电子线路1课后习题答案
《电子线路（I ）》 董尚斌编 课后习题（1到7章）
第1章
1-1 本征半导体与杂质半导体有什么区别？
解：本征半导体是纯净的，没有掺杂的半导体，本征半导体的导电性能较差，在温度为0K 时，半导体中没有载流子，它相当于绝缘体。在室温的情况下，由本征激发产生自由电子—空穴对，并达到某一热平衡值，本征载流子浓度kT
E i g e
T A n 22
300-=与温度有关。
杂质半导体是在本征硅或本征锗中掺入杂质得到的，若掺入5价元素的杂质可得到N 型半导体，N 半导体中的多子为自由电子，少子为空穴，由于掺入微量的杂质其导电性能得到了极大的改善，其电导率是本征半导体的好几个数量级。在杂质半导体中，多子的浓度取决于杂质的浓度，而少子的浓度与2
i n 或正比，即与温度有很大的关系。若掺入3价元素的杂质可得到P 型半导体。
1-2 试解释空穴的作用，它与正离子有什么不同？
解：空穴的导电实际上是价电子导电，在半导体中把它用空穴来表示，它带正电是运载电流的基本粒子，在半导体中，施主杂质电离后，它为半导体提供了一个自由电子，自身带正电，成为正离子，但由于它被固定在晶格中，是不能移动的。
1-3 半导体中的漂移电流与扩散电流的区别是什么？ 解：漂移电流是在电场力的作用下载流子定向运动而形成的电流，扩散电流是由于浓度差而引起的载流子的定向运动而形成的电流
1-4 在PN 结两端加反向偏压时，为什么反向电流几乎与反向电压无关？
解：PN 结加反偏电压，外加电场与内电场方向相同,PN 结变宽，外加电压全部降落在PN 结上，而不能作用于P 区和N 区将少数载流子吸引过来。漂移大于扩散，由于在P 区及N 区中少子的浓度一定，因而反向电流与反偏电压无关。
1-5 将一个二极管看作一个电阻，它和一般由导体构成的电阻有何区别？
解：将二极管看作一个电阻，其明显的特点是非线性特性。而一般由导体构成的电阻，在有限的电压、电流范围内，基本上是线性的。
（1） 二极管的正反向电阻，其数值相差悬殊。正向电阻很小，而反向电阻很大。 （2） 二极管具有负温度系数，而导体构成的电阻具有正温度系数。
1-6 在用万用表的电阻档测二极管的正向电阻时，发现R ?10档测出的阻值小，而用R ?100档测出的阻值大，为什么？
解：万用表测量电阻时，实际上是将流过电表的电流换算为电阻值刻在表盘上，当流过电表的电流大时，指示的电阻小，测量时，流过电表的电流由万用表的内阻和二极管的等效直流电阻之和联合决定。
通常万用表欧姆档的电池电压为1.5V ，R ×10档时，表头满量程为100μA ，万用表的
内阻为S R '＝150Ω，R ×100档时万用表的内阻为Ω='=150010S S R R 。用万用表测二极管
所构成的电路如题图1-6（a ）所示，图中虚线框内所示电路为万用表的等效电路。由图可得
管子两端的电压V 和电流I 之间有下列关系：
R ×10档： S
R I V '-=5.1 R ×100档： S
S R I IR V '-=-=105.15.1
这两个方程式在V-I 坐标系中均为直线，如图（b ）所示；从二极管本身的特性看，管子的
电压和电流应满足特性曲线所表示的规律。因此，同时受这两种关系约束的电压和电流必定在特性曲线与直流负载线的交点上。用R ×10档测量时，交于图中A 点，万用表读数为V 1／I 1；用R ×100档测时，交于图中B 点，万用表读数为V 2／I 2。显然前者的阻值较小，而后者的阻值大。
1-18 在300K 下，一个锗晶体中的施主原子数等于2×1014cm －
3，受主原子数等于3
×1014cm －
3。
（1）试求这块晶体中的自由电子与空穴浓度。由此判断它是N 型还是P 型锗？它的电功能主要是由电子还是由空穴来体现？
［提示］ 若N a ＝受主原子（负离子）浓度，
N d ＝施主原子（正离子）浓度，
则根据电中性原理，可得
p N n N d a +=+
又 2i n np =
（300K 下，锗的n i ＝2.4×1013cm －
3） 由上二式可求出n 、p 之值。
（2）若 N a ＝N d ＝1015cm －
3，重做上述内容。
（3）若 N d ＝1016cm －3，N a ＝1014cm －
3，重做上述内容。
解：（1）由2i n np =与n ＋N a ＝P ＋N d 可得0)(2
2=--+i a d n p N N p 解之得 ????
??+-±--=
2
24)()(21i a d a d n N N N N p
由于p ＞0，故上式根号前应取“＋”号，已知
n i ＝2.4×1013cm －
3，N a ＝3×1014cm －
3， N d ＝2×1014cm －3
代入上式得
[]
3
142132
1414
10055.1)104.2(410)32(10)32(21-?=??
???
