光电探测器列表
紫外探测器：碳化硅（SiC）材质，响应波段200-400nm。应用：火焰探
测和控制、紫外测量、控制杀菌灯光、医疗灯光的控制等。————————————————————————————————————————————
可见光探测器：硅（Si）材质，响应波段200-1100nm。有室温、热电制
冷两种形式，可以带内置前放，有多种封装形式可选。主要用在测温、
激光测量、激光检测、光通信等领域。
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红外探测器（1）：锗（Ge）材质，响应波段0.8-1.8um，有室温、热电制
冷、液氮制冷三种形式，可以带内置前放，有多种封装形式可选。主要
应用在光学仪表、光纤测温、激光二极管、光学通信、温度传感器等
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红外探测器（2）：铟钾砷（InGaAs）材质，响应波段0.8-2.6um，波段内
可以进行优化。有室温、热电制冷、液氮制冷三种形式，可以带内置前
放，可以配光纤输出，多种封装形式可选。主要应用在光通信、测温、
气体分析、光谱分析、水分分析、激光检测、激光测量、红外制导等领
域。
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红外探测器（3）：砷化铟（InAs）材质，响应波段1-3.8um，有室温和热
电制冷两种，可以配内置前放，多种封装形式可选。主要用于激光测量、
光谱分析、红外检测、激光检测等领域。
红外探测器（4）：锑化铟（InSb）材质，响应波段2-6um，液氮制冷，
可以带内置前放，多种封装形式可选。主要应用在光谱测量、气体分析、
激光检测、激光测量、红外制导等领域。————————————————————————————————————————————
红外探测器（5）：硫化铅（PbS）材质，响应波段为1-3.5um，有室温和
热电制冷两种，可以带内置前放，多种封装形式可选。主要应用在NDIR
光谱学、光学测温、光谱学、湿气分析，火焰探测、火星探测等。————————————————————————————————————————————
红外探测器（6）：硒化铅（PbSe）材质，响应波段为1-4.5um，有室温
和热电制冷两种，可以带内置前放，多种封装形式可选。主要应用在
NDIR光谱学、光学测温、光谱学、湿气分析，火焰探测、火星探测等。————————————————————————————————————————————
红外探测器（7）：碲镉汞（HgCdTe）材质探测器：响应波段2-26um，
可以对不同的波段进行优化，分为光伏型和光导型，探测率高，响应时
间快，有室温、热电制冷、液氮制冷三种形式可选。————————————————————————————————————————————
雪崩光电探测器（APD）：主要有硅、锗、铟钾砷三种材质，多种封
装形式可选。主要应用于光通信、遥感技术、功率测量、红外线测量、
温度测量、光通信、光谱仪，激光测距等领域。
高速探测器：主要材质紫外硅（UV Si）、铟钾砷（UV InGaAs）、砷化镓
（GaAs），有BEN和SMA两种接口，两种接口之间可以转换，速度可达
ps级别，有配套前放、电源等附件。主要用于要求速率极高的场合。
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双波长探测器：每个探测器都有不同的光谱响应率，装在一个类似三明
治的结构。这种几何结构使得上面的探测器拥有正常的操作特性，同时
作为一个长波带通滤光片作用于下面的探测器。
所涉及的探测器材料有：硅和硅、铟镓砷和铟镓砷、紫外硅和铟镓砷、
硅和铟镓砷、紫外硅和扩展型铟镓砷(有制冷型)、硅和锗、紫外硅和锗、
硅和砷化铟、紫外硅和砷化铟、硅和硫化铅（有制冷型）、紫外硅和硫
化铅（有制冷型）、硅和硒化铅、紫外硅和硒化铅。————————————————————————————————————————————
位置传感器：主要有锗和铟钾砷两种材质。波段涵盖0.8-1.7微米。连续
的位置传感能力，可选不同的光敏面规格，可配有前置放大器等组件。
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四象限探测器：紫外、可见光的硅材料探测器和波段在1-1.7微米的铟镓
砷,可配有四通道前置放大器。可应用在激光束控制和跟踪等领域。
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线阵探测器：铟钾砷材质，256*1，512*1，现货供应。主要应用在光谱
分析、扫描成像、光谱仪、医学和生化检测、光通信、遥感检测等。
面阵探测器（1）：氧化钒材质，160*120，384*288，现货供应。主要用于红外成像、热像仪、光谱分析、温度测量等。
————————————————————————————————————————————面阵探测器（2）：铟钾砷材质，320*240，640*512。主要用于光功率测量、红外线测量、扫描成像、光谱分析、医学和生化检测、温度测量等领域。
320*240640*512————————————————————————————————————————————面阵探测器（3）：硒化铅材质，非制冷32*32。
芯片相机机芯相机组件
————————————————————————————————————————————探测器附件产品：每个热电制冷探测器需要一个散热器驱除所散发的热量，前置放大器使探测器的信号放大到可以使用的程度而温度控制器能够保持探测器的温度恒定不变。下面是我们的一些附件产品供客户选择。
（1）前置放大器（2）散热装置
（3）温度控制器
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高灵敏CCD：像素2048、3648，光谱范围320-1100nm、250-1100nm，
200-1100nm，稳定性好，噪音低，带驱动，可以OEM，可带BNC输出。
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红外LED产品：（1）砷镓铝（GaAlAs）材质，光谱波段850nm、880nm，
TO封装，功耗mW级别。（2）砷化镓（GaAs）材质，940nm，SOT-23
封装，功耗mW级别。（3）双重LED，660nm/905nm、660nm/940nm、
660nm/880nm，功耗mW级别。————————————————————————————————————————————
硫化镉（CdS）光电池：光谱范围200-700nm，响应时间ms级别。
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红外—可见光转换器：可用于Nd:YAG高功率激光器、低平均功率、高
峰值功率的调Q激光器或者锁模激光器，特殊陶瓷封装，不需用紫外光
激活,感光780-1100nm和1550nm，双面，感光面积可选。
宽带脉冲红外光源：波长范围2-20um,技术先进,性能优越.发光材料表
面经过离子束处理,光谱辐射模拟黑体辐射,发射率高,寿命长.产品体
积小,光电转换效率高,耗电省,同样光强下,这类产品的温度远低于其
它各种光源,安全可靠.发光材料热容量小,可以用于直流或脉冲调制状
态.脉冲工作于10Hz时占空温差为几百度,无须机械斩波器.特别适用
于气体分析,红外光谱分析,红外校准装置等等.外观和三极管类似,无
须添加散热片,性能稳定可靠,火星探测中光谱分析仪就采用这种光源.
