半导体二极管及其应用习题解答
北京交通大学模拟电子技术习题及解答第二章 半导体二极管及其基本电路
第二章半导体二极管及其基本电路2-1．填空（1）N型半导体是在本征半导体中掺入；P型半导体是在本征半导体中掺入。
（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会。
（3）PN结的结电容包括和。
（4）晶体管的三个工作区分别是、和。
在放大电路中，晶体管通常工作在区。
（5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该。
（正偏、反偏）答案：（1）五价元素；三价元素；（2）增大；（3）势垒电容和扩散电容；（4）放大区、截止区和饱和区；放大区；（5）反偏。
2-2．判断下列说法正确与否。
（1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
（）（2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（）（3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。
（）（4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。
（）（5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。
（）（6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）（7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）（8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，则其输入电阻会明显减小。
（）答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。
（2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。
（3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。
（4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。
（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。
（6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。
（7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。
二极管电路习题及答案
二极管电路习题及答案二极管是一种只允许电流单向流动的半导体器件，广泛应用于整流、稳压、信号调制等领域。
下面将介绍一些常见的二极管电路习题及其解答方法。
# 习题一：整流电路题目：一个半波整流电路中，输入电压为正弦波，峰值是20V，求输出电压的峰值。
解答：半波整流电路只允许电流在一个方向上流动，因此只有正半周期的电压能够通过二极管。
输出电压的峰值等于输入电压的峰值，即20V。
# 习题二：稳压二极管电路题目：一个稳压二极管电路，稳压二极管的稳压值为6.8V，电路中的负载电阻为1000Ω，求电路中的电流。
解答：稳压二极管工作在反向击穿区，其电压几乎不变。
根据欧姆定律，电流 \( I = \frac{V}{R} \)，其中 \( V \) 是稳压值，\( R \) 是电阻值。
所以电流 \( I = \frac{6.8V}{1000\Omega} = 6.8mA \)。
# 习题三：二极管限幅电路题目：设计一个二极管限幅电路，要求将输入信号的电压限制在±5V范围内。
解答：为了实现±5V的限幅，可以在电路中使用两个二极管，一个正向连接，一个反向连接。
正向二极管的稳压值为5V，反向二极管的稳压值也为5V。
当输入信号超过5V时，正向二极管导通，限制电压不超过5V；当输入信号低于-5V时，反向二极管导通，限制电压不低于-5V。
# 习题四：二极管桥式整流电路题目：一个桥式整流电路，输入电压为正弦波，峰值是10V，求输出直流电压的平均值。
解答：桥式整流电路能够将交流电压转换为直流电压。
对于正弦波输入，输出直流电压的平均值可以通过以下公式计算：\[ V_{DC} = \frac{2V_{M}}{\pi} \]其中 \( V_{M} \) 是输入电压的峰值。
代入数值，\( V_{DC} =\frac{2 \times 10V}{\pi} \approx 6.366V \)。
# 结语二极管电路在电子工程中扮演着非常重要的角色。
(完整版)半导体及其应用练习题及答案
