二极管介绍
五种二极管用途分类原理及应用
五种二极管用途分类原理及应用二极管是一种两端只能导通电流一个方向的电子器件，广泛应用于电子电路中。
下面将对五种不同类型的二极管的用途、分类原理及应用进行详细介绍。
一、整流二极管整流二极管是最常见的二极管类型之一，也被称为普通二极管。
它具有只允许电流在一个方向上流动的特性，常用于将交流电转换为直流电的整流电路。
其实现原理是基于半导体材料的PN结，当PN结的P端接在正电压（高电位）上，N 端接在负电压（低电位）上时，PN结处形成耗尽区，电流无法通过。
当P端接在负电压上，N端接在正电压上时，PN结处不再形成耗尽区，电流得以通过。
整流二极管的应用包括电源转换器、电动机驱动、充电电路等。
二、肖特基二极管肖特基二极管是一种由金属与半导体接触形成的二极管。
它具有低电压损失、快速开关速度和低反向电流等特点。
肖特基二极管的工作原理是基于肖特基接触，即由于金属和半导体之间的电子互相扩散而形成的电势垒。
与整流二极管相比，肖特基二极管具有更低的开启电压且反向耐压较低。
它广泛应用于高频电路、开关电源、闭环控制电路等领域。
三、快恢复二极管快恢复二极管是一种在有源区恢复更快的二极管，常用于高频和高功率电路中。
其主要特点是恢复时间短，能够较快地提供导通状态，从而减小电压压降和功率损耗。
快恢复二极管的核心技术是降低PN结的耗尽层宽度，以实现更快的恢复速度。
快恢复二极管常用于电源开关电路、光伏逆变器、军事雷达等高性能电源和高频电路。
四、肖特基势垒调制二极管肖特基势垒调制二极管（Schottky Barrier Diode，SBD）是一种工作在高频范围内的二极管。
它的优点在于具有快速开关速度、低正向电压丢失和低反向电流。
肖特基势垒调制二极管的工作原理是利用了金属与半导体之间的Schottky接触，形成了一种比PN结更快和更高效的电子注入和排出方式。
典型应用包括射频电路中的混频器、变频器以及开关电源。
五、发光二极管发光二极管（Light Emitting Diode，LED）是一种可以将电能转化为可见光的二极管。
二极管的工作原理
二极管的工作原理二极管是一种非常重要的电子器件，广泛应用于电子电路中。
它具有许多独特的特性和功能，能够实现电流的单向导通，起到关键的整流作用。
本文将详细介绍二极管的工作原理。
一、二极管的结构二极管由两个半导体材料组成，一边是P型半导体，另一边是N型半导体，它们通过P-N结相连。
N型半导体的电子浓度较高，呈负电荷；P型半导体的空穴浓度较高，呈正电荷。
当二极管正向偏置时，P 端为正极，N端为负极；反向偏置时，P端为负极，N端为正极。
二、二极管的特性1. 正向导通特性当二极管处于正向偏置状态时，即正向电压加在P端，负向电压加在N端。
正向电压会使得P端空穴浓度增加，N端电子浓度增加，形成电子与空穴的复合，产生连续电流。
此时二极管呈现低电阻状态，电流可顺利通过。
2. 反向截止特性当二极管处于反向偏置状态时，即负向电压加在P端，正向电压加在N端。
由于P-N结的存在，使得P端电子被P型半导体吸引，N端空穴被N型半导体吸引，形成电场屏蔽层。
电场屏蔽层阻断了电流的流动，使得二极管处于高电阻状态，电流无法通过。
三、1. 正向偏置状态当二极管处于正向偏置状态时，电流可以流过二极管，形成导通。
这是因为正向电压加在二极管上时，会使得P端空穴浓度增加，N端电子浓度增加，加强了P-N结的电荷复合，形成连续电流。
2. 反向偏置状态反向偏置状态下，电流无法流过二极管，处于截止状态。
这是因为反向电压加在二极管上时，电场屏蔽层会阻挡电流的流动，使得二极管呈现高电阻状态。
二极管的主要工作原理就是通过P-N结的正向偏置和反向偏置状态来实现电流的控制。
正向偏置时，电流可以流过二极管，起到导通作用；反向偏置时，电流无法流过二极管，起到截止作用。
这种特性使得二极管具有整流、开关和变压等多种应用，广泛应用于电子电路中。
总结：二极管的工作原理基于P-N结的正向偏置和反向偏置状态，通过改变电流的流动来控制二极管的导通和截止。
正向偏置时电流可以通过，反向偏置时电流无法通过。
二极管的用途和种类
二极管的用途和种类二极管是一种最简单的电子元件，主要由一个PN结构组成。