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光纤滑环：目前在数据传输领域中由于传输速率的急剧增加，光纤
通讯变得越来越普及和必需。而当在一个系统具有极高数码传输率，或
一个具有旋转接口的系统运行在易爆环境下的时候，光学信号在静止界
面和旋转界面之间的传递就必须通过光纤旋转连接器（光纤滑环）才能
得以实现。我们公司为客户提供多种光纤滑环产品供大家选择，这些产
品具有转速高、传输速率快、抗干扰、可靠性强、防护等级高、长寿命
等特点。产品光谱波段从650nm-1650nm全波段可以任意优化，有单
通道、双通道和多通道，封装形式各异，单模、多模任意选择。————————————————————————————————————————————
光电倍增管：是一种把光子入射到光阴极上产生光电子，光电子通过输
入电子光学系统进入倍增系统，在经过二次发射多次倍增后由阳极收集
起来，形成输出电流或电压。广泛应用到光子计数、闪烁计数、石油勘
探等领域。我们可以提供从110nm-900nm的全波段深紫外、可见光电
倍增管，在整个波段内可以任意优化供不同客户需求，同时可以提供多
种封装，方便您的选择。————————————————————————————————————————————
CO2激光光谱分析仪：光谱范围9.1um到11.3um；能分辨超过140条转动谱
线；其他范围可选；重量轻，方便携带，安装简单。
激光功率计：功率范围从零到11K瓦，有模拟式、数字式和锥形三种类
型。该功率计包括8个不同功率范围和2个不同吸收涂层，有13款型号
和2个锥形结构供大家选择。
说明：（1）“Y”系列功率计光谱范围为0.2~11um，一般用在YAG或CO2
激光器上。（2）“C”系列功率计的波长范围只可以符合CO2激光器，所
以一般使用在CO2激光器上（相比“Y”系列的功率计来说，“C”系列功率
计具有很高的损伤限制。）。（3）对于超过1200瓦的CO2激光器来说，有两个额外的锥形吸收探头的功率计供选择。————————————————————————————————————————————-
红外热成像板：分为近红外（0.7-1.3）热成像板和专门针对CO2激光波段
（2-12um）的热成像板两种。分辨率高、响应时间快、外形简便而方便使用、
自动校准、能耗低、安全等级高，适用于CW YAG、脉冲Nd、GaAs等，
多种感光面可选。————————————————————————————————————————————
红外气体传感器：有数字输出扩散型红外气体传感器、数字模拟双输出扩
散型红外气体传感器、数字输出管路安装型红外气体传感器、数字模拟双输
出管路安装型红外气体传感器四种，可以检测SF6、NH3、CO2、CO1、
CH4、C2H2、C2H4、C3H8、C4H10等气体，产品齐全，选择方便。————————————————————————————————————————————
光电探测器原理
光电探测器原理
光电探测器原理及应用 光电探测器种类繁多，原则上讲，只要受到光照后其物理性质发生变化的任何材料都可以用来制作光电探测器。现在广泛使用的光电探测器是利用光电效应工作的，是变光信号为电信号的元件。 光电效应分两类，内光电效应和外光电效应。他们的区别在于，内光电效应的入射光子并不直接将光电子从光电材料 内部轰击出来，而只是将光电材料内部的光 电子从低能态激发到高能态。于是在低能态 留下一个空位——空穴，而高能态产生一个 自由移动的电子，如图二所示。 硅光电探测器是利用内光电效应的。 由入射光子所激发产生的电子空穴对，称为光生电子空穴对，光生电子空穴对虽然仍在材料内部，但它改变了半导体光电材料的导电性能，如果设法检测出这种性能的改变，就可以探测出光信号的变化。 无论外光电效应或是内光电效应，它们的产生并不取决于入射光强，而取决于入射光波的波长λ或频率ν，这是因为光子能量E只和ν有关： E=hν（1） 式中h为普朗克常数，要产生光电效应，每个光子的能量必须足够大，光波波长越短，频率越高，每个光子所具有的能量hν也就越大。光强只反映了光子数量的多少，并不反映每个光子的能量大小。 目前普遍使用的光电探测器有耗尽层光电二极管和雪崩光电二极管，是由半导体材料制作的。 半导体光电探测器是很好的固体元件，主要有光导型，热电型和P—N结型。但在许多应用中，特别是在近几年发展的光纤系统中，光导型探测器处理弱信号时噪声性能很差；热电型探测器不能获得很高的灵敏度。而硅光电探测器在从可见光到近红外光区能有效地满足上述条件，是该波长区理想的光接收器件。 一、耗尽层光电二极管 在半导体中，电子并不处于单个的分裂 能级中，而是处于能带中，一个能带有许多
中远红外探测器发展动态
中远红外探测器发展动态 1 红外光电探测器的的历史 红外探测成像具有作用距离远、抗干扰性好、穿透烟尘雾霾能力强、可全天候、全天时工作等优点在军用和民用领域都得到了极为广泛的应用按照探测过程的物理机理，红外探测器可分为两类即热探测器和光电探测器。光电探测器的工作原理是目标红外辐射的光子流与探测器材料相互作用，并在灵敏区域产生内光电效应。因具有灵敏度高、响应速度快的优点，光电探测器在预警、精确制导、火控和侦察等红外探测系统中得到广泛应用。 红外焦平面阵列可探测目标的红外辐射，通过光电转换、电信号处理等手段，可将目标物体的温度分布图像转换成视频图像，是集光、机、电等尖端技术于一体的红外光电探测器H。目前许多国家，尤其是美国等西方军事发达国家，都花费大量的人力、物力和财力进行此方面的研究与开发，并获得了成功。红外光电探测器研究从第一代开始至今已有40余年历史，按照其特点可分为三代。第一代(1970s～1980s)主要是以单元、多元器件进行光机串／并扫描成像，以及以4×288为代表的时间延迟积分(TDI，time delay integration)类扫描型(scanning)红外焦平面列阵。单元、多元探测器扫描成像需要复杂笨重的二维、一维扫描系统结构，且灵敏度低。第二代红外光电探测器是小、中规格的凝视型(staring)红外焦平面列阵。M×N凝视型红外焦平面探测元数从1元、N元变成M×N元，灵敏度也分别从l与N1/2增长M×N1/2倍和M1/2。而且，大规模凝视焦平面阵列，不再需要光机扫描，大大简化整机系统。 目前，正在发展第三代红外光电探测器。探测器具有大面阵、小型化、低成本、双色(two-color)与多色(multi-color)、智能型系统级灵巧芯片等特点，并集成有高性能数字信号处理功能，可实现单片多波段融合高分辨率探测与识别。因此，本文将重点综述三代红外光电探测器的材料体系及其研究现状，并分析未来红外光电探测器的材料选择及发展趋势。 2 三代探测器的材料体系与发展现状 红外光电探测器的材料很多，但真正适于发展三代红外光电探测器，即响应波段灵活可调的双色与多色红外焦平面列阵器件的材料则很少。目前，主要有传统的HgCdTe和QWIPs，以及新型的二类SLs和QDIPs，共四个材料体系。作为
