MEMS压力传感器综述
mems压阻式传感器工作原理
mems压阻式传感器工作原理
Mems压阻式传感器是一种基于微机电系统(Microelectromechanical Systems, MEMS)技术制造的压力传感器，通过测量薄膜电阻的变化来检测压力的变化。
工作原理如下：
1. 薄膜制备：在压阻式传感器的芯片上制备一层薄膜，通常使用硅材料制成。
2. 压力感应：当外部施加压力到传感器上时，薄膜会发生变形，变形程度与压力的大小成正比。
3. 电阻变化：薄膜上有一系列的电阻，这些电阻会随着薄膜的变形而发生改变。
通常，薄膜上的电阻布局为一系列细长电阻条，形成一个电桥电路。
4. 电桥电路：电桥电路是由两个电阻共享电流的分压电路。
薄膜上的电阻条为电桥电路提供输入电阻。
当薄膜发生变形时，电桥的电阻比例会发生变化，从而改变了电桥的电压输出。
5. 信号处理：电桥的电压输出信号经过相关的放大和滤波电路进行处理，并转换成数字信号。
6. 压力测量：通过测量电桥输出信号的变化，可以判断外部压力的大小和变化。
Mems压阻式传感器因其小型化、高精度和低功耗等特点，在压力、重力、加速度等方面的测量中得到广泛应用。
基于MEMS技术的压力传感器设计与制造
基于MEMS技术的压力传感器设计与制造压力传感器是一种能够将压力信号转换为电信号的传感器装置。
随着科技的不断发展，MEMS（微机电系统）技术在压力传感器设计与制造领域得到了广泛应用。
本文将就基于MEMS技术的压力传感器的设计与制造进行详细介绍。
一、MEMS技术概述MEMS技术是一种将微尺度的机械和电子元件与传感器、执行器、控制电路等集成在一起的技术。
其制造工艺采用了集成电路工艺，并利用纳米级尺寸的材料和结构实现对微尺度力学和物理现象的控制与感知。
二、MEMS压力传感器的工作原理基于MEMS技术的压力传感器的工作原理是利用微米级别的材料和结构感知外界的压力变化，并将其转换为电信号。
其主要组成部件包括感压结构、微电子信号处理电路和封装结构。
感压结构通常采用微弯杆、微膜或微腔等形式，当外界施加压力时，感压结构会产生微小的形变，从而改变传感器的电阻、电容、振动频率等特性，实现对压力变化的测量。
三、基于MEMS技术的压力传感器的设计与制造过程1. 设计阶段：在设计阶段，需要根据压力传感器的要求确定设计参数，如量程范围、灵敏度、温度稳定性等。
然后，利用MEMS设计软件绘制感压结构的布局，并进行仿真分析，以验证设计的可行性。
2. 制造工艺：制造工艺是将设计图转化为实际器件的过程。
主要步骤包括材料选择、光刻、薄膜沉积、刻蚀、等离子蚀刻和封装等。
其中，光刻和薄膜沉积是关键的工艺步骤，通过光刻技术制备传感器的感压结构，通过薄膜沉积技术在传感器表面形成薄膜层，从而实现对压力的感知。
3. 测试与校准：制造完成后，需要对压力传感器进行测试和校准。
测试包括静态特性测试（如灵敏度、线性度等）和动态特性测试（如响应时间、频率响应等）。
校准是为了确保传感器的准确性和可靠性，可以通过与标准参考传感器比较，或利用专用测试设备进行校准。
4. 封装与应用：完成测试和校准后，将压力传感器封装，并根据具体应用需求进行集成与连接。
在封装过程中，需要考虑传感器的保护和防护措施，以提高其环境适应性和机械强度。
压力传感器工艺
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目录
MEMS压力传感器简介
传感器结构和工作原理
一种电容式压力传感器制造工艺
总结
/CONTENTS