它具有只允许电流在一个方向流动的特性，广泛应用于各种电子电路中。
下面将介绍二极管的用途和种类。
1.二极管的用途：(1)整流器：二极管可以将交流电转换为直流电。
当正半周的电压高于负半周时，二极管导通；当负半周的电压高于正半周时，二极管截止。
通过二极管的导通和截止特性，可以将交流电中的负半周去除，实现电流的单方向流动。
这在电路中被广泛应用于电源和电子设备的电源输入端。
(2)防反向电压：二极管可以用来防止电流在一些特定方向上流动，从而实现防反向电压的保护。
例如，当电路中有电源和负载时，二极管可以安装在电源和负载之间，以防止电流在负载到电源的方向上流动，从而避免对电源的损坏。
(3)温度补偿：二极管的漏电流与温度成反比。
因此，在一些电路中，可以使用二极管来实现温度的补偿。
例如，在温度传感器电路中，可以使用二极管来补偿温度对传感器输出的影响。
(4)非线性电路：由于二极管具有非线性的特性，可以用于构建各种非线性电路，如振荡电路、调制电路等。
这些电路在通信和无线电领域中非常重要。
2.二极管的种类：按照应用领域和结构特点，可以将二极管分为以下几类：(1)小信号二极管：这种二极管通常用于低功率的信号处理和放大电路中。
它具有高电流放大系数和低反向恢复时间。
常见的小信号二极管有通用型、高频型、超快型等。
(2)功率二极管：功率二极管主要用于大功率电子设备中，如电源、开关等。
它具有较高的电流和耐压能力，其特点是具有较低的正向压降和较大的正向电流。
常见的功率二极管有整流型、开关型等。
(3)高频二极管：高频二极管主要用于无线通信和雷达等高频电路中。
它具有较小的截止频率和较短的反向恢复时间。
常见的高频二极管有热噪声型、环区放大型等。
(4)光电二极管：光电二极管主要用于光电转换，将光信号转换为电信号。
它具有较高的响应速度和较小的漏电流，适用于光通信、光电测量等领域。
二极管的作用介绍
二极管的作用介绍二极管（Diode）是一种具有两个电极的电子元件，通常由半导体材料制成。
它被广泛应用于电子电路中，具有多种功能和应用，为电子设备的正常工作提供了保障。
下面将详细介绍二极管的作用。
1.整流功能：二极管最基本的功能之一就是整流。
当二极管的P端连接正电压源，N端连接负电压源时，二极管可以导通，电流可以通过。
而当P端连接负电压源，N端连接正电压源时，二极管处于反向偏置状态，无法导通。
利用这种特性，我们可以将交流信号转换为直流信号，实现电能的转换和传输。
2.保护功能：二极管具有保护电源和其他器件的功能。
它具有正向导通和反向截止的特性，可以将输入电压限制在一定范围内。
例如，在电路中加入反向二极管可以保护电子元件免受反向电压的破坏，同时还可以防止电流的突变和过载。
3.信号检波：二极管可用作信号检波器。
当交流信号通过二极管时，只有正半周或负半周能够导通二极管。
这样就可以将交流信号转换为脉冲信号，方便后续电子元件的处理和分析。
4.电压调节：二极管可用作电压稳压器。
当二极管正向导通时，其压降约为0.7V。
在电路中合理配置二极管，可以起到稳定电压的作用，使电路在一定电压范围内工作。
5.光电转换：光二极管是一种将光信号转换为电信号的二极管。
当光照射到光二极管上时，光能量激发电子在PN结内移动，产生电流。
这种光电转换的特性使光二极管被广泛应用于光电传感、显示和通信等领域。
6.振荡功能：在一些电子元件或电路中，二极管也可以用来产生振荡信号。
例如，在压控振荡器（VCO）中，通过控制二极管的工作状态，可以调节输出频率。
7.温度传感：热敏二极管具有根据温度变化而变化电阻值的特性。
根据热敏二极管的电阻变化，可以测量和感知环境的温度变化。
8.备份电源：二极管可以用作电池或蓄电池的备份电源，确保在主电源中断时仍能提供电能。
9.逻辑电路：二极管可以作为逻辑门（And、Or、Not门）的基本组成元件。
通过不同的组合和连接方式，可以构成各种逻辑电路，实现数字信号的处理和判断。
二极管特性及参数
二极管特性及参数二极管（Diode）是一种电子器件，由两种不同类型的半导体材料组成：P型半导体和N型半导体。
它具有单向导电特性，即只允许电流在一个方向上通过。