InGaAs PIN 光电探测器
SHINE-YOU TECHNOLOGY CO., LTD Addr: 3F,Bld.5,Shangsha Innovative Science & Tech Park,Futian,Shenzhen,China,518048 Tel: +86-755-29812573 Email: info@https://www.360docs.net/doc/4618180580.html, https://www.360docs.net/doc/4618180580.html, 微型封装（MINI CAN ）InGaAs PIN 光电探测器 特点： 微型封装，封装尺寸≤2.41 mm 高响应 工作电压 5V 超低暗电流 单针脚密封 工作温度 -40～+85℃ 应用： 光纤通信 数据/图像传输 光纤传感 光测量仪器仪表 最大额定值： 工作温度（℃） -40～+125 存储温度（℃） -50～+125 正向电流（mA ） 4/8 反向电压（V ） ≥20 光电特性（T = 25℃，Vr = 5 V ） 参数 指标 测 试 条 件 光敏面直径（μm ） 75/300 带宽（GHz ） 1.5/0.5 RL = 50 Ω λ= 1310 nm 0.85/0.80 响应度（A/W ） λ= 1550 nm 0.90/0.85 暗电流（nA ） 0.3 / 1 总电容（pF ） 0.6/6.0 f = 1 MHz 响应度一致性（dB ） ±0.2 λ = 1530～1620 nm, T = -10～+85℃ 注意事项 （1）静电对器件有极大伤害，使用中要保证人体、测试仪表、检验装置及工作台接地良好。 （2）电源需有稳压装置，且不可在开关电源过程中产生冲击电压损害器件。 （3）焊接时烙铁应接地良好，温度控制在260℃±5℃，时间不超过5 秒。 （4）测试正向电压时要监控正向电流，不超过100 μA ，否则会击穿器件而失效。
探测器暗电流综述报告
暗电流形成及其稳定性分析 综述报告 目录 光电探测器基本原理 (2) 1.1 PIN光探测器的工作原理 (2) 1.2雪崩光电二极管工作原理 (3) 暗电流的形成及其影响因素 (4) 2.1暗电流掺杂浓度的影响 (4) 2.1.2复合电流特性 (5) 2.1.3表面复合电流特性 (5) 2.1.4欧姆电流特性 (5) 2.1.5隧道电流特性 (6) 2.2结面积和压焊区尺寸对探测器暗电流的影响 (8) 2.3腐蚀速率和表面钝化工艺对探测器暗电流的影响 (10) 2.4温度特性对暗电流影响 (11) 暗电流稳定性分析小结 (12) 参考文献 (13)
光探测器芯片处于反向偏置时，在没有光照的条件下也会有微弱的光电流，被称为暗电流，产生暗电流的机制有很多，主要包括表面漏电流、反向扩散电流、产生复合电流、隧穿电流和欧姆电流。。本文就将介绍光电探测器暗电流形成及其稳定性分析，并介绍了一些提高稳定性的方案，讨论它们的优势与存在的问题。 光电探测器基本原理 光电检测是将检测的物理信息用光辐射信号承载,检测光信号的变化,通过信号处理变换,得到检测信息。光学检测主要应用在高分辨率测量、非破坏性分析、高速检测、精密分析等领域,在非接触式、非破坏、高速、精密检测方面具有其他方法无比拟的。因此,光电检测技术是现代检测技术最重要的手段和方法之一,是计量检测技术的一个重要发展方向。 1.1 PIN光探测器的工作原理 在PD的PN结间加入一层本征（或轻掺杂）半导体材料（I区），就可增大耗尽区的宽度，减小扩散作用的影响，提高响应速度。由于I区的材料近似为本征半导体，因此这种结构称为PIN光探测器。图（a）给出了PIN光探测器的结构和反向偏压时的场分布图。I区的材料具有高阻抗特性，使电压基本落在该区，从而在PIN 光探测器内部存在一个高电场区，即将耗尽层扩展到了整个I区控制 I 区的宽度可以控制耗尽层的宽度。 PIN光探测器通过加入中间层，减小了扩散分量对其响应速度的影响，但过大的耗尽区宽度将使载流子通过耗尽区的漂移时间过长，导致响应速度变慢，因此要根据实际情况折中选取I层的材料厚度。
光电探测器调研报告
题目：光电探测器的原理及国内外研究现状 学生姓名：学号： 院（系）：专业：
光电探测器的原理及国内外研究现状 摘要 概述了光电探测器的分类和基本原理，并从材料体系的选择和器件的主要应用等方面阐述了光电探测器国内外研究现状，预测了硅基雪崩光电探测器在军事和激光雷达等方向的应用前景。 关键词：光电探测器；硅基雪崩光电探测器；激光雷达 Principle and Research Statue at Home and Abroad of photoelectric detector Abstract Described the basic principle and assortment of the photoelectric detector. The domestic and abroad research statue from the aspects of material selection and device main applications is summarized. At last the application prospects of silicon-based avalanche photodetector are predicted, such as research on military and laser radar. Keywords: phoroelectric detector；silicon-based avalanche photodetector；laser radar