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特点：体积小、重量轻、精度高、温度特性好。
添加标题
作用是将压力这个物理量转化为电量来测量。
添加标题
MEMS压力传感器就是利用MEMS技术加工制造的压力传感器。
与压阻式压力传感器相比, 电容式压力传感器具有高灵敏度、低噪声和较大的动态范围等显著的优点。
接触式电容压力传感器由硅膜片、衬底、衬底电极和绝缘层构成。
左图是没有受到压力作用的情况, 上下电极间是一个电容结构; 右图是受压力作用后硅膜片变形的情况。这时, 可以发现电极间距d 发生了相应的变化。
MEMS的制造技术主要包括两类技术：集成电路技术和微机械加工技术。这两类加工技术的基本材料都是用硅。 集成电路技术：包括光刻、扩散、氧化等。 微机械加工技术：体微机械加工技术、表面微机械加工技术、LIGA技术(利用X光深层曝光、电铸、机械加工)等。
分类： 目前的MEMS压力传感器有硅压阻式压力传感器和硅电容式压力传感器。 两者都是在硅片上生成的微机械电子传感器。
硅压阻式压力传感器 硅电容式压力传感器
传感器的制造工艺与半导体集成电路平面工艺兼容, 这就满足了传感器向智能化方向发展的要求。产生了微型传感器、执行器以及信号处理和控制电路等集成一体的MEMS器件。
一种基于MEMS的电容压力传感器主要制作工艺过程如下： 图a：清洗 图b：湿氧氧化 图c：涂胶，光刻 图d：刻蚀
图e：干氧氧化 图f：硼（B）扩散 图g：键合 图h：腐蚀
图i：干法刻蚀 图j：湿法腐蚀 图k：溅射
mems压力传感器原理及应用
mems压力传感器原理及应用一、MEMS压力传感器的基本原理MEMS压力传感器是一种微机电系统（MEMS）技术应用的传感器，它通过测量介质的压力来实现对物理量的检测。
其基本原理是利用微机电系统技术制造出微小结构，通过这些结构对介质产生的压力进行敏感检测，并将检测到的信号转换为可读取的电信号。
二、MEMS压力传感器的结构1. 敏感元件：敏感元件是MEMS压力传感器最核心的部分，它通常由微型弹性薄膜或微型悬臂梁等制成。
当介质施加在敏感元件上时，它会发生形变，从而改变其阻抗、电容、电阻等物理参数。
2. 支撑结构：支撑结构是用于支撑敏感元件和保持其稳定工作状态的部分。
通常采用硅基板或玻璃基板制成。
3. 封装壳体：封装壳体主要用于保护敏感元件和支撑结构不受外界环境影响，并提供良好的密封性和机械强度。
三、MEMS压力传感器的工作原理1. 压电式压力传感器：压电式压力传感器是利用压电效应来测量介质的压力。
当介质施加在敏感元件上时，会使得其发生形变，并产生相应的电荷，从而实现对介质压力的检测。
2. 电阻式压力传感器：电阻式压力传感器是利用敏感元件阻值随着形变程度的变化来检测介质的压力。
当介质施加在敏感元件上时，会使得其发生形变，从而改变其阻值大小。
3. 电容式压力传感器：电容式压力传感器是利用敏感元件与基板之间的微小空气间隙产生的电容值随着形变程度的变化来检测介质的压力。
当介质施加在敏感元件上时，会使得其发生形变，从而改变其与基板之间空气间隙大小。
四、MEMS压力传感器的应用1. 工业领域：MEMS压力传感器广泛应用于工业自动化、流量计量、液位控制等领域中。
2. 汽车领域：MEMS压力传感器在汽车领域的应用主要包括轮胎压力检测、制动系统控制、发动机燃油喷射等方面。
3. 医疗领域：MEMS压力传感器在医疗领域的应用主要包括血压计、呼吸机等方面。
