模型、通信三种基本方式、容量第三节物理层下面的传输媒体知识要点：双绞线、同轴电缆、光缆、非引导型传输媒体第四节信道复用技术知识要点：复用的概念、频分复用、时分复用、统计时分复用、码分复用第五节宽带接入技术知识要点：ADS1、光纤同轴混合网、FTTX第三章第一节使用点到点信道的数据链路层知识要点：链路、数据链路、封装成帧、透明传输、差错控制第二节使用广播信道的数据链路层知识要点：局域网、以太网的标准、适配器、CSMA/CD协议、集线器、硬件地址第三节扩展的以太网知识要点：在物理层扩展以太网、在数据链路层扩展以太网、以太网交换机、虚拟以太网第四章第一节网络层提供的两种服务知识要点：面向连接、无连接、虚电路、数据报第二节网际协议IP知识要点：虚拟互连网络、分类的IP地址、IP地址与硬件地址、地址解析协议ARP、IP层转发分组的流程、第三节划分子网和构造超网知识要点：划分子网、构造超网、子网掩码第四节路由器及虚拟专用网知识要点：网关协议、虚拟专用网、地址转换第五章第一节运输层协议概述知识要点：运输层为相互通信的应用进程提供逻辑通信、UDP、TCP、端口、第二节用户数据报协议UDP知识要点：UDP的主要特点、UDP首部第三节传输控制协议TCP概述知识要点：UDP的主要特点、TCP连接、套接字第四节可靠传输的工作原理知识要点：停止等待协议、连续ARQ协议弟八早第一节域名系统DNS知识要点：域名系统DNS、域名结构、域名服务器第二节万维网WWW知识要点：万维网概述、UR1、HTTP、代理服务器、HTM1搜索引擎第三节动态主机配置协议DHCP知识要点：协议配置、DHCP第七章第一节网络安全问题概述知识要点：安全性问题、数据加密模型第二节两类密码体制知识要点：报文鉴别、对称密钥、公钥第三节密钥分配与系统安全知识要点：密钥分配、网络安全协议、防火墙第八章第一节音频/视频服务知识要点：流式存储、交互式音频/视频第二节无线局域网知识要点：组成结构、802.11第三节蜂窝移动通信知识要点：蜂窝移动通信系统、数据通信引入移动通信系统参考书目（须与专业目录一致）（包括作者、书目、出版社、出版时间、版次）：谢希仁,计算机网络简明教程（第4版）.中国工信出版集团，2023年5月谢希仁.计算机网络（第8版）.中国工信出版集团，2023年6月编制人：培养单位负责人：年月日。
电子科技大学(成都)考研历年真题之832微电子器件2008--2015年考研真题
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共 48 分，每空 1.5 分） 1、PN 结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（ （ 高而（ ）向偏置的
微电子器件 试题共 6 页，第 1 页
） ，因此τb/τB 可以表示 ） 。 ）的控制能力。 ） 。 （第二个空填 “大” 或 “小” ，
） ， 该控制能力越 （
）单向导电性。 （从以下选项中选择） C 空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层
8、MOSFET 的跨导是（
）特性曲线的斜率，而漏源电导是（
）特性曲
3、防止 PN 结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（ （
）的半导体材料，其热稳定性越好。 （第二个空填“大”或“小” ） ） ，共发射极增量输
4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（ 出电阻越（ ） 。 （填“大”或“小” ）