(完整版)半导体及其应用练习题及答案题目一1. 半导体是什么？答案：半导体是介于导体和绝缘体之间的材料，在温度适当时具有导电性能。
2. 半导体的价带和导带分别是什么？答案：半导体中的价带是电子离子化合物的最高能级，而导带是能够被自由电子占据的能级。
3. 简要解释半导体中的P型和N型材料。
答案：P型半导体是通过向半导体中掺杂三价元素，如硼，来创建的，在P型材料中电子少，因此存在空穴。
N型半导体是通过向半导体中掺杂五价元素，如磷，来创建的，在N型材料中电子多，因此存在自由电子。
题目二1. 解释PN结是什么？答案：PN结是由一个P型半导体和一个N型半导体通过熔合而形成的结构，其中P型半导体中的空穴与N型半导体中的自由电子结合，形成一个边界处的耗尽区域。
2. 简要描述PN结的整流作用是什么？答案：PN结的整流作用是指在正向偏置电压下，电流可以流过PN结，而在反向偏置电压下，电流几乎不会流过PN结。
3. 什么是PN结的击穿电压？答案：PN结的击穿电压是指当反向偏置电压达到一定程度时，PN结中会发生电击穿现象，导致电流迅速增加。
题目三1. 解释场效应晶体管（MOSFET）是什么？答案：场效应晶体管是一种半导体器件，可以用于控制电流的流动，其结构包括源极、漏极和栅极。
2. 简要描述MOSFET的工作原理。
答案：MOSFET的工作原理是通过栅极电场的变化来控制其上的沟道区域导电性，从而控制漏极和源极之间的电流的流动。
3. MOSFET有哪些主要优点？答案：MOSFET的主要优点包括体积小、功耗低、响应速度快和可靠性高等。
电子电工类--二极管及其应用试题及答案
电子电工类--二极管及其应用试题及答案一、单选题1.稳压二极管电路如下图，两个稳压二极管的稳压值UZ=6.3V，正向导通压降0.7V，则Uo为A、6.3VB、0.7VC、7VD、14V【正确答案】：C2.滤波电路如下列各图所示，电路类型说法正确的是( ) ( ) ( ) ( )A、（1）为复式滤波B、（2）为电感滤波C、（3）为π滤波D、（4）为电容滤波【正确答案】：B3.电路如下图所示，已知两个稳压管的UZ1=5V，UZ2=7V，它们的正向压降均为0.7V，则输出电压Uo为A、5VB、7.7VC、12VD、5.7V【正确答案】：C4.滤波电路位于整流电路A、之前B、之后C、前后均可D、中间【正确答案】：B5.在下图中，若要将输出电压波形由图( )变换成图( )，则应在电路中增加( )元件。
A、整流二极管B、大功率负载电阻C、滤波电感D、降压变压器【正确答案】：C6.光电耦合器的输入侧等效的基本电子元件是A、发光二极管B、稳压二极管C、光电二极管D、变容二极管【正确答案】：A7.如下图电路，已知两个稳压管的稳定电压UZ1=7V，UZ1=9V，它们的正向压降均为0.7V，则输出电压Uo为A、7.7VB、9VC、9.7VD、16V【正确答案】：A8.在电容滤波电路中，电容器与负载成( )位置关系。
A、并联B、串联C、混联D、L型【正确答案】：A9.发光二极管是将( )转换成光能，它工作在( )状态。
A、电能、正向导通B、电能、反向击穿C、光能、正向导通D、光能、反向击穿【正确答案】：A10.下列常用二极管符号中，光电二极管符号是A、B、C、D、【正确答案】：D11.整流的目的是A、将交流变为直流B、将高频变为低频C、将正弦波变为方波D、将高电压降为低电压。
二极管电路习题及答案
二极管电路习题及答案二极管是一种常见的电子元件，广泛应用于各种电路中。
在学习电子技术的过程中，掌握二极管电路的基本原理和解题方法是非常重要的。
本文将介绍一些常见的二极管电路习题及其答案，帮助读者加深对二极管电路的理解。
1. 单级整流电路单级整流电路是最简单的二极管电路之一，它可以将交流电信号转换为直流电信号。
下面是一个典型的单级整流电路：[图1：单级整流电路示意图]问题：请计算图中二极管的导通时间和截止时间。
答案：在正半周期中，当输入电压大于二极管的正向压降时，二极管导通，此时导通时间为整个正半周期。
而在负半周期中，二极管处于截止状态，导通时间为零。
因此，导通时间为正半周期，截止时间为零。
2. 二极管放大电路二极管放大电路是利用二极管的非线性特性来放大电信号的一种电路。
下面是一个常见的二极管放大电路：[图2：二极管放大电路示意图]问题：请计算图中输出电压的峰值和平均值。
答案：在正半周期中，当输入电压大于二极管的正向压降时，二极管导通，输出电压等于输入电压减去二极管的正向压降。
而在负半周期中，二极管处于截止状态，输出电压等于零。
因此，输出电压的峰值等于输入电压的峰值减去二极管的正向压降，输出电压的平均值等于输入电压的平均值减去二极管的正向压降。
3. 二极管限幅电路二极管限幅电路可以将输入信号限制在一定的范围内，避免过大或过小的信号对后续电路的影响。
下面是一个典型的二极管限幅电路：[图3：二极管限幅电路示意图]问题：请计算图中输出电压的范围。