1 引言 光电探测器的发展历史比较悠久，已有上百年的研究历史。由于这种器件在军事和民用中的重要性，发展非常迅速。随着激光与红外技术的发展，材料性能的改进和制造工艺的不断完善，光电探测器朝这集成化的方向发展。这大大缩小体积、改善性能、降低成本。此外将光辐射探测器阵列与CCD 器件结合起来，可以实现信息的传输也可用于热成像领域。 因此，进一步研究光电探测器是一项重要课题，本文章就从原理及国内外最新的研究状况探索光电探测器领先应用。 2 光电探测器入门 2.1 光电探测器的发展历史 最早用来探测可见光辐射和红外辐射的光辐射探测器是热探测器。其中，热电偶早在1826年就已发明出来【1】。1880年又发明了金属薄膜测辐射计。1947年制成了金属氧化物热敏电阻测辐射热计。1947年又发明了气动探测器。经过多年的改进和发展，这些光辐射探测器日趋完善，性能也有了较大的改进和提高。但是，与光子探测器相比，这些光辐射探测器的探测率仍较低，时间常数也较大。从五十年代开始人们对热释电探测器进行了一系列研究工作，发现它具有许多独特的优点，因此近年来有关热释电探测器的研究工作特别活跃，发展异常迅速。热释电探测器的发展以使得热探测器这个领域大为改观，以致有人估计热释电技术将成为发展电子——光学工业的先导。 应用广泛的光子探测器，除了发展最早、技术上也最成熟、响应波长从紫光到近红外的光电倍增管以外，硅和锗材料制作的光电二极管、铅锡、Ⅲ～Ⅴ族化合物、锗掺杂等光辐射探测器，目前均已达到相当成熟的阶段，器主要性能已接近理论极限。 1970年以后又出现了一种利用光子牵引效应制成的光子牵引探测器。其主要用于CO 2 激光的探测。八十年代中期，出现了利用掺杂的GaAs/AlGaAs材料、基于导带跃迁的新型光探测器——量子阱探测器。这种器件工作于8～12μm波段，工作温度为77K。 2.2 光电探测的分类及原理 光电探测器能把光信号转换为电信号。根据器件对辐射响应的方式不同或者说器件工作的机理不同，光电探测器可分为两大类：一类是光子探测器；另一类是热探测器。 光电探测器的工作原理是基于光电效应【2】。热探测器是用探测元件吸收入射辐射而产生热、造成温升,并借助各种物理效应把温升转换成电量的原理而制成的器件。最常用的有温差电偶、测辐射热计、高莱管、热电探测器。一般来说，热探测器的接收元由于表面涂黑它的光谱响应是无选择性的，它只受透光窗口光谱透射特性的限制，因此主要应用于红外区和紫外区，但它的响应率较低、响应速度慢、机械强度低，近来由于热电探测器和薄膜器件的发展，上述缺点已有所改进。 光子型探测器，利用外光电效应制成的光子型探测器是真空电子器件，如光电管、光电倍增管和红外变像管等。这些器件都包含一个对光子敏感的光电阴极，当光子投射到光电阴极上时，光子可能被光电阴极中的电子吸收，获得足够大能量的电子能逸出光电阴极而成为自由的光电子。在光电管中，光电子在带正电的阳极的作用下运动，构成
红外传感器分类
光电传感器工作原理（红外线光电传感器原理） 光电传感器是通过把光强度的变化转换成电信号的变化来实现控制的。 光电传感器在一般情况下，有三部分构成，它们分为：发送器、接收器和检测电路。 发送器对准目标发射光束，发射的光束一般来源于半导体光源，发光二极管(LED)、激光二极管及红外发射二极管。光束不间断地发射，或者改变脉冲宽度。接收器有光电二极管、光电三极管、光电池组成。在接收器的前面，装有光学元件如透镜和光圈等。在其后面是检测电路，它能滤出有效信号和应用该信号。 此外，光电开关的结构元件中还有发射板和光导纤维。 三角反射板是结构牢固的发射装置。它由很小的三角锥体反射材料组成，能够使光束准确地从反射板中返回，具有实用意义。它可以在与光轴0到25的范围改变发射角，使光束几乎是从一根发射线，经过反射后，还是从这根反射线返回。 分类和工作方式 ⑴槽型光电传感器 把一个光发射器和一个接收器面对面地装在一个槽的两侧的是槽形光电。发光器能发出红外光或可见光，在无阻情况下光接收器能收到光。但当被检测物体从槽中通过时，光被遮挡，光电开关便动作。输出一个开关控制信号，切断或接通负载电流，从而完成一次控制动作。槽形开关的检测距离因为受整体结构的限制一般只有几厘米。 ⑵对射型光电传感器 若把发光器和收光器分离开，就可使检测距离加大。由一个发光器和一个收光器组成的光电开关就称为对射分离式光电开关，简称对射式光电开关。它的检测距离可达几米乃至几十米。使用时把发光器和收光器分别装在检测物通过路径的两侧，检测物通过时阻挡光路，收光器就动作输出一个开关控制信号。 ⑶反光板型光电开关 把发光器和收光器装入同一个装置内，在它的前方装一块反光板，利用反射原理完成光电控制作用的称为反光板反射式(或反射镜反射式)光电开关。正常情况下，发光器发出的光被反光板反射回来被收光器收到；一旦光路被检测物挡住，收光器收不到光时，光电开关就动作，输出一个开关控制信号。 ⑷扩散反射型光电开关 它的检测头里也装有一个发光器和一个收光器，但前方没有反光板。正常情况下发光器发出的光收光器是找不到的。当检测物通过时挡住了光，并把光部分反射回来，收光器就收到光信号，输出一个开关信号。
雪崩光电探测器
雪崩光电探测器 雪崩光电探测器光电探测器是将光信号转变为电信号的器件，雪崩光电探测器采用的即是雪崩光电二极管(APD) ，能够具有更大的响应度。APD将主要应用于长距离或接收光功率受到其它限制而较小的光纤通信系统。目前很多光器件专家对APD 的前景十分看好，认为APD 的研究对于增强相关领域的国际竞争力，是十分必要的。雪崩光电探测器的材料1)Si Si 材料技术是一种成熟技术，广泛应用于微电子领域，但并不适合制备目前光通信领域普遍接受的 1.31mm,1.55mm 波长范围的器件。 2)Ge Ge APD 虽然光谱响应适合光纤传输低损耗、低色散的要求，但在制备工艺中存在很大的困难。而且，Ge的电子和空穴的 离化率比率( )接近1，因此很难制备出高性能的APD 器件。 3)In0.53Ga0.47As/InP 选择In0.53Ga0.47As 作为APD 的光吸收层，InP 作为倍增层，是一种比较有效的方法[2] 。In0.53Ga0.47As 材料的吸收峰值在 1.65mm, 在 1.31mm,1.55mm 波长有约为104cm-1 高吸收系数，是目前光探测器吸收层首选材料。In0.53Ga0.47As 光电二极管比起Ge 光电二极管，有如下优点：（1） In0.53Ga0.47As 是直接带隙半导体，吸收系数高；（2） In0.53Ga0.47As 介电常数比Ge 小，要得到与Ge 光电二极管相
同的量子效率和电容，可以减少In0.53Ga0.47As 耗尽层的厚度，因此可以预期In0.53Ga0.47As/InP 光二极管具有高的效应和响应；（3）电子和空穴的离化率比率（）不是1，也就是说In0.53Ga0.47As/InP APD 噪声较低；（4） In0.53Ga0.47As 与InP 晶格完全匹配，用MOCVD 方法在InP 衬底上可以生长出高质量的In0.53Ga0.47As 外延层，可以显着的降低通过p-n 结的暗电流。（5）In0.53Ga0.47As/InP 异质结构外延技术，很容易在吸收区生长较高带隙的窗口层，由此可以消除表面复合对量子效率的影响。 4）InGaAsP/InP 选择InGaAsP 作为光吸收层，InP 作为倍增层,可以制备响应波长在1-1.4mm ，高量子效率，低暗电流，高雪崩增益得的APD 。通过选择不同的合金组分，满足对特定波长的最佳性能。 ）InGaAs/InAlAs ln0.52AI0.48As 材料带隙宽（1.47 eV）,在 1.55 mm 波长范围不吸收，有证据显示，薄In0.52Al0.48As 外延层在纯电子注入的条件下，作为倍增层材料，可以获得比lnP 更好的增益特性。 6）InGaAs/InGaAs（P）/InAlAs 和InGaAs/In（Al ）GaAs/InAlAs 材料的碰撞离化率是影响APD 性能的重要因素。研究表明[6] ，可以通过引入InGaAs（P）/InAlAs 和In（Al ）GaAs/InAlAs 超晶格结构提高倍增层的碰撞离化率。应用超晶格结构这一能带工程可以人为控制导带和价带值间的非对称性带边不连续性，并保证
