二极管的知识点总结
二极管的基本知识点总结
二极管的基本知识点总结一、基本概念1. 什么是二极管二极管是一种由半导体材料制成的电子器件，它由P型半导体和N型半导体组成。
二极管具有正向导通和反向截止的特性，可以用来控制电流的流动。
2. 二极管的符号二极管的符号是一个三角形和一个带箭头的直线组成的图形，三角形代表P型半导体，箭头代表电流方向，直线代表N型半导体。
3. 二极管的工作原理二极管的工作原理主要基于PN结的特性。
当二极管处于正向偏置状态时，电子从N区域向P区域流动，空穴从P区域向N区域流动，形成电流，使二极管导通；当二极管处于反向偏置状态时，电子和空穴被PN结内的电场阻挡，导致电流无法通过，使二极管截止。
二、结构和特性1. 二极管的结构二极管的结构一般由P型半导体和N型半导体组成，通过扩散、合金和外加金属等工艺加工而成。
二极管的外部通常包裹着玻璃或者塑料等绝缘材料。
2. 二极管的特性二极管具有正向导通和反向截止的特性。
在正向导通状态下，二极管具有低电阻，可以导通电流；在反向截止状态下，二极管具有高电阻，不能导通电流。
3. 二极管的电压-电流特性曲线二极管的电压-电流特性曲线是指在正向偏置和反向偏置时，二极管的电压和电流之间的关系曲线。
在正向偏置状态下，二极管的电压随着电流增大而增大；在反向偏置状态下，二极管的电压非常小，电流也非常小。
三、分类和参数1. 二极管的分类根据不同的工作原理和性能要求，二极管可以分为普通二极管、肖特基二极管、肖特基二极管和肖特基二极管等多种类型。
2. 二极管的参数二极管的主要参数包括最大反向工作电压、最大正向工作电流、漏电流、正向压降、反向击穿电压等。
3. 二极管的选择在实际电路设计中，需要根据具体的要求和条件来选择适合的二极管。
例如，对于开关电路，一般会选择反向恢复二极管；对于高频电路，需要选择高频二极管。
四、应用领域1. 电源和稳压器二极管可以作为整流器，将交流电转换为直流电；也可以作为稳压二极管，用来稳定电压。
电工电子技术基础知识点详解3-1-二极管
二极管1. 半导体二极管的基本结构一个PN结外封管壳并引出电极，就成为半导体二极管。
根据PN结的结构，二极管分成点接触型、面接触型和平面型。
点接触型的二极管由于结面积很小，不能通过较大的正向电流，但结电容小，易于在高频小功率条件下使用，如开关二极管就是点接触型的。
面接触型二极管的PN结面积较大，允许通过较大的正向电流，但结电容大，不能在高频下工作，因此一般都用于整流。
平面型的二极管用于大功率整流管和数字电路中的开关管。
半导体二极管的外型及符号如图1所示。
图1 半导体二极管的外型及符号(a) 点接触型二极管(b) 面接触型二极管(c) 平面型二极管图2是常见的半导体二极管的外形图。
图2 常见的半导体二极管的外形图2. 半导体二极管的伏安特性(1) 正向伏安特性二极管的电流与外加电压的关系曲线称作伏安特性，如图3所示。
由图可见，当外加正向电压很小时，外电场还不足以克服内电场对多数载流子扩散运动的阻力，因此正向电流几乎为零。
二极管正向电流近似为零的区域称为死区，对应死区的正向电压称为死区电压，其值与半导体材料和环境温度有关，通常硅管约为0.5V，锗管约为0.2V。
当外加正向电压大于死区电压后，二极管导通，其导通的正向压降，硅管约为0.6V~0.8V，锗管约为0.2V~0.3V。
图3 二极管的伏安特性(a) 2CZ52A硅二极管(b) 2AP2锗二极管(2) 反向伏安特性当二极管加反向电压时，在环境温度不变的条件下，少数载流子的数目近似为常数，因此当反向电压不超过某一范围时，反向电流的值很小，并且恒定，通U时，电场力常称它为反向饱和电流。
当反向电压超过二极管的反向击穿电压BR将共价键中的电子拉出，使少数载流子的数量增多，并在强电场下加速，又将晶格中的价电子碰撞出来，这种连锁反应导致载流子的数目愈来愈多，最后使二极管反向击穿。
二极管一旦被击穿，一般都不能恢复单向导电性能。
3. 主要参数二极管的参数是正确选择和使用二极管的依据。
二极管相关知识点
二极管相关知识点《说说二极管那些事儿》嘿，今天咱来聊聊二极管这个玩意儿！这东西可有意思啦，虽然平时它可能不太起眼，但在电子世界里，那可是有着重要地位的角色。
咱先来说说二极管的特点哈。