二极管有很多重要的特性和参数，下面将会详细介绍。
一、正向特性：当二极管的正负极正向连接时，如果正向电压小于等于一个特定的值，即正向电压低于二极管的结压降（通常为0.7V），二极管处于正向工作状态，电流可以流过。
这时二极管的电流随正向电压的增加而迅速增大。
这种情况下，二极管处于导通状态，其导通状态下的电阻非常小，几乎可以视为导线。
二、反向特性：当二极管的正负极反向连接时，如果反向电压小于等于一个特定的值，即反向电压低于二极管的击穿电压（通常为50V~1000V），则二极管处于反向工作状态，电流几乎为零。
反向工作状态下的电阻很大，可以视为开路。
但是，当反向电压大于击穿电压时，二极管会产生击穿，电流会大幅度增加，这时二极管会被损坏。
三、参数：1. 峰值逆向电压：也称为击穿电压（Reverse Breakdown Voltage），它指的是二极管可以承受的最大反向电压，在这个电压之下，二极管工作正常，超过这个电压则可能发生击穿。
击穿电压越高，二极管的耐受能力越强。
2.正向电压降：二极管在正向导通时，正向电流通过后，在二极管的两端会形成一个固定的电压降，通常在0.6V~0.7V之间。
这个电压降称为正向电压降或者压降，是指在正向工作状态下二极管的电压降低多少。
3. 最大正向电流：也称为额定电流（Rated Forward Current），它指的是二极管可以正常工作的最大电流值。
超过这个电流值，二极管可能会发生损坏。
4. 最大反向电流：也称为反向饱和电流（Reverse Saturation Current），它指的是二极管在反向工作时通过的最大电流值。
在正常情况下，反向电流很小，几乎为零。
超过这个电流值，二极管可能会发生击穿，导致损坏。
5. 动态电阻：也称为交流电阻或微分电阻（Dynamic Resistance），它是指二极管在线性区时，输入的交流信号变化所引起的反向电流变化与正向电压变化之间的比例关系。
常用二极管及参数一览表
常用二极管及参数一览表1. 引言二极管（Diode）是一种重要的电子器件，用来控制电流的流向。
不同类型的二极管具有不同的特性和参数。
本文将介绍常用二极管及其主要参数，以便读者了解并选择适合自己需求的二极管。
2. 常见二极管类型及参数2.1 硅二极管- 正向电压降（VF）：硅二极管通常具有0.6V-0.7V的正向电压降。
- 最大反向电压（VR）：硅二极管最大允许的反向电压取决于具体型号，一般在50V-1000V之间。
- 最大连续电流（IF）：硅二极管的最大连续电流也取决于型号，一般在100mA-10A之间。
2.2 锗二极管- 正向电压降（VF）：锗二极管通常具有0.2V-0.3V的正向电压降，较低于硅二极管。
- 最大反向电压（VR）：锗二极管的最大允许反向电压一般在20V左右。
- 最大连续电流（IF）：锗二极管的最大连续电流一般在100mA以下。
2.3 快恢复二极管- 正向电压降（VF）：快恢复二极管通常具有1V-2V的正向电压降。
- 最大反向电压（VR）：快恢复二极管的最大允许反向电压一般在100V以上。
- 最大连续电流（IF）：快恢复二极管的最大连续电流一般在1A以上。
2.4 肖特基二极管- 正向电压降（VF）：肖特基二极管通常具有0.2V-0.4V的正向电压降。
- 最大反向电压（VR）：肖特基二极管的最大允许反向电压一般在50V-200V左右。
- 最大连续电流（IF）：肖特基二极管的最大连续电流一般在1A以上。
2.5 光电二极管- 最大光敏电流（IL）：光电二极管的最大光敏电流取决于具体型号，一般在1mA-10mA之间。
- 最大耐压（PD）：光电二极管的最大耐压一般在20V-100V之间。
3. 使用注意事项- 根据电路设计需求，选择适当类型的二极管。
- 注意二极管的最大允许电流和反向电压，避免超过其额定值。
- 在连接二极管时，正确区分正负极，以免逆相连接导致性能下降。
- 使用光电二极管时，避免过高的光照强度，以免损坏器件。
二极管知识介绍
稳压二极管的伏安特性
P&L
11
#
稳压二极管
型号
PULS产品常用的稳压二极管举列 参数
BZG03系列 VZ : 10-270V、 Iz: 2-50mA.
