《集成电路芯片封装技术》考试题
2023下半年集成选择题
1. 集成电路的集成度是指： A. 集成电路中晶体管的数量 B. 集成电路中电阻的数量
C. 集成电路中电容的数量
D. 集成电路中二极管的数量
2. 集成电路的工艺水平是指： A. 集成电路的制造工艺 B. 集成电路的设计水平 C. 集成电路的封装水平 D. 集成电路的测试水平
3. 集成电路的性能是指： A. 集成电路的功耗 B. 集成电路的速度 C. 集成电路的可靠性 D. 集成电路的抗干扰性
4. 集成电路的应用范围包括： A. 计算机 B. 通信设备 C. 家用电器 D. 汽车电子
5. 集成电路的发展趋势是： A. 集成度越来越高 B. 工艺水平越来越先进 C. 性能越来越好 D. 应用范围越来越广
6. 集成电路的类型包括： A. 小规模集成电路 B. 中规模集成电路 C. 大规模集成电路
D. 超大规模集成电路
7. 集成电路的封装形式包括： A. DIP封装 B. SOP封装 C. QFP封装 D. BGA封装
8. 集成电路的测试方法包括： A. 功能测试 B. 参数测试 C. 可靠性测试 D. 环境测试
9. 集成电路的质量保证包括： A. 原材料质量控制 B. 工艺过程质量控制 C. 产品质量控制 D. 售后服务质量控制
10. 集成电路的市场前景是： A. 非常广阔 B. 比较广阔 C. 一般 D. 不太好。
集成电路封装测试技术考核试卷
19. ABC
20. ABCD
三、填空题
1.扁平式射频
2.球栅阵列封装
3.陶瓷塑料
4.逻辑功能电参数
5.热导率机械强度
6.引线键合
7.温度循环试验湿度试验
8. X射线检测
9.四边
10.晶圆级封装
四、判断题
1. √
2. ×
3. √
4. ×
5. ×
6. √
7. √
8. ×
9. ×
10. ×
五、主观题（参考）
1.封装主要保护芯片免受物理、化学和环境影响，确保其电性能稳定。封装还便于安装、焊接和散热，对集成电路的性能和可靠性至关重要。
2.评估封装可靠性通常通过环境试验、电测试和寿命试验等方法。常用测试包括高温试验、低温试验、温度循环试验、湿度试验和振动试验等。
3.表面贴装技术（SMT）适用于小型化、高密度封装，具有组装速度快、成本低、占用空间小、可靠性高等优点。
C.温度循环试验
D.霉菌试验
18.以下哪些封装工艺适用于芯片级封装（CSP）（）
A.倒装芯片封装
B.引线键合
C.球栅阵列封装
D.晶圆级封装
19.以下哪些因素会影响集成电路封装的信号完整性（）
A.封装形式
B.封装材料
C.引线长度
D.芯片设计
20.以下哪些技术可以用于提高集成电路封装的散热性能（）
A.散热片
2.所有集成电路封装形式都可以采用表面贴装技术。（）
3.焊线键合是封装工艺中用于连接芯片与引线框架的一种方法。（）
4.集成电路封装的电气性能测试只需要检测芯片的功能性。（）
5.塑料封装的成本通常高于陶瓷封装。（）
集成电路技术集成电路工艺原理试卷(练习题库)(2023版)
集成电路技术集成电路工艺原理试卷（练习题库）1、用来做芯片的高纯硅被称为（），英文简称（），有时也被称为（）。
2、单晶硅生长常用（）和（）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（）。
3、晶圆的英文是（），其常用的材料是（）和（）。
4、晶圆制备的九个工艺步骤分别是（）、整型、（）、磨片倒角、刻蚀、（）、清洗、检查和包装。
5、从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（）、O 和（）。
6、CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。
7、CZ直拉法的目的是（）。
8、影响CZ直拉法的两个主要参数是O和（）。
9、晶圆制备中的整型处理包括（）、（）和（）。
10、制备半导体级硅的过程：1、（）；2、（）；3、O011、热氧化工艺的基本传输到芯片的不同部分。
77、多层金属化指用来连接硅片上高密度堆积器件的那些金属层。