简单来说，二极管就像是一条单行路，电流只能从一个方向通过，要想从反方向走？门儿都没有！就像一个固执的小老头，只认自己的那一套。
所以呢，它就能起到整流、检波、钳位等等作用。
有时候我就想啊，这二极管简直就像是生活中的某些人，特别的“一根筋”，只走自己认定的路。
不过这也没啥不好，人家就是靠着这股子“倔劲”干大事呢！比如说在电源电路里，二极管就能把交流电整成直流电，乖乖，这可是大功劳啊！没有它，那些电器设备还不得乱套了啊。
然后呢，二极管还有个特别有趣的特性，它有个阈值电压。
没达到这个电压的时候，它就像个“懒汉”，啥也不干，电流根本通不过。
一旦达到或者超过了这个电压，嘿，它就立马精神起来了，电流就可以畅通无阻啦。
这就好像我们平时做事似的，没到那个劲头的时候怎么都不愿意动，一旦来了兴趣或者有足够的动力了，那就干劲十足，啥都能搞定。
再说回二极管本身哈，它的种类那也是挺多的。
有普通的整流二极管，有发光二极管，还有什么稳压二极管等等。
发光二极管就特别好玩，它能发出各种颜色的光，把它用在那些电子设备上，瞬间就感觉高大上了不少。
特别是那些闪着五颜六色光的电子玩意儿，要是没有发光二极管，那得多无趣啊。
在实际应用中，我们可得好好利用二极管的这些特性。
比如说在电路设计的时候，就得根据需要选择合适类型的二极管，让它发挥最大的作用。
要是选错了，那可就糟糕啦，电路可能就没法正常工作咯，就好像让一个“懒汉”去干重要的活，那能行嘛！总之呢，二极管虽然看着小小的，但是在电子领域里可真是功不可没。
我们得好好认识它、了解它，才能更好地利用它为我们的生活服务。
所以啊，大家可别小瞧了这个小小的二极管，它里头的学问大着呢！下次再看到那些电子设备，你就可以想想，这里面说不定就有二极管在默默奉献呢！。
晶体二极管的知识点总结
晶体二极管的知识点总结一、晶体二极管的结构晶体二极管是由多个不同类型的半导体材料制成的。
其中，P型半导体材料和N型半导体材料被交替地组合在一起，形成PN结。
当PN结受到外部电压作用时，它就能够控制电流的流动。
晶体二极管通常有三个导电端：阳极（A）、阴极（K）和门极（G）。
阳极和阴极是用来控制电流流动的，而门极是用来控制PN结的导通和截止。
二、晶体二极管的工作原理当晶体二极管处于正向偏置状态时，即阳极连接到P型半导体材料，阴极连接到N型半导体材料时，PN结上的势垒就会被外部电压突破，从而使电流得以流动。
这时，晶体二极管表现出很低的电阻，从而能够导通电流。
相反，当晶体二极管处于反向偏置状态时，即阳极连接到N型半导体材料，阴极连接到P 型半导体材料时，PN结上的势垒就会加大，从而使电流无法流动。
这时，晶体二极管表现出非常高的电阻，从而能够截止电流。
三、晶体二极管的特性1. 峰值反向电压（PRV）：晶体二极管能够承受的最大反向电压。
超过这个电压值，晶体二极管就会击穿，从而导致PN结上的势垒被突破，电流得以流动。
2. 正向电压降（VF）：当晶体二极管导通时，阳极和阴极间的电压降。
3. 反向饱和电流（IRSM）：当晶体二极管反向偏置时，PN结上的反向电流。
4. 导通电流（ITM）：当晶体二极管处于正向偏置状态时，PN结能够承受的最大电流。
四、晶体二极管的应用由于其快速开关速度和可靠的性能，晶体二极管在很多领域有着广泛的应用。
它们常常用于电源供应、电动机控制和光电子装置等。
例如，交流电源中的整流电路就是需要使用晶体二极管的。
此外，晶体二极管还被用于电动车的控制系统中，以及用于光电二次发射表面（PMT）等光电子设备。
总之，晶体二极管是一种重要的半导体器件，它能够控制电流的流动，并且有着广泛的应用领域。
通过深入了解其结构、工作原理和特性，我们可以更好地应用晶体二极管，从而更好地服务于社会的发展。
二极管的知识点总结
半导体二极管基本结构PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。
电路符号：伏安特性主要参数（直流，主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。
）1.最大整流电流I F二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。