5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb 和τB，则 1/τB 表示的物理 意义为（ （ 6、MOSFET 的亚阈区摆幅 S 反应了在亚阈区中（ 栅氧化层越厚， 则S越 （ 第三个空填“强”或“弱” ） 7、当金属和 P 型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表 面将形成（ A 电子阻挡层 E 具有 ） ，该结构（ B 电子反阻挡层 F 不具有
2、一个 NPN 双极型晶体管，掺杂浓度为 NE=5×1018cm-3，NB=5×1016cm-3，NC=1×1013cm-3，发 射区和基区宽度为 WE=10µm，WB=2µm。偏置条件为 IB=2mA，VBC=-3V。电子和空穴的扩散 系数分别为 Dn=40cm2/s 和 Dp=20cm2/s，电子和空穴的寿命均为 1µs。求： （1） 器件的共发射极直流短路电流放大系数 β 为多少？ （2） 器件的跨导 gm 为多少？ （10 分）
杭州电子科技大学2022年同等学力加试考试大纲 机械工程学院-微机原理及应用
杭州电子科技大学硕士研究生复试同等学力加试科目考试大纲学院：机械工程学院加试科目：微机原理及应用一、微型计算机的基础知识1．微型计算机的一般概念、工作原理。
2．计算机中信息的表示方法及运算基础。
二、8086系统结构1．8086 CPU内部结构及工作模式。
2．8086CPU的内部寄存器的分类及使用。
3．8086CPU引脚及其功能。
4．存储器组织与分段设计方法，逻辑地址与物理地址。
5．8086CPU的内部时序、总线周期的概念及其与时钟周期。
三、8086指令系统1．操作数的寻址方式2．8086的指令格式，8086的指令集四、8086汇编语言程序设计1．8086汇编语句格式2．8086伪指令和运算符3．汇编语言程序设计五、存储器原理与接口1．存储器的分类、结构和接口设计。
2．地址译码方法及常用译码芯片74LS138。
六、微型计算机的输入/输出1．I/O端口地址的形成。
2．I/O端口寻址方式。
3．8086CPU的I/O指令和I/O地址译码电路。
4．8086CPU与外部设备的输入输出方式。
七、可编程接口芯片1．8255A和 CPU 的信号连接以及和外设的信号连接。
2．8255A的初始化流程及使用程序设计。
3．可编程定时/计数器接口芯片8253的工作方式。
八、串行输入/输出接口1．串行通信的接口标准与接口芯片。
2．USB工作原理。
九、中断与中断管理1．8086CPU中断服务入口地址表。
2．中断入口地址设置。
3. 8259A中断控制芯片基本功能十、D/A转换与A/D转换接口及应用1．D/A转换器与CPU的连接方法与使用程序设计。
2．A/D转换器与CPU的连接方法与使用程序设计。
参考书目：彭虎，周佩玲傅忠谦编，《微机原理与接口技术》，电子工业出版社，第3版，2011。
杭州电子科技大学2023年《891微机原理与接口技术》考研专业课考试大纲
杭州电子科技大学全国硕士研究生招生考试业务课考试大纲考试科目名称：微机原理与接口技术科目代码：891 一、微型计算机概论●冯.诺依曼型计算机系统的组成、特点和工作原理；●计算机的分类，微机技术的两大分支；●微控制器基本结构及其特点；指令、指令体系、程序和软件的基本概念。
二．STC15注系列微控制器结构和原理●STC15系列微控制器的结构和工作原理；●微控制器内部组成及信号引脚；存储器配置情况；●并行输入/输出电路结构；●时钟电路与时序、系统复位。
三．基于C语言的程序设计●C51数据类型；●基本运算符的应用；●C51程序结构及语法特点；●常用程序的设计流程和调试方法。
四．微控制器存储器扩展●微控制器存储器的扩展结构和实现方法●存储器扩展的编址技术；五. 中断系统●微控制器中断的概念、功能、中断源、处理流程；●STC15系列微控制器中断系统结构、中断处理过程；●STC15系列微控制器中断控制方法和编程技术。
