GBT126042021无损检测术语缺GBT
JBT_4730-2005承压设备无损检测

承压设备无损检测第1部分:通用要求1 范围JB/T 4730的本部分规定了射线检测、超声检测、磁粉检测、渗透检测和涡流检测五种无损检测方法的一般要求和使用原则。
本部分适用于在制和在用金属材料制承压设备的无损检测。
2 规范性引用文件下列文件中的条款,通过JB/T 4730的本部分的引用而成为本部分的条款。
凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本部分,然而,鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本部分。
GB/T 12604.1 无损检测术语超声检测GB/T 12604.2 无损检测术语射线检测GB/T 1 2604.3 无损检测术语渗透检测GB/T 12604.4 无损检测术语声发射检测GB/T 12604.5 无损检测术语磁粉检测GB/T 12604.6 无损检测术语涡流检测GB 17925—1999 气瓶对接焊缝x射线实时成像检测GB/T 18182—2000 金属压力容器声发射检测及结果评价方法GB/T 19293—2003 对接焊缝x射线实时成像检测法JB/T 4730.2 承压设备无损检测第2部分:射线检测JB/T 4730.3 承压设备无损检测第3部分:超声检测JB/T 4730.4 承压设备无损检测第4部分:磁粉检测JB/T 4730.5 承压设备无损检测第5部分:渗透检测JB/T 4730.6 承压设备无损检测第6部分:涡流检测国家质量监督检验检疫总局国质锅检字[2003]248号文特种设备无损检测人员考核与监督管理规则。
3术语和定义GB/T 12604.1~12604.6规定的、以及下列术语和定义适用于JB/T 4730的本部分。
3.1公称厚度T nominal thickness受检工件名义厚度,不考虑材料制造偏差和加工减薄。
3.2透照厚度W penetrated thickness射线照射方向上材料的公称厚度。
超声波检测国家标准总汇(2015最新)

JB/T4008—1999
液浸式超声纵波直射探伤方法代替JB4008-85
JB/T 4730。3—2005
承压设备无损检测第3部分超声检测取代JB4730—1994
JB/T5093—1991
内燃机摩擦焊气门超声波探伤技术条件
JB/T5439—1991
压缩机球墨铸铁零件的超声波探伤
超声硬度计技术条件
ZB E98 001-88
常压钢质油罐焊缝超声波探伤(NDT,90—1)(已被JB/T9212—1999代替)
SDJ 67—83
水电部电力建设施工及验收技术规范:管道焊缝超声波检验篇
QJ 912—1985
复合固体推进剂药条燃速的水下声发射测定方法
QJ 1269—87
金属薄板兰姆波探伤方法
钢管探伤对比试样人工缺陷尺寸测量方法
YB/T 898—77
钢材低倍缺陷超声波检验方法
YB/T951—2003
钢轨超声波探伤方法
YB/T4082—2000
钢管自动超声探伤系统综合性能测试方法
YB/T4094—1993
炮弹用方钢(坯)超声波探伤方法
JB 1151—1973
高压无缝钢管超声波探伤
JB 2674—80
QJ1274—1987
玻璃钢层压板超声波检测方法
QJ 1629—1989
钛合金气瓶声发射检测方法
QJ 1657-1989
固体火箭发动机玻璃纤维缠绕燃烧室壳体超声波探伤方法
QJ 1707—1989
金属及其制品的脉冲反射式超声波测厚方法
QJ2252-1992
高温合金锻件超声波探伤方法及质量分级标准
QJ 2914—1997
无损检测标准一览表

19.
GB/T 15822.1—2005
无损检测磁粉检测第1部分:总则
20.
GB/T 15822.2—2005
无损检测磁粉检测第2部分:检测介质
21.
GB/T 15822.3—2005
无损检测磁粉检测第3部分:设备
22.
GB/T 15830—2008
无损检测钢制管道环向焊缝对接接头超声检测方法
23.
GB/T 16544—2008
无损检测伽玛射线全景曝光照相检测方法
24.