2.反向击穿电压VBR二极管反向击穿时的电压值。
击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。
3.反向电流IR指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。
反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。
反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。
硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。
主要参数（交流）1.微变电阻 r Dr D 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比：DD D i v r ∆∆=2.二极管的极间电容势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。
扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入P 区的少子（电子）在P 区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P 区有电子的积累。
同理，在N区有空穴的积累。
正向电流大，积累的电荷多。
这样所产生的电容就是扩散电容CD。
PN结高频小信号时的等效电路晶体二极管模型二极管分类按结构材料分:(1)锗二极管 (2)硅二极管按制作工艺分：(1)点接触型二极管：pn结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。
(2)面接触型二极管：结面积大，用于工频大电流整流电路。
(3)平面型二极管：往往用于集成电路制造工艺中。
pn结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。
按功能用途分：(1)硅整流二极管：硅整流二极管除主要应用于电源电路做整流元件外，还可用作限幅、保护、钳位等。
(常用整流二极管主要是1n、2cz 系列)(2)检波二极管：检波二极管的结点容小、工作频率高、正向压降小，但允许流过的最大正向电流小、内阻大。
电子技术常见知识点
电子技术常见知识点一、二极管1、二极管符号：2、二极管的工作特性（1）二极管具有单向导电性加正向电压二极管导通将二极管的正极接电路中的高电位，负极接低电位，称为正向偏置（正偏）。
此时二极管内部呈现较小的电阻，有较大的电流通过，二极管的这种状态称为正向导通状态。
加反向电压二极管截止将二极管的正极接电路中的低电位，负极接高电位，称为反向偏置（反偏）。
此时二极管内部呈现很大的电阻，几乎没有电流通过，二极管的这种状态称为反向截止状态。
（2）二极管的特性曲线正向特性当正向电压较小时，二极管呈现的电阻很大，基本上处于截止状态，这个区域常称为正向特性的“死区”，一般硅二极管的“死区”电压约为0.5V，锗二极管约为0.2V。
当正向电压超过“死区”电压后，二极管的电阻变得很小，二极管处于导通状态，二极管导通后两端电压降基本保持不变，硅二极管约为0.7V，锗二极管约为0.3V。
反向特性反向截止区二极管加反向电压时，仍然会有反向电流流过二极管，称为漏电流。
漏电流基本不随反向电压的变化而变化，称为反向截止区。
反向击穿区当加到二极管两端的反向电压超过某一规定数值时，反向电流突然急剧增大，这种现象称为反向击穿现象。
实际应用时，普通二极管应避免工作在击穿范围。
3、二极管的检测（1）万用表置于R×1k挡。
测量正向电阻时，万用表的黑表笔接二极管的正极，红表笔接二极管的负极。
（2）万用表置于R×1k挡。
测量反向电阻时，万用表的红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极。
（3）根据二极管正、反向电阻阻值变化判断二极管的质量好坏。
4、光电二极管的检测使光电二极管处于反向工作状态，即万用表黑表笔接光电二极管的负极，红表笔接其正极，在没有光照射时，其阻值应在数十kΩ至数百kΩ，该电阻值称为暗电阻。
