光电探测器概述ppt课件
合集下载
第十一讲光电探测器的性能参数资料课件
取多种光谱信息， 实现对目标物的多维度检测和分析。超光谱 探测技术则能提供更精细的光谱分辨能力， 有助于深入了解物质的结构和性质。这些技 术的应用将有助于推动光电探测器在环境监 测、医疗诊断、安全检查等领域的发展。
THANKS
感谢观看
夜视与隐蔽行动
红外光电探测器能够实现夜间观 察和目标识别，提高部队的夜战 能力和隐蔽行动的安全性。
紫外光电探测器在环境监测领域的应用
大气污染监测
紫外光电探测器能够检测大气中的有 害气体和光化学烟雾，为环境保护和 治理提供数据支持。
火焰监测
紫外光电探测器能够监测火焰中的紫 外辐射，用于森林防火、工业安全等 领域。
总结词
随着光电探测技术的不断进步，高响应度和高探测率已成为光电探测器的重要发展趋势。
详细描述
高响应度意味着光电探测器能够快速响应光信号，提高信号处理速度和实时性。高探测率则指光电探 测器在低光强度条件下仍能保持较高的探测效率，有助于在弱光环境下实现更好的探测效果。
低噪声与低功耗技术的突破
总结词
降低噪声和功耗是光电探测器技术发展的另一重要方向，相关技术的突破将有助于提高光电探测器的性能和稳定 性。
光电探测器在医疗诊断领域的应用
荧光成像
光电探测器用于荧光成像技术，能够检测生物组织中的荧光 标记物，用于肿瘤诊断和治疗监测。
激光雷达在眼科诊断中的应用
光电探测器在激光雷达技术中用于测量角膜和视网膜的厚度， 为眼科疾病的诊断和治疗提供依据。
05
光电探测器的发展趋势与 展望
高响应度与高探测率的发展趋势
光电探测器的性能测试与评估 测试环境与设备
性能评估标准与指标- 评估标准
根据光电探测器的应用需求，制定相应的评估标准，如光电转换效率、响应速度、 噪声等效功率、信噪比等。- 性能指标
THANKS
感谢观看
夜视与隐蔽行动
红外光电探测器能够实现夜间观 察和目标识别，提高部队的夜战 能力和隐蔽行动的安全性。
紫外光电探测器在环境监测领域的应用
大气污染监测
紫外光电探测器能够检测大气中的有 害气体和光化学烟雾，为环境保护和 治理提供数据支持。
火焰监测
紫外光电探测器能够监测火焰中的紫 外辐射，用于森林防火、工业安全等 领域。
总结词
随着光电探测技术的不断进步，高响应度和高探测率已成为光电探测器的重要发展趋势。
详细描述
高响应度意味着光电探测器能够快速响应光信号，提高信号处理速度和实时性。高探测率则指光电探 测器在低光强度条件下仍能保持较高的探测效率，有助于在弱光环境下实现更好的探测效果。
低噪声与低功耗技术的突破
总结词
降低噪声和功耗是光电探测器技术发展的另一重要方向，相关技术的突破将有助于提高光电探测器的性能和稳定 性。
光电探测器在医疗诊断领域的应用
荧光成像
光电探测器用于荧光成像技术，能够检测生物组织中的荧光 标记物，用于肿瘤诊断和治疗监测。
激光雷达在眼科诊断中的应用
光电探测器在激光雷达技术中用于测量角膜和视网膜的厚度， 为眼科疾病的诊断和治疗提供依据。
05
光电探测器的发展趋势与 展望
高响应度与高探测率的发展趋势
光电探测器的性能测试与评估 测试环境与设备
性能评估标准与指标- 评估标准
根据光电探测器的应用需求，制定相应的评估标准，如光电转换效率、响应速度、 噪声等效功率、信噪比等。- 性能指标
《光电导探测器》课件
详细描述
光电导探测器在光通信领域中用于光信号的接收和检测，在光谱分析中用于光 谱仪的光电转换，在环境监测中用于气体和液体的成分分析和浓度测量，在生 物医学中用于医疗诊断和生物分子检测等。
02
CHAPTER
光电导探测器的基本结构
半导体材料
光电导探测器的核心是半导体材料，它们能够吸收光子并产生电子-空穴对。常见的 半导体材料包括硅、锗、硫化铅等。
这些半导体材料具有直接带隙结构，使得它们能够有效地吸收特定波长的光子，产 生光生载流子。
半导体材料的性能决定了光电导探测器的响应速度、光谱响应范围和暗电流等关键 参数。
光敏元件
光敏元件是光电导探测器的核心部分 ，它负责吸收光子并转换为电信号。
光敏元件的形状和尺寸对探测器的性 能有重要影响，例如响应速度、光谱 响应范围和探测率等。
未来发展方向与挑战
交叉学科融合
光电导探测器的发展需要与物理、化学、生物等 多学科交叉融合，开拓新的应用领域。
环境适应性
提高光电导探测器的环境适应性，使其能够在恶 劣环境下稳定工作。