??+?-+?--=
cm p
n ＝p ＋（N d －N a ）＝1.055×1014＋（2－3）×1014＝5.5×1012cm
－3
由此可知 n ＜p 因而是P 型锗。
（2）由于 N a ＝N d ，因而由n ＋N a ＝p ＋N d 得
n ＝p ＝n i ＝2.4×1013cm －
3 这是本征锗。
（3）由于N a ＜＜N d ，因而可得n ＞＞p n ≈N d =1016cm －
3
3
1016
2132
1076.510
)104.2(-?=?==cm n n p i n ＞＞p ，故为N 型锗。 1-20 若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在T ＝300K 时自由电子和空穴
热平衡浓度值，掺杂前后半导体的电导率之比。
解： T ＝300K 时，n 0≈N d ＝（4.96×1022／105）cm －3＝4.96×1017cm －
3＞＞n i ＝1.5×1010cm －
3
则 3202
01053.4-?≈=cm n n p i
本征半导体电导率 σ本＝（μn ＋μp ）n i q ＝5.04×10－
6S/cm 杂质半导体电导率 σ杂≈μn n 0q ＝119S/cm
因此 σ杂／σ本＝238×105 1-21 在室温（300K ）情况下，若二极管的反向饱和电流为1nA ，问它的正向电流为0.5mA 时应加多大的电压。设二极管的指数模型为)1(-=T
D m V S D e
I i υ,其中m ＝1，V T ＝26mV 。
解：将1115.0＞＞ ，，，T
D
V S D e
nA I m mA i υ===代入公式得
S
D
T D S D V I i V I i e T D ln
=?=υυ V I i V S
D
T D 34.0ln
≈=υ 1-25 二极管的正向伏安特性曲线如题图1-25所示，室温下测得二极管中的电流为20mA ，试确定二极管的静态直流电阻R D 和动态电阻r d 的大小。
解：（1-25）
从图中可见，I DQ =20mA 、V DQ =0.67V ，所以静态直流电阻R D 为
Ω=?=
=
-5.3310
2067
.03
DQ
DQ D I V R 从图中可见，mA I D 201030=-=?，因而在静态工作点处其交流电阻为
Ω==?=
3.120
26
D T d I V r 1-26 由理想二极管组成的电路如题图1-26所示，试求图中标注的电压V 和电流I 的大小。
解：在图（a ）电路中D 2管优先导通，输出端电压=＋3V ，D 1截止，通过1k Ω电阻的电流I=8mA ；
题图1-26（b ）的变形电路如右图所示，从图中可见：假定D 1截止D 2导通，则输出端的电压()()V 33.3101010
51010+=-+?+--=
；由于D 2是理想二极管，则A 点电压也为＋3.33V ，显然，假定D 1截止是错误的。
若D 1导通，A 点电压为零，则输出端电压也为零V ＝0，则通过D 1的电流为
()mA I 110
100510=---=
1-27 二极管电路如题图1-27所示，判断图中二极管是导通还是截止状态，并确定输
出电压V o 。设二极管的导通压降为0.7V 。
解： 判断二极管在电路中的工作状态，常用的方法是：首先假设将要判断的二极管断开（图中A 、B 两点之间断开），然后求该二极管阳极与阴极之间承受的电压。如果该电压大于导通电压，则说明该二极管处于正向偏置而导通，两端的实际电压为二极管的导通压降；
如果该电压小于导通电压，则二极管处于反向偏置而截止。在判断过程中，如果电路中出现两个以上二极管承受大小不相等的正向电压，则应判定承受正向电压较大者优先导通，其两端电压为导通电压降，然后再用上述方法判断其余二极管的状态，具体分析如下：
①在图题1-27（a ）中，首先将二极管D 断开，求二极管两端将承受的电压V AB ＝V A
－V B ＝－5V －（－10V ）＝5V 。显然，二极管接入以后处于正向偏置，工作在导通状态。如果设二极管是理想器件，正向导通压降V D ＝0V ，则输出电压V O ＝V A －V D ＝－5V 。若考虑二极管的正向压降V D(on)＝0.7V ，则输出电压V O ＝V A －V (on)D ＝－5V －0.7V ＝－5.7V 。
②在图题1-27（b ）中，断开二极管V D ,有V AB ＝V A －V B ＝－10V －（－5V ）＝－5V 。可见，二极管V D 接入以后，将承受反向电压，D 处于截止状态（相当于断开），电路中电流等于零（设反向饱和电流为零），R 上的电压降等于零，故V O ＝V B ＝－5V 。
③在图题1-27（c ）中，首先将D 1和D 2断开，求两管将承受的电压为： V D1： V B1A =V B1－V A ＝0V －（－9V ）＝9V
V D2： V B2A ＝V B2－V A ＝－12V －（－9V ）＝－3V 二极管接入以后，V D1因正偏处于导通，则 V O ＝V A ＝V B1－V VD1＝0V －0.7V ＝－0.7V
而V B2A ＝－12V －（－0.7V ）＝－11.3V ，所以，V D2因反偏处于截止状态。 ④在图题1-27（d ）中，首先将V D1和V D2断开，求得两管将承受的电压。 V D1： V AB1＝V A －V B1＝15V －0V ＝15V
V D2： V AB2＝V A －V B2＝15V －（－10V ）＝25V 二极管接入以后，因V D2承受的正向电压较V D1高，优先导通；使A 点的电位V A ＝V B2
＋V D2（on ）＝－10V ＋0.7V ＝－9.3V 。D 1因承受电压而截止。故
V O ＝V A ＝－9.3V
1-28 题图1-28所示电路中稳压管的稳压值为6V ，稳定电流
为10mA ，额定功率为200mW ，试问
（1）当电源电压在18V ~ 30V 范围内变化时，输出V o 是多少？稳压管是否安全？
（2）若将电源电压改为5V ，电压V o 是多少？
（3）要使稳压管起稳压作用，电源电压的大小应满足什么条件？
解：由于稳压管的额定功率为200mW ，而V Z 为6V ，则通过稳压管的最大允许电流为
mA I Z 3.336
200
max ==
（1）当电源电压在18～30V 范围内变化时，输出电压V o ＝6，而通过稳压管的电流I Z 为mA I Z 241016
303
=?-=
＜max Z I ，所以稳压管是安全的。
（2）若电源电压改为5V ，电压V o ＝5V （不稳压）。 （3）V V V V I I 3.3916103.3310
1610103
3
3
＜＜＜＜
???-?-- 1-29 题图1-29中给出实测双极型三极管各个电极的对地电位，试判定这些三极管是否处于正常工作状态？如果不正常，是短路还是断路？如果正常，是工作于放大状态，截止状态还是饱和状态？
解：三极管的三种工作状态的偏置特点为：