4. 生物医学领域：MEMS压力传感器在生物医学领域的应用主要包括心脏起搏器、人工耳蜗等方面。
mems压力传感器原理
mems压力传感器原理一、MEMS压力传感器的概述MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems）是微电子机械系统的缩写，是一种微型化的电子机械系统技术。
MEMS压力传感器是利用微电子技术制造出来的一种能够测量气体或液体压力大小的传感器，具有体积小、重量轻、响应速度快等特点，在工业自动化控制、医疗仪器、汽车电子等领域得到广泛应用。
二、MEMS压力传感器的结构1. 压力敏感元件MEMS压力传感器最重要的部分是压力敏感元件，它通常由硅晶片制成。
硅晶片上有许多微小的结构，如薄膜、梁等，这些结构可以随着外部压力变化而产生形变，并将形变转换为电信号输出。
2. 支撑结构支撑结构通常由玻璃或陶瓷等材料制成，它可以保持硅晶片在正常工作时不受外界干扰和损坏。
3. 信号处理电路信号处理电路主要包括放大器和滤波器等组件，用于将从压力敏感元件输出的微弱信号放大并滤波，以便进行后续处理和分析。
三、MEMS压力传感器的工作原理MEMS压力传感器的工作原理基于压阻效应和电容效应。
1. 压阻效应当外界气体或液体压力作用在硅晶片上时，硅晶片会发生形变。
由于硅晶片具有特殊的电阻率，其电阻值会随着形变而发生变化。
因此，通过测量硅晶片的电阻值变化可以得到外界压力大小。
2. 电容效应MEMS压力传感器还可以利用电容效应来测量外界压力大小。
当外界气体或液体压力作用在硅晶片上时，硅晶片与支撑结构之间的距离会发生微小变化。
这种微小变化会导致硅晶片与支撑结构之间的电容值发生变化。
因此，通过测量硅晶片与支撑结构之间的电容值变化可以得到外界压力大小。
四、MEMS压力传感器的优缺点1. 优点（1）体积小、重量轻：MEMS压力传感器体积小、重量轻，可以方便的集成到各种设备中。
（2）响应速度快：MEMS压力传感器响应速度快，可以实现实时监测和控制。
（3）精度高：MEMS压力传感器具有较高的精度和稳定性。
2. 缺点（1）受温度影响大：MEMS压力传感器对温度变化比较敏感，需要进行温度补偿。
mems压力传感器原理
mems压力传感器原理1. 引言在现代科技发展的浪潮下，MEMS（Microelectromechanical Systems）技术被广泛应用在各个领域中，其中包括压力传感器。
本文将深入探讨MEMS压力传感器的原理，并从多个方面分析其工作机制和应用。
2. MEMS压力传感器的工作原理MEMS压力传感器是一种将机械和电气技术相结合的微纳技术，其工作原理基于微机电系统的制造工艺。
其基本流程如下：（1）传感器结构：MEMS压力传感器通常由微型膜片构成，膜片上有微小的导线或电阻，以及测量腔室与被测介质连接的微小孔隙。
（2）工作方式：当外界施加压力到传感器表面时，传感器膜片会发生微小变形，从而导致电阻或导线产生相应的变化。
（3）信号读取：通过连接到传感器的电路，可以读取并转换电阻或导线的变化成为压力值。
这样就可以实时监测、记录和分析压力变化。
3. MEMS压力传感器的特点与优势MEMS压力传感器具有以下特点和优势，使其成为许多领域中的理想选择：（1）微小化：由于MEMS技术的特性，该传感器可以制造得极小，适用于空间受限的应用场景。
（2）灵敏度与可靠性：传感器的微小尺寸使其对微小压力变化非常敏感，同时具备较高的可靠性和重复性。
（3）低功耗：MEMS压力传感器的制造工艺和电路设计使其具有低功耗特性，适用于便携式和无线传感器网络等应用。