六. 定时器与计数器●STC15微控制器定时器/计数器的结构与工作原理；●STC15微控制器定时器/计数器的控制方法和编程技术；七．模拟接口技术●数/模转换器的工作原理、技术指标、结构特点；●TLC5615接口芯片的内部结构与工作方式；●TLC5615与STC15系列51微控制器的连接电路的设计与应用；●模/数转换器的工作原理、技术指标、结构特点；八．串行数据通信●微控制器串行通信的基本知识；●STC15微控制器串口的内部结构、控制寄存器的结构、工作方式设置；●异步串行通信编程方法；●RS-232C和RS-485的概念；九．人机接口技术●矩阵键盘的行列式扫描法工作原理及编程方法。
●动态数码管显示工作原理及编程方法。
十．单片机应用系统设计●能够结合日常生活，描述单片机的具体应用。
参考书目：注：学生只需掌握和经典MCS51兼容部分的相关知识即可。
●《单片微型计算机原理及接口技术》，陈桂友编高等教育出版社2017.7。
电子科技大学硕士考试大纲
电子科技大学硕士研究生入学考试自命题科目初试大纲（2013版）电子科技大学研究生院二〇一二年九月全日制翻译硕士专业学位研究生入学考试《翻译硕士X语》考试大纲一、考试目的：《翻译硕士X语》作为全日制翻译硕士专业学位（MTI）入学考试的外国语考试，其目的是考察考生是否具备进行MTI学习所要求的外语水平。
二、考试性质与范围：本考试是一种测试应试者单项和综合语言能力的尺度参照性水平考试。
考试范围包括MTI考生应具备的外语词汇量、语法知识以及外语阅读与写作等方面的技能。
三、考试基本要求1. 具有良好的外语基本功，认知词汇量在10，000以上，掌握6000个以上（以英语为例）的积极词汇，即能正确而熟练地运用常用词汇及其常用搭配。
2. 能熟练掌握正确的外语语法、结构、修辞等语言规范知识。
3．具有较强的阅读理解能力和外语写作能力。
四、考试形式本考试采取客观试题与主观试题相结合，单项技能测试与综合技能测试相结合的方法。
各项试题的分布情况见“考试内容一览表”。
五、考试内容：本考试包括以下部分：词汇语法、阅读理解、外语写作等。
总分为100分。
I．词汇语法1. 要求1）词汇量要求：考生的认知词汇量应在10,000以上，其中积极词汇量为6,000以上，即能正确而熟练地运用常用词汇及其常用搭配。
2）语法要求：考生能正确运用外语语法、结构、修辞等语言规范知识。
2. 题型：多项选择或改错题II. 阅读理解1. 要求：1）能读懂常见外刊上的专题文章、历史传记及文学作品等各种文体的文章，既能理解其主旨和大意，又能分辨出其中的事实与细节，并能理解其中的观点和隐含意义。
2）能根据阅读时间要求调整自己的阅读速度。
2. 题型：1) 多项选择题（包括信息事实性阅读题和观点评判性阅读题）2) 简答题（要求根据所阅读的文章，用3-5行字数的有限篇幅扼要回答问题，重点考查阅读综述能力）本部分题材广泛，体裁多样，选材体现时代性、实用性；重点考查通过阅读获取信息和理解观点的能力；对阅读速度有一定要求。
[复试]过来人对电子科大复试的一点经验之谈
![[复试]过来人对电子科大复试的一点经验之谈](https://img.taocdn.com/s3/m/75c7f2d6760bf78a6529647d27284b73f3423640.png)
[复试]过来人对电子科大复试的一点经验之谈第一篇：[复试] 过来人对电子科大复试的一点经验之谈以前经常来这个论坛，为感谢、支持这个论坛，特地将自己复试的一点经验给大家分享下。
对与不对仅代表个人意见。
1、不多说，直奔主题吧，大家都挺忙。
大家都知道电子科大的复试主要有三部分组成笔试、英语口语跟综合面试。
笔试跟口语绝大部分都能过。
当然这是在你好好复习了的基础之上的，笔试不难但绝不简单，靠混是没法过的。
英语口语的考核形式不同的学院有不同的方式。