TZMC系列 VZ : 2.4-75V、 Iz: 2.5-5mA.
ZMM系列 VZ : 0.7-79V、 Iz: 7.8-340mA.
P&L
8
#
开关二极管
型号
PULS产品常用的开关二极管举列 参数
BAV99系列 VRM: 85V、VFM: ≤1.25V、IFM: 4.5A、trr: ≤4ns
MCL4148 VRM: 100V、VFM: 1.0V、IFM: 0.5A、trr: 4ns
BAV103
VRM: 250V、VFM: ≤1.0V、IFM: 1.0A、trr: ≤50ns
BYV32E系列 VRM: 100-200V、VFM: ≤0.85V、IFM: 20A、trr: ≤25ns
BAW156
VRM: 85V、VFM: ≤1.25V、IFM: 4A、trr: ≤3µs
P&L
6
#
第二章: 开关二极管
P&L7# Nhomakorabea开关二极管
➢ 开关二极管作用：
利用了二极管的单向导电特性。在PN结加上正向电压后，其导通电阻很小；而加上反 向电压后截止，其电阻很大。因此在电路中起到控制电流接通或关断的作用。
当V<VA时，此时电压不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为正向死 区，这个不能使二极管导通的电压称为死区电压。
当VA<V<VB时，PN结内电场被克服，二极管导通，电流随电压增大迅速上升，在正常使用的电流范 围内，导通时二极管的端电压值几乎不变，这个电压称为二极管的正向电压。
二极管的种类和符号
二极管的种类和符号
二极管是一种电子器件，只允许电流在一个方向上流动。
它们通常由半导体材料制成，最常见的类型是硅二极管和锗二极管。
二极管在电路中有着广泛的应用，如整流、检波、开关等。
种类：
1.硅二极管：硅二极管是最常见的一种二极管，它的特点
是工作电压较高，但电流较小。
硅二极管的导通电压通常在0.7V左右。
2.锗二极管：锗二极管的导通电压较低，通常在0.3V左
右，因此它通常用于低电压的电路中。
3.肖特基二极管：肖特基二极管是一种高效能的二极管，
它的导通电压较低，而且恢复时间较短，因此常用于高频电路中。
4.快恢复二极管：快恢复二极管的恢复时间较短，因此它
也常用于高频电路中。
5.稳压二极管：稳压二极管是一种特殊的二极管，它的特
点是稳压性能好，可以将电压稳定在一个特定的值。
6.变容二极管：变容二极管是一种特殊的二极管，它的特
点是电容值可以随着外加电压的变化而变化，因此常用于调频和调相电路中。
符号：
二极管的符号如下图所示：
其中，A表示阳极，K表示阴极；在图形中加一个横杠表示反向阻断，不加横杠表示正向导通。
以上是对二极管的种类和符号的基本介绍。
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3A
10A
0.217 0.308 0.414 0.654 0.821
210Ω
30Ω
4.1Ω 0.22Ω 82.1mΩ
VR IR R (MΩ)
VR IR R (MΩ)
31DF2 反向特性 25℃
1V
10V
50V 100V
1nA
1nA
1nA
2nA
1,000 10,000 5,000 5,000
31DF2 反向特性 150℃
性回归补偿后获得的数值。温度系数为
10µA下
-2.22mV/ˆ
100µA下 -2.03mV/ˆ
因此，额定电流的1/10,000约为-2mV/ˆ。如此
流动单一的微量电流，可以获知功率半导体的
芯片温度。
Maxim、National semiconductor等的温度监控器
集成电路采用流动两个电流的方法。
5
功率半导体封装和标称电流
6
封装内部是什么样子？
6
芯片的尺寸和标称电流
7
请注意大型芯片SBD的反向电力损耗的增加
7
电流通路和接合线的电阻
8
反向耐压—应该选择耐压多少伏的器件？
9
二极管反向耐压随温度降低而下降