光电探测技术发展概况
光电探测技术发展概况 学号：20121226465姓名：熊玉宝 摘要:本文扼要论述光电探测技术重要性，并简要地介绍了光电探测技术的几种主要方法及发展趋势。 关键词:光电；探测；技术 光电探测技术是根据被探测对象辐射或反射的光波的特征来探测和识别对象的一种技术，这种技术本身就赋予光电技术在军事应用中的四大优点，即看得更清、打得更准、反应更快和生存能力更强。 光电探测技术是现代战争中广泛使用的核心技术，它包括光电侦察、夜视、导航、制导、寻的、搜索、跟踪和识别多种功能。光电探测包括从紫外光（0.2～0.4μm）、可见光（0.4～0.7μm）、红外光（1～3μm，3～5μm，8～12μm）等多种波段的光信号的探测。 新一代光电探测技术及其智能化，将使相关武器获得更长的作用距离，更强的单目标/多目标探测和识别能力，从而实现更准确的打击和快速反应，在极小伤亡的情况下取得战争的主动权。同时使武器装备具有很强的自主决策能力，增强了对抗，反对抗和自身的生存能力。实际上，先进的光电探测技术已成为一个国家的军事实力的重要标志。 现代高技术战争的显著特点首先是信息战，而信息战中首要的任务是如何获取信息。谁获取更多信息，谁最早获取信息，谁就掌握信息战的主动权。光电探测正是获取信息的重要手段。微波雷达和光电子成像设备常常一起使用，互相取长补短，相辅相成，可以获取更多信息，可以更早获取信息。前者作用距离远，能全天候工作；后者分辨率高，识别能力和抗干扰能力强。无论侦察卫星、预警卫星、预警飞机还是无人侦察机往往同时装备合成孔径雷达和CCD相机、红外热像仪或多光谱相机。为改进对弹道导弹的预警能力，美国正在研制的天基红外系统（SBIRS）拟用双传感器方案，即一台宽视场扫描短波红外捕获传感器和一台窄视场凝视多色（中波/长波红外、长波红外/可见光）跟踪传感器，能捕获和跟踪弹道导弹从发射到再入大气的全过程。美国已经装备并正在不断改进的CR-135S眼镜蛇球预警机，采用可见光和中波红外像机，能精确测定420km外的导弹发射，确定发动机熄火点，计算出它的弹道和碰撞点。最近在上面加了一台远程激光测距机，其作用距离可达400km。美国海军也在为战区弹道导弹防御
光电开关分类与特点
光电开关分类与特点 光电开关（光电传感器）是光电接近开关的简称，它是利用被检测物对光束的遮挡或反射，由同步回路选通电路，从而检测物体有无的。物体不限于金属，所有能反射光线的物体均可被检测。光电开关将输入电流在发射器上转换为光信号射出，接收器再根据接收到的光线的强弱或有无对目标物体进行探测。安防系统中常见的光电开关烟雾报警器，工业中经常用它来记数机械臂的运动次数。 光电开关的分类 1 按检测方式分 常用光电开关的分类方法：按检测方式可分为反射式、对射式和镜面反射式三种类型。对射式检测距 槽型光电开关（9张）离远，可检测半透明物体的密度（透光度）。反射式的工作距离被限定在光束的交点附近，以避免背景影响。镜面反射式的反射距离较远，适宜作远距离检测，也可检测透明或半透明物体。 2 按结构分类 光电开关按结构可分为放大器分离型、放大器内藏型和电源内藏型三类。放大器分离型是将放大器与传感器分离，并采用专用集成电路和混合安装工艺制成，由于传感器具有超小型和多品种的特点，而放大器的功能较多。因此，该类型采用端子台连接方式，并可交、直流电源通用。具有接通和断开延时功能，可设置亮、音动切换开关，能控制6种输出状态，兼光电开关 有接点和电平两种输出方式。 放大器内藏型是将放大器与传感一体化，采用专用集成电路和表面安装工艺制成，使用直流电源工作。其响应速度局面（有0.1ms和1ms两种），能检测狭小和高速运动的物体。改变电源极性可转换亮、暗动，并可设置自诊断稳定工作区指示灯。兼有电压和电流两种输出方式，能防止相互干扰，在系统安装中十分方便。 电源内藏型是将放大器、传感器与电源装置一体化，采用专用集成电路和表面安装工艺制成。它一般使用交流电源，适用于在生产现场取代接触式行程开关，可直接用于强电控制电路。也可自行设置自诊断稳定工作区指示灯，输出备有SSR固态继电器或继电器常开、常闭接点，可防止相互干扰，并可紧密安装在系统中。 光电开关的特点 MGK系列光电开关是现代微电子技术发展的产物，是HGK系列红外光电开关的升级换代产品。与以往的光电开关相比具有自己显着的特点： ●具有自诊断稳定工作区指示功能，可及时对射式光电开关 告知工作状态是否可靠； ●对射式、反射式、镜面反射式光电开关都有防止相互干扰功能，安装方便； ●对ES外同步（外诊断）控制端的进行设置可在运行前预检光电开关是否正常工作。并可随时接受计算机或可编程控制器的中断或检测指令，外诊断与自诊断的适当组合可使光电开关智能化； ●响应速度快，高速光电开关的响应速度可达到0.1ms，每分钟可进行30万次检测操作，能检出高速移动的微小物体； ●采用专用集成电路和先进的SMT表面安装工艺，具有很高的可靠性； ●体积小（最小仅20×31×12mm）、重量轻，安装调试简单，并具有短路保护功能。
光电探测器
一`光电探测器 第一节 光辐射探测器的主要指标 光信号的探测是光谱测量中的重要一环，在不同的场合和针对不同的目的所采用的探测器也不同，最重要的考虑是探测器的应用波长范围、探测灵敏度以及响应时间。光探测器是将光辐射能转变为另一种便于测量的物理量的器件，它的门类繁多，一般来说可以按照在探测器上所产生的物理效应，分成光热探测器、光电探测器和光压探测器，光压探测器使用得很少。本章将着重介绍光谱学测量中常用的探测器。 光热探测器是探测元件吸收光辐射后引起温度的变化，例如光能被固体晶格振动吸收引起固体的温度升高，因此对光能的测量可以转变为对温度变化的测量。这种探测器的主要特点是：具有较宽的光波长响应范围，但时间响应较慢，测量灵敏度相对也低一些，经常用于光功率或光能量的测量。 光电探测器是将光辐射能转变为电流或电压信号进行测量，是最常使用的光信号探测器。它的主要特点是：探测灵敏度高，时间响应快，可以对光辐射功率的瞬时变化进行测量，但它具有明显的光波长选择特性。