去年通信学院的口语面试跟综合面试是分开的，方式是：话题讨论。
即每两个同学一组，就一个话题展开讨论。
然后老师提问。
面试老师就一个。
要讨论的话题面试当天随机抽取，当你前面一组同学进去面试的时候你这组就抽提。
所以留给你们准备的时间就上一组同学的面试时间。
其他学院也有综合面试带英语口语面试一起的，口语部分老师会叫你读一段英文论文，然后翻译。
这也是面试时候随机抽取的英语论文。
在复试三部分中最关键的应该是综合面试，要刷人基本上都在这个环节。
综合面试也分组进行，不过现在跟你分在一组的同学都是你报考老师团队的所有学生，也就是你将来的同学。
面试你的老师是你的导师跟他所在团队的所有其他老师，基本上4、5位左右。
面试过程有的组是一位一位同学进行面试，有的是两三位同学一起面试。
在面试中有的团队老师也会给你抽提做，有的不会，所以看你报的导师的脾气了。
在面试中，紧张在所难免，但千万不要因为紧张而语无伦次，更不要不知道的乱忽悠。
要知道就专业知识、社会经验老师比你丰富的多。
老师基本上都了解大家是什么水平，事实求是就行。
导师招人有真本事当然好，但基础也是要这人能跟人交流，能跟人合作、有团队精神的人。
如果你在面试中说话不清楚，基本问题都表达不清楚，特别是不诚实，那肯定被刷了。
面试时间有限，很难让老师全面了解你，所以有必要面试前见见老师交流交流，当然有的老师时间有限，不一定会跟你交流什么，但有机会还是争取一下，毕竟没什么坏处。
成都电子科技大学微电子器件2008-2016年考研初试真题+答案
电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共44分，每空1分）1、PN结的内建电势也称为扩散电势，是指耗尽区中从（）处到（）处的电位差。
掺杂浓度越高，内建电势将越（）。
2、根据耗尽近似和中性近似，在PN结势垒区内，（）已完全耗尽；而在势垒区之外，（）浓度等于电离杂质浓度，维持电中性。
3、在相同的电场强度和温度下，锗材料和硅材料相比较，碰撞电离率更高的是（），其原因是它的（）更小。
4、在计算实际PN结的雪崩击穿电压或势垒电容时，如果结两侧掺杂浓度相差较小，浓度梯度较小，而结深较大时，则可将其近似为（）结求解。
5、温度升高时，PN结的齐纳击穿电压会（），因为（）随温度升高减小了。
6、一个PN结二极管在制备完成后对其进行了电子辐照，该二极管的反向恢复时间将（），原因是电子辐照在半导体中引入了（）。
7、当PN结的正向电流增大时，其直流增量电阻会（），扩散电容会（）。
（填“变大”，“变小”或“不变”）8、双极型晶体管的基区宽度越小，其共发射极增量输出电阻越（），厄尔利电压越（）。
（填“大”或“小”）9、双极型晶体管的发射结注入效率是指（）电流与（）电流之比。
10、双极型晶体管的基区发生大注入时，由于基区载流子浓度急剧增加，其发射结注入效率γ会（）；同时，和PN结大注入相类似，基区内会发生（）效应。
11、高频双极型晶体管的工作频率范围一般在：（）< f <（）。
12、双极型晶体管的高频优值是指（）与（）的乘积。
13、小电流时，双极型晶体管的电流放大系数会下降，这是由于（）在（）中所占的比例增加所引起的。
14、MOS结构中，半导体的表面势是指从（）到（）的电势差。
一般来说，实际MOS结构的表面势是（）零的，这主要是由于（）以及（）所引起。
（第三个空填“>”、“<”或“=”）15、为了降低栅氧化层电荷的影响，MOSFET通常会采用（）晶面来制作。
电子科大计算机研究生复试内容
6、因特网中的选路：层次化路由 一般： 1、网络服务模型 2、ICMP 和 IPv6 3、广播和多播 第五章 链路层和局域网 重点： 1、链路层提供的服务 2、差错检测原理及技术，尤其 CRC 校验码检错原理 3、以太网技术及其 CSMA/CD 协议算法 4、互联设备中继器、交换机及其相关技术 5、ARP 协议原理 一般： 1、多址访问协议的种类（ALOHA、CSMA、CSMA/CD 、CSMA/CA）、原理及特点 2、PPP 协议及其应用 3、链路虚拟化的基本概念 4、ATM 及 MPLS 技术