降低成本
通过优化工艺和材料，降低光电导探测器的制造 成本，促进其在民用领域的应用。
THANKS
谢谢
光谱响应
描述光电导探测器在不同波长光下的 响应特性，是决定探测器应用范围的 重要参数。
响应时间与恢复时间
响应时间
光电导探测器从接收到光信号到产生可观测电信号的时间间隔，反映了探测器的反应速 度。
恢复时间
探测器在持续光照下，从最大响应状态回到初始状态所需的时间，影响连续测量时的性 能。
温度稳定性与可靠性
03
CHAPTER
光电导探测器的性能参数
响应度与探测率
光电导探测器在光通信领域中用于光信号的接收和检测，在光谱分析中用于光 谱仪的光电转换，在环境监测中用于气体和液体的成分分析和浓度测量，在生 物医学中用于医疗诊断和生物分子检测等。
02
CHAPTER
光电导探测器的基本结构
半导体材料
光电导探测器的核心是半导体材料，它们能够吸收光子并产生电子-空穴对。常见的 半导体材料包括硅、锗、硫化铅等。
这些半导体材料具有直接带隙结构，使得它们能够有效地吸收特定波长的光子，产 生光生载流子。
半导体材料的性能决定了光电导探测器的响应速度、光谱响应范围和暗电流等关键 参数。
光敏元件
光敏元件是光电导探测器的核心部分 ，它负责吸收光子并转换为电信号。
光敏元件的形状和尺寸对探测器的性 能有重要影响，例如响应速度、光谱 响应范围和探测率等。
未来发展方向与挑战
交叉学科融合
光电导探测器的发展需要与物理、化学、生物等 多学科交叉融合，开拓新的应用领域。
环境适应性
提高光电导探测器的环境适应性，使其能够在恶 劣环境下稳定工作。
降低成本
通过优化工艺和材料，降低光电导探测器的制造 成本，促进其在民用领域的应用。
THANKS
谢谢
光谱响应
描述光电导探测器在不同波长光下的 响应特性，是决定探测器应用范围的 重要参数。
响应时间与恢复时间
响应时间
光电导探测器从接收到光信号到产生可观测电信号的时间间隔，反映了探测器的反应速 度。
恢复时间
探测器在持续光照下，从最大响应状态回到初始状态所需的时间，影响连续测量时的性 能。
温度稳定性与可靠性
03
CHAPTER
光电导探测器的性能参数
响应度与探测率
光电信号检测光电探测器概述概要课件
光电探测器广泛应用于光通信、光谱分析、环境监测、生物医学 等领域，是光电信号检测中的关键器件。
光电探测器的工作原理
光电探测器的工作原理基于光子与物质相互作用产生电子-空穴对或光生电场效 应，从而将光信号转换为电信号。
具体来说，当光子照射到光电探测器的敏感区域时，光子能量被吸收并产生电子 -空穴对，这些电子-空穴对在电场的作用下分离并形成光电流，从而完成光信号 到电信号的转换。
光电探测器的应用领域不断拓 展，如物联网、智能制造、无 人驾驶等新兴领域，为市场发 展带来更多机遇。
05
光电探测器的挑战与展望
光电探测器的挑战与展望
• 光电探测器是用于检测光信号并将其转换为电信号的器件，广泛应用于光通信、环境监测、安全监控等领域。随着光电子技术的发展，光电 探测器的性能不断提高，应用范围不断扩大。
THANK YOU
感谢聆听
04
光电探测器的市场前景
全球市场情况
光电探测器在全球范围内应用广泛，包括通信、工 业、医疗、安全等领域。
随着技术的不断进步和应用需求的增加，全球光电 探测器市场规模持续增长。
市场竞争激烈，各大厂商在技术研发、产品创新等 方面不断投入，以提高市场份额。
中国市场情况
02
01
03
中国光电探测器市场发展迅速，成为全球最大的光电 探测器市场之一。
光电探测器的分类
01
光电探测器可以根据工作原理、材料、波长响应范围、光谱响应特、光电发射型等；按材料可分为硅基、锗 基、硫化铅等；按波长响应范围可分为可见光、红外、紫外等；按光谱响应特 性可分为窄带、宽带等。
03
•·
02
光电探测器的应用
通信领域的应用
光纤通信
光电探测器在光纤通信中起到至关重要的作用。它们能够将光信 号转换为电信号，使得信息的传输和处理成为可能。
光电探测器的工作原理
光电探测器的工作原理基于光子与物质相互作用产生电子-空穴对或光生电场效 应，从而将光信号转换为电信号。
具体来说，当光子照射到光电探测器的敏感区域时，光子能量被吸收并产生电子 -空穴对，这些电子-空穴对在电场的作用下分离并形成光电流，从而完成光信号 到电信号的转换。