GB/T 17455—2008
无损检测表面检测的金相复型技术
25.
GB/T 18694—2002
无损检测超声检验探头及其声场的表征
26.
GB/T 18851.1—2005
无损检测渗透检测第1部分:总则
27.
GB/T 18851.2—2008
32.
GB/T 19348.1—2003
无损检测工业射线照相胶片第1部分:工业射线照相胶片系统的分类
33.
GB/T 19348.2—2003
无损检测工业射线照相胶片第2部分:用参考值方法控制胶片处理
34.
GB/T 19799.1—2005
无损检测超声检测1号校准试块
35.
GB/T 19799.2—2005
无损检测渗透检测用试块
49.
JB/T 8428—2006
无损检测超声检测用试块
50.
JB/T 9218—2007
无损检测渗透检测
51.
JB/T 10658—2006
无损检测基于复平面分析的焊缝涡流检测
52.
JB/T 10814—2007
国家标准《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分缺陷分类》编制说明

国家标准《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分:缺陷分类》编制说明一、工作简况立项目的和意义碳化硅(SiC)作为典型的宽禁带半导体材料,与硅(Si)相比,具有击穿电场高、导热率高、饱和电子漂移速度高和本征载流子浓度低等优越的物理性能,非常适合在大功率、高温和高频环境下应用,因此广泛应用于新一代功率半导体器件中。
SiC基功率半导体器件相对于硅基器件,具有更快的开关速度、低损耗、高阻断电压和耐高温等性能。
当前: 全球半导体产业正处于深度变革,化合物半导体成为产业发展新的关注点,我国正加紧产业布局,抢占发展的主动权。
SiC外延片是在碳化硅单晶抛光片上经过化学气相沉积反应生长一层导电类型、载流子浓度、厚度和晶格结构都符合要求的碳化硅单晶薄膜,SiC同质外延片中存在的缺陷是衡量Sic外延片质量的重要参数,也直接影响SiC基功率半导体器件的成品率和可靠性,准确识别SiC外延片中的缺陷,对于SiC外延片的制备、使用有重要的意义。
关于SiC外延片中的缺陷分类及其检测方法,在我国目前均无统一的标准,需制定国家标准,规范SiC外延片的缺陷分类及其检测方法,指导SiC外延片的生产和使用,促进国内SiC半导体材料和SiC基功率半导体器件的发展。
1、任务来源《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分:缺陷分类》标准制定是2021年第4批国家标准计划项目,计划项目批准文号:国标委发【2021】41号,计划项目代号:-T-469。
归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会(TC 203),执行单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(TC 203/SC2),承办单位为中国电子科技集团公司第十三研究所,项目周期为18个月。
2、主要工作过程起草阶段2021.1〜2021. 6:成立了编制组,查询、收集和分析相关标准资料。
编制组由半导体材料的设计人员、工艺人员、检验试验管理人员和标准化人员组成;编制组首先对IEC 63068-1 Edi. 0:2019进行翻译和研究,同时对收集的SiC外延材料相关的标准和资料进行分析,在草案的基础上对标准的内容进行进一步的完善,形成《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分:缺陷分类》征求意见稿。
CB125new

FL1151 CB 中华人民共和国船舶行业标准CB/Z 125—2012代替 CB/Z 125—1998潜艇船体结构焊接质量检验规则和质量分级Inspection regulation of welding quality for submarine hull structureand quality classification(征求意见稿)(本稿完成日期:2011.07.28)2012--发布2012--实施国防科技工业委员会发布CB/Z 125—2012前言本标准按照GJB 6000—2001给出的规则起草。
本标准代替CB/Z 125—1998《潜艇船体结构焊接质量检验规则》。
