多晶硅和单晶硅 的传感器比较 优劣
为什么单晶硅压力传感器抗过载比其他传感器好
为什么单晶硅压力传感器抗过载比其他传感器好文章阐述单晶硅压力传感器的测量膜片结构设计和外界保护结构设计，介绍单晶硅压力传感器工作原理及抗过载原理，为仪表工普及单晶硅压力变送器基本知识。
单晶硅压力传感器的核心测量晶片在超过一定比例的额定工作压力后，易影响测量精度，甚至破裂失效。
许多测量场合操作引起的失误，或压力管路内出现非正常性的压力冲击和波动，易产生远超过压力传感器测试量程的压力信号，使得测量硅膜片处于压力过载状态下。
普通压力传感器无过载保护功能，此场合下易导致传感器信号发生器损坏，使得传感器终止工作。
因此，如何有效地保护硅传感器在现场的可靠运行，已越来越引起传感器生产商和用户的重视。
昌晖仪表提出的这种针对单晶硅压力传感器的过载保护设计方法，可解决上述问题。
1、单晶硅压力传感器的工作原理如图1所示，硅传感器的敏感元件是将P型杂质扩散到N型硅片上，形成极薄的导电P型层，焊上引线即成“硅应变片”，其电气性能是做成一个全动态的压阻效应惠斯登电桥。
该压阻效应惠斯登电桥和弹性元件(即其N型硅基底)结合在一起。
介质压力通过密封硅油传到硅膜片的正腔侧，与作用在负腔侧的介质形成压差，它们共同作用的结果使膜片的一侧压缩，另一侧拉伸，压差使电桥失衡，输出一个与压力变化对应的信号。
惠斯登电桥的输出信号经电路处理后，即产生与压力变化成线性关系的4-20mADC标准信号输出。
图1 硅传感器的结构图如图2所示，在正负腔室的压差作用下，引起测量硅膜片即弹性元件)变形弯曲, 当压差P小于测量硅膜片的需用应力比例极限σp时，弯曲可以复位；当压差P超过测量硅膜片的需用应力比例极限σp后，将达到材料的屈服阶段，甚至达到强化阶段，此时撤去压差后测量硅膜片无法恢复到原位，发生不可逆转的测量偏差；当压差P达到或超过测量硅膜片能承受的最高应力σb后，测量硅膜片破裂，直接导致传感器损坏。
因此，通过阻止或削弱外界的过载压差P 直接传递到测量硅膜片上，就能有效保护传感器的测量精度和寿命。
单晶硅和多晶硅的区别
单晶硅和多晶硅的区别一概述当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。
如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。
多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。
例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。
单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。
大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。
目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。
二生产工艺找得到。
三单晶硅英文名：Monocrystalline silicon分子式：Si硅的单晶体。
具有基本完整的点阵结构的晶体。
不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。
纯度要求达到99.9999％，甚至达到99.9999999％以上。
用于制造半导体器件、太阳能电池等。
用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。
单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。
超纯的单晶硅是本征半导体。
在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。
单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。
单晶硅主要用于制作半导体元件。
用途：是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。