光电探测器的应用领域不断拓 展，如物联网、智能制造、无 人驾驶等新兴领域，为市场发 展带来更多机遇。
05
光电探测器的挑战与展望
光电探测器的挑战与展望
• 光电探测器是用于检测光信号并将其转换为电信号的器件，广泛应用于光通信、环境监测、安全监控等领域。随着光电子技术的发展，光电 探测器的性能不断提高，应用范围不断扩大。
THANK YOU
感谢聆听
04
光电探测器的市场前景
全球市场情况
光电探测器在全球范围内应用广泛，包括通信、工 业、医疗、安全等领域。
随着技术的不断进步和应用需求的增加，全球光电 探测器市场规模持续增长。
市场竞争激烈，各大厂商在技术研发、产品创新等 方面不断投入，以提高市场份额。
中国市场情况
02
01
03
中国光电探测器市场发展迅速，成为全球最大的光电 探测器市场之一。
光电探测器的分类
01
光电探测器可以根据工作原理、材料、波长响应范围、光谱响应特、光电发射型等；按材料可分为硅基、锗 基、硫化铅等；按波长响应范围可分为可见光、红外、紫外等；按光谱响应特 性可分为窄带、宽带等。
03
•·
02
光电探测器的应用
通信领域的应用
光纤通信
光电探测器在光纤通信中起到至关重要的作用。它们能够将光信 号转换为电信号，使得信息的传输和处理成为可能。
第十二章光电探测器 PPT
计量起伏噪声(以起伏噪声电压 n为(t)例,噪声电流 i类n (似t) )
n (t) 0噪声电压平均值得瞬间振幅与相位随时间呈无规则变化
___
n2 均方值完全确定,表示单位电阻上所消耗得噪声平均功率
___
n2 —计量噪声电压大小
___
n2 —起伏噪声电压有效值
____记__为_____V_ n2
光电导探测器
利用光电导效应可以制成各种用途得光电元件,如光敏电阻(光 电导探测器)、光电管等。其中光敏电阻具有体积小、坚固耐用、 价格低廉、光谱响应范围宽等优点,广泛用于微弱辐射信号得探 测领域。
#
光电导探测器
光电导效应
本征半导体:
光电导增量
e(nn pp )
n和p
分别就是电子与空穴得迁移率
i
生得具有电量为e得光电子数量
量子效率
Ip / e
单位时间内光子所激励得光电子数
Pi /h
单位时间内入射到探测器表面得光子数
代表入射到探测器得单个光子所能产生得光电子数目
#
光电探测器得性能参数
时间常数
探测器得惰性:
当入射光功率发生突然变化时(如开始或停止照射),光电探测器
得输出总不能完全跟随输入而变化。通常用时间常数 来衡 量
在阶跃输入光功率条件下,光电探测器输出电流 为
is
当is
(t
)
i
[1
exp(t 时,(稳态值
/
)]
)
称is (为t)参数
频率响应
——探测器得响应度随入射光调制频率得变化特征 多数探测器得响应度与调制频率得关系为
(f )
0
1
(1+4 2f 2 2 ) 2
光电探测器分解课件
光电探测器的应用领域
总结词
光电探测器广泛应用于各种领域，如科学研究、工业 生产、安全监控等。其应用范围涵盖了光谱分析、辐 射监测、激光雷达、光纤通信等众多领域。
详细描述
光电探测器作为一种重要的光电器件，具有广泛的应用 领域。在科学研究领域，光电探测器可用于光谱分析、 辐射监测等实验中，帮助科学家深入了解物质的性质和 行为。在工业生产领域，光电探测器可用于各种自动化 生产线和设备的控制与监测，提高生产效率和产品质量 。此外，在安全监控、激光雷达、光纤通信等领域，光 电探测器也发挥着重要的作用。通过不断的技术创新和 应用拓展，光电探测器的应用前景将更加广阔。
02
薄膜沉积
在衬底上沉积光电探测器的关键薄膜 材料，如半导体材料、金属材料等。
01
封装与测试
将制造完成的光电探测器进行封装和 性能测试，确保其正常工作。
05
03
光刻与刻蚀
通过光刻技术将薄膜材料加工成所需 的结构和图形，然后进行刻蚀以形成 光电探测器的各个部分。
04
掺杂与欧姆接触
对光电探测器的半导体材料进行掺杂 ，并形成欧姆接触，以实现电流的收 集和传输。
光电探测器输出电压与输入光 功率之比，用于衡量光电探测
器的光转换效率。
带宽
光电探测器的响应速度的量度 ，通常以Hz或MHz为单位。
噪声等效功率
在一定的信噪比下，探测器可 检测到的最小光功率。
线性范围
光电探测器输入光功率与输出 电压呈线性关系的范围。
03
光电探测器的制造工艺
制造工艺流程
衬底准备
选择合适的衬底材料，并进行清洗和 加工，为后续制造过程做准备。