答案：当输入电压大于二极管的正向压降时，二极管导通，输出电压等于输入电压减去二极管的正向压降。
而当输入电压小于二极管的反向击穿电压时，二极管处于截止状态，输出电压等于零。
因此，输出电压的范围为零到输入电压减去二极管的正向压降。
通过以上几个习题，我们可以了解到二极管电路的一些基本特性和解题方法。
当然，实际的二极管电路问题可能更为复杂，需要结合具体的电路图和参数来进行分析和计算。
二极管习题(含答案)
习题６基础知识部分：6.1 选择题1．用万用表R×1K电阻档测某一个二极管时，发现其正、反电阻均近于1000ＫΩ，这说明该二极管（）A、短路B、完好C、开路D、无法判断答案：C2.AB0.7V，反偏时电阻为∞，则以下说法正确的是（）。
A、VD导通，U AO=5.3V；B、VD导通，U AO=—5.3V；C、VD导通，U AO=—6V；D、VD导通，U AO=6V；E、VD截止，U AO=—9V。
答案：C4.下列电路中变压器二次电压均相同，负载电阻及滤波电容均相等，二极管承受反向电压最低的是( )，负载电流最小的是（）。
A.半波整流电容滤波电路B.全波整流电容滤波电路C.桥式整流电容滤波电路答案：C A5.测得输出电压为10VA.滤波电容开路B.负载开路C.滤波电容击穿短路D.其中一个二极管损坏答案：B D A6. 稳压二极管电路如图，稳压二极管的稳压值U Z=6.3V，正向导通压降0.7V，则U O 为( )。
A.6.3VB.0.7VC.7VD.14V答案：C7.图示电路，若U I上升，则U O( )→U A（）→U CE1（）→U O（）。
A.增大B.不变C.减小答案：b9.某NPN硅管在放大电路中测得各极对地电压分别为U C=12V，U B=4V，U E=0V，由此可判别三极管（）。
A.处于放大状态B.处于饱和状态C.处于截止状态D.已损坏答案：D10.测得三极管的电流方向、大小如图所示，则可判断三个电极为（）。
A.①基极b，②发射极e，③集电极cB.①基极b，②集电极c，③发射极eC.①集电极cD.①发射极e答案：C6.2 填空题1.PN结具有性，偏置时导通，偏置时截止。
答案：单向导电正向反向2. 半导体二极管2AP7是半导体材料制成的，2CZ56是半导体材料制成的。
答案：N型锗N型硅3．图示电路中设二极管正向压降为0.7V，当U i=6V时，U o为答案：4.7V4.I R= mA；⑷流过稳压二极管的电流为mA。
第1章 半导体二极管及其基本应用自测
第一章 半导体二极管及其基本应用自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（每题5分）1.P 型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
（ ）2.在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。
（ ）3.PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）4.P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ ）5.PN 结构的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
（ ）6.漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
（ ）7.由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电流流过。
（ ）8.PN 结方程可以描述PN 结在的正向特性和反向特性，也可以描述PN 结的反向击穿特性。
（ ）9. 锗晶体二极管的导通电压约为0.6-0.8伏左右，硅晶体二极管的导通电压约为0.2-0.3伏左右。
（ ）10. 当PN 结导通时参与导电的只有多数载流子。
（ ）解：1.√ 2.× 3.√ 4.× 5.× 6.√ 7.× 8.×9.× 10.×二、选择题（每题5分）1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将 [ ]A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2.设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 [ ]A. I S e UB. T U U I e SC. )1e (S －T U U I3.稳压管的稳压区是其工作在 [ ]A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿4.在如图所示电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA 。