其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。
由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势，近三十年来，太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展，成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。
单晶硅建设项目具有巨大的市场和广阔的发展空间。
在地壳中含量达25.8%的硅元素，为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。
单晶硅多晶硅的区别(1)
单晶硅、多晶硅光伏组件的区别
1．外观形态区别
单晶硅：电池片呈正方形、倒圆角形，深蓝色；
多晶硅：电池片呈正方形，天蓝色。
2．转化率区别：
单晶硅：16-18%，实验室最高转化率可达到25%，光电转化效率高，可靠性高，发电量稍高；
多晶硅：14-16%,实验室最高转化率可达到20.4%，光电转化效率稍低。
3．单、多晶硅电池片产业链对比
单、多晶硅电池片光伏产业链对比，从硅料到硅棒、硅片、电池、组件再到系统。
单晶和多晶的差别主要在于原材料的制备方面，单晶硅是直拉提升法，
多晶硅是注定方法，后端制造工艺只有一些细微差别。
4．晶体品质差异
单晶硅片、是一种完整的晶格排列：多晶硅片，它是多个微小的单晶组合，有缺陷，杂质多，因此降低了多晶电池的转换效率。
各种因素综合作用使得单晶硅光伏组件比多晶硅高出数十倍，从而表新出转换效率优势。
5．电学性能差异
单多晶硅的少子寿命对比。
蓝色代表少子寿命较高的区域，红色代表少子寿命较低的区域。
很明显，单晶的少子寿命是明显高于多晶的。
单晶硅与多晶硅的区别、功能及优缺点
单晶硅与多晶硅的区别、功能及优缺点单晶硅硅有晶态和无定形两种同素异形体。
晶态硅又分为单晶硅和多晶硅，它们均具有金刚石晶格，晶体硬而脆，具有金属光泽，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加，具有半导体性质。
单晶硅在日常生活中是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。
电视、电脑、冰箱、电话、手表、汽车，处处都离不开单晶硅材料，单晶硅作为科技应用普及材料之一，已经渗透到人们生活中的各个角落。
单晶硅在火星上是火星探测器中太阳能转换器的制成材料。
火星探测器在火星上的能量全部来自太阳光，探测器白天休息---利用太阳能电池板把光能转化为电能存储起来，晚上则进行科学研究活动。
也就是说，只要有了单晶硅，在太阳光照到的地方，就有了能量来源单晶硅在太空中是航天飞机、宇宙飞船、人造卫星必不可少的原材料。
人类在征服宇宙的征途上，所取得的每一步进步，都有着单晶硅的身影。
航天器材大部分的零部件都要以单晶硅为基础。
离开单晶硅，卫星会没有能源，没有单晶硅，航天飞机和宇航员不会和地球取得联系，单晶硅作为人类科技进步的基石，为人类征服太空作出了不可磨灭的贡献。
单晶硅在太阳能电池中得到广泛的应用。
高纯的单晶硅是重要的半导体材料，在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天，利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能，实现了迈向绿色能源革命的开始。
单晶硅太阳能电池的特点：1.光电转换效率高，可靠性高； 2.先进的扩散技术，保证片内各处转换效率的均匀性； 3.运用先进的PE CVD成膜技术，在电池表面镀上深蓝色的氮化硅减反射膜，颜色均匀美观；4.应用高品质的金属浆料制作背场和电极，确保良好的导电性。
单晶硅广阔的应用领域和良好的发展前景北京2008年奥运会将把"绿色奥运"做为重要展示面向全世界展现，单晶硅的利用在其中将是非常重要的一环。
行业：单晶硅片与多晶硅片
⾏业：单晶硅⽚与多晶硅⽚⾏业：单晶硅⽚与多晶硅⽚⽬前光伏市场硅⽚分为单晶硅⽚和多晶硅⽚，当前中国市场以多晶硅⽚为主。