整流电路和二极管反向耐压
9
二极管反向耐压
10
热阻和容许电流
12
过渡热阻
12
功率半导体的损坏方法
以超过规定的反向耐压。
下 图 是 MOSFET 的 截 面 图。PN 连 接 使 得 MOSFET的漏极-源极间有耐压。不施加门极偏 压时，MOSFET的漏极相当于二极管的阳极，源 极相当于二极管的阴极。（N通道MOSFET的情 况下）另外，PN连接还承担双极晶体管和IGBT 的电压阻止（关闭）任务。也就是说，理解二极 管的逆特性有助于理解这些功率半导体的关闭
IF VF 抵抗
IF VF 抵抗
31DF2 (FRD) 正向特性 25℃
1mA 10mA 0.1A
3A
10A
0.466V 0.535V 0.630V 0.842V 0.985V
466Ω 53.5Ω 6.3Ω 0.28Ω 98.5mΩ
31DF2 (FRD) 正向特性 150℃
1mA 10mA 0.1A
同，但组件设计和组装技术是共通的。
本文以二极管为主进行说明，但说明内容对功
率半导体整体都有效。
一般整流二极管和高速二极管
通常所述的二极管主要是指用于50Hz和60Hz电 源整流用的一般整流二极管。但是，目前使用较 多的是FRD(高速恢复二极管)和SBD（肖特基 势垒二极管，有时简称为肖特基）等高速二极 管。例如台式个人电脑的ATX电源中仅使用了 一个一般整流二极管（AC-DC转换用的桥路二 极管），另外使用了十四个FRD和两个SBD。这 是 由 于 只 有 AC-DC 转 换 电 路 的 工 作 频 率 为 50/60Hz，其它的电路的工作频率都在数10kHz
目录
二极管是功率半导体的基础
1
二极管的构造、标记、基本特性
１
一般整流二极管和高速二极管
2
确认二极管的基本特性的实验—试着测量正向特性和反向特性
2
（ 正 向电力损耗 ）加上（ 反 向电力损耗 ） — 使 用PN二极管时我们可以 3 忽略反向电力损耗 ，然而・・・
小栏目 作为温度传感器使用的二极管
一般整流用 AC-DC转换 AC100/ 200V
50/60Hz
高速用 DC12V
DC-DC转换
DC5V DC-DC转换
DC3.3V DC-DC转换
数10kHz以上
ATX电源的主要构成
以上的缘故。并且，使用电池驱动的设备的低电
压电源周围也多使用SBD。
如果与晶体管作比较，一般整流二极管和FRD （PN二极管）对应于双极晶体管，SBD对应于 MOSFET。SBD的特性跟PN二极管稍有不同，为 了能够熟练使用SBD，应该理解SBD的特性。在 以下学习有关二极管，还有功率半导体的特性 时，请时刻留意这一点。有关高速恢复二极管的 内容，我们将在后面另行讨论。
1V 5.4µA 0.186
10V 6.6µA 1.51
50V 8.2µA 6.04
100V 9.7µA 10.2
200V 3nA 6,700
200V 14.4µA
13.9
ᶃ在实用电流区域中，正方向电阻在电流较小时 为数Њ，电流较大时小于1Њ。 ②即使温度上升，如果电压在使用范围内，反方 向电阻会达到数MΩ的高电阻。 ᶅ在正向电流和反向电压都极端小的条件下，ᶃ 和ᶄ可能不属实。 ᶆ当温度从25ˆ上升到150 ˆ时，3A时的VF变成 0.78倍，200V时的IR变成4,800倍。
施加5V的电压时有1mA的电流流动
管那样忽略反向电流。 ᶅ当温度从25ˆ上升到150 ˆ时，3A时的VF变成 0.85倍，40V时的IR变成760倍。çç SBD的特点是正向电压较低。相反，SBD具有反向 电流较大的弱点。为了能够充分利用SBD，设计电 路时的要点在于尽量避开该弱点。
（ 正 向电力损耗 ）加上（ 反向电力损耗 ）— 使 用PN二极管时我们可以忽略反向电力损耗 ， 然而ɾɾɾ 正向电流流动时发生的损耗是正向电力损耗，施 加反向电压时发生的损耗是反向电力损耗。两者 的损耗之和越小，温度上升就会越小。 让我们试着从测量结果计算31DF2和31DQ04的
14