放大状态——发射结正偏、集电结反偏；饱和状态——发射结正偏、集电结正偏；截
止状态——发射结反偏、集电结反偏。正偏时三极管的发射结电压为：硅管0.7V 、锗管0.3V 。若违反以上特点，则考虑管子是否损坏。
综合分析后得： （a ）放大状态；（b ）发射结断路；（c ）放大状态；（d ）发射结短路；（e ）截止状态；（f ）饱和状态；（g ）发射结断路；（h ）放大状态。
1-32 已知电路如题图1-32所示，试判断下列两种情况下电路中三极管的状态：
（1）V
CC =15V R b ＝390k Ω R c ＝3.1k Ω β＝100 （2）V CC ＝18V R b ＝310k Ω R c ＝4.7k Ω β＝100 解：（1）
A R V V I b
BEQ
CC BQ μ7.3610
3907
.0153
≈?-=
-=
mA I I BQ CQ 67.3107.361006=??==-β V R I V V c CQ CC CEQ 6.34.1115=-=-=
因为V CEQ ＞1V ，所以T 处于放大状态 （2）
假设放大管处于饱和状态，令V
CES ≈0 则
mA R V V I c
CES
CC CS 83.3≈-=
A I I CS
BS μβ
3.38==
BS B I A I ＞μ8.5510
3107
.0183
≈?-=
所以T 处于饱和状态。
1-34 某三极管的输出特性曲线如题图1-34所示，从图中确定该管的主要参数：I CE0、P CM 、V （BR ）CE0,β（在V CE ＝10V ，I C ＝4mA 附近）。
答案：I CE0＝0.2mA ；P CM ＝40mW ；V CE0=25V ；β＝50
1-36 若测得某半导体三极管在I B ＝20μA 时，I C ＝2mA ；I B ＝60μA 时，I C ＝5.4mA ，试求此管的β、I CE0及I CB0各为多少？
解：根据三极管电流分配关系I c ＝βI B ＋I CE0和已知条件，有 2000μA ＝20·β＋I CE0
5400μA ＝60·β＋I CE0
由此解得 β＝85 I CE0＝300μA
又 I CE0＝（1＋β）I CB0,所以 I CB0≈3.5μA 1-38 已知半导体三极管静态工作点电流I CQ =2mA ，β＝80，|V A |＝100V ， 0='b b r ，试画出器件的混合π型等效电路，并求其参数e b r '、g m 和r ce 值。
解： 混合π型等效电路如图所示。 由于9876.01=+=
β
β
a ，则I EQ ＝I CQ ／α＝2.025mA
因此Ω=+='1040)1(EQ T
e b I V r β，mS r g e b m 77=='β，Ω==k I V r CQ
A ce 50
1-42 N 沟道JFET 的输出特性如题图1-42所示。漏源电压的V DS ＝15V ，试确定其饱
和漏电流I DSS 和夹断电压V P 。并计算V GS ＝－2V 时的跨导g m 。
解：由图可得：饱和漏电流I DSS ≈4mA ，夹断电
压V P ≈－4V ，V GS ＝－2V 时，用作图法求得跨导近似为：mS i g GS D m )
2(14
.16.2----≈≈
υ△△＝1.2mS
第2章
2-1 什么叫放大器？试述题图2-1放大电路中各元件的作用？
2-2 根据放大电路的组成原则，判断题图2-2所示各电路能否正常放大。
题图2-2
解答：图（a ）电源电压为负值，晶体管没有合适的工作点，电路不能正常放大；
图（b ）电容C b 隔断了直流，晶体管处于截止状态，电路不能正常放大； 图（c ）电容C b 将输入信号短路，电路不能正常放大；
图（d ）晶体管的集电极为交流地电位，所以0=o υ，电路不能正常放大； 图（e ）晶体管处于截止状态，电路不能正常放大； 图（f ）电路有放大作用
2-3 画出题图2-3放大电路的直流通路和交流通路以及E E B B i i υυ、、、的波形图（设BE sm sm s V V t V ＜＜,sin ωυ=，
放大器处于线性状态工作，而且在工作频率下耦合电容b C 和C e 足够大，它们所呈现的阻抗很小，可视为短路）。
题图2-3 题图2-4
解：题图2-3
2-4 在题图2-4所示的电路中，已知管子的17.2,7.0,100)(-=-==CQ on BE I V V βmA r ce 不计，信号源。，Ω==k R V t s s 10)(sin 1.0ωυ设'0,bb r =试求三极管各极电压和电流值B i 、BE υ、C i 、CE υ。 解： ∵I CQ ＝－2.17mA
∴A I I CQ
BQ μβ
7.21-==
()
Ω=?=+='k I V r CQ
T
e b 21.198.111011β
)(sin 92.8A t r R i e
b s s
b μωυ=+=
'
则 i B ＝I BQ ＋i b ＝（－21.7＋8.92sin ωt ）μA
υBE ＝V BE(on)＋υbe ＝（－0.7＋0.01sin ωt ）V i C ＝I CQ ＋i C ＝（－2.17＋0.892sin ωt ）mA υCE ＝V CEQ +υo ＝（－7.66＋0.27sin ωt ）V
2-8 试用估算法确定题图2-8所示放大电路的Q 点。
已知三极管的50β=。 题图2-8
解： ()()e
b B E Q
c BQ CC BQ R R V R I V I ββ++-+-=
11
1）()()
A R R R V V I e c b BEQ
CC BQ μβ541=+++-=
2）I CQ ＝βI BQ ＝2.7mA 3）V CEQ ＝V CC －（I C ＋I B ）（R c ＋R e ）＝3.46V
2-10 设计一个如题图2-10所示的分压式偏置电路。已知V V CC 1250==，β它的静态工作点V V V V mA I BEQ CEQ CQ 7.05.41===，，。试选择R b1、R b2、R c 和R e 。
解：因为V BQ ＝（3～5）V ，这里取V BO ＝4V ， 所以 V BQ ＝V BQ －0.7V ＝3.3V
Ω=?=
≈
=
k I V I V R CQ
EQ EQ EQ e 3.310
13
.33
取标称值R e ＝3.3k Ω 又因为 A I I CQ
BQ
μβ2050
1013
=?==- 取 I 1＝（5～10）I BQ ＝（100～200）μA ，这里取I 1≈I 2＝200μA 所以 Ω=?=
=-k I V R BQ b 2010
2004
6
2
2 取标称值R b2＝20k Ω
Ω=?-=
-=
-k I V V R BQ
CC b 40102004
125
1
1
取标称值R b1＝39k Ω
Ω=?--=
--=
-k I V V V R CQ
EQ
CEQ CC c 2.410
13
.35.4123
取标称值R c ＝4.3k Ω