再将光电二极管移到光线明亮处，其阻值应会大大降低，万用表指示值通常只有数kΩ，该电阻值称为亮电阻。
5、二极管整流电路（1）半波整流当输入电压为正半周时，二极管VD因正向偏置而导通，在负载电阻上得到一个极性为上正下负的电压。
二极管基础必学知识点
二极管基础必学知识点以下是学习二极管基础知识时必须了解的几个重要概念和知识点：1. 二极管的结构：二极管是一种由P型半导体和N型半导体组成的器件。
P型半导体具有正电荷载流子（空穴），N型半导体具有负电荷载流子（电子）。
2. PN结：当P型半导体与N型半导体通过直接接触形成结构时，形成的结构称为PN结。
在PN结中，P型半导体的载流子与N型半导体的载流子会发生扩散，形成一个电场区域，使得P型区域形成一个正电荷区（P区），N型区域形成一个负电荷区（N区）。
3. 二极管的正向偏置和反向偏置：当二极管的P区连接正电压而N区连接负电压时，电场区域会扩大，电子会从N区向P区运动，形成电流。
这种情况下，二极管处于正向偏置状态。
反之，当P区连接负电压而N区连接正电压时，电子会从P区向N区运动，不会形成电流。
这种情况下，二极管处于反向偏置状态。
4. 二极管的导通和截止状态：在正向偏置下，二极管的P区和N区之间的电场有效扩展，形成了一个导电通道。
此时二极管处于导通状态，可以通过电流。
在反向偏置下，电场区域不会扩大，电流无法通过二极管，此时二极管处于截止状态。
5. 二极管的正向电压降和反向电流：在正向偏置状态下，二极管上会出现一个正向电压降（一般约为0.7V），称为正向压降。
反向偏置状态下，只有很小的漏电流（反向漏电流）能够通过二极管。
6. 二极管的应用：由于二极管具有只允许电流单向通过的特性，因此可以用于整流电路，将交流电信号转换为直流电信号。
此外，还可以用于电压稳压器、开关、逻辑门等电路中。
以上是学习二极管基础知识时必须了解的几个重要概念和知识点。
在深入学习二极管原理和应用时，还需要了解二极管的特性曲线、温度对二极管的影响、二极管的灵敏度等内容。
二极管的结构、特性及参数
知识点：二极管的结构、特性及参数1.二极管的结构2.二极管的V-I特性3.二极管的主要参数1.二极管的结构①点接触型阳极引线阴极引线N型锗片金属触丝外壳特点：是在锗或硅的单晶片上压触一根金属针后再通过电流法形成的。
因此其PN结面积小，极间电容小，不能承受高的反向电压和大的电流，适于高频、小电流电路，且价格便宜。
如2AP1：IF=16mA，f max=150MHz。
1.二极管的结构②面接触型N 型硅PN 结铝合金小球底座阳极阴极特点：是用合金法或扩散法做成的，由于这种二极管的PN 结面积大，可承受较大电流，但极间电容也大。
这类器件适用于整流，而不宜用于高频率电路中。
如2CP1：I F =400mA ，f max = 3kHz 。
1.二极管的结构③硅工艺平面型阳极引线阴极引线PNP型衬底集成电路中常见的一种结构形式1.二极管的结构2.二极管的V-I 特性正向特性-60 -40 -20v D /Vi D /mAi D /μA0.2 0.4 0.62015105-10 -20 -30 -40锗二极管2AP15的V-I 特性硅二极管2CP10的V-I 特性v D /V0.2 0.4 0.6 0.802015105i D /μAi D /mA-10 -20 -30 -40-40 -30 -20 -102.二极管的V-I 特性正向特性反向特性-60 -40 -20v D /Vi D /mAi D /μA0.2 0.4 0.62015105-10 -20 -30 -40锗二极管2AP15的V-I 特性硅二极管2CP10的V-I 特性v D /V0.2 0.4 0.6 0.802015105i D /μAi D /mA-10 -20 -30 -40-40 -30 -20 -102.二极管的V-I 特性正向特性反向特性反向击穿特性-60 -40 -20v D /Vi D /mAi D /μA0.2 0.4 0.62015105-10 -20 -30 -40锗二极管2AP15的V-I 特性硅二极管2CP10的V-I 特性v D /V0.2 0.4 0.6 0.802015105i D /μAi D /mA-10-20 -30-40-40 -30 -20 -10正确使用二极管的依据R L i Dv D=0.7V E D10V •已知图中二极管的最大整流电流为20mA，问电阻RL的最小值应该取多少？3.二极管的主要参数最大整流电流IF ——管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。