⼀、不同点在于“长晶”的过程1、单晶硅⽚与多晶硅⽚制造过程最根本的不同点在于“长晶”的过程，单晶为了保障内部晶格序列⼀致，往往是采⽤直拉单晶炉缓慢⽣长单晶硅棒的⽅式，最后再经过开⽅、截断等过程最终形成“准⽅锭”，由于过程复杂，成本相对较⾼，当前即便是成本领先⼚家，1kg准⽅锭的⽣产成本也50元；2、⽽多晶硅⽚则使⽤热熔铸锭的⽅式⽣产出⼩⽅锭，⼯艺相对简单，能耗也相对⼩许多，当前成本领先⼚家⼩⽅锭的⽣产成本可以控制在25元/kg的⽔准。
3、单晶长晶过程电耗⾼，布局低电价地区能带来更显著的成本下降。
在长晶环节，单晶硅⽚虽然还有⼀定劣势，但相⽐较于之前，成本差距已经⼤幅缩⼩。
这⼀变化其实很好理解，单晶长晶成本⾼，出⽚量提升能带来更多成本摊销。
⼆、切割过程技术的发展，⽐如⾦刚线切割技术让单晶硅⽚成本迅速降低。
1、⾦刚切多晶硅⽚还需额外叠加“⿊硅或添加剂”技术才能保障效率2、单晶硅棒由于内部晶格序列⼀致、切割过程不容易出现碎⽚或断线、单晶电池碱制绒环节⽆困扰等有利因素作⽤下率先实现了⾦刚线切割的⼤规模产业化应⽤，⾦刚切的规模应⽤有⼒的推动单晶硅⽚的市场占⽐持续提升，成为过去两年最为瞩⽬的产业变化，同时也造就了隆基股份这家估值上升⼗倍公司，⾦刚线也被成为单晶技术路线的杀⼿锏。
三、技术路线（⼀）成本控制单晶硅⽚成本⾼于多晶硅⽚。
1、当前单晶硅⽚领域成本控制最优秀的隆基股份单张硅⽚成本约为3.9元每张，2、多晶硅⽚第⼀⼤⼚保利协鑫假设其硅料外部采购的话，单张硅⽚成本为3.7元；单晶硅⽚成本只⽐多晶硅⽚⾼0.2元；考虑到单张硅⽚功率会更⾼，对应到1W上的成本，隆基股份的单晶硅⽚成本已经低于多晶硅⽚。
光伏⼀直以单晶技术路线为主，但是⾃从中国⽆锡尚德成为光伏产业成为出货量最⼤的公司以后，多晶硅⽚成为了主流，但我们要清楚：多晶打败单晶的不是因为技术先进，⽽是因为成本低廉，2、单晶硅⽚替代多晶硅⽚趋势明显。
高纯晶硅 和多晶硅
高纯晶硅和多晶硅高纯晶硅和多晶硅是半导体产业中至关重要的原材料。
它们在电子、光电子和能源领域具有广泛的应用。
了解这两种材料的特性、制备工艺和应用领域，有助于我们更好地把握半导体产业的发展趋势。
一、高纯晶硅高纯晶硅，简称单晶硅，具有较高的纯度和良好的晶体结构。
其纯度可以达到99.9999%，晶格完整性高，电阻率低。
高纯晶硅在半导体器件制造中具有重要地位，尤其在集成电路、光电子器件等领域。
高纯晶硅的制备工艺主要包括以下几个步骤：1.提炼：采用化学气相沉积法（CVD）或氢还原法将粗硅提炼成高纯硅。
2.单晶生长：采用Czochralski（CZ）法或浮区（FZ）法等方法，从高纯硅熔体中生长出高纯单晶硅。
3.切割、抛光：将生长好的高纯单晶硅切割成片，然后进行抛光，以获得所需的厚度和平整度。
4.检验：对高纯单晶硅片进行各项性能检测，如电阻率、纯度、晶格完整性等，以确保其符合半导体器件制造的要求。
二、多晶硅多晶硅是由许多小晶粒组成的半导体材料。
它的制备工艺相对简单，成本较低，具有良好的光电性能和半导体性能。
多晶硅在太阳能电池、光电子器件和半导体器件等领域具有广泛的应用。
多晶硅的制备工艺主要包括以下几个步骤：1.提炼：与高纯晶硅的提炼工艺类似，采用化学气相沉积法（CVD）或氢还原法将粗硅提炼成高纯硅。
2.溅射或化学气相沉积：将高纯硅沉积在基板上，形成多晶硅薄膜。
3.退火：对多晶硅薄膜进行退火处理，使其晶格结构更加完整。
4.氧化：对多晶硅薄膜进行氧化处理，形成一层硅氧化物，提高多晶硅的光电性能。
5.检验：对多晶硅薄膜进行性能检测，如光电性能、半导体性能等，以确保其符合应用要求。
综上所述，高纯晶硅和多晶硅在半导体产业中具有重要地位。
随着科技的不断进步，这两种材料在半导体器件、光电子器件和能源领域的应用将越来越广泛。
同时，制备工艺的优化和高纯晶硅、多晶硅器件的创新发展也将为我国半导体产业带来新的机遇。
单晶硅VS多晶硅技术路线大PK!（最全面分析总结）
单晶硅VS多晶硅技术路线大PK!（最全面分析总结）陆究群 03月22日 14:09 22106单晶硅VS多晶硅的撕X大战一直就没停过，最近更是愈演愈烈。
到底哪种更好？单晶硅VS多晶硅的撕X大战一直就没停过，最近更是愈演愈烈。
到底哪种更好？这篇文章从市场占有率、组件衰减率、温度系数、系统造价、收益率影响五方面对多晶硅和单晶硅产品进行全面分析。