78、阻挡层金属是淀积金属或金属塞，其作用是增加上下层材料的附着。
79、关键层是指那些线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。
80、传统互连金属线的材料是铝，即将取代它的金属材料是铜。
81、溅射是个化学过程，而非物理过程。
82、表面起伏的硅片进行平坦化处理，主要采用将低处填平的方法。
83、化学机械平坦化，简称CMP,它是一种表面全局平坦化技术。
84、平滑是一种平坦化类型，它只能使台阶角度圆滑和侧壁倾斜，但高度没有显著变化。
85、反刻是一种传统的平坦化技术，它能够实现全局平坦化。
86、电机电流终点检测不适合用作层间介质的化学机械平坦化。
87、在CMP为零的转换器。
133、CD是指硅片上的最小特征尺寸。
134、集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。
简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜135、人员持续不断地进出净化间，是净化间沾污的最大来源。
136、硅片制造厂可分为六个的区域，各个区域的照明都采用同一种光源以达到标准化。
137、世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的。
集成电路封装考试答案
集成电路封装考试答案名词解释：1.集成电路芯片封装：利用膜技术及微细加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引用接线端子并通过可塑性绝缘介质灌装固定，构成整体立体结构的工艺。
2.芯片贴装：是将IC芯片固定于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。
3.芯片互联：将芯片与电子封装外壳的I/O引线或基板上的金属布线焊区相连接。
4.可焊接性:指动态加热过程中，在基体表面得到一个洁净金属表面，从而使熔融焊料在基体表面形成良好润湿能力。
5.可润湿性：指在焊盘的表面形成一个平坦、均匀和连续的焊料涂敷层。
6.印制电路板：为覆盖有单层或多层布线的高分子复合材料基板。
7.气密性封装：是指完全能够防止污染物（液体或固体）的侵入和腐蚀的封装。
8.可靠性封装：是对封装的可靠性相关参数的测试。
9.T/C测试：即温度循环测试。
10.T/S 测试：测试封装体抗热冲击的能力。
11.TH测试：是测试封装在高温潮湿环境下的耐久性的实验。
12.PC测试：是对封装体抵抗抗潮湿环境能力的测试。
13.HTS测试：是测试封装体长时间暴露在高温环境下的耐久性实验。
封装产品长时间放置在高温氮气炉中，然后测试它的电路通断情况。
14.Precon测试：模拟包装、运输等过程，测试产品的可靠性。
15.金线偏移：集成电路元器件常常因为金线偏移量过大造成相邻的金线相互接触从而产生短路，造成元器件的缺陷。
16.再流焊：先将微量的铅锡焊膏印刷或滴涂到印制板的焊盘上，再将片式元器件贴放在印制板表面规定的位置上，最后将贴装好元器件分印制板放在再流焊设备的传送带上。
简答：1.芯片封装实现了那些功能？传递电能、传递电路信号、提供散热途径、结构保护与支持2．芯片封装的层次五个层次：零级层次:在芯片上的集成电路元器件间的连线工艺第一层次：芯片层次的封装第二层次：将第一个层次完成的封装与其他电子元器件组成的一个电路卡的工艺第三层次：将第一个层次完成的封装组装成的电路卡组合成在一个主电路板上使之成为一个部件或子系统的工艺第四层次：将数个子系统组装成一个完整电子产品的工艺过程3.简述封装技术的工艺流程硅片减薄、硅片切割、芯片贴装、芯片互联、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码4.芯片互联技术有哪几种?分别解释说明打线健合技术（WB）：将细金属线或金属按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上形成电路互联。