本标准与CB/Z 125—1998相比,主要技术变化如下:a)修改了检测范围;b)增加了规范性引用文件;c)增加了术语和定义;d)修改了人员要求与职责范围;e)修改了检测时机;f)修改了焊缝内部质量检查要求;g)修改了射线检测分级方法;h)增加了检测灵敏度;i)增加了渗透检测方法的具体要求;j)修改验收等级;k)删除了球扁钢对接焊缝和角接焊缝的单独评价部分,将相关要求移至表面检查和焊缝内部质量检查部分,质量评定按焊缝要求。
本标准由中国船舶工业集团公司提出。
本标准由中国船舶工业综合技术经济研究院归口。
本标准起草单位:中国船舶工业集团公司第十一研究所、XXX、XXX。
本标准主要起草人:XX、XX、XX、XX、XX。
本标准于1973年X月首次发布,于1998年8月第一次修订。
ICB/Z 125—2012 潜艇船体结构焊接质量检验规则和质量分级1 范围本标准规定了潜艇船体结构焊接的检查范围、检查方法、焊缝的质量评定和分级等要求。
本标准适用于母材厚度3 mm~100 mm的以921A、922A、907A及980等钢为船体结构的潜艇焊接质量检验和分级。
用于潜艇建造的其它结构件可参照本标准。
2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
增材制造 金属制件孔隙缺陷检测工业计算机层析成像(CT)法

增材制造金属制件孔隙缺陷检测工业计算机层析成像(CT)法1范围本文件规定了用工业计算机层析成像(CT)法,检测增材制造金属制件中孔隙缺陷的一般要求、检测步骤、检测记录与报告。
本文件适用于使用能量范围为200keV~10MeV的工业CT系统对增材制造金属制件中孔隙缺陷的检测。
2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。
其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T9445无损检测人员资格鉴定与认证GB/T12604.2无损检测术语射线照相检测GB/T12604.11无损检测术语X射线数字成像检测GB/T29068无损检测工业计算机层析成像(CT)系统选型指南GB/T29069无损检测工业计算机层析成像(CT)系统性能测试方法GB/T29070无损检测工业计算机层析成像(CT)检测通用要求GB/T34365无损检测术语工业计算机层析成像(CT)检测GB/T35351增材制造术语3术语和定义GB/T12604.2、GB/T12604.11、GB/T34365和GB/T35351界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1金属制件metal part采用增材制造工艺成形的金属零件或实物。
3.2基准空间reference space在三维空间中同局部孔隙的规格参数相关的具有特定形状的参考立体。
3.3基准面reference plane在二维平面中同局部孔隙的规格参数相关的具有特定形状的参考区域。
3.4总体孔隙率global porosity金属制件中孔隙体积占总体积的百分数,表示金属制件的多孔性或致密程度。
3.5局部孔隙率localized porosity在某个选定的基准空间(或基准面)内,孔隙占制件体积(或面积)的百分比。
3.6可忽略孔disregarded pores由供需双方约定或仪器扫描质量所限,可以忽略不计的微小孔隙。
警惕无损检测工作中的电磁辐射污染

警惕无损检测工作中的电磁辐射污染第一篇:警惕无损检测工作中的电磁辐射污染警惕无损检测工作中的电磁辐射污染!作者:佚名文章来源:本站原创阅读次数:1033添加时间:2006-11-21 18:40:54 摘要本文就电磁辐射污染问题作了介绍,对于无损检测,特别是磁粉检测中存在的电磁辐射污染问题进行了计算,计算结果表明磁粉检测设备造成的电磁辐射污染大大超过了国家关于电磁辐射污染所允许的限值,认为应当引起无损检测人员以及政府和企业相关安全生产的管理人员的高度重视,应当采取适当措施以保障无损检测人员以及周围公众人员的身体健康。
关键词:无损检测环境保护电磁辐射污染前言在无损检测工作中,例如放射性辐射造成的辐射危害、渗透检测中的有机溶剂、染料等对人体健康有不良影响、激光检测时的激光对人眼有伤害、荧光探伤中应用到的紫外线辐射对人眼睛、皮肤等有伤害作用...等等,都是已经众所周知,并且在相应的无损检测人员培训教材中都有提及并包括防护措施等。