光电探测器又分内光电效应器件和外光电效应器件，内光电效应是通过光与探测器靶面固体材料的相互作用，引起材料内电子运动状态的变化，进而引起材料电学性质的变化。例如半导体材料吸收光辐射产生光生载流子，引起半导体的电导率发生变化，这种现象称为光电导效应，所对应的器件称为光导器件；又如半导体PN 结在光辐照下，产生光生电动势，称为光生伏特效应，利用这种效应制成的器件称为光伏效应器件。 外光电效应器件是依据爱因斯坦的光电效应定律，探测器材料吸收辐射光能使材料内的束縛电子克服逸出功成为自由电子发射出来。 P k E h E -=ν ---------------------------------- (2.1-1) 上式中 νh 是入射光子的能量，E p 是探测器材料的功函数，即光电子的逸出功，E k 是光电子离开探测器表面的动能。这种探测器有一个截止频率和截止波长C ν和C λ： h p E c = ν , () ()nm eV E E hC p p C 1240= = λ --------(2.1-2)
红外光电探测器技术的发展(学术前沿专题)
量子点红外光电探测器技术的发展 （学术前沿专题） 专业：测试计量技术及仪器 班级：硕研22班 学生学号： S0908******* 学生姓名：李刚
量子点红外光电探测器 目前大多数红外焦平面阵列（FPA）都以量子阱红外光电探测器（QWIP）或碲镉汞（MCT）光电探测器为基础，而这两类探测器都存有重大的不足。 QWIP对垂直入射光的探测效率很低，因为垂直方向上光子的跃迁被禁止。尽管利用光栅可以弥补这一缺点，但光栅的制作无疑会增加系统的成本。另外，QWIP在高温工作时暗电流较高，所以通常采用冷却方式使其在低温下工作，这便大大增加了成像系统的成本、体积和功耗。 MCT光电探测器则因为MCT固有的不稳定性，很难实现高度均匀的探测器阵列，而且以MCT为基础的FPA还具有成本高和效率低的缺点。 近年来，量子点红外光电探测器（QDIP）在工作温度和量子效率方面取得的重大进步，将有望引领新一轮成像技术热潮，并将在医学与生物学成像、环境与化学监测、夜视与太空红外成像等领域开辟新的应用天地。目前，通过采用纳米技术形成量子点，研究人员已经在开发室温或接近室温工作的高性能成像器方面迈出了一大步。 量子点又称“人造原子”，目前量子点作为提高电子与光电子器件性能的一种手段，已经被广泛应用。量子点的尺寸很小，通常只有10nm，因此其具有独特的三维光学限制特性。将量子点应用在红外光电探测器上，可以使探测器在更高的温度下工作。 开发高温工作的红外光电探测器，可以降低红外成像系统的成本，减小重量，提高效率，这将极大地拓展红外光电探测器的应用范围。研究人员已经开发出了首个以QDIP为基础的焦平面阵列。
光电探测器原理
光电探测器原理及应用 光电探测器种类繁多，原则上讲，只要受到光照后其物理性质发生变化的任何材料都可以用来制作光电探测器。现在广泛使用的光电探测器是利用光电效应工作的，是变光信号为电信号的元件。 光电效应分两类，内光电效应和外光电效应。他们的区别在于，内光电效应 的入射光子并不直接将光电子从光电材料内 部轰击出来，而只是将光电材料内部的光电 子从低能态激发到高能态。于是在低能态留 下一个空位——空穴，而高能态产生一个自 由移动的电子，如图二所示。 硅光电探测器是利用内光电效应的。 由入射光子所激发产生的电子空穴对，称为光生电子空穴对，光生电子空穴对虽然仍在材料内部，但它改变了半导体光电材料的导电性能，如果设法检测出这种性能的改变，就可以探测出光信号的变化。 无论外光电效应或是内光电效应，它们的产生并不取决于入射光强，而取决于入射光波的波长λ或频率ν，这是因为光子能量E只和ν有关： E=hν（1） 式中h为普朗克常数，要产生光电效应，每个光子的能量必须足够大，光波波长越短，频率越高，每个光子所具有的能量hν也就越大。光强只反映了光子数量的多少，并不反映每个光子的能量大小。 目前普遍使用的光电探测器有耗尽层光电二极管和雪崩光电二极管，是由半导体材料制作的。 半导体光电探测器是很好的固体元件，主要有光导型，热电型和P—N结型。但在许多应用中，特别是在近几年发展的光纤系统中，光导型探测器处理弱信号时噪声性能很差；热电型探测器不能获得很高的灵敏度。而硅光电探测器在从可见光到近红外光区能有效地满足上述条件，是该波长区理想的光接收器件。一、耗尽层光电二极管 在半导体中，电子并不处于单个的分裂 能级中，而是处于能带中，一个能带有许多
光电探测器 入门详细解析
光电探测器 摘要 本文研究了近期崛起的高科技新秀：光电探测器。本文从光电探测器的分类、原理、主要参数、典型产品与应用、前景市场等方面简单介绍了光电探测器，使大家对光电探测器有一个初步的理解。了解光电探测材料的原理不仅有利于选择正确适宜的光电探测材料，而且对研发新的光电探测器有所帮助 一、简单介绍引入 光电探测器是指一类当有辐射照射在表面时，性质会发生各种变化的材料。光电探测器能把辐射信号转换为电信号。辐射信号所携带的信息有：光强分布、温度分布、光谱能量分布、辐射通量等，其进过电子线路处理后可供分析、记录、储存和显示，从而进行探测。 光电探测器的发展历史： 1826年，热电偶探测器→1880，金属薄膜测辐射计→1946，热敏电阻→20世纪50年代，热释电探测器→20世纪60年代，三元合金光探测器→20世纪70年代，光子牵引探测器→20世纪80年代，量子阱探测器→近年来，阵列光电探测器、电荷耦合器件（CCD） 这个被誉为“现代火眼金睛”的光电探测材料无论在经济、生活还是军事方面，都有着不可或缺的作用。 二、光电探测材料的分类。 由于器件对辐射响应的方式不一样，以此可将光电探测器分为两大类，分别是光 1
子探测器和热探测器。 ○1光子探测器：光子，是光的最小能量量子。单光子探测技术，是近些年刚刚起步的一种新式光电探测技术，其原理是利用新式光电效应，可对入射的单个光子进行计数，以实现对极微弱目标信号的探测。光子计数也就是光电子计数，是微弱光（低于10－14W）信号探测中的一种新技术。 ○2利用光热效应制作的元件叫做热探测器，同时也叫热电探测器。（光热效应指的是当材料受光照射后，光子能量会同晶格相互作用，振动变得剧烈，温度逐渐升高，由于温度的变化，而逐渐造成物质的电学特性变化）。 若将光电探测器按其他种类分类，则 按应用分类：金属探测器，非成像探测器（多为四成像探测器），成像探测器（摄像管等）。 按波段分类：红外光探测器（硫化铅光电探测器），可见光探测器（硫化镉、硒化镉光敏电阻），紫外光探测器。 2
光电传感器介绍