集成电路先进封装技术考核试卷
6.系统级封装（SiP）的一个主要优点是__________，它可以提高电子产品的性能和功能。
（）
7.传统的__________封装技术因其较高的热阻和电感而逐渐被先进封装技术所取代。
（）
8.在倒装芯片封装（FC）中，芯片通常是__________朝下放置在基板上的。
（）
9.为了减小封装体积，提高集成度，__________封装技术被广泛应用于高性能电子产品中。
A.硅片级封装（SLP）
B.硅通孔技术（TSV）
C.系统级封装（SiP）
D.倒装芯片封装（FC）
14.关于球栅阵列封装（BGA），以下哪个描述是错误的？（）
A.提高了封装的电气性能
B.提高了封装的散热性能
C.适用于低频、低速电子产品
D.可以减小封装体积
15.下列哪种技术主要用于提高封装的集成度？（）
D.系统级封装（SiP）
20.以下哪些技术可用于集成电路封装中的互连？（）
A.金属线键合
B.硅通孔技术（TSV）
C.非导电胶粘接
D.引线键合
注意：请将答案填写在括号内，每题1.5分，共30分。
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.在集成电路封装技术中，__________是指将芯片直接连接到封装基板或互连结构的技术。
A.通常采用引线键合技术
B.适用于低频、低速电子产品
C.不能提高封装的集成度
D.可以有效降低封装成本
11.下列哪种材料主要用于制造TSV工艺中的通孔？（）
A.铜
B.铝
C.硅
D.硅氧化物
12.以下哪个因素不是影响集成电路可靠性的主要因素？（）
A.封装材料
半导体集成电路封装技术试题汇总(李可为版)
半导体集成电路封装技术试题汇总第一章集成电路芯片封装技术1.(P1)封装概念：狭义：集成电路芯片封装是利用（膜技术）及（微细加工技术），将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体结构的工艺。
广义：将封装体与基板连接固定，装配成完整的系统或电子设备，并确保整个系统综合性能的工程。
2.集成电路封装的目的：在于保护芯片不受或者少受外界环境的影响，并为之提供一个良好的工作条件，以使集成电路具有稳定、正常的功能。
3.芯片封装所实现的功能：①传递电能，②传递电路信号，③提供散热途径，④结构保护与支持。
4．在选择具体的封装形式时主要考虑四种主要设计参数：性能，尺寸，重量，可靠性和成本目标。
5.封装工程的技术的技术层次？第一层次，又称为芯片层次的封装，是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定电路连线与封装保护的工艺，使之成为易于取放输送，并可与下一层次的组装进行连接的模块元件。
第二层次，将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成一个电子卡的工艺。
第三层次，将数个第二层次完成的封装组成的电路卡组合成在一个主电路版上使之成为一个部件或子系统的工艺。
第四层次，将数个子系统组装成为一个完整电子厂品的工艺过程。
6.封装的分类？按照封装中组合集成电路芯片的数目，芯片封装可分为：单芯片封装与多芯片封装两大类，按照密封的材料区分，可分为高分子材料和陶瓷为主的种类，按照器件与电路板互连方式，封装可区分为引脚插入型和表面贴装型两大类。
依据引脚分布形态区分，封装元器件有单边引脚，双边引脚，四边引脚，底部引脚四种。
常见的单边引脚有单列式封装与交叉引脚式封装，双边引脚元器件有双列式封装小型化封装，四边引脚有四边扁平封装，底部引脚有金属罐式与点阵列式封装。