但是,对于磁粉探伤中存在的电磁辐射污染及其对人体的伤害却一直未见提及,磁粉探伤人员只知道工作时不能佩戴机械式手表,因为手表会马上被磁化失灵。
实际上,早在20世纪70年代,苏联科学院杂志《探伤法》中就已经有研究文献提出磁粉探伤中产生的超强电磁场对人体存在危害,然而我国无损检测界以及相关的政府和企业安全生产管理人员至今并未给予重视。
因此,本文就无损检测,特别是磁粉检测中的电磁辐射污染问题提出笔者的意见,并呼吁及早引起高度重视。
一什么是电磁辐射污染我们人类赖以生存的地球本身是一个大磁场,其表面的热辐射和雷电都可产生电磁辐射。
此外,太阳及其他星球也自外层空间源源不断地产生电磁辐射。
因此,我们人类一直是生活在电磁辐射的环境里。
但是天然产生的电磁辐射对人体是没有损害的,对人体构成威胁、对环境造成污染的是人工产生的电磁辐射。
电磁波充斥空间,无色无味无形,可以穿透包括人体在内的多种物质,人体如果长期暴露在超过一定强度(即安全卫生标准限值)的辐射剂量下,就会产生负面效应,细胞就会被大面积杀伤或杀死,并引起人体的不同病变和危害,这部分超过标准电磁场强度的辐射被称为电磁辐射污染。
NBT47013-XXXX承压设备无损检测(2016)(PPT158页)

第十九页,共158页。
承压设备无损检测 第1部分:通用(tōngyòng) 要求
3.5 烧穿 ( burn-through) 焊接过程中,熔化金属自坡口背面流出形成的穿孔。
第八页,共158页。
承压设备无损检测(jiǎn cè) 第1部分:通 用要求
3.6 焊瘤(overlap ) 焊接过程中,熔化金属流淌到未熔化的母材或焊缝上所形成的金属瘤。
3.7 咬边 ( undercut) 母材(或前一道熔敷金属)在焊趾处因焊接而产生(chǎnshēng)的不规则缺口。
★可进行量值溯源:有明确的测量值,标准中有明确的要求;
★两种方式:外部校准、内部校准; ★内部校准能力:仪器器材、工艺文件、人员;或 实验认可
★无损检测设备和器材中需要校准(或内部校准)的有:标准密度片、观片灯的亮度和均
匀度、脉冲反射式超声波探伤仪;超声标准试块与对比试块半径及其他尺寸;磁粉检测设 备的电流表;黑光辐照计;白光照度计;超声波测厚仪等。
★射线检测(照相)灵敏度,从定量(dìngliàng)方面来说,是指在射线底片 上可以观察到的最小缺陷尺寸或最小细节尺寸,从定性方面来说,是指发现 和识别细小影像的难易程度。 ★灵敏度有绝对与相对之分,在射线照相底片上所能发现的沿射线穿透方向 的最小缺陷尺寸称为绝对灵敏度;此最小缺陷尺寸与射线透照厚度的百分比 称为相对灵敏度。 ★像质计灵敏度:采用与被检工件或焊缝的厚度有一定百分比关系的人工结 构(像质计)得到的灵敏度。
本部分适用(shìyòng)于在制和在用金属材料制承压设备的无损检测。
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GBT126042021无损检测术语缺GBT本标准等同采纳ISO 12716:2001《无损检测声发射检验词汇》(英文版)。
本标准等同翻译ISO 12716:2001。
为便于使用,本标准做了下列编辑性修改:a)“本国际标准”一词改为“本标准”;b)删除国际标准的前言和引言;c)增加了“中文索引”以指导使用。
本标准代替GB/T 12604.4—1990《无损检测术语声发射检测》。
本标准与GB/T 12604.4—1990相比要紧变化如下:——修改了术语和定义(1990年版的第2、3、4章:本版的第2章)。
本标准由中国机械工业联合会提出。
本标准由全国无损检测标准化技术委员会(SAC/TC 56)归口。
本标准起草单位:国家质量监督检验检疫总局锅炉压力容器检测研究中心、中国机械工程学会无损检测分会声发射专业委员会、北京科海恒生科技。
本标准要紧起草人:沈功田、李邦宪、段庆儒、刘时风、耿荣生、戴光。
本标准所代替标准的历次版本公布情形为:——GB/T 12604.4—1990。
无损检测术语声发射检测1范畴本标准界定了声发射检测的术语。
2术语和定义2.1声发射acoustic emissionAE材料中局域源能量快速开释而产生瞬态弹性波的现象。
注:声发射是常用的举荐术语,在有关文献中被使用的其他术语还包括:a)应力波发射stress wave emission;b)微震动活动microseismic activity;c)带其他形容词修饰语的发射(emission)或声发射。