光电式传感器 1.概述 光电传感器是采用光电元件作为检测元件的传感器。它首先把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将光信号转换成电信号。光电传感器一般由光源、光学通路和光电元件三部分组成。光电检测方法具有精度高、反应快、非接触等优点，而且可测参数多，传感器的结构简单，形式灵活多样，因此,光电式传感器在检测和控制中应用非常广泛。光电传感器是各种光电检测系统中实现光电转换的关键元件，它是把光信号（红外、可见及紫外光辐射）转变成为电信号的器件。 光电式传感器是以光电器件作为转换元件的传感器。它可用于检测直接引起光量变化的非电量，如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等；也可用来检测能转换成光量变化的其他非电量，如零件直径、表面粗糙度、应变、位移、振动、速度、加速度，以及物体的形状、工作状态的识别等。光电式传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点，因此在工业自动化装置和机器人中获得广泛应用。近年来，新的光电器件不断涌现，特别是CCD图像传感器的诞生，为光电传感器的进一步应用开创了新的一页。 2.物理特性 2.1外光电效应 2.1.1光子假设 1887年，赫兹发现光电效应，爱因斯坦第一个成功解释光电效应。爱因斯坦根据普朗克量子假说而进一步提出的光量子，即光子概念，对光电效应研究做出了决定性的贡献。爱因斯坦光子假说的核心思想是：表面上看起来连续的光波是量子化的。单色光由大量不连续的光子组成。若单色光频率为n，那么每个 光子的能量为E＝hv, 动量为。 由爱因斯坦光子假说发展成现代光子论(photon theory)的两个基本点是：
(1) 光是由一颗一颗的光子组成的光子流。每个光子的能量为E = hv，动量 为。由N个光子组成的光子流，能量为N hv。 (2) 光与物质相互作用，即是每个光子与物质中的微观粒子相互作用。 根据能量守恒定律，约束得最不紧的电子在离开金属面时具有最大的初动 能，所以对于电子应有： 2.2 内光电效应 光电传感器通常是指能敏感到由紫外线到红外线光的光能量，并能将光能转化成电信号的器件。其工作原理是基于一些物质的光电效应。 光电效应：当具有一定能量E的光子投射到某些物质的表面时，具有辐射能量的微粒将透过受光的表面层，赋予这些物质的电子以附加能量，或者改变物质的电阻大小，或者使其产生电动势，导致与其相连接的闭合回路中电流的变化，从而实现了光—电转换过程。在光线作用下能使物体电阻率改变的称为内光电效应。属于内光电效应的光电转换元件有光敏电阻以及由光敏电阻制成的光导管等。 2.2.1光电导效应 光照变化引起半导体材料电导变化的现象称光电导效应（又称为光电效应、光敏效应），即光电导效应是光照射到某些物体上后，引起其电性能变化的一类光致电改变现象的总称。当光照射到半导体材料时，材料吸收光子的能量，使非传导态电子变为传导态电子，引起载流子浓度增大，因而导致材料电导率增大。在光线作用下，对于半导体材料吸收了入射光子能量，若光子能量大于或等于半导体材料的禁带宽度，就激发出电子-空穴对，使载流子浓度增加，半导体的导电性增加，阻值减低，这种现象称为光电导效应。光敏电阻就是基于这种效应的光电器件。
光电探测器综述(PD)分解
光电探测器综述 摘要：近年来，围绕着光电系统开展了各种关键技术研究，以实现具有高集成 度、高性能、低功耗和低成本的光电探测器（Photodetector）及光电集 成电路（OEIC）已成为新的重大挑战。尤其是具有高响应速度，高量子 效率和低暗电流的高性能光电探测器，不仅是光通信技术发展的需要， 也是实现硅基光电集成的需要，具有很高的研究价值。本文综述了近十 年来光电探测器在不同特性方向的研究进展及未来几年的发展方向，对 其的结构、相关工艺和制造的研究具有很重要的现实意义。 关键词：光电探测器，Si ,CMOS Abstrac t: In recent years, around the photoelectric system to carry out the study of all kinds of key technologies, in order to realize high integration, high performance, low power consumption and low cost of photoelectric detector (Photodetector) and optoelectronic integrated circuit (OEIC) has become a major new challenge. Especially high response speed ，high quantum efficiency, and low dark current high-performance photodetector, is not only the needs for development of optical communication technology, but also realize the needs for silicon-based optoelectronic integrated,has the very high research value.This paper reviews the development of different characteristics and results of photodetector for the past decade, and discusses the photodetector development direction in the next few years,the study of high performance photoelectric detector, the structure, and related technology, manufacturing, has very important practical significance. : Key Word: photodetector, Si ,CMOS 一、光电探测器 概念 光电探测器在光通信系统中实现将光转变成电的作用，这主要是基于半导体材料的光生伏特效应，所谓的光生伏特效应是指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。（光电导效应是指在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过度到自由状态，而引起材料电导率的变化的象。即当光照射到光电导体上时，若这个光电导体为本征半导体材料，且光辐射能量又足够强，光电材料价带上的电子将被激发到导带上去，使光导体的电导率变大是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象，光子作用于光电导材