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半导体二极管
基本结构
PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。
电路符号：
伏安特性
主要参数（直流，主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。
）
1.最大整流电流I F
二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。
2.反向击穿电压VBR
二极管反向击穿时的电压值。
击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。
3.反向电流IR
指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。
反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。
反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。
硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。
主要参数（交流）
1.微变电阻 r D
r D 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之
比：
D
D D i v r ∆∆=
2.二极管的极间电容
势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。
扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入P 区的少子（电子）在P 区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P 区有电子的积累。
同理，在N区有空穴的积累。
正向电流大，积累的电荷多。
这样所产生的电容就是扩散电容CD。
PN结高频小信号时的等效电路
晶体二极管模型
二极管分类按结构材料分:
(1)锗二极管 (2)硅二极管
按制作工艺分：
(1)点接触型二极管：pn结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。
(2)面接触型二极管：结面积大，用于工频大电流整流电路。
(3)平面型二极管：往往用于集成电路制造工艺中。
pn结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。
按功能用途分：
(1)硅整流二极管：硅整流二极管除主要应用于电源电路做整流元件外，还可用作限幅、保护、钳位等。
(常用整流二极管主要是1n、2cz 系列)
(2)检波二极管：检波二极管的结点容小、工作频率高、正向压降小，但允许流过的最大正向电流小、内阻大。
多用于小信号、高频率的电路，用作检波、鉴频、限幅。
(常用检波二极管主要是2ap系列) (3)稳压二极管：利用稳压二极管的反向击穿特性，用作稳压基准电压、保护、限幅、电平转换等。
其中2dw230~2dw232稳压管内部具有温度补偿，电压温度系数低，可用于精密稳压电路。
(常用稳压二极管主要是1n、2cw、2dw系列)
(4)光敏二极管：利用光敏二极管在光的照射下，反向电流与光照成正比的特性，应用于光电转换及光控、测光等自动控制电路中。
（常用硅光敏二极管主要是2cu、2du系列）
(5)变容二极管：变容二极管的结电容可以随外加偏压的不同而变化，主要应用于lc调谐、自动频率控制稳频等场合。
（常用变容二极管主要是2cc、1n系列）
