Stc单片机eeprom使用心得

Stc单片机eeprom使用心得
STC单片机利用IAP技术实现了EEPROM功能，相比外置存储芯片而言，在操作上比较方便。

涉及STC单片机EEPROM操作的特殊功能寄存器有6个，地址分别是E2H、E3H、E4H、E5H、E6H和E7H。

在STC单片机使用手册中，作者分别将它们定义为：
一、IAP＿DATA（E2H）
二、IAP＿ADDRH（E3H）
三、IAP＿ADDRL（E4H）
四、IAP＿CMD（E5H）
五、IAP＿TRIG（E6H）
六、IAP＿CONTR（E7H）
本人认为，手册中给每个地址单元定义的英文词组太长，而且有点哆嗦，占的篇幅又大，感觉对正常阅读和理解产生了一定的干扰，反倒不好了解作者的意图了，还不如让使用者自己定义为好。

我自己对这些单元分别定义为DA T ADDRH ADDRL CMD TRIG CONTR。

一、DAT（E2H）从EEPROM中读取到的数据首先进入这里。

要把数据写入EEPROM中，也要把数据放到这个单元中。

也就是说，这个单元起到了中转站的作用，写入和读出都要通过这个单元。

二、ADDRH、ADDRL分别是EEPROM地址单元高8位和低8位。

如要把数据存储到1000H 单元中，那么在程序中，ADDRH的数值为10H，ADDRL的数值为00H。

三、CMD表示操作类型。

数值为1是读，数值为2是写，数值为3是擦除。

简单点说，就是“1读2写3擦除”。

四、CONTR寄存器，说明书上作了好多功能表述，但对于一般使用者来说，寄存器的前5位可以不作过多了解，只要掌握后3位意义就可以了。

一般理解为，选择好后3位的数值，为的是确保在不同数值晶振下正确读写擦除EEPROM。

考虑到TRIG这个寄存器的要求，一般使用时，可将前5位设置为10000，后3位根据不同晶振频率来确定（这个见使用手册）。

五、TRIG这个寄存器，看了好长时间手册才了解它的一般使用，对这个寄存器理解应当放到最后。

说明书是这样写的：为isp/iap操作时的命令模式寄存器。

在ispen（isp_contr.7）=1时，对isp_trig先写入46h，再写入b9h，isp/iap命令才会生效。

其实也可以这样理解，当选择好EEPROM地址单元，选择好操作类型，以及在写入状态时准备好写入数据后，先向该寄存器送入46H数据，之后再向该寄存器送入B9H数值。

EEPROM的读、写、擦除就完成了。

以上是本人对STC单片机的EEPROM使用的一些心得，若有不当或错误之处，请高手多多批评指正。

本人常用的STC_EEPROM基本操作程序
dat equ 0e2h
drh equ 0e3h
drl equ 0e4h
cmd equ 0e5h
trig equ 0e6h
contr equ 0e7h
;---------读取1个字节-------------------
read: mov drh,#10h ;设定存储单元地址高四位这里设1000h，也可选用其他单元
mov drl,#00h ;设定存储单元地址低四位
mov cmd,#01h ;设定读操作
mov contr,#84h ;设定操作时间
mov trig,#046h ;准备触发
mov trig,#0b9h ;触发
mov r0,dat ;读数据。

r0为读出的数据，也可以选用其他单元
nop
nop
ret
;---------写入1个字节-------------------
write: mov dat,r0 ;写数据。

r0中为准备写入的数据，也可以选用其他单元
mov drh,#10h ;设定存储单元地址高四位这里设1000h，也可选用其他单元
mov drl,#00h ;设定存储单元地址低四位
mov cmd,#02h ;设定写操作
mov contr,#84h ;设定操作时间
mov trig,#046h ;准备触发
mov trig,#0b9h ;触发
nop
nop
ret
;---------擦除1个字节-------------------
clear: mov drh,#10h ;设定存储单元地址高四位这里设1000h，也可选用其他单元可组成子程序，进行调用
mov drl,#00h ;设定存储单元地址低四位
mov cmd,#03h ;设定擦除操作
mov contr,#84h ;设定操作时间
mov trig,#046h ;准备触发
mov trig,#0b9h ;触发
nop
nop
ret
;=========关闭EEPROM====================
off: mov drh,#00h
mov drl,#00h
mov cmd,#00h
mov contr,#00h
mov trig,#00h
ret。