（4）成本效益：相比于传统的压力传感器，MEMS压力传感器的制造成本较低，可以用于大规模生产。
4. MEMS压力传感器的应用领域由于其特点和优势，MEMS压力传感器在各个领域中得到了广泛应用，包括但不限于以下几个方面：（1）工业领域：用于工业控制和监测中，例如汽车制造、航天航空、石油化工等。
（2）医疗领域：用于医疗设备中，例如呼吸机、血压计、人工心脏等。
（3）环境领域：用于气象观测、水质检测、气体监测等环境相关应用。
（4）消费电子领域：用于智能手机、平板电脑、智能手表等便携式设备中。
MEMS压力传感器分析
MEMS压力传感器名词解释：MEMS：Micro-Electro Mechanical System，微型电子机械系统或微机电系统，是利用半导体集成电路加工和超精密机械加工等多种技术，并应用现代信息技术制作而成的微型器件或系统。
半导体集成电路：一种通过一定工艺把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，具备所需电路功能的微型电子器件或部件。
晶圆：硅半导体集成电路或 MEMS 器件和芯片制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。
单晶硅：硅的一种形态，具有完整的点阵结构且晶体内原子都是呈周期性规则排列的硅晶体，是 MEMS 的主要材料。
多晶硅：硅的一种形态，晶体内各局部区域里原子呈周期性排列，但不同局部区域之间的原子排列无序，在MEMS 中多用于结构层和电极导电层。
二氧化硅：硅的一种氧化物，一般指通过热氧化和沉积等方法制作而成的薄膜材料，在MEMS 中多用于绝缘层、掩膜和牺牲层。
惠斯顿电桥：由四个电阻组成的电桥电路，是一种可利用电阻变化来测量外部物理量变化的电路器件设计。
压电效应：某些电介质受到外部机械力作用而变形时，电介质材料内部产生极化并产生正负相反的电荷的现象。
EDA：Electronic Design Automation，电子设计自动化，指以计算机为工作平台，融合应用电子技术、计算机技术、信息处理及智能化技术，完成电子产品的自动设计。
封装：集成电路和 MEMS 的安装、固定、密封工艺过程，具有实现集成电路、MEMS 管脚与外部电路的连接，并防止外界杂质腐蚀电路的作用。
PCB：Printed Circuit Board，印制电路板，是组装电子产品各电子元器件用的基板，是在通用基材上按预定设计形成点间连接及印制元件的印制板。
温漂：温度漂移，指环境温度变化造成半导体集成电路、MEMS 等器件性能参数变化，导致器件参数不稳定甚至无法工作的现象。
MEMS压力传感器综述
MEMS压力传感器综述
一．引言
压力传感器是一种常用的检测装置，可以测量多种形式的压力，如气压、液压和热压等，从而方便地进行检测和控制。
由于压力传感器具有快速、精确和稳定的性能，因此被广泛应用于工业、医疗、能源、交通等领域。
随着微机械电子技术的发展和成熟，MEMS压力传感器（Micro
Electro Mechanical Systems）已经成为当今世界上最新的技术，它具有
机械与电子结合、体积小、重量轻、耐热性高等优点，可以将物理变化的
信号转换为电子信号，从而实现远程测量和控制。
本文将综述MEMS压力
传感器的工作原理，类型以及应用，为工程师在选择压力传感器提供一定
参考。
二．MEMS压力传感器的工作原理
MEMS压力传感器是基于MEMS技术（Micro Electro Mechanical Systems）的一种传感器，它是一种将物理变化转换为电子信号的装置，