2-13 已知题图2-13所示放大电路中三极管的参数为Ω=='30040b b r ，β，试估算它的工作点及电压增益，如果放大器输出端外接4k Ω的负载，问这时放大器的电压增益下降到多少？
题图2-13 题图2-14
解：（1）静态工作点依据题意有 ()()V V R R R V CC b b b BQ 1.2127
.4227.4211
-=-?+=-+=
mA R V V R V I e
BEQ
BQ e EQ EQ 9.11012
.01.23
-=?+-=
-=
=
A I I EQ
BQ
μβ4642
109.113
-≈?-=+=- mA I I BQ CQ 84.110
46406
-=??-==-β
V R I R I V V e EQ c CQ CC CEQ 5.519.15.284.112-=?+?+-=---= （2）电压增益
因为
()()Ω===
68.139
.126
26mA I mV r EQ e
()2.11668
.134130010254013
001-≈?+??-=++-='e b b c r r R A ββυ
当放大器输出端外接4k Ω的负载时，由于R L ＝4k Ω，
()Ω=?+??=='k R R R C L L 538.110
45.21045.2//3
6
所以 ()46.7168
.134130010538.14013
002-=?+??-=++'-='e b b L r r R A ββυ
2-14
题图2-14所示电路，属于何种组态？若输入信号波形为正弦波，试定性画出BE E C CB i i υυ、、、及o υ的波形，并说明o υ与i υ的相位关系。
解：该电路属于共基组态
2-24 由N 沟道耗尽型场效应管组成的源极输出器电路如题图2-24，设静态值V GS ＝－
0.2V ，g m ＝1.2mA /V ，试求：
（1）静态值I D 和V DS ；
（2）电压放大倍数A υ，输入电阻R i 和输出电阻R o 。 解：（1）求静态值I D 和V DS 由该电路的直流通路可求得：
V V R R R V DD G G G G 42
12
=+=
题
又 V G －V GS ＝I D R S
所以 mA k R V V I S GS G D 42.0102
.04=Ω
+=-=
题图2-24 V DS ＝V DD －I D R S ＝15.8V
（2）计算电压放大倍数A υ，输入电阻R i 和
输出电阻R o
先画出微变等效电路如图所示 由微变等效电路可得
()()
86.0//1//1=+='+'='+'=+==L S m L S m L m L m L gs m gs L gs m o gs o i o R R g R R g R g R g R g R g A υυυυυυυυυ
R i ＝R g ＋R g1//R g2＝1M Ω＋2M Ω//500k Ω＝1.4M Ω
输出电阻R o 的求法：将输入端信号源短路，断开负载电阻R L ，输出端外加交流υo ，则υgs ＝－υo ，从而输出电阻为
Ω==+=
-=
-=
k g R g R g R I I R m
S o
m S
o
o gs
m S
o
o D
R o
o S 77.01
//
υυυυυυυ
第3章
3-3 在题图3-3所示的差分放大器中，已知υi1＝5.01V ，υi2＝4.98V ，β＝100，V BE
＝0.7V ，试求T 1和T 2管的集电极静态电流I CQ ，共模输入电压υic 和差模输入电压υid 。
解：由于mA R V V I EE
EE
BE 04.10=--=
，则mA I I I CQ CQ 52.02021=≈=
995.42
2
=+=
i ic ic υυυ
υid ＝υi1－υi2＝30mV
3-4 在题图3-4所示共发-共基组合差分放大器电路中，V B 为共基管T 3、T 4提供偏置。设超β管T 1、T 2的β1＝β2＝5000，T 3、T 4的β3＝β4＝200，设T 3、T 4管的|V A |→∞。试求差模输入电阻R id ，双端输出时的差模电压增益d A υ。 解：由于I CQ1＝I CQ2≈
25C I =13.25μA ，则()Ω=+='M I V
r CQ T e b 8.911
11β 因此 ()Ω=+='M r R R e b id 6.19211
5.23911
11331133
121-=+-≈?++?
==''''e b c e b c e b e b d r R R
r R r R r A A A ββββυυ
υ
3-6 比例式电流源电路如题图3-6所示，已知各三极管特性一致，V BE ＝0.7V ，β＝100，|V A |＝120V ，试求I C1、I C3和T 3侧的输出交流电阻R o3。
解：参考电流
mA R R V I on BE C 2604
2)(2=++-=
则 mA I R
R
I C C 13.121==
mA R R I I C C 33.33
2
2
3== 输出交流电阻 ()Ω≈??
?
??
?++++
≈'k R r R r R R r R e e b ce o 1016//12243
33
33β
其中()Ω==Ω==Ω=+='k I V r I V r I V r C A ce C T
e C T e b 36,13,78013
32233
β
3-7 题图3-7所示为有源负载差分放大
器，已知各管参数相同，V BE ＝0.7V ，β＝100， |V A |＝100V ，试画出差模交流通路和等效电路，并求差模输入电阻R id 、差模输出电阻R od 、 差模电压增益d A υ＝υ
od /υid 。
题
题图 3-7
解：1）
2）由于 mA R V I on BE C 113
)
(5=-=
则mA I I I C C 5.02021==
=，()Ω=+==='''k I V
r r r C T e b e b e b 25.511
421β 因此 Ω=='k r R e b id 5.1021
由于()Ω≈?????
?++++='k R r r r R R r R e ce e b ce o 2960//113142244
β
其中 Ω==
==k I V r r r C A ce ce ce 2001
421，Ω==
521
3C T
e I V r 因此 Ω≈=k R r R o ce od 180//42，()
7.182//2
==
'e b od L d r R R A βυ
3-9 电路如题图3-9所示，T 1与T 2管为超β管，电路具有理想的对称性。选择合适的答案填入空内。
（1）该电路采用了__________C_______________。
A 共集－共基接法
B 共集－共射接法
C 共射－共基接法 （2）电路所采用的上述接法是为了___________C_________________.
A 增大输入电阻
B 增大电流放大系数
C 展宽频带 （3）电路采用超β管能够________B________.