光电探测器的发展趋势
高响应速度
光电探测器概况课件
噪声干扰
灵敏度
光电探测器在工作中容易受到环境噪 声的干扰，如热噪声、散粒噪声等， 这些噪声会影响探测器的性能和精度 。
光电探测器的灵敏度也是一大挑战， 尤其是在低光强度或弱光信号的探测 中，需要提高探测器的灵敏度和信噪 比。
响应速度
光电探测器的响应速度是另一个挑战 ，尤其在高速或瞬态光信号的探测中 ，需要提高探测器的响应速度和带宽 。
光电探测器技术的起源
19世纪末
物理学家发现光电效应，为光电 探测器技术奠定理论基础。
20世纪初
科学家开始研究光电材料，探索 光电转换原理。
光电探测器技术的发展阶段
20世纪中叶
半导体材料的发展推动了光电探测器 技术的进步，硅基光电探测器逐渐成 为主流。
20世纪末至今
新型光电材料和器件不断涌现，光电 探测器技术应用领域不断拓展。
光电探测器可以检测空气中的污染物，如烟雾、灰尘等。
光电探测器在医疗领域的应用
医学影像
光电探测器用于医学影像设备，如CT、 MRI等，将X射线或磁共振信号转换为图像 。
激光治疗
在激光治疗中，光电探测器用于检测激光光 束的强度和位置，确保治疗的准确性和安全
性。
06
光电探测器的挑战与 展望
光电探测器面临的主要挑战
• 噪声等效功率：描述光电探测器在特定信噪比下所能探测到的 最小光功率。它反映了探测器在低光功率条件下的探测能力， 是衡量光电探测器性能的重要指标。
探测率与探测极限
探测率
描述光电探测器在单位时间、单位面积内探测到的光子数。它是衡量光电探测器探测能力的关键参数 。
探测极限
指光电探测器在特定噪声等效功率下的最小可探测光功率。它反映了探测器在高信噪比下的探测能力 。
光 电 探 测 器ppt课件
*
PIN 光电二极管
(1)结构与工作原理： 为改善PN结耗尽层只有几 微米，长波长的穿透深度 比耗尽层宽度还大，大部 分入射光被中性区吸收， 使光电转换效率低，响应 时间长，响应速度慢的特 性，在PN结中设置一层掺 杂浓度很低的本征半导体 （称为I），这种结构便是 PIN光电二极管。
P+
I
N+
耗尽层
c
hc Eg
• 量子效率的光谱特 性取决于半导体材 料的吸收系数 α (λ)
0.2 0 0.7 0.9 1.1
10%
1.3
1.5
1.7
PIN响应度、量子效率 与波长的关系
3. 响应时间及频率特性
当光电二极管具有单一的时间常数 前沿和脉冲后沿相同，且接近函数 exp(t / 0 ) 和 exp(t /0 ) ， 由此得到脉冲响应时间为 2 . 2 r f 0
R
P+
N+
PIN光电二极管原理图
抗反射膜
电极
Ⅱ(N) 掺杂浓度很低； P P+和N+掺杂浓度很高 Ⅱ(N) 。 且I层很厚，约有 N 5~5 0μm，吸收系数 电极 很小，入射光很容易进 PIN光电二极管结构 入材料内部被充分吸收 而产生大量的电子-空 穴对 ,因而大幅度提高 P+层和N+层很薄，吸 了光电转换效率，两侧
0
时，其脉冲
具有一定时间常数的光电二极管，对于幅度一定 ，频率为 f c 的正弦调制信号，截止频率 2 f 1 0.35
fc
20
r
谢谢！
响应度分为电压响应度和电流响应度
• 电压响应度Rv
光电探测器件输出电压与入射光功率之比 • 电流响应度RI
PIN 光电二极管
(1)结构与工作原理： 为改善PN结耗尽层只有几 微米，长波长的穿透深度 比耗尽层宽度还大，大部 分入射光被中性区吸收， 使光电转换效率低，响应 时间长，响应速度慢的特 性，在PN结中设置一层掺 杂浓度很低的本征半导体 （称为I），这种结构便是 PIN光电二极管。
P+
I
N+
耗尽层
c
hc Eg
• 量子效率的光谱特 性取决于半导体材 料的吸收系数 α (λ)
0.2 0 0.7 0.9 1.1
10%
1.3
1.5
1.7
PIN响应度、量子效率 与波长的关系
3. 响应时间及频率特性
当光电二极管具有单一的时间常数 前沿和脉冲后沿相同，且接近函数 exp(t / 0 ) 和 exp(t /0 ) ， 由此得到脉冲响应时间为 2 . 2 r f 0
R
P+
N+
PIN光电二极管原理图
抗反射膜
电极
Ⅱ(N) 掺杂浓度很低； P P+和N+掺杂浓度很高 Ⅱ(N) 。 且I层很厚，约有 N 5~5 0μm，吸收系数 电极 很小，入射光很容易进 PIN光电二极管结构 入材料内部被充分吸收 而产生大量的电子-空 穴对 ,因而大幅度提高 P+层和N+层很薄，吸 了光电转换效率，两侧