其内部有一个小尺寸的机械结构，这个结构是由薄膜、微型机械组件和电
子元件组成的。
当外界力作用于MEMS压力传感器时，机械结构上的膜片
会发生相应形变，该形变信号被电子元件转换为可用的电子信号，从而实
现远程检测和控制。
MEMS压力传感器可以实现高灵敏性，可以快速反应
压力变化，在具有防震和防抖动的环境中可以给出准确和稳定的信号输出，工作电压也较低，可以使用多种参数输出。
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图 2.1 硅片上的氧化层
干法制膜结构致密，均匀性好，作为掩蔽层和钝化层效果好，且不会产生浮胶现象，但二 氧化硅生长速度慢。湿法制膜生长速度较快，掩蔽能力和钝化效果可以满足一般器件的要求， 但二氧化硅层结构比较疏松，容易产生浮胶 在制作时采用干湿氧交替氧化法生长二氧化硅：10min 干法+40min 湿法+10min 干法。氧 化过程中要及时观测氧气流量,以便及时调整。 工艺改进及发展。含氯氧化，高压氧化以及惰性气体稀释。 2.1.2 PECVD 制备氮化硅薄膜 等离子增强化学气相淀积是将化学反应与射频辉光放电技术相结合,近些年来迅速发展起 来的一种旨在代替其它一些 CVD(如 LPCVD 等) 的一种新方法。工艺要求温度低、淀积的速率 高、反应气体比较简单,被广泛应用。 影响氮化硅薄膜制备的关键因素：温度（350℃~400℃） 、气体流量配比：氮化硅相对于理 论值（总气体体积的 1/5）为过量、反应压强、射频功率
1.2 MEMS 压阻式压力传感器的主要性能参数
灵敏度和线性度是其中两个重要的性能指标，其影响因素主要有： 1) 膜片的厚度和尺寸，压力传感器的灵敏度最大值由膜片厚度和面积决定。弹性膜片越薄、 平面尺寸越大，输出的灵敏度越大。当膜片为平膜时，薄膜形状为正方形时传感器的灵敏 度最大。 2) 电阻形状，增加垂直压敏电阻的条数，可提高灵敏度，线性度降低；另外面积越大时，灵 敏度越高，而线性度越低。
1 基本原理
MEMS 压力传感器主要分为电容型、压阻型，压电式，金属应变式，光纤式等。其中应 用最为广泛， 技术最为成熟的是硅压阻式压力传感器和硅电容式压力传感器， 两者都是在硅片 上生成的微机电传感器。
1.1 压阻式压力传感器基本原理
图 1.1 惠斯登电桥电路图
图 1.2 硅压阻式压力传感器结构简图
2.5 键合技术
MEMS 封装技术是 MEMS 工艺中的关键性技术，而键合技术则是 MEMS 封装中的关键技
术。 硅片键合技术是指通过化学和物理作用将硅片与硅片、硅片与玻璃或其它材料紧密地结合 起来的方法。其中阳极键合技术是目前较为先进的键合技术。 2.5.1 硅-硅直接键合 两硅片通过高温处理可以直接键合在一起，不需要任何粘结剂和外加电场，工艺简单。 主要工艺流程： （1）将两抛光硅片先经含 HF 的溶液浸泡处理； （2）在室温下将两硅片抛光面贴合在一起； （3） 贴合好的硅片在氧气或氮气环境中经数小时的高温处理， 这样就 合。 技术关键： （1）在键合前对硅片进行表面处理，使其表面吸附是至关重要的；
压阻式压力传感器的基本原理如图 1.1 所示，惠斯登全桥电路。
R1 R4 R2 R3
B,E 间电势差 UBE=0，电路无电压输出；
R1 R4 R2 R3