若把电源电压调整到V=10V ，则电流的大小将是 [ ]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定5.在如图所示电路中电源V=5V 不变。
当温度为20O C 时测得二极管的电压U D =0.7V 。
当温度上生到为40O C 时,则U D 的大小将是[ ]A.仍等于0.7VB.大于0.7VC. 小于0.7VD.不能确定6.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[ ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷7.二极管的主要特性是[ ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性8.在P型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质9.在N型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质10.下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大解：1.A 2.C 3.C 4.C 5.C6.C7.C8.B9.A 10.A。
半导体例题及习题
半导体例题及习题第⼀章半导体⼆极管、三极管例题解析例1－1 求图1.1电路中的I 1、I 2、I O 及U O 的值？（硅管 U F ＝0.7V ）图1.1解题要领：判断⼆极管的状态，将⼆极管从电路中取出后⽐较管⼦阳极、阴极电位⾼低；解：∵21DD DD V V ? ∴V D 导通U O =V DD1-U F =15-0.7=14.3V8.433.14===L O O R U I mA)(1.73.28.421mA I I I O =+=+=mA R V U I DD O 3.21123.1422=-=-=例1－2 图1.2中，试求下列⼏种情况下输出端电位V Y 。
（1）V A =3V ，V B =0V ；（2）V A =0V ，V B =3V ；（3）V A =V B =0V ；（4）V A =V B =3V 。
设⼆极管的正向电阻为零，反向电阻为⽆穷⼤。
图1.2 解题要领：两个或两个以上阴极（或阳极）连在⼀起时，阳极电位⾼（或阴极电位低）的⼆极管优先导通，然后再判断其它管解：（1）、⼆极管V DB 优先导通，则V Y ＝0V ，V DA 截⽌。
（2）、⼆极管V DA 优先导通，则V Y ＝0V ，V DB 截⽌。
（3）、V DA 和VDB 两管都导通V Y ＝0V（4）、V DA和VDB两管都导通V Y＝3V例1－3⼀个晶体管在放⼤电路中看不出型号，也没有其它标记，但⽤万⽤表测得它的三个电极A、B、C对地电位分别为VA＝－9V，VB＝－6V，VC＝－6.2V, 试判断该三极管的类型和A、B、C各对应三极管的什么极？解题要领：如何判断三极管的类型和电极？1、硅管或锗管的判别原则：发射结正向压降是0.7V左右为硅管，0.2V为锗管，且b极电位处于中间值，由此初步确定b极、e极；2、NPN管或PNP管的判别原则：处于放⼤状态的NPN管中其集电极电位为最⾼，⽽PNP管为最低；3、电极判别：弄清管⼦的类型之后，再结合各电极的电位就很容易判别它的各个电极。
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第1章 半导体二极管及其基本电路 教学内容与要求 本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。教学内容与教学要求如表所示。要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过程。主要掌握半导体二极管在电路中的应用。 表 第1章教学内容与要求 教学内容 教学要求 重点与难点
半导体基础知识 本征半导体，杂质半导体 熟练掌握 正确理解 一般了解 PN结 形成 √ 重点：PN结的单向导电性 难点：PN结的形成 单向导电性 √ 伏安特性 √ 电容效应 √
半导体二极管 结构与类型 √ 重点：二极管应用电路分析 难点：二极管各模型的特点及选择各种模型的条件 伏安特性与主要参数 √ 型号与选择 √ 模型 √ 应用（限幅、整流） √
特殊二极管 稳压二极管（稳压原理与稳压电路） √ 重点：稳压管稳压条件及稳压电路分析 发光二极管、光电二极管、
变容二极管 √