0
时，其脉冲
具有一定时间常数的光电二极管，对于幅度一定 ，频率为 f c 的正弦调制信号，截止频率 2 f 1 0.35
fc
20
r
谢谢！
响应度分为电压响应度和电流响应度
• 电压响应度Rv
光电探测器件输出电压与入射光功率之比 • 电流响应度RI
光 电 探 测 器ppt课件
2
(W )
4.探测度D与归一化探测度D*
• 探测度D 为噪声等效功率的倒数，即
• 归一化探测度D*
1 D NEP
由于D与探测器的面积Ad 和放大器带宽 Δ f乘积的平方根成正比，为消除这一影 响，定义： D*越大的探测器其探测能力越强。
1 1 / 2 D DAf ( ) d * N E P
出下降到稳定值所需要的时间。
2.量子效率
量子效率：是指每入射一个光子光电探测器所释放 的平均电子数。它与入射光能量有关。其表达式
为:
I /e P / h
式中，I是入射光产生的平均光电流大小，e是电子 电荷，P是入射到探测器上的光功率。I/e为单位时 间产生的电子数,P/hυ 为单位时间入射的光子数。
光电探测器
光电检测器件
光子器件
真空器件
光电管 光电倍增管 真空摄像管 变像管 像增强管
热电器件
固体器件
光敏电阻 热电偶/热电堆 热辐射计/热敏电 阻 热释电探测器
光电池
光电二极管 光电三极管
光纤传感器
电荷耦合器件 CCD
光电探测器的种类
光电探测器能检测出入射在其上面的光功率，并完成光/电信 号的转换。对光检测器的基本要求是：
+ +
E
收入射光的比例很小，I层几乎占据整个耗尽 层，因而光生电流中漂移分量占支配地位， 从而大大提高了响应速度。还可以通过控制 耗尽层的厚度，来改变器件的响应速度。
为使入射光功率有效转换成光电流，它须在耗尽区内被半 导体材料有效吸收，故要求耗尽区足够厚、材料对入射光 的吸收系数足够大。在厚度W内被材料吸收的光功率可表 W 示为 ： P W P 1 e
(W )
4.探测度D与归一化探测度D*
• 探测度D 为噪声等效功率的倒数，即
• 归一化探测度D*
1 D NEP
由于D与探测器的面积Ad 和放大器带宽 Δ f乘积的平方根成正比，为消除这一影 响，定义： D*越大的探测器其探测能力越强。
1 1 / 2 D DAf ( ) d * N E P
出下降到稳定值所需要的时间。
2.量子效率
量子效率：是指每入射一个光子光电探测器所释放 的平均电子数。它与入射光能量有关。其表达式
为:
I /e P / h
式中，I是入射光产生的平均光电流大小，e是电子 电荷，P是入射到探测器上的光功率。I/e为单位时 间产生的电子数,P/hυ 为单位时间入射的光子数。
光电探测器
光电检测器件
光子器件
真空器件
光电管 光电倍增管 真空摄像管 变像管 像增强管
热电器件
固体器件
光敏电阻 热电偶/热电堆 热辐射计/热敏电 阻 热释电探测器
光电池
光电二极管 光电三极管
光纤传感器
电荷耦合器件 CCD
光电探测器的种类
光电探测器能检测出入射在其上面的光功率，并完成光/电信 号的转换。对光检测器的基本要求是：
+ +
E
收入射光的比例很小，I层几乎占据整个耗尽 层，因而光生电流中漂移分量占支配地位， 从而大大提高了响应速度。还可以通过控制 耗尽层的厚度，来改变器件的响应速度。
为使入射光功率有效转换成光电流，它须在耗尽区内被半 导体材料有效吸收，故要求耗尽区足够厚、材料对入射光 的吸收系数足够大。在厚度W内被材料吸收的光功率可表 W 示为 ： P W P 1 e
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
♣ 因此，光探测器是实现光电转换的关键部件，它
的性能好坏对整个光辐射探测的质量起着至关重要 的作用。
§2-1 发展简况与分类
2.1.1 发展简况
➢ 1826----热电偶探测器 1880----金属薄膜测辐射计 1946----热敏电阻
➢ 五十年代----热释电探测器 六十年代----三元合金光探测器（HgCdTe） 七十年代----光子牵引探测器 八十年代----量子阱探测器
♣ 按工作转换机理分：光子（光电）、热探测器
➢光电转换器件主要是利用物质的光电效应，即当物