2.2声—超声acousto-ultrsonicsAU将声发射信号分析技术与超声材料特性技术相结合,用人工应力波探测和评判构件中弥散缺陷状态、损害情形和力学性能变化的无损检测方法。
2.3声发射信号连续时刻AE signal duration声发射信号开始和终止之间的时刻间隔。
2.4声发射信号终止点AE signal end声发射信号的识别终止点,通常定义为该信号与门槛最后一个交叉点。
2.5声发射信号发生器AE signal generator能够重复产生输入到声发射仪器的特定瞬态信号的装置。
2.6声发射信号上升时刻AE signal rise time声发射信号起始点与信号峰值之间的时刻间隔。
2.7声发射信号起始点AE signal start由系统处理器识别的声发射信号开始点,通常由一个超过门槛的幅度来定义。
2.8阵列array为了探测和确定阵列内源的位置而放置在一个构件上两个或多个声发射传感器的组合。
2.9衰减attenuation声发射幅度每单位距离的下降,通常以分贝每单位长度来表示。
2.10平均信号电平average signal level整流后进行时刻平均的声发射对数信号,用对数刻度对声发射幅度进行测量,以dB AE 单位来表示(在前置放大器输入端,0dB AE对应于1μV)。
2.11声发射通道channel,acoustic emissionacoustic emission channel由一个传感器、前置放大器或阻抗匹配变压器、滤波器、二次放大器、连接电缆以及信号探测器或处理器等构成的系统。
注:检测玻璃纤维增强塑料(FRP)时,一个通道可能采纳两个以上的传感器;对这些通道可能进行单独处理,也可能按相似的灵敏度和频率特性进行预先分组处理。
2.12声发射计数count,acoustic emissionacoustic emission count振铃计数count,ring-downring-down count发射计数emission countN在任何选定的检测区间,声发射信号超过预置门槛的次数。
2.13事件计数count,eventevent countN e逐一运算每一可辨别的声发射事件所获得的数值。
2.14声发射计数率count rate,acoustic emissionacoustic emission count rate发射率emission rate计数率count rate声发射计数发生的时刻速率。
2.15耦合剂couplant填充在传感器和试件接触面之间的材料,在声发射监测过程中可改善声能穿过界面的能力。
2.16分贝幅度dB AE以1μV为参照的声发射信号幅度的对数测量。
信号峰值幅度(dB AE)=20 log10(A1/A0)式中:A0——等于传感器输出1μV(在放大之前);A1——是测量的声发射信号的峰值电压。
声发射信号的参考刻度如下:dB AE值传感器的输出电压值0 1μV20 10μV40 100μV60 1mV80 10mV100 100mV2.17闭塞时刻dead timeinstrumentation dead time数据采集期间,由任何缘故引起仪器或系统不能同意新数据的时刻间隔。
2.18累计幅度分布distribution,amplitude,cumulative(acoustic emission)cumulative(acoustic emission)amplitude distributionF(V)以超过任意幅度信号的声发射事件数作为幅度V的函数。
2.19累计过门槛次数分布distribution,threshold crossing,cumulative(acoustic emission)cumulative(acoustic emission)threshold crossing distributionF t(V)以超过任意门槛声发射信号的次数作为门槛电压V的函数。
2.20微分幅度分布distribution,differential(acoustic emission)amplitudedifferential(acoustic emission)amplitude distributionf(V)以信号幅度在V和V+△V之间的声发射事件数作为幅度V的函数。
f(V)是累计幅度分布F(V)的导数的绝对值。
2.21微分过门槛次数分布distribution,differential(acoustic emission)threshold crossingdifferential(acoustic emission)threshold crossing distributionf t(V)以峰值在门槛V和V+△V之间的声发射信号次数作为门槛V的函数。