内容提要 1.2.1半导体的基础知识 1．本征半导体 高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。本征半导体中有两种载流子：自由电子和空穴。自由电子和空穴是成对出现的，称为电子空穴对，它们的浓度相等。 本征半导体的载流子浓度受温度的影响很大，随着温度的升高，载流子的浓度基本按指数规律增加。但本征半导体中载流子的浓度很低，导电能力仍然很差， 2．杂质半导体 (1) N型半导体 本征半导体中，掺入微量的五价元素构成N型半导体，N型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴。N型半导体呈电中性。 (2) P型半导体 本征半导体中，掺入微量的三价元素构成P型半导体。P型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。P型半导体呈电中性。 在杂质半导体中，多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度，掺入杂质越多，多子浓度就越大。而少子由本征激发产生，其浓度主要取决于温度，温度越高，少子浓度越大。
1.2.2 PN结及其特性 1．PN结的形成 在一块本征半导体上，通过一定的工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，在P型区和N型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层，称为PN结。PN结是构成其它半导体器件的基础。 2．PN结的单向导电性 PN结具有单向导电性。外加正向电压时，电阻很小，正向电流是多子的扩散电流，数值很大，PN结导通；外加反向电压时，电阻很大，反向电流是少子的漂移电流，数值很小，PN结几乎截止。 3. PN结的伏安特性
PN结的伏安特性： )1(TSUUeII 式中，U的参考方向为P区正，N区负，I的参考方向为从P区指向N区；IS在数值上等于反向饱和电流；UT=KT/q，为温度电压当量，在常温下，UT≈26mV。
(1) 正向特性 0U的部分称为正向特性，如满足UUT，则TSUUeII，PN结的正向电流I随正向电压U按指数规律变化。 (2) 反向特性 0U的部分称为反向特性，如满足TUU，则SII，反向电流与反向电压的大小基本无关。 (3) 击穿特性 当加到PN结上的反向电压超过一定数值后，反向电流急剧增加，这种现象称为PN结反向击穿，击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。 4. PN结的电容效应 PN结的结电容CJ由势垒电容CB和扩散电容CD组成。CB和CD都很小，只有在信号频率较高时才考虑结电容的作用。当PN结正向偏置时，扩散电容CD起主要作用，当PN结反向偏置时，势垒电容CB起主要作用。
1.2.3 半导体二极管 1. 半导体二极管的结构和类型 半导体二极管是由PN结加上电极引线和管壳组成。 二极管种类很多，按材料来分，有硅管和锗管两种；按结构形式来分，有点接触型、面接触型和硅平面型几种。 2. 半导体二极管的伏安特性 半导体二极管的伏安特性是指二极管两端的电压uD和流过二极管的电流iD之间的关系。它的伏安特性与PN结的伏安特性基本相同，但又有一定的差别。在近似分析时，可采用PN结的伏安特性来描述二极管的伏安特性。 3. 温度对二极管伏安特性的影响 温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，温度每升高1oC，PN结的正向压降约减小（2~）mV。 二极管的反向特性曲线随温度的升高将向下移动。当温度每升高10 oC左右时，反向饱和电流将加倍。 4. 半导体二极管的主要参数 二极管的主要参数有：最大整流电流IF ；最高反向工作电压UR；反向电流IR；最高工作频率fM等。由于制造工艺所限，即使同一型号的管子，参数也存在一定的分散性，因此手册上往往给出的是参数的上限值、下限值或范围。 5. 半导体二极管的模型 常用的二极管模型有以下几种： (1) 理想模型: 理想二极管相当于一个开关。当外加正向电压时，二极管导通，正向压降uD为零，相当于开关闭合；当外加反向电压时，二极管截止，反向电流iR为零，相当于开关断开。 (2) 恒压源模型: 当二极管外加正向电压等于或大于导通电压Uon时，二极管导通，二极管两端电压降为Uon；当外加电压小于Uon时，二极管截止，反向电流为零。 (3) 折线模型: 当二极管外加正向电压大于Uon后其电流iD与电压uD成线性关系，直线斜率为1/rD；当二极管外加正向电压小于Uon时，二极管截止，反向电流为零。 (4) 微变信号模型: 如果在二极管电路中，除直流信号外，还有微变信号，则对微变信
号可将二极管等效成一个电阻rd，其值与静态工作点有关，即DQTd/IUr。 6．半导体二极管的应用 (1) 限幅：利用二极管的单向导电性将输出信号幅度限定在一定的范围内，亦即当输入电压超过或低于某一参考值后，输出电压将被限制在某一电平（称作限幅电平），且再不随输入电压变化。 (2) 整流：正弦交流电压变换为单向脉动电压。