A 增大输入级耐压值
B 增大放大能力
C 增大带负载能力 （4）T 1与T 2管的静态管压降V CEQ 约为________
_A_
__________
A . 0.7V B. 1.4V C. 不可知
3-20 在题图3-20中，已知V CC ＝15V ，R 4＝R 5＝0.5Ω，R L ＝8Ω，三极管的饱和压降均为2V ，在输入电压足够大时，求：
（1）最大不失真输出电压的有效值V om ； （2）负载电阻R L 上的电流的最大值I L max 。 （3）最大的输出功率P omax 和效率η。 解：（1）题图3-20所示电路中，
V V R R R V V V L
C E S CC R 76.05.08
5.02
15444=?+-=
?+-=
故有
V V V V V V R CES CC om 65.8414
.176
.02152
4
≈--=
--=
（2）A A R V V V I L
R CES CC L 53.18
76
.02154
max ≈--=
--=
（3）()
()W W
R V V V
P L
R CES CC
om 36.98
276.021522
2
4
≈?--=--=
()
()%6415
476.01314.344
≈?-?=
--=
CC
R
CES CC V V V V πη
3-22 在题图3-22所示电路中，已知二极管的导通电压V D(on)＝0.7V ，三极管导通时的V BE ＝0.7V ，T 2和T 3管发射极静态电位V EQ ＝0。试问：
（1）T 1、T 3和T 5管基极的静态电位各为多少？
（2）设R 2＝10 k Ω，R 3＝100Ω。若T 1和T 3管基极的静态电流可忽略不计，则T 5管集电极静态电流约为多少？静态时υi 为多少？
（3）若静态时I B1＞I B3，则应调节哪个参数可使I B1＝I B3 ? 如何调节？
（4）电路中二极管的个数可以是1、2、3、4吗？你认为哪个最合适？为什么？
题图3-22
解：（1）在题图3-22所示电路中，V EQ ＝0，故有V B1＝V BE1＋V BE2=(0.7＋0.7)V=1.4V ，V B3＝－0.7V ，V B5＝V BE5＋（－V CC ）＝（0.7－18）V ＝－17.3V
（2）mA mA R V V I B CC C 66.110
4
.118215≈-=-=
V V B i 3.175-=≈υ
（3） 若静态时i B1＞i B3，则可以向电阻增大方向调节电阻R 3使i B1＝i B3。
（4） 在电路中采用题图3-22的方式就很好，即用两支二极管和一个小电阻相串联，因为这样可以调整小电阻的阻值以满足要求。如果采用三支二极管相串联也可以，因为晶体管T 1与T 3之间刚好有三个PN 结。
第4章
4-1 试求题图4-1所示框图的
增益i o f S S A =（或i o vf A υυ=）
。
解：对于题图4-1（a ）可列出
()[]()222112121121B A A B A A A B B A A o i o o o i ++=?=--υυυυυυ 所以，闭环增益为
2
22112
11B A A B A A A A i o f
++=
=
υυυ 对于题图4-1（b ）由A 1、B 1构成的闭环增益A f1＝
1
11
1B A A +因此，总闭环增益
2
21112
12212111B A A B A A A B A A A A S S A f f i o f ++=
?+== 对于图题4-1（c ），设A 1、A 2的净输入信号分别为1i S '、2i S '，
则 ???
??-'-=''=-'='o i i i i o o
i i S
B S B S S S A S S B S A S 3211
222112
3
2122112
11B A A B A B A A A S S A i o f +++=
=
4-2 判断题图
4-2
中的反馈放大器是什么类型的反馈电路？哪些是负反馈的？哪些是
正反馈的？标出反馈支路。并说明其特点（仅说明负反馈放大器的）。
解：图（a）电压并联负反馈，稳定输出电压，具有低输入，输出电阻。
图（b）电压串联负反馈，稳定输出电压，具有高输入电阻，低输出电阻。
图（c）电流并联负反馈，i b＝i i－i f＜i i输入电阻低，输出电阻高稳定输出电流。
图（d）电压串联正反馈。
图（e）i b＝i i＋i f＞i i，电压并联正反馈。
图（f ）电压串联负反馈，输入电阻高，输出电阻低。
图（g ）R f 、R g 引入级间电压串联负反馈（1）R f 一端接在T 3管输出端上，另一端接在差分放大器同相输入端（T 2管）上，因此R f 引入级间反馈。（2）假设输出端短路，R f 引入的反馈消失，故为电压反馈。假设输入端短路（令υid ＝0）电阻R g 上的反馈作用依然存在，故为串联反馈。（3）假设输入端υi1为＋→则υc2为＋→υe3为＋→R g 上端为＋。显然，作用在反相输入端电阻R g 上的反馈电压υf ，使差模输入电压υid 减小（υid ＝υi1－υf ），故为负反馈。
图（h ）i b ＝i i －i f ＜i i ，电压并联负反馈，稳定输出电压，输入、输出电阻低。
4-10 判断题图4-10所示电路的反馈极性和组态，估算深度负反馈条件下的电压放大倍数s o
υυ（电容的容抗很小可忽略不计）
。 解：该电路的级间反馈为: 电压并联负反馈
该电路的深度负反馈条件为 0=-=f i b i i i 若2e R 与2e
R '相交节点处的电压用o
υ'表示 有：f i i i = f o
f s s
i R i R i υυ'-=
== 其中：()()f e
e f e o o R R R R R ////222'+'='υυ 将上式代入深度负反馈条件得
4-12 由理想集成运放组成的反馈电路如题图4-12所示，请指出反馈的极性和组态，并
求出υi ＝1V 时的υo 值。
答案：电压并联负反馈，υo ＝－3V 。
()30
)(222-=''+-==
f e
s f e e f s o
f R R R R R R R A ∥∥υυ
υ
通信电子线路习题解答汇总
思考题与习题 2-1 列表比较串、并联调谐回路的异同点（通频带、选择性、相位特性、幅度特性等）。 表2.1
2-2 已知某一并联谐振回路的谐振频率f p=1MHz，要求对990kHz的干扰信号有足够的衰减，问该并联回路应如何设计？ 为了对990kHz的干扰信号有足够的衰减，回路的通频带必须小于20kHz。 取kHz B10 =， 100 10 1 = = = kHz MHz B f Q p p 2-3 试定性分析题图2-1所示电路在什么情况下呈现串联谐振或并联谐振状态？ 1 2 C2 L1 C2 1 (b) (c) 题图2-1