B,E 间电势差 UBE 不为零。根据此电路特性，将 R1,R2,R3,R4 制成为高精密半导体电阻应变片， 利用其半导体的压阻效应， 将压力造成的机械形变转化为电阻本身的阻值变化，进而改变电路 中的电势差 UBE，以此来测量出压力大小。图 1.2 为硅压阻式压力传感器结构示意图。中间紫 色部分是硅杯， 具有圆形的应力杯硅薄膜内壁，通常将惠斯登电桥刻蚀正在其表面应力最大处 刻成惠斯登测量电桥；上下玻璃体，上部为真空腔，形成绝压压力传感器。压力施加于下部， 令硅杯发生形变，从而采集压力信息。
功耗以及微型化带来了挑战。 电容式压力传感器 灵敏度高,适宜于进行微压测量；功耗低,电阻 是完全的耗能元件,而电容是储能元件；输出的重复性和长期稳定性好；微型化变的相对简单。 但其电容变化与施加压力成非线性关系；硅微结构导致感测电容非常小, 电容的变化量更小； 传感器的动态范围受到了初始电容的限制。
2 相关重要工艺技术
微机电压力传感器在制作过程中运用了大量且复杂的工艺技术，其中主要或关键的工艺 有：硅片清洗技术、薄膜制备技术、溅射技术、掺杂技术、刻蚀技术、键合技术、封装技术等。
2.1 薄膜制备技术
薄膜一直是在 MEMS 领域用得比较多的一种结构,它既可以直接用于 MEMS 器件,又可以作为 再加工母体。 2.1.1 热氧化法制作二氧化硅薄膜 热氧化法制膜技术包括干法和湿法工艺。
2.3 ICP 刻蚀技术
刻蚀技术在传统 IC 工艺以及现代微电子制造技术中都有着重要的地位。其与光刻技术配 套形成的流程工艺在 MEMS 制造中发挥了至关重要的作用。刻蚀分为干法刻蚀和湿法刻蚀两大 类 。感应藕合式等离子体刻蚀（ICP）是一种干法刻蚀技术,可实现低偏压、高密度的刻蚀。 主要优点是污染小、刻蚀均匀性、垂直度好。
（2）键合条件：a.温度；b.硅片表面的平整度；c.表面的清洁度：在超净环境中进行
形成了良好的键
2.5.2 静电键合（场助键合或阳极键合） 静电键合能够键合玻璃与金属、合金或半导体。具有要求温度低、键合界面牢固、长期稳 定性好等优点。
图 2.5 阳极键合示意图
静电键合的优势包括键合界面牢固、稳定；机械强度高、热稳定和化学稳定性好；静电键 合失败后的玻璃可施加反向电 压再次用于静电键合。 影响静电键合的因素： （1）静电键合材料的热膨胀系数要近似匹配； （2）阳极的形状： a.点接触电极：键合界面不会产生孔隙 b.平行板电极：键合界面将有部分孔隙，键合的速率快 （3）表面平整度和清洁度，键合压力适中 （4）电压上、下限，温度 （5）硅上的氧化层厚度一般要小于 1μm
表 2.1 两种掺杂技术对比
扩散 环境条件 破损 集中掺杂控制 掺杂深度控制 掺杂密度范围 封装 高温、孵化 无 一般 好 受限于固体溶解性 困难
离子注入 室温、真空、孵化 较大、需要退火 极好 较差 10^11~10^16/cm^2 光致抗蚀剂、硬膜封装
通过上表对比， 可以发现离子注入是制备压阻材料的最佳方法。离子注入的优点是该技术 可以精确地控制掺杂浓度和深度。缺点是晶格缺陷大，需要掺杂激活退火工艺。扩散具有批量 制造的优点，但在控制掺杂浓度和深度方面较差。
2.2 溅射技术
溅射是一种纯物理工艺， 它应用辉光放电从靶上移走材料，向硅片表面扩散并被收集在表 面。是一种较新的，高技术含量的高效制膜技术。
图 2.2 平行板溅射系统简图
图 2.3 溅射模型
影响薄膜电阻相关特性的关键因素： 1) 薄膜的材料 2) 控制两极间的距离 3) 电场强度 4) 材料靶位置 5) 溅射沉积时间 同时还需控制束能量、束密度和沉积厚度等相关参数，从而控制薄膜的生长速度、质量和 厚度。 利用溅射方法制备薄膜具有可控制薄膜材料各元素组分、 可降低制备时衬底温度、 成膜质量高、 针孔少、附着力强，制成传感器的蠕变小、稳定性好等优越性。