质在一定频率的光的照射下，释放出光电子的现象。 当光照射金属、金属氧化物或半导体材料的表面时， 会被这些材料内的电子所吸收，如果光子的能量足够 大，吸收光子后的电子可挣脱原子的束缚而逸出材料 表面，这种电子称为光电子，这种现象称为光电子发 射，又称为外光电效应。
PN结的能带结构
♠ P型半导体杂质浓度越高，费米能级越低，N型半导
体杂质浓度越高，费米能级越高。
能隙
N区 结区 P区
导带
EF 价带
PN结的形成
当Ｐ型半导体和Ｎ型半导体结合在一起时，由于交界 面处存在载流子浓度的差异，电子和空穴都要从浓度高的 地方向浓度低的地方扩散。
电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使Ｐ区和 Ｎ区中原来的电中性条件破坏了。Ｐ区一侧因失去空穴而 留下不能移动的负离子，Ｎ区一侧因失去电子而留下不能 移动的正离子。这些不能移动的带电粒子通常称为空间电 荷，它们集中在Ｐ区和Ｎ区交界面附近形成了一个很薄的 空间电荷区，即PN的结。 这个区域内多数载流子已扩散到对方并复合掉了， 或者说消耗殆尽了，因此，空间电荷区又称为耗尽层。
多子：N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓 度，称为多数载流子，简称多子。
少子：空穴为少数载流子，简称少子。 施主原子：杂质原子可以提供电子，称施子原子。
结论：
N型半导体的导电特性：是靠自由电子导电，掺入
的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电 性能也就越强。
P型半导体
概述
♣ 光辐射探测系统由信息源、传输介质和接收
系统组成。接收光学系统把信息源光辐射和背景 及其它杂散光经传输介质一起会聚在光探测器上。
♣ 光辐射所携带的信息，如：光谱能量分布、辐
射通量、光强分布、温度分布等由光探测器转变成 电信号测量出来，经电子线路处理后，可供分析、 记录、存储或直接显示，从而识别被测目标。
♠ P型半导体：在纯净的4价本征半导体（如硅晶体）中混
入了3价原子，譬如极小量（一千万之一）的硼合成晶体， 使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体。
空穴的产生：由于杂质原子的
最外层有3个价电子，当它们与周 围的硅原子形成共价键时，就产生 了一个“空位”（空位电中性）， 当硅原子外层电子由于热运动填补 此空位时，杂质原子成为不可移动 的负离子，同时，在硅原子的共价 键中产生一个空穴 ，由于少一电 子，所以带正电。P型取“Positve （正）”一词的第一个字母。
➢ 近年来的发展方向：
阵列光电探测器、
光电探测器集成化 电荷耦合器件（CCD, charged coupled device）
热电偶温度计
热释电探测器
光电二极管、三极管
光电池
光电二极管阵列 Si /PIN光电二极管
热电阻、热电偶
热敏电阻
热释电探测器
耦合式GaAs/AlGaAs 多量子阱红外探测器结构
➢ 多子：P型半导体中，多子为空穴。 ➢ 少子：为电子。 ➢ 受主原子：杂质原子中的空位吸收电子，称受主原子。
结论：
1、多子的浓度决定于杂质浓度。原因：掺入的杂质 使多子的数目大大增加，使多子与少子复合的机会大 大增多。因此，对于杂质半导体，多子的浓度愈高， 少子的浓度就愈低。
2、少子的浓度决定于温度。原因：少子是本征激发 形成的，与温度有关。
禁导带体：形导成带导和电价特带性之。间 电子和空穴都是电流的载流者
的能，隙统称称为为禁带“。载导流带子底”和
价带
价带顶的能级间隙就是禁带
宽度Eg 。
半导体类型 ♠ 半导体可分为本征半导体.P型半导体.N型半导体。 ♠ 本征半导体：硅和锗都是半导体，而纯硅和锗晶体
称本征半导体。ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ和锗为4价元素，其晶体结构稳定。
Ｐ区一侧呈现负电荷，Ｎ区一侧呈现正电荷，因此空间电荷 区出现了方向由Ｎ区指向Ｐ区的电场，由于这个电场是载流子扩 散运动形成的，而不是外加电压形成的，故称为内电场。它对多 数载流子的扩散运动起阻挡作用，所以空间电荷区又称为阻挡层。
杂质半导体的形成：通过扩散工艺，在本征半导体 中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。