7.芯片封装所使用的材料有金属陶瓷玻璃高分子8.集成电路的发展主要表现在以下几个方面？1芯片尺寸变得越来越大2工作频率越来越高3发热量日趋增大4引脚越来越多对封装的要求：1小型化2适应高发热3集成度提高，同时适应大芯片要求4高密度化5适应多引脚6适应高温环境7适应高可靠性9.有关名词：SIP：单列式封装SQP：小型化封装MCP：金属鑵式封装DIP：双列式封装CSP：芯片尺寸封装QFP：四边扁平封装PGA：点阵式封装BGA：球栅阵列式封装LCCC：无引线陶瓷芯片载体第二章封装工艺流程1.封装工艺流程一般可以分为两个部分，用塑料封装之前的工艺步骤成为前段操作，在成型之后的工艺步骤成为后段操作2.芯片封装技术的基本工艺流程硅片减薄硅片切割芯片贴装，芯片互联成型技术去飞边毛刺切筋成型上焊锡打码等工序3.硅片的背面减薄技术主要有磨削，研磨，化学机械抛光，干式抛光，电化学腐蚀，湿法腐蚀，等离子增强化学腐蚀，常压等离子腐蚀等4.先划片后减薄：在背面磨削之前将硅片正面切割出一定深度的切口，然后再进行背面磨削。
集成电路的封装热管理考核试卷
12. A
13. D
14. D
15. A
16. C
17. A
18. B
19. D
20. A
二、多选题
1. ABCD
2. AB
3. ABC
4. BD
5. ABCD
6. ABC
7. AB
8. ABC
9. ABCD
10. ABC
11. AB
12. ABCD
13. ABC
14. ABC
15. AB
1.集成电路封装的主要目的是保护芯片，提高电路的______和可靠性。
2.热阻（Rth）的单位是______，它表示单位时间内通过单位面积的热量与温差之比。
3.在集成电路封装中，BGA（Ball Grid Array）封装类型具有较好的______性能。
4.主动散热方式包括风冷、液冷和______等。
5.热导率（k）是衡量材料导热能力的物理量，单位是______。
6.为了提高集成电路封装的热管理效果，可以采用______材料来降低热阻。
7.封装过程中，若芯片与封装材料之间的热膨胀系数不匹配，可能会导致______问题。
8.在自然散热条件下，集成电路的散热主要依赖于______和封装表面积。
9.热设计的一个重要原则是保持芯片的工作温度在______以下，以确保电路的正常运行。
16. ABC
17. AD
18. ABC
19. ABC
20. BD
三、填空题
1.可靠性
2. K/W
3.热性能
4.热管
5. W/(m·K)
6.高热导率
7.热应力
8.对流
9.最高允许温度
10.硅脂
集成电路封装与测试
集成电路封装与测试一：封装1．集成电路封装的作用大体来说，集成电路封装有如下四个作用：（l）对集成电路起机械支撑和机械保护作用。
集成电路芯片只有依托不同类型的封装才能应用到各个领域的不同场所，以满足整机装配的需要（2）对集成电路起着传输信号和分配电源的作用。
各种输人输出信号和电源地只有通过封装上的引线才能将芯片和外部电子系统相沟通，集成电路的功能才能得到实现和发挥(3）对集成电路起着热耗散的作用。
集成电路加电工作时，会因功耗而发热，特别是功率集成电路，工作时芯片耗散热量大。
这些热量若不散发掉，就会使芯片温升过高，从而影响电路的性能或造成电路失效，因此，必须通过封装来散发芯片热量，以保证集成电路的性能和可靠性(4）对集成电路起着环境保护的作用。
集成电路芯片若无封装保护，将受污染等环境损伤，性能无法实现。
由于集成电路的应用愈来愈广泛，多数集成电路必须能耐各种恶劣环境的影响，因此，封装对集成电路各种性能的正确实现起着重要的保证作用电路的发展受广泛应用前景的驱动、而集成电路的封装又随着集成电路的发展而发展。
没有集成电路封装的发展，集成电路的发展就很难实现。
由此可见，集成电路封装对集成电路有着极其重要的作用2．集成电路封装的内容归纳起来至少有以下几个方面：(1)根据集成电路的应用要求，通过定的结构设计、工艺设计、电设计、热设计和可靠性设计制造出合格的外壳或引线框架等主要零部件，并不断提高设计、工艺技术，以适应集成电路发展的需要；(2）按照整机要求和组装需要，改进封装结构、确定外形尺寸，使之达到通用化、标准化，并向多层次、窄节距、多引线、小外形和高密度方向发展；(3）保证自硅晶圆的减薄、划片和分片开始，直到芯片粘接、引线键合和封盖等－系列封装所需工艺的正确实施，达到一定的规模化和自动化，并不断研制开发新工艺、新设备和新技术，以提高封装工艺水平和质量，同时努力降低封装成本：(4)随着集成电路封装日益发展的需要，在原有的材料基础上，需进一步提供低介电系数、高导热、高机械强度等性能优越的新型有机、无机和金属材料；(5)完善和改进集成电路封装的检验手段，统一检验方法，并加强工艺监测和质量控制，提供准确的检验测试数据，为提高集成电路封装的性能和可靠性提供有力的保证集成电路封装对器件性能的影响越来越大，某些集成电路的性能受封装技术的限制与受集成电路芯片性能的限制几乎相同，甚至更大。