现代精密测量仪器中的光电探测器
现代精密测量仪器中的光电探测器 河北大学电子与信息工程系 宋登元 华北电力大学电子学实验室 孙同文 【摘要】 光电探测器是许多精密分析和测量仪器的“心脏”,在研制和应用方面已经取得了很大的进展。文章介绍了光电探测器的种类及覆盖的光谱区域,光电倍增管(PM T)和半导体光电探测器的基本特性,论述了它们在医学诊断、环境监测和分析仪器中的应用以及今后的发展方向。 【关键词】 光电探测器 医学诊断 环境监测 液相色谱 一、引言 在现代众多的精密分析、测量和诊断仪器中,最关键的部件是它的信号检测元件—光电探测器。人们称光电探测器是这类仪器的“心脏”。现代光电探测器的研究开发工作已经取得了重大进展,各类光电探测器不断问世,探测光谱覆盖了从Χ射线到远红外的宽阔范围,其灵敏度和可靠性满足各种精密分析检测仪器的需要。并广泛地用于医学、物理、化学、生物学和环境保护等各个领域。 目前高灵敏度的光电探测器是利用光电效应的原理制成的,主要分为真空管和固体光电探测器两大类。真空管中的光电倍增管(PM T)是依靠入射光子打在阴极材料上使其内部电子被轰击出来形成光电流来工作的,这种效应称为外光电效应。作为固体光电探测器典型代表的半导体光电探测器是利用内光电效应工作的。在这种器件中,入射光子并不直接把光电子从半导体材料中轰击出来,而是在材料内部产生电子空穴对,使器件的输出电流发生变化。由于不同光电探测器的工作原理和所用材料物理性质的差异,因而产生不同的光谱测量区域。详见附图 。附图 光电探测器材料和覆盖的频谱范围 综 述
二、光电探测器的原理和特性 光电探测器是一种能对光信号进行放大,最终转换为电信号的器件,它的工作过程随光作用的介质及信号放大方式的不同有着很大差异。目前广泛使用的光电探测器有光电倍增管(PM T)和半导体光电探测器。 11光电倍增管 光电倍增管(PM T)是一种电真空器件,已有50多年的发展历史。由于新技术不断用于PM T的制备,使它至今仍是一类非常重要的光电探测器被广泛地使用。 PM T的突出优点是高效益、高灵敏度、低噪声及大的有源区面积。PM T的倍增因子可达103～107倍,能测量很微弱的光信号,甚至是单光子信号也能被测量到。同时它能对光信号进行几乎无噪声的放大。随着新制备工艺的采用,一些被人们认为PM T不如半导体光电探测器的缺点正在被改进。主要表现为PM T的平均无故障时间(M TB F)已达10000～100000h r,电源电压要求已降至±15V DC,功耗只有十几毫瓦。最小的PM T的体积已与半导体探测器类似,能容易地与仪器集成在一起。 21半导体光电探测器 目前使用的半导体光电探测器是光电二极管,它包括平面型、P I N型、肖特基型和雪崩型。前3种没有内部增益或放大作用,因此需要外部放大器,而雪崩光电二极管有高的内部增益,可达100～1000。无论何种形式的半导体光电二极管,其核心都是由P型和N 型半导体构成的P-N结。 半导体光电探测器是一种体积小、重量轻、工作电压低、寿命长和响应速度快的固体光传感器。此外,它的价格相对便宜,抗外部电磁干扰和抗强光损伤的性能也都比PM T 好。由于可用不同的半导体材料(Si,GaA s, Ge,PbS,InA s等)制备,因此它们有从可见光到红外光宽的频谱响应范围,但半导体光电探测器在高增益、低噪声和大有源区域面积方面还不如PM T。 三、光电探测器的应用 光电探测器作为一类光传感器应用十分广泛。下面介绍一下它们在医疗诊断、环境监测及分析仪器中的应用。 11医学诊断 近几年发展起来的医学诊断精密仪器大多采用了高灵敏度的光电探测器作为信号接收转换器。特别是计算机断层扫描成像技术,如?射线断层照相(CT)、正电子发射断层照相(PET)。其原理是由闪烁体(碘化钠N a I 或锗酸钕B GO晶体)和光电探测器构成的仪器探头接收到Χ射线或?射线的辐射后先进入闪烁体,使闪烁体受激发产生荧光。一个?或Χ射线光子能产生几百个2-3eV能量的可见光子。用光导或反射物把这些可见光子收集到光电探测器窗口上,从而产生脉冲信号,送到后级处理系统变为图像显示。 CT是一种常用的三维图像影像学诊断技术,通常探头中使用的都是PM T作为传感器。随着硅光电探测器的发展,探头中使用了硅光电探测器。虽然这时需要的?射线的强度要稍高于PM T要求的强度,但降低了成本。 PET能够动态地显示人体各部位的生理活动功能,称为目前世界上最先进的医学成像仪器,已从实验开始进入临床诊断。与CT不同的是,这种设备的辐射源不是来自外部,而是来自患者体内。首先用能发射正电子的核素制成标记化合物,注入或吸入患者体内。标记物发射的正电子能在很短的距离内与负电子相撞,发生正、负电子对的湮没,产生一个对能量为511KeV的Χ光子。体外PET探头的闪烁体将测到的Χ射线变为可见光谱送给PM T。在PET中,常用PM T为传感器,因为PM T有比其它探测器高的灵敏度,这样可以降低注入到患者体内标记物的数量。 综 述
光电传感器的应用类型
光电传感器的应用类型 光电传感器的测量届于非接触式测量，g6V越来越广泛地应用广L厂：的各个领域。冈光 源对光电元件作用力式个向心确定的光学装置是多种多样的。按其输出量件旧，可分 为模拟输 川型光电传感器和数字输比型光电传感器购大类。元论足Mp一种。依被测物与光电 元件和光 源之间／6关系。光电传感器的应用可分为1种从小类型，如图l 2—9所尔。 ([)光辐射本身是被洲物，山被钽电容测物发11lrb光通虽到达光吧7I件上。光kh，G什的输出反映 J”几源的从些物理参数，如光电比龟温度计和光照度计等。 (2)佃允源发出的光通量穿过被测物。部分被吸收后到达光电元件广。吸收虽决定1被测 物的茶华参数．训测液体、气体透明度和浑浊度的光电比包汁等。 (3)但光源发出的光通量到达被测物．内从被测物体反射出来投射到光电元件上。光电元 件的输汽反映了被测物的某些参数，如测量表血抓糙度、纸张白度等。 (4)从恒光源发射到光电元件的光通量遇到被测彻被遮挡f一‘部分。由此收受丁照射到光 电元件上的光通量，光电元件的输出反映了被测物Jt—J等参数，如振动测员、工件尺寸测量等。 以L提到的“恒光源”持指辐射强度和波诺分布均不随时间变化的光源。光电传感 器的应 用柏当广泛，已行专门的光电检测方凹的专著出版。间一光路系统可用十木向物现丝 的检测， 个闹光路系统呵用厂同一物邓量的检测，但一般总dJ归结为以上1种类型。在下面介绍的光电
传感器应蝴举例中，请读者故意由于背景光频谱及强度等因素对光电元件的影响较大，在模拟 呈的检测小一般有参比信号和温度补偿斯麦迪电子措施，用来削弱或消除这些出素的 影响。cjmc%ddz