逻辑地址/物理地址、重定位、内零头、外零头、紧凑技术、虚拟存储、抖动、 空闲分区（链） 表、页表、分页地址结构、段表、分段地址结构、段页式地址结构等概念，动态分区放置算法、分 页系统逻辑地址到物理地址的转换方法、页面置换算法(FIFO, LRU, CLOCK)。 4．设备管理
计算机 I/O 子系统的组成、I/O 控制方式（程序 I/O，中断驱动 I/O 及 DMA）、OS 设备管理模 块的结构、I/O 缓冲技术、SPOOLing 技术、RAID 技术等知识点，设备分配中的数据结构（设备控 制表、控制器控制表、通道控制表、系统设备表）、逻辑设备表及磁盘调度算法（SSTF 算法，SCAN 算法，CSCAN 算法，N-STEP-SCAN 算法，FSCAN 算法）。 5．文件管理
二、内容及ห้องสมุดไป่ตู้例
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复试电子材料
考试形式
笔试（闭卷）
考试时间
120分钟
考总分
200分
一、总体要求
考察学生对磁学基础知识与磁性材料、电介质材料相关知识的掌握情况。
二、内容及比例
（一）第一部分：重点掌握磁学基础知识与磁性材料相关内容。
其中磁学基础知识：
深刻理解各基本磁学量的物理意义，以及相互间的区别和联系；掌握外磁场能FH和退磁场能Fd的概念、表达式及物理意义；理解五种磁性各自的基本磁结构及其磁化率与温度的关系；
掌握常见金属软磁材料的结构与特点、制备方法及应用（如铁硅，铁镍、纳米晶系等。）
掌握常见金属及稀土永磁材料的结构与特点、制备方法及应用（如AlNiCo，SmCo，NdFeB，SmFeN。）
掌握软磁铁氧体结构与特点;软磁铁氧体的磁谱特性、软磁铁氧体损耗特性、软磁铁氧体的稳定性、金属离子的分布占位等对其软磁性能（如磁导率、截止频率、磁损耗等）的影响。对铁氧体的合成与制备技术有初步的了解。
掌握电容器的分类、特点及典型的瓷料组别、高介电容器介电常数的温度系数变化机理、钛离子变价原因及解决措施。对高频瓷料的合成与制备技术有一定了解。
掌握铁电体、电滞回线、电畴等基本概念、钛酸钡铁电体的晶体结构及相变、铁电体居里相变扩张机理、低频铁电瓷的展宽、移峰、叠峰的基本概念及其改性机理、镍电极多层陶瓷电容器的优点、抗还原瓷料研制难点及解决方案。对多层陶瓷电容器的优点及主要瓷料组别有一定了解。掌握铁电疲劳、铁电老化以及去老化的概念。
掌握钛酸钡陶瓷的半导化方法、金属与半导体的接触形式。对PTC陶瓷的半导化机理、PTC效应有一定了解。
掌握压电效应的基本概念、压电参数的物理意义，掌握压电陶瓷预极化原理、PZT陶瓷的软性与硬性取代规律。对准同型相界有一定了解。
三、题型及分值
填空题、名词解释、问答题、辨析题、计算题等
（二）第二部分：重点掌握电介质材料相关内容。
掌握陶瓷显微结构的分类及基本概念、晶界与相界的区别、晶体结构的缺陷及缺陷反应方程的书写、固溶体的概念、分类及影响固溶度的因素，掌握钙钛矿结构的形成条件及其特点，掌握鲍林规则中的几何规则和电价规则，能运用几何规则和电价规则分析晶体中多面体的连接方式。
掌握电介质材料与金属材料导热机制的区别，掌握高导热晶体的特点。
全面了解物质的磁性；重点掌握铁磁性与亚铁磁性两类；掌握亚铁磁性代表物—铁氧体的种类、各自的晶体结构、分子式及离子分布式的书写、分子磁矩的计算、饱和磁化强度的计算等。
了解磁化过程及磁化机制；掌握畴壁位移磁化和畴转磁化的机制。
其中磁性材料：
熟悉磁性材料理论基础（分类与特性要求、磁化机制、铁磁金属和合金的结构和磁性、提高软、永磁材料磁性能的措施方法）