N型半导体
♠ N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），
使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。
♠ N型半导体：由于杂质原子的最
外层有5个价电子，所以除了与周 围硅原子形成共价键外，还多出一 个电子。在常温下，由于热激发， 就可使它们成为自由电子，显负电 性。这N是从“Negative（负）” 中取的第一个字母。
(CCD) Charged coupled device
2.1.2 光辐射探测器分类
光辐射探测器件是利用各种光电效应，或光热效应使
入射光辐射强度转换成电学信息或电能的仪器。
♣ 按用途分：成像、非成像探测器； ♣ 按光谱响应分：紫外光、可见光、近红外、
中红外、远红外探测器；
♣ 按结构分：单元、多元、阵列光探测器；
➢有些物质受到光照射时，其内部原子释放电子，但
电子光仍留电在探物测体器内件部的，工使物作体原的理导是电基性于增光加，电这效种应现，
象称而为热内探光测电效器应需。要经过加热物体的中间过程， 因此，前者反应速度快。
半导体的能带结构
♠ 半导体的特点：由于原子间的相互作用而使能级分
裂♣，离纯散净的（能本级征形）成半能导带体。在分绝为对零价带度、的理导想带状和态禁下带有。
一个被电子完全充满的价带和一个完全没有电子的
价导带带：，晶二体者中之原间子是的禁内 带。这是半导体是一个不导电
层 电电子的子所绝能填缘级满体相，对这。应种的能能 带带称被为
导带
价带♣；但是本征半导体的禁带宽度Eg较小，在热运动活
子 导填带导其带满；带它，或：外这者价界时是带空激导以的发带上能的有未带作了被称用电电为下子，，价价E带带g 的有电了子空激穴发，费跃使米迁本能级至征E禁导半F带
的性能好坏对整个光辐射探测的质量起着至关重要 的作用。
§2-1 发展简况与分类
2.1.1 发展简况
➢ 1826----热电偶探测器 1880----金属薄膜测辐射计 1946----热敏电阻
➢ 五十年代----热释电探测器 六十年代----三元合金光探测器（HgCdTe） 七十年代----光子牵引探测器 八十年代----量子阱探测器
♣ 按工作转换机理分：光子（光电）、热探测器
➢光电转换器件主要是利用物质的光电效应，即当物
质在一定频率的光的照射下，释放出光电子的现象。 当光照射金属、金属氧化物或半导体材料的表面时， 会被这些材料内的电子所吸收，如果光子的能量足够 大，吸收光子后的电子可挣脱原子的束缚而逸出材料 表面，这种电子称为光电子，这种现象称为光电子发 射，又称为外光电效应。
PN结的能带结构
♠ P型半导体杂质浓度越高，费米能级越低，N型半导
体杂质浓度越高，费米能级越高。
能隙
N区 结区 P区
导带
EF 价带
PN结的形成
当Ｐ型半导体和Ｎ型半导体结合在一起时，由于交界 面处存在载流子浓度的差异，电子和空穴都要从浓度高的 地方向浓度低的地方扩散。
电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使Ｐ区和 Ｎ区中原来的电中性条件破坏了。Ｐ区一侧因失去空穴而 留下不能移动的负离子，Ｎ区一侧因失去电子而留下不能 移动的正离子。这些不能移动的带电粒子通常称为空间电 荷，它们集中在Ｐ区和Ｎ区交界面附近形成了一个很薄的 空间电荷区，即PN的结。 这个区域内多数载流子已扩散到对方并复合掉了， 或者说消耗殆尽了，因此，空间电荷区又称为耗尽层。
多子：N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓 度，称为多数载流子，简称多子。
少子：空穴为少数载流子，简称少子。 施主原子：杂质原子可以提供电子，称施子原子。
结论：
N型半导体的导电特性：是靠自由电子导电，掺入
的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电 性能也就越强。
P型半导体
概述
♣ 光辐射探测系统由信息源、传输介质和接收
系统组成。接收光学系统把信息源光辐射和背景 及其它杂散光经传输介质一起会聚在光探测器上。
♣ 光辐射所携带的信息，如：光谱能量分布、辐