1.2.3 特殊二极管 1．稳压二极管 (1) 稳压原理 稳压管是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管。利用PN结的反向击穿特性来实现稳定电压的，正常使用时工作在反向击穿状态。当反向电压达到击穿电压UZ后，流过管子的反向电流会急剧增加，即使通过稳压管的反向电流在较大范围内变化，管子两端的反向击穿电压几乎不变，表现出很好的稳压特性。 (2) 主要参数 稳压管的主要参数有：稳定电压UZ，稳定电流IZ，最大耗散功率PCM和最大工作电流IZmax，动态电阻rz和稳定电压的温度系数α。 (3) 稳压电路 稳压管正常稳压必须满足两个条件：一是必须工作在反向击穿状态（利用正向特性稳压除外）；二是流过稳压管的电流要在最小稳定电流IZmin和最大稳定电流IZmax之间。 2. 其它特殊二极管 发光二极管：通以电流时，能发出光来。 光电二极管：将光能转换成电能，它的反向电流与光照强度成正比。 变容二极管：结电容的大小能灵敏地随反向偏压而变化。 自测题 判断下列说法是否正确，用“√”和“”表示判断结果填入空内 1. 半导体中的空穴是带正电的离子。（ ） 2. 温度升高后，本征半导体内自由电子和空穴数目都增多，且增量相等。（ ） 3. 因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（ ） 4. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ） 5. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。（ ） 选择填空 1. N型半导体中多数载流子是 A ；P型半导体中多数载流子是 B 。 A．自由电子 B．空穴 2. N型半导体 C ；P型半导体 C 。 A．带正电 B．带负电 C．呈电中性 3. 在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于 B ，而少子的浓度则受 A 的影响很大。 A．温度 B．掺杂浓度 C．掺杂工艺 D．晶体缺陷 4. PN结中扩散电流方向是 A ；漂移电流方向是 B 。 A．从P区到N区 B．从N区到P区 5. 当PN结未加外部电压时，扩散电流 C 飘移电流。 A．大于 B．小于 C．等于 6. 当PN结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当PN结外加反向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。 A．大于 B．小于 C．等于 D．变宽 E．变窄 F．不变 7. 二极管的正向电阻 B ，反向电阻 A 。 A．大 B．小 8. 当温度升高时，二极管的正向电压 B ，反向电流 A 。 A．增大 B．减小 C．基本不变 9. 稳压管的稳压区是其工作在 C 状态。 A．正向导通 B．反向截止 C．反向击穿 有A、B、C三个二极管，测得它们的反向电流分别是2A、0.5A、5A；在外加相同的正向电压时，电流分别为10mA、 30mA、15mA。比较而言，哪个管子的性能最好？ 试求图所示各电路的输出电压值UO，设二极管的性能理想。
5VVD
+3kΩUO VD7V5V+3kΩUO 5V1VVD+
3kΩ
UO
（a） （b） （c） 10V 5VVD3kΩ
+
._OU2kΩ6V9VVDVD+123kΩUOVDVD5V7V+
12
3kΩ
UO
（d） （e） （f） 图 在图所示电路中，已知输入电压ui=5sint（V），设二极管的导通电压Uon=。分别画出它们的输出电压波形和传输特性曲线uo=f（ui）。
3kΩVDVD12++uuio3kΩ
VD++uuio3kΩVD++
uuio
+++
UVDU
VD
+U
VD1U
VD2
（a） （b） （c） 图 有两个硅稳压管，VDZ1、VDZ2的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为，稳定电流是5mA。求图各个电路的输出电压UO。
20V+2kΩUOVDVDz1z2 20V+UOVDVDz1z22kΩ 20V+UO
VD
VDz1
z2
2kΩ
（a） （b） （c） 20V+UOVDVDz1z22kΩ 20V+UOVDVDz1z22kΩ 20V+UO
VDVDz1z2
2kΩ
（d） （e） （f） 图 1.7 已知稳压管的稳定电压UZ=6V，最小稳定电流IZmin=5mA，最大功耗PZM=150mW。 试求图所示电路中限流电阻R的取值范围。 稳压管稳压电路如图所示，稳压管的稳定电压UZ=8V，动态电阻rz可以忽略，UI=20V。试求：⑴ UO、IO、I及IZ的值。 ⑵ 当UI降低为15V时的UO、IO、I及IZ的值。
VDZ
++
_UI=15VUO
R
_ VDZ
++
_UIU
O
RL
R
_IRI
O
IZ
2kΩ
2kΩ
图 图