1.4 硅电容压力传感器芯体设计的原则
利用差动电容变极间距原理， 其灵敏度比单电容原理提高， 且有利于线性指标的极大改善。
图 1.7 差动电容原理图
硅膜结构采用 E 型结构，即膜片中心具有硬芯，可进一步提高压力传感器的线性。 芯体设计尽量采用对称结构，有利于压力传感器性能稳定，有利于芯体工艺的可操作性。 上述设计原则，对制备工艺提出高要求有了理论依据。 总体上，压阻式压力传感器通常通过成熟的体工艺或者面工艺制造,制造过程较为简单； 有较大的增益,输入与输出之间存在着较好的线性关系。 通过惠斯登电桥将信号引出, 有较低的 输出阻抗。 但其对温度的线性依赖使得传感器必须实行温度补偿； 压敏电阻给传感器的灵敏度、
3 新材料应用与发展
科学的发展对传感器的要求越来越高，因而人们开始将一些性能更优秀的材料应用到了 MEMS 压力传感器的研制中。如 SOI（绝缘体上硅） 、SiC（碳化硅）以及氧化铝陶瓷等材料被 更广泛地应用于 MEMS 高温压力传感器的研制中。
关键词：MEMS；压力传感器；压阻式；高温传感器
压力传感器的发展自 20 世纪 40 年代便已开始，其发展过程大致分为四个阶段。发明阶段 （1945 - 1960 年） ，以 1947 年双极性晶体管的发明为标志。史密斯（C.S. Smith） 于 1945 发 现了硅与锗的压阻效应并依据此原理制成的压力传感器。此阶段最小尺寸大约为 1cm。技术发 展阶段（1960 - 1970 年） ，硅扩散技术发展、制成凹形硅弹性膜片，称为硅杯。体积小、重量 轻、灵敏度高、稳定性好、成本低、便于集成化的优点为商业化发展提供了可能。商业化集成 加工阶段（1970 - 1980 年） ，硅各向异性腐蚀技术：自动控制硅膜厚度。可在多个表面同时进 行腐蚀，数千个硅压力膜可同时生产，实现了集成化的工厂加工模式，成本进一步降低。微机 械加工阶段（1980 年-至今） ，纳米技术——使得微机械加工工艺成为可能。计算机控制—— 线度微米级结构型压力传感器。蚀刻微米级的沟、条、膜，使得压力传感器进入了微米阶段。 个人认为，MEMS 压力传的发展将进入下一个全球互联阶段，目前全球有数以亿计的传感器， 就像互联网将数以亿计的人类联系在一起一般， 传感器也将有一个物联网生态系统将它们联系 在一起，并且还会建立全球 MEMS 传感器统一标准，一次来维护和管理这个传感器系统。压 力传感器是目前传感器家族中最庞大的一支，因而这一阶段对其的意义不言而喻。
2.4 掺杂技术
掺杂技术——硅晶片上实现压阻制备的技术。扩散和离子注入是两种主要的掺杂技术。扩 散技术，在高温条件下,杂质离子具有一定能量,由高浓度区向低浓度区迁移,其目的是为了控 制杂质浓度和均匀性,降低生产成本,大批量生产微器件。 包括气态扩散、 液态扩散、 固态扩散。 离子注入，可以很好地控制掺杂剂量。掺杂离子被加速到高能状态并被注入基底。一个主要缺 点是注入时会在路径上对晶体结构产生大量破坏，制造大量缺陷。注入后需要进行高温激活和 退火弥补晶格的有序性。
图 2.4 ICP 刻蚀系统结构图
如图 2.4 所示，ICP 的主要工作流程，首先反应室高真空状态，通入刻蚀所需气体；电极 加压产生辉光放电现象达到等离子状态；产生的等离子体轰击硅片且与硅片发生反应，生成可 挥发气态物质由真空系统从反应室抽走，达到刻蚀的目的。 影响 ICP 刻蚀效率的主要因素有气体流量、上下电极功率、刻蚀时间、气体流量等因素。