射通量、光强分布、温度分布等由光探测器转变成 电信号测量出来，经电子线路处理后，可供分析、 记录、存储或直接显示，从而识别被测目标。
♠ P型半导体：在纯净的4价本征半导体（如硅晶体）中混
入了3价原子，譬如极小量（一千万之一）的硼合成晶体， 使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体。
空穴的产生：由于杂质原子的
最外层有3个价电子，当它们与周 围的硅原子形成共价键时，就产生 了一个“空位”（空位电中性）， 当硅原子外层电子由于热运动填补 此空位时，杂质原子成为不可移动 的负离子，同时，在硅原子的共价 键中产生一个空穴 ，由于少一电 子，所以带正电。P型取“Positve （正）”一词的第一个字母。
➢ 近年来的发展方向：
阵列光电探测器、
光电探测器集成化 电荷耦合器件（CCD, charged coupled device）
热电偶温度计
热释电探测器
光电二极管、三极管
光电池
光电二极管阵列 Si /PIN光电二极管
热电阻、热电偶
热敏电阻
热释电探测器
耦合式GaAs/AlGaAs 多量子阱红外探测器结构
➢ 多子：P型半导体中，多子为空穴。 ➢ 少子：为电子。 ➢ 受主原子：杂质原子中的空位吸收电子，称受主原子。
结论：
1、多子的浓度决定于杂质浓度。原因：掺入的杂质 使多子的数目大大增加，使多子与少子复合的机会大 大增多。因此，对于杂质半导体，多子的浓度愈高， 少子的浓度就愈低。
2、少子的浓度决定于温度。原因：少子是本征激发 形成的，与温度有关。
禁导带体：形导成带导和电价特带性之。间 电子和空穴都是电流的载流者
的能，隙统称称为为禁带“。载导流带子底”和
价带
价带顶的能级间隙就是禁带
宽度Eg 。
半导体类型 ♠ 半导体可分为本征半导体.P型半导体.N型半导体。 ♠ 本征半导体：硅和锗都是半导体，而纯硅和锗晶体
称本征半导体。ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ和锗为4价元素，其晶体结构稳定。
Ｐ区一侧呈现负电荷，Ｎ区一侧呈现正电荷，因此空间电荷 区出现了方向由Ｎ区指向Ｐ区的电场，由于这个电场是载流子扩 散运动形成的，而不是外加电压形成的，故称为内电场。它对多 数载流子的扩散运动起阻挡作用，所以空间电荷区又称为阻挡层。
杂质半导体的形成：通过扩散工艺，在本征半导体 中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。
N型半导体
♠ N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），
使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。
♠ N型半导体：由于杂质原子的最
外层有5个价电子，所以除了与周 围硅原子形成共价键外，还多出一 个电子。在常温下，由于热激发， 就可使它们成为自由电子，显负电 性。这N是从“Negative（负）” 中取的第一个字母。
(CCD) Charged coupled device
2.1.2 光辐射探测器分类
光辐射探测器件是利用各种光电效应，或光热效应使
入射光辐射强度转换成电学信息或电能的仪器。
♣ 按用途分：成像、非成像探测器； ♣ 按光谱响应分：紫外光、可见光、近红外、
中红外、远红外探测器；
♣ 按结构分：单元、多元、阵列光探测器；
➢有些物质受到光照射时，其内部原子释放电子，但
电子光仍留电在探物测体器内件部的，工使物作体原的理导是电基性于增光加，电这效种应现，
象称而为热内探光测电效器应需。要经过加热物体的中间过程， 因此，前者反应速度快。
半导体的能带结构
♠ 半导体的特点：由于原子间的相互作用而使能级分
裂♣，离纯散净的（能本级征形）成半能导带体。在分绝为对零价带度、的理导想带状和态禁下带有。
一个被电子完全充满的价带和一个完全没有电子的
价导带带：，晶二体者中之原间子是的禁内 带。这是半导体是一个不导电
层 电电子的子所绝能填缘级满体相，对这。应种的能能 带带称被为
导带
价带♣；但是本征半导体的禁带宽度Eg较小，在热运动活
子 导填带导其带满；带它，或：外这者价界时是带空激导以的发带上能的有未带作了被称用电电为下子，，价价E带带g 的有电了子空激穴发，费跃使米迁本能级至征E禁导半F带