图（a ）：2 21 11 11 1L C L C L o ωωωωω- + - = 图（b ）：2 21 11 11 1C L C L C o ωωωωω- + - = 图（c ）：2 21 11 11 1C L C L C o ωωωωω- + - = 2-4 有一并联回路，其通频带B 过窄，在L 、C 不变的条件下，怎样能使B 增宽？ P o Q f B 2 =, 当L 、C 不变时，0f 不变。所以要使B 增宽只要P Q 减小。 而C L R Q p P =，故减小P R 就能增加带宽 2-5 信号源及负载对谐振回路有何影响，应如何减弱这种影响？ 对于串联谐振回路（如右图所示）：设没有接入信 号源内阻和负载电阻时回路本身的Q 值为o Q ，则： R L Q o o ω= 设接入信号源内阻和负载电阻的Q 为L Q 值，则： R R R R Q R R R L Q L s L + += ++= 1L s o L ω 其中R 为回路本身的损耗，R S 为信号源内阻，R L 为负载电阻。 由此看出：串联谐振回路适于R s 很小（恒压源）和R L 不大的电路，只有这样Q L 才不至于太低，保证回路有较好的选择性。 对于并联谐振电路（如下图所示）：
通信电子线路习题解答
关于《通信电子线路》课程的习题安排： 第一章习题参考答案： 1-1 1-3 解： 1-5 解： 第二章习题解答： 2-3 解： 2-4 由一并联回路，其通频带B 过窄，在L 、C 不变的条件下，怎样能使B 增宽？ 答：减小Q 值或减小并联电阻 2-5 信号源及负载对谐振回路有何影响，应该如何减弱这种影响？ 答： 1、信号源内阻及负载对串联谐振回路的影响：通常把没有接入信号源内阻和负载电阻时回路本身的Q 值叫做无载Q （空载Q 值） 如式 通常把接有信号源内阻和负载电阻时回路的Q 值叫做有载QL,如式 为空载时的品质因数 为有载时的品质因数 Q Q Q Q L L <可见 结论： 串联谐振回路通常适用于信号源内阻Rs 很小 (恒压源）和负载电阻RL 也不大的情况。 2、信号源内阻和负载电阻对并联谐振回路的影响 o o Q R L Q ==ωL S L R R R L Q ++=0ωL p s p p p p p p p 11R R R R Q Q G C LG Q L ++= ==故ωω同相变化。 与L S L R R Q 、Θ性。 较高而获得较好的选择以使也较大的情况,很大，负载电阻内阻并联谐振适用于信号源L L S Q R R ∴
2-8 回路的插入损耗是怎样引起的，应该如何减小这一损耗？ 答：由于回路有谐振电阻R p 存在，它会消耗功率因此信号源送来的功率不能全部送给负载R L ，有一部分功率被回路电导g p 所消耗了。回路本身引起的损耗称为插入损耗，用K l 表示 无损耗时的功率，若R p = ， g p = 0则为无损耗。 有损耗时的功率 插入损耗 通常在电路中我们希望Q 0大即损耗小，其中由于回路本身的L g Q 0p 01ω= ，而 L g g g Q 0L p s L )(1 ω++= 。 2-11 2-12 解： 2-13 时，电路的失调为：66.65 5 .0*23.33f f 2Q p 0 ==?=ξ 2-14 解： 又解：接入系数p=c1/（c1+c2）=，折合后c0’=p2*c0=,R0’=R0/ p2=20k Ω,总电容C=Ci+C0’+C1C2/(C1+C2)=,回路谐振频率fp=，谐振阻抗Rp=1/（1/Ri+1/Rp0+1/R0’）,其中Rp0为空载时回路谐振阻抗，Rp0=Q0*2π*fp*L=Ω，因此，回路的总的谐振阻抗为：Rp=1/ 11P P K l '=率回路有损耗时的输出功率回路无损耗时的输出功L 2L s s L 201g g g I g V P ????? ??+==L 2 p L s s L 211g g g g I g V P ?? ??? ??++=='2 0L 1 111?? ? ? ?? ??-='=Q Q P P K l
高频电子线路(胡宴如主编)-课后习题答案教学文稿
高频电子线路(胡宴如主编)-课后习题答案
高频电子线路 第2章 小信号选频放大器 2.1 已知并联谐振回路的1μH,20pF,100,L C Q ===求该并联回路的谐振频率0f 、谐振电阻p R 及通频带0.7BW 。。。。 [解] 90-6120.035610Hz 35.6MHz 2π2π102010f LC H F -= = =?=?? 6312 640.71010022.4k 22.361022.36k 201035.610Hz 35.610Hz 356kH z 100 p H R Q F f BW Q ρρ--===Ω=?Ω=Ω??===?= 2.2 并联谐振回路如图P2.2所示，已知：300pF,390μH,100,C L Q ===信号源内阻s 100k ,R =Ω负载电阻L 200k ,R =Ω求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。。。。。 [解] 0465kHz 2π2π390μH 300PF f LC ≈= =? 0.70390μH 100 114k Ω 300PF ////100k Ω//114.k Ω//200k Ω=42k Ω42k Ω 37 1.14k Ω 390μH/300 PF /465kHz/37=12.6kHz p e s p L e e e R Q R R R R R Q BW f Q ρρ ====== = = === 2.3 已知并联谐振回路的 00.710MHz,C=50pF,150kHz,f BW ==求回路的
L 和Q 以及600kHz f ?=时电压衰减倍数。如将通频带加宽为300 kHz ，应在回路两端并接一个多大的电阻?。。。。 [解] 626212 011 5105μH (2π)(2π1010)5010L H f C --===?=???? 6 03 0.7101066.715010f Q BW ?===? 22 36 022*********.78.11010p o U f Q f U ? ? ???????=+=+= ? ????? ? 当0.7300kHz BW =时 6 03 0.74612 0101033.33001033.3 1.061010.6k 2π2π10105010 e e e e f Q BW Q R Q f C ρ-?===?== ==?Ω=Ω????g 而 47 12 66.7 2.131021.2k 2π105010 p R Q ρ-== =?Ω=Ω???g 由于,p e p RR R R R = +所以可得 10.6k 21.2k 21.2k 21.2k 10.6k e p p e R R R R R Ω?Ω = = =Ω-Ω-Ω 2.4 并联回路如图P2.4所示,已知： 360pF,C =1280μH,L ==100,Q 250μH,L = 12=/10,n N N =L 1k R =Ω。试求该并联回路考虑到L R 影响后的通频带及等效谐振电阻。 [解] 6 312 28010 100 881088k 36010 p R Q ρ--?===?Ω=Ω?g 226 3 3312 00.7612 101k 100k //88k //100k 46.8k 2801046.81046.810/0.881053360109.46kHz 2π532π2801036010L L e p L e e e e R n R R R R R Q f BW Q Q LC ρ----'==?Ω=Ω'==ΩΩ=Ω?==???=?====???? 2.5 并联回路如图P2.5所示，试求并联回路2－3两端的谐振