二极管的浪涌电流额定值
14
I2t和I2√t
14
用Spice仿真求得I²√t
15
二极管的开关时间―反向恢复时间
17
SBD和FRD的区别
17
为什么需要高速二极管
18
小栏目 整流杂波
20
SBD和FRD的种类
22
SBD的热失控
23
总结
24
থମ技术 2004年8月刊 第1章原稿
功率二极管的基本特性和选定
型。
阳极
阴极
1A
小信信号号・，高高周频波ダ二イ极オ管ード
Hz
kHz
MHz
GHz
周频波率数
大多数情况下，二极管与MOSFET、极থମ、
还有IGBT一起使用。在此，将此类器件总称为থ
ମ。
P层 N型硅
平面型
阳极
阴极
有电流流动
二极管的标记和特性
如果将电流流动的方向作为二极管的正方向，当 反方向，即对阴极施加正电压时，如果电压达不 到某一数值，将几乎不会有电流流动。该电压限 度被称之为反向耐压。例如，对于200V的二极 管，如果施加大于200V的反向电压，该二极管就
31DQ04 (SBD) 正向特性 25℃
IF VF 电阻
1mA 0.182V 182Ω
10mA 0.242V 24.2Ω
0.1A 0.305V
3Ω
3A 0.448V 0.149Ω
10A 0.659V 66mΩ
31DQ04 (SBD) 正向特性 125℃
IF VF 电阻
1mA 10mA 0.1A
3A
VR IR R (kΩ)
1V 2mA 0.5
5V 2.7mA
1.8
10V 3.3mA
2.9
20V 4.6mA
4.3
40V 9.1mA
4.3
正方向电阻值的示例
FRD（PN二极管） 数Њ乃至1Њ以下
SBD
其1/2
反方向电阻值的示例
FRDʢPN二极管ʣ SBD
5,000MΩ（常温） 10MΩ（常温）
5MΩ（常温） 5kΩ（高温）
二极管是功率半导体的基础 功率（电力用）半导体所容许的电流通常为1A以 上。功率二极管是最简单的功率半导体之一，在 此将其简称为二极管。其最大工作频率以kHz等
级为对象，主要用于整流用途。
電 电流 流
パワ功ー率ダ二イ极オ管ード
二极管的构造、标记、基本特性 目前，二极管的原材料大多使用硅。二极管的构 造分为两种，一种是在N型硅中形成P层的PN连 接型，另一种是在N型硅上堆积金属（势垒金属） 的肖特基型。PN连接型中又包括台面型和平面
确认二极管的基本特性的实验—试着测量
正向特性和反向特性
让我们来确认二极管「正方向有电流流动，反 方向没有电流流动」的基本特性。对31DF2(3A 200V)తFRD31DQ04(3A 40VʣతSBDతਖ਼ ಛੑ进ߦ测ྔɻ 首先在25℃和150℃的条件下，测量31DF2上流
动IF正向电流时的正向电压VF。
日本英达株式会社
4
小栏目 作为温度传感器使用的二极管
二极管的正向电压相对于温度呈线性变化。利 用该特性，可以把二极管和双极晶体管的B-E 部 分 作 为 温 度 传 感 器 使 用。1A 200V 二 极 管 10EDB20的正向电压的特性如下。
正
向
电
流
(A)
利用小电流领
域的温度特性
该表中的数值是对实际测量的正向电压进行线
特性。
源极 PN连接 门极
漏极
MOSFET芯片截面图
功率半导体以电流和电压的形式表示，例如10A 200V。电流容量A的指标不仅限于二极管，而是 功率半导体整体共通的指标。例如TO-220等3端 子以上的标准组件品，如果没有标记，将无法从 外 观 上 区 分 是 二 极 管、MOSFET 还 是 其 它 器 件。对半导体制造商而言，即使所组装的芯片不
日本英达株式会社
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损耗。假设3A的正向电流以50%的负载流动，剩 余 期 间 内 对 31DF2 施 加 100V 的 反 向 电 压，对 31DQ04施加20V的反向电压。
正向电流
０
０
反向电压
3A
100V (31DF2) 20V (31DQ04)