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《集成电路封装与测试技术》考试试卷
班级: 学号 姓名
一
一、填空题（每空格1分 共18分）
1、封装工艺属于集成电路制造工艺的 工序。
2、按照器件与电路板互连方式，封装可分为引脚插入型（PTH ）和 两大类。
3、芯片封装所使用的材料有许多，其中金属主要为 材料。
4、 技术的出现解决了芯片小而封装大的矛盾。
5、在芯片贴装工艺中要求：己切割下来的芯片要贴装到引脚架的中间焊盘上，焊盘的尺寸要与芯片大小要 。
6、在倒装焊接后的芯片下填充，由于毛细管虹吸作用，填料被吸入，并向芯片-基板的中心流动。
一个12,7mm 见方的芯片， 分钟可完全充满缝隙，用料大约0,031mL 。
7、用溶剂来去飞边毛刺通常只适用于 的毛刺。
8、如果厚膜浆料的有效物质是一种绝缘材料，则烧结后的膜是一种介电体，通常可用于制作 。
9、能级之间电位差越大，噪声越 。
10、薄膜电路的顶层材料一般是 。
11、薄膜混合电路中优选 作为导体材料。
12、薄膜工艺比厚膜工艺成本 。
13、导电胶是 与高分子聚合物（环氧树脂）的混合物。
14、绿色和平组织的使命是： 。
15、当锡铅合金中铅含量达到某一值时，铅含量的增加或锡含量的增加均会使焊料合金熔点 。
16、印制电路板为当今电子封装最普遍使用的组装基板，它通常被归类于 层次的电子封装技术
17、印制电路板通常以 而制成。
18、IC 芯片完成与印制电路板的模块封装后，除了焊接点、指状结合点、开关等位置外，为了使成品表面不会受到外来环境因素，通常要在表面进行 处理。
二、选择题（每题2分 共22分）
1、TAB 技术中使用（ ）线而不使用线，从而改善器件的热耗散性能。
A 、铝 B 、铜 C 、金 D 、银
2、陶瓷封装基板的主要成分有（ ）
A 、金属
B 、陶瓷
C 、玻璃
D 、高分子塑料
3、“塑料封装与陶瓷封装技术均可以制成双边排列（DIP ）封装，前者适合于高可靠性的元器件制作，后者适合于低成本元器件大量生产”，这句话说法是（ ）。
A 、 正确 B 、错误
4、在芯片切割工序中，（ ）方法不仅能去除硅片背面研磨损伤，而且能除去芯片引起的微裂和凹槽，大大增强了芯片的抗碎裂能力。
A 、 DBT 法 B 、DBG 法
5、玻璃胶粘贴法比导电胶的贴贴法的粘贴温度要（ ）。
A 、低 B 、高
6、打线键合适用引脚数为（ ）
A 、3-257
B 、12-600
C 、6-16000 7、最为常用的封装方式是（ ）
A 、塑料封装
B 、金属封装
C 、陶瓷封装
8、插孔式PTH(plated through-hole 镀金属通孔)封装型元器件通常采用（ ）方法进行装配。
A 、波峰焊
B 、回流焊
9、相同成分和电压应力下，长电阻较之短电阻电位漂移要（ ） A 、小 B 、大
10、金属的电阻噪比半导体材料电子噪声（ ） 。
A 、高 B 、低 11、（ ）技术适合于高密度和高频率环境 A 、厚膜技术 B 、薄膜技术
得分评分人
三、简答题（共40分）
1、集成电路在选择具体的封装形式时，主要考虑哪几种设计参数？（7分）
2、为什么一定要对硅片进行减薄处理？（6分）
3、什么是薄膜技术？其与厚膜技术的区别是什么？（7分）
4、简述助焊剂的功能和成分？（7分）
5、多层PCB 基板多层布线的基本原则是什么?（6分）
6、简述波峰焊方式的基本工艺流程（7分）
四、综合题分析题（20分）
1、请画出芯片封装技术工艺流程（10分） 答：
2、请简述转移成型技术的典型工艺过程。
（10分） 答：。