高频电子线路试题4含答案
四川信息职业技术学院 《高频电子线路》模拟考试试卷四 班级姓名学号 一、填空题（每空1分，共14分） 1．放大电路直流通路和交流通路画法的要点是：画直流通路时，把视为开路； 画交流通路时，把视为短路。 2．晶体管正弦波振荡器产生自激振荡的相位条件是，振幅条件是。 3．调幅的就是用信号去控制，使载波的 随大小变化而变化。 4．小信号谐振放大器的主要特点是以作为放大器的交流负载，具有和功能。 5．谐振功率放大器的调制特性是指保持及不变的情况下，放大器的性能随变化，或随变化的特性。 二、选择题（每小题2分、共30分）将一个正确选项前的字 母填在括号内 1．二极管峰值包络检波器适用于哪种调幅波的解调（）A．单边带调幅波 B．抑制载波双边带调幅波 C．普通调幅波 D．残留边带调幅波 2．欲提高功率放大器的效率，应使放大器的工作状态为（）A．甲类 B．乙类 C．甲乙类 D．丙类 3．为提高振荡频率的稳定度，高频正弦波振荡器一般选用（）A．LC正弦波振荡器 B．晶体振荡器 C．RC正弦波振荡器
4．变容二极管调频器实现线性调频的条件是变容二极管的结电容变化指数γ为（） A．1/3 B．1/2 C．2 D．4 5．若载波u C(t)=U C cosωC t,调制信号uΩ(t)= UΩcosΩt，则调相波的表达式为（）A．u PM(t)=U C cos（ωC t＋m f sinΩt） B．u PM(t)=U C cos（ωC t＋m p cosΩt） C．u PM(t)=U C（1＋m p cosΩt）cosωC t D．u PM(t)=kUΩU C cosωC tcosΩt 6．某超外差接收机的中频为465kHz，当接收550kHz的信号时，还收到1480kHz 的干扰信号，此干扰为（） A．干扰哨声 B．中频干扰 C．镜像干扰 D．交调干扰 7．某调频波，其调制信号频率F＝1kHz，载波频率为10.7MHz，最大频偏Δf m ＝10kHz，若调制信号的振幅不变，频率加倍，则此时调频波的频带宽度为 （）A．12kHz B．24kHz C．20kHz D．40kHz 8．MC1596集成模拟乘法器不可以用作（）A．混频 B．振幅调制 C．调幅波的解调 D．频率调制 9．某单频调制的普通调幅波的最大振幅为10v，最小振幅为6v，则调幅系数m a为（） A．0.6 B．0.4 C．0.25 D．0.1 10．以下几种混频器电路中，输出信号频谱最纯净的是（） A．二极管混频器 B．三极管混频器 C．模拟乘法器混频器 11．某丙类谐振功率放大器工作在临界状态，若保持其它参数不变，将集电极直流电源电压增大，则放大器的工作状态将变为（） A．过压 B．弱过压 C．临界 D．欠压 12．鉴频的描述是（） A．调幅信号的解调 B．调频信号的解调 C．调相信号的解调 13．利用石英晶体的电抗频率特性构成的振荡器是（）A．f＝fs时，石英晶体呈感性，可构成串联型晶体振荡器 B．f＝fs时，石英晶体呈阻性，可构成串联型晶体振荡器 C．fs 《通信电子线路》复习题 一、填空题 1、通信系统由输入变换器、发送设备、信道、接收设备以及输出变换器组成。 2、无线通信中，信号的调制方式有调幅、调频、调相三种，相应的解 调方式分别为检波、鉴频、鉴相。 3、在集成中频放大器中，常用的集中滤波器主要有：LC带通滤波器、陶瓷、石英 晶体、声表面波滤波器等四种。 4、谐振功率放大器为提高效率而工作于丙类状态，其导通角小于 90度，导 通角越小，其效率越高。 5、谐振功率放大器根据集电极电流波形的不同，可分为三种工作状态，分别为 欠压状 态、临界状态、过压状态；欲使功率放大器高效率地输出最大功率，应使放 大器工作在临界状态。 6、已知谐振功率放大器工作在欠压状态，为了提高输出功率可将负载电阻Re 增大，或将电源电压Vcc 减小，或将输入电压Uim 增大。 7、丙类功放最佳工作状态是临界状态，最不安全工作状态是强欠压状态。最佳工 作状态的特点是输出功率最大、效率较高 8、为了有效地实现基极调幅，调制器必须工作在欠压状态， 为了有效地实现集电极调幅，调制器必须工作在过压状态。 9、要产生较高频率信号应采用LC振荡器，要产生较低频率信号应采用RC振荡 器，要产生频率稳定度高的信号应采用石英晶体振荡器。 10、反馈式正弦波振荡器由放大部分、选频网络、反馈网络三部分组成。 11、反馈式正弦波振荡器的幅度起振条件为1 ，相位起振条件 A F （n=0,1,2…）。 12、三点式振荡器主要分为电容三点式和电感三点式电路。 13、石英晶体振荡器是利用石英晶体的压电和反压电效应工作的，其频率稳 定度很高，通常可分为串联型晶体振荡器和并联型晶体振荡器两种。 14、并联型石英晶振中，石英谐振器相当于电感，串联型石英晶振中，石英谐振器 相当于短路线。 第2章 小信号选频放大器 2.1填空题 (1)LC 并联谐振回路中，Q 值越大，其谐振曲线越尖锐,通频带越窄,选择性越好。 (2)LC 并联谐振回路谐振时，回路阻抗为最大且为纯电阻,高于谐振频率时间阻抗呈容性，低于谐振频率时间阻抗感性。 (3)小信号谐振放大器的负载采用谐振回路,工作在甲类状态，它具有选频作用。 (4)集中选频放大器由集成宽带放大器和集中选频滤波器组成，其主要优点是接近理想矩形的幅频特性，性能稳定可靠，调整方便。 2.2 已知并联谐振回路的1μH,20pF,100,L C Q ===求该并联回路的谐振频率0f 、谐振电阻p R 及通频带0.7BW 。 [解] 900.035610Hz 35.6MHz f = = =? = 3640.722.4k 22.361022.36k 35.610Hz 35.610Hz 356kH z 100 p R Q f BW Q ρρ===Ω=?Ω=Ω?===?= 2.3 并联谐振回路如图P2.3所示，已知：300pF,390μH,100,C L Q ===信号源内阻s 100k ,R =Ω负载电阻L 200k ,R =Ω求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。 [解] 0465kHz f ≈ = = 0.70114k Ω ////100k Ω//114.k Ω//200k Ω=42k Ω42k Ω37 1.14k Ω/465kHz/37=1 2.6kHz p e s p L e e e R Q R R R R R Q BW f Q ρρ========== 2.4 已知并联谐振回路的00.710MHz,C=50pF,150kHz,f BW ==求回路的L 和Q 以及600kHz f ?=时电压衰减倍数。如将通频带加宽为300 kHz ，应在回路两端并接一个多大的电阻? [解] 6 26212 0115105μH (2π)(2π1010)5010L H f C -- = ==?=???? 思考题与习题 2-1列表比较串、并联调谐回路的异同点（通频带、选择性、相位特性、幅度特性等）。 表2.1 2-2已知某一并联谐振回路的谐振频率f p =1MHz ，要求对990kHz 的干扰信号有足够的衰减，问该并联回路应如何设计？ 