想要透彻了解这两种技术路线的优势劣势，看这篇就够了。
【无所不能文|陆究群】光伏电池有各种技术流派，晶体硅电池、薄膜电池、有机电池、染料敏化电池、钙钛矿等等。
在众多流派中，晶体硅电池一直牢牢占据霸主地位，自2006年以来市场份额一直在80%以上。
然而，晶硅电池内也有竞争。
单晶硅电池与多晶硅电池之间的竞争，从来就没有停歇过，近期愈演愈烈。
单晶硅电池说：我资历老、高效、性能稳定；多晶硅电池说：我性价比高！到底哪种更好？本文收集了2012年~2016年的一些公开文献资料中的数据进行说明，希望能给大家提供一些帮助。
一、市场占有率情况市场是检验一切的标准。
投资商花的都是真金白银，他们的选择，是他们觉得性价比最好的，而市场占有率数据代表了投资商的选择。
图1：各类光伏组件2006~2015年的出货量情况图2：各类光伏组件2006~2015年的市场占有率情况从图1、图2可以看出：1）多晶硅市场占有率一直最高；多晶硅的市场占有率除2009年略有下降以外，基本保持持续上升状态；2）单晶硅的市场占有率从最初的基本于多晶硅平分天下，到2015年不足20%，市场占有率持续下降；3）多晶硅与单晶硅的出货量差距逐渐拉大，单晶硅的出货量甚至在2015年略低于2014年；4）2006~2009年，薄膜电池的低价优势明显，市场占有率持续升高；但之后随着晶硅电池价格下降，则持续下降至2015年的6%。
由于市场总装机量增加，2013年之前，薄膜出货量保持持续增加；但2014、2015年出货量也持续、快速下降。
单晶硅与多晶硅的应用和区别
1单晶硅与多晶硅的应用和区别多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。
被称为“微电子大厦的基石”。
在太阳能利用上，单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。
虽然从目前来讲，要使太阳能发电具有较大的市场，被广大的消费者接受，就必须提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本。
从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。
从工业化发展来看，重心已由单晶向多晶方向发展，主要原因为；[1]可供应太阳电池的头尾料愈来愈少；[2] 对太阳电池来讲，方形基片更合算，通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料；[3]多晶硅的生产工艺不断取得进展，全自动浇铸炉每生产周期（50小时）可生产200公斤以上的硅锭，晶粒的尺寸达到厘米级；[4]由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快，其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产，例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极，采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米，高度达到15微米以上，快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间，单片热工序时间可在一分钟之内完成，采用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过14％。
据报道，目前在50～60微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过16％。
利用机械刻槽、丝网印刷技术在100平方厘米多晶上效率超过17％，无机械刻槽在同样面积上效率达到16％，采用埋栅结构，机械刻槽在130平方厘米的多晶上电池效率达到15.8％。
多晶硅与单晶硅的差别请问多晶硅与单晶硅的差别是什么?国内有那些厂家在生产这两种产品?多晶硅是单质硅的一种形态。
熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。