(6)发光二极管：发光二极管能把电能直接快速地转换成光能，在电子仪器、仪表中用作显示器件、状态信息指示、光电开关和光辐射源等。
（常用发光二极管主要是2ef系列）
(7)肖特基二极管：肖特基二极管具有反向恢复时间很短、正向压降较低的特性，可用于高频整流、检波、高速脉冲箱位等。
（常用肖特基二极管主要是1n、mbr系列）
(8)快速恢复二极管：快速恢复二极管的正向压降与普通硅整流二极管相似，但反向恢复时间小，耐压比肖特基二极管高得多，用作中频整流元件。
（常用快速恢复二极管主要是1n、mr系列）
(9)开关二极管：开关二极管的反向恢复时间很小，主要用于开关、脉冲、超高频电路和逻辑控制电路中。
（常用开关二极管主要是2ak、2ck、1n系列）
(10)硅整流桥：单相硅整流桥用以代替四个整流二极管、在小功率电源整流中应用广泛。
（常用硅整流桥主要是3n、ql系列）
(11)高压硅堆：高压硅堆是由多个硅二极管串联后封装的，在电子设备中用作高压整流。
(常用高压硅堆主要是2cl系列)
(12)双向触发二极管：双向触发二极管是两端交流器件，有两个对称的正反转折电压vbo，可用作双向交流开关，可向双向晶闸管提供控制极触发电流。
（常用双向触发二极管主要是2cts、pda系列）(13)双基极二极管：双基极二极管又称单结晶体管，它具有稳定的触发电压和触发电流，可控制基极间的电压以取得较大的脉冲电流，适用作驰张振荡器，定时电路及晶闸管的触发电路。
（常用双基极二极
管主要是bt31~37系列）
(14)温敏二极管：温敏二极管作为热敏元件对温度变化敏感，可用于自动增益控制、音量控制、过热和过载保护等电路中，在工业自动控制、高空和海洋探测、医学卫生等方面得到了广泛的应用。
（常用温敏二极管主要是hw、2cwm、jcwm系列）
(15)磁敏二极管：磁敏二极管是一种新型的磁电转换器件。
这种元件比霍尔元件的探测灵敏度高，且具有体积小、响应快、无触点、输出功率大及线性特性好的优点。
该器件在磁力探测、无触点开关、位移测量、转速测量及其他各种自动化设备上得到了广泛的应用。
(常用磁敏二极管主要是2acm、2dcm系列)
(16)阻尼二极管：阻尼二极管具有较高的反向工作电压和峰值电流，正向压降小，高频高压整流二极管，用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。
（常用阻尼二极管主要是2cn、rh、tvr系列）
(17)瞬态二极管(tvs)：瞬态二极管是一种二极管形式的高效能保护器件。
具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。
广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表（电度表）、rs232/422/423/485、i/o、lan、isdn、adsl、usb、mp3、pdas、gps、cdma、gsm、数字照相机的保护、共模/差模保护、rf耦合/ic驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。
(18)激光二极管：激光二极管具有效率高、体积小、寿命长的优点，
但其输出功率小（一般小于2mw），线性差、单色性不太好，使其在有线电视系统中的应用受到很大限制，不能传输多频道，高性能模拟信号。
激光二极管在计算机上的光盘驱动器，激光打印机中的打印头等小功率光电设备中得到了广泛的应用。
(19)红外发射二极管：红外发射二极管具有高发射功率、绝缘性好、抗湿、耐磨、高可靠性，应用于各种仪器的遥控发射光源、点钞机、复印机、扩印机、监控器红外发射光源。
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(20)微波二极管：微波二极管的基片材料由锗、硅发展到砷化镓，使微波二极管工作频率不断提高，目前最高频率已达300吉赫。
微波二极管具有体积小和可靠性高等优点，用于微波振荡、放大、变频、开关、移相和调制等方面。
（21）其他功能二极管：恒流二极管、压敏二极管、补偿二极管、精密二极管限幅二极管、钳位二极管、续流二极管、垫位二极管、保护二极管、译码二极管、 pin二极管、雪崩二极管、高反向电阻点接触型二极管、高传导点接触型二极管等等。