f t(V)是累计过门槛次数分布F t(V)的导数的绝对值。
2.22对数幅度分布distribution,logarithmic(acoustic emission)amplitudelogarithmic(acoustic emission)amplitude distribution g(V)以信号幅度在V和a(V)(a为常数系数)之间的声发射事件数作为幅度的函数。
注:这是微分幅度分布的变形,适用于对数窗口的数据。
2.23动态范畴dynamic range在一个系统或传感器中过载电平和最小信号电平(通常由噪声电平、低水平失真、干扰或辨论率水平中的一个或多个因素所决定)间的分贝差。
2.24有效声速effective velocity以人工声发射信号确定的到达时刻和距离为基础运算的声速,用于定位运算。
2.25突发发射emission,burstburst emission对材料中发生一个独立声发射事件有关的分立信号的定性描述。
注:术语“突发发射”仅举荐用于定性描述发射信号的形貌。
图1给出了两个不同扫描频率下的突发发射信号的扫描轨迹。
图1两个不同扫描频率下的同一突发发射信号2.26连续发射emission , continuouscontinuous emission对由声发射事件快速显现而产生的连续信号水平所作的定性描述。
注:术语“连续发射”仅举荐用于定性描述发射信号的形貌。
图2给出了两个不同扫描频率下的连续发射信号的扫描轨迹。
2.27声发射事件能量energy ,acoustic emission eventacoustic emission event energy声发射事件开释的总的弹性能。
2.28评判门槛evaluation threshold用于检测数据分析的门槛值。
注:举荐系统的数据检测门槛低于评判门槛,出于分析的目的,必须考虑测量数据依靠于系统检测门槛的情形。
2.29声发射事件event,acoustic emission(emission event)acoustic emission event引起声发射的局部材料变化。
图2两个不同扫描频率下的同一连续发射信号2.30监测区域examination area用声发射监测的结构的部分。
2.31检测范畴examination region以声发射技术评判的检测对象的部分。
2.32费利西蒂效应Felicity effect在固定的预置灵敏度水平下,低于上次所加应力水平的情形下显现可探测到声发射的现象。
2.33费利西蒂比Felicity ratio费利西蒂效应显现时的应力与上次所加最大应力之比。
注:固定灵敏度水平通常与上次加载或检测时所用的相同。
2.34浮动门槛floating threshold以输入信号幅度的时刻平均测量值建立的任何门槛。
2.35撞击hit超过门槛并引起一个系统通道采集数据的任何信号。
2.36到达时刻间隔interval,arrival timearrival time interval△t ij在一个传感器阵列中的第i个和第j个传感器所探测到的声发射波到达的时刻间隔。
2.37凯塞效应Kaiser effect在一固定的灵敏度水平下,在超过先前所施加的应力水平之前不显现可探测到的声发射。
2.38集中区定位location,cluster在特定的长度或区域内以特定的声发射活动数量为基础的定位方法,例如在12个线性单位(如cm)或12个面积单位(如cm2)中的5个事件。
2.39运算定位location,computedadaptive location用传感器之间到达时刻差的数学分析为基础的源定位方法。
注:用于运算定位的方法有好几种,包括线定位、面定位、三维定位和自适应定位。
2.39.1线定位linear location需要2个或2个以上通道的一维源定位。
2.39.2面定位planar location需要3个或3个以上通道的二维源定位。
2.39.3三维定位3-Dlocation需要5个或5个以上通道的三维源定位。
2.39.4自适应定位adaptive location用运算定位方法进行模拟源重复应用的源定位。
2.40连续声发射信号定位location,continuous AE signal相关于撞击或到达时刻差的定位方法,以连续声发射信号为基础的定位方法。