为了对990kHz 的干扰信号有足够的衰减，回路的通频带必须小于20kHz 。 取kHz B 10=， 2-3试定性分析题图2-1所示电路在什么情况下呈现串联谐振或并联谐振状态？ 题图2-1 图（a ）：2 21 11 11 1L C L C L o ωωωωω- + - = 图（b ）：2 21 11 11 1C L C L C o ωωωωω- + - = 图（c ）：2 21 11 11 1C L C L C o ωωωωω- + - = 2-4有一并联回路，其通频带B 过窄，在L 、C 不变的条件下，怎样能使B 增宽？ P o Q f B 2 =,当L 、C 不变时，0f 不变。所以要使B 增宽只要P Q 减小。 而C L R Q p P =，故减小P R 就能增加带宽 2-5信号源及负载对谐振回路有何影响，应如何减弱这种影响？ 对于串联谐振回路（如右图所示）：设没有接入信号源内阻和负载电阻时回路本身的Q 值为o Q ，则：R L Q o o ω= 值，则： 设接入信号源内阻和负载电阻的Q 为L Q R R R R Q R R R L Q L s L ++=++=1L s o L ω 其中R 为回路本身的损耗，R S 为信号源内阻，R L 为负载电阻。 由此看出：串联谐振回路适于R s 很小（恒压源）和R L 不大的电路，只有这样Q L 才不至于太低，保证回路有较好的选择性。 对于并联谐振电路（如下图所示）： 设接入信号源内阻和负载电阻的Q 值为L Q 由于没有信号源内阻和负载接入时的Q 值为 由式（2-31）可知，当R s 和R L 较小时，Q L 也减小，所以对并联回路而言，并联的电阻越大越好。因此并联谐振回路适于恒流源。 2-6已知某电视机一滤波电路如题图2-2所示，试问这个电路对什么信号滤除能力最强，对什么信号滤除能力最弱，定性画出它的幅频特性。 V1=V2? 题图2-2题图2-3 2-7已知调谐电路如题图2-3所示，回路的谐振频率为465kHz ，试求： （1）电感L 值； （2）L 无损耗时回路的通频带； （3）L 有损耗（Q L =100）回路的通频带宽度。 左侧电路的接入系数： 25.040120401=+= T T T p 右侧电路的接入系数：25.040120402=+= T T T p 等效电源： s s i p i 1' = 等效阻抗：Ω=Ω + Ω+Ω= k k p k k p R p 67.265.21601 101 2 221 等效容抗：2 22 1' 16?10p pF p pF C ?++?= 电容值未知 2-8回路的插入损耗是怎样引起的，应如何减小这一损耗？ 由于回路有谐振电阻R p 存在，它会消耗功率因此信号源送来的功率不能全部送给负载R L ，有一部分功率被回路电导g p 所消耗了，这就是插入损耗。增大回路本身的Q 值可以减小插入损耗。 2-9已知收音机某中放的负载回路如题2-4所示，回路的f 0=465kHz ，电感的Q 0=100，要求回路的带宽B=20kHz ，试求： （1）电感L 值； （2）回路插入损耗； 电子电路基础习题册参考答案(第三版)全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体与半导体三大类,最常用的半导体材料就是硅与锗。 2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同,可形成N 型半导体与P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体,其内部空穴与自由电子数相等。N型半导体又称电子型半导体,其内部少数载流子就是空穴;P型半导体又称空穴型半导体,其内部少数载流子就是电子。 4、晶体二极管具有单向导电性,即加正向电压时,二极管导通,加反向电压时,二极管截止。一般硅二极管的开启电压约为0、5 V,锗二极管的开启电压约为0、1 V;二极管导通后,一般硅二极管的正向压降约为0、7 V,锗二极管的正向压降约为 0、3 V。 5、锗二极管开启电压小,通常用于检波电路,硅二极管反向电流小,在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6、稳压二极管工作于反向击穿区,稳压二极管的动态电阻越小,其稳压性能好。 7在稳压电路中,必须串接限流电阻,防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同,分为点接触型、面接触型与平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光与光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱与电流与最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流与动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中,二极管V1、V2均为硅管,当开关S与M相接时,A点的电位为 无法确定V,当开关S与N相接时,A点的电位为0 V、 13图1-1-2所示电路中,二极管均为理想二极管,当开关S打开时,A点的电位为10V 、 流过电阻的电流就是4mA ;当开关S闭合时,A点的电位为0 V,流过电阻的电流为2mA 。 14、图1-1-3所示电路中,二极管就是理想器件,则流过二极管V1的电流为0、25mA ,流过V2的电流为0、25mA ,输出电压U0为+5V。 高频电子电路第一章 (一)填空题 1、语音信号的频率范围为，图象信号的频率范围为，音频信号的频率范围为。 （答案：300~3400Hz；0~6MHz；20Hz~20kHz） 2、无线电发送设备中常用的高频电路有、、 、。 （答案：振荡器、调制电路、高频放大器、高频功率放大器） 3、无线电接收设备中常用的高频电路有、、 、。 （答案：高频放大器、解调器、混频器；振荡器） 4、通信系统的组成：、、、、。 （答案：信号源、发送设备、传输信道、接收设备、终端） 5、在接收设备中，检波器的作用是。 （答案：还原调制信号） 6、有线通信的传输信道是，无线通信的传输信道是。 （答案：电缆；自由空间） 7、调制是用音频信号控制载波的、、。 （答案：振幅；频率；相位） 8、无线电波传播速度固定不变，频率越高，波长；频率；波长越长。（答案：越短；越低） （二）选择题 1、下列表达式正确的是。 A）低频信号可直接从天线有效地辐射。 B）低频信号必须转载到高频信号上才能从天线有效地辐射。 C）高频信号及低频信号都不能从天线上有效地辐射。 D）高频信号及低频信号都能从天线上有效地辐射。 （答案：B） 2、为了有效地发射电磁波，天线尺寸必须与相比拟。 A）辐射信号的波长。B）辐射信号的频率。 C）辐射信号的振幅。D）辐射信号的相位。 （答案：A） 3、电视、调频广播和移动通信均属通信。 A）超短波B）短波C）中波D）微波 （答案：A） （三）问答题 1、画出通信系统的一般模型框图。 2、画出用正弦波进行调幅时已调波的波形。 3、画出用方波进行调幅时已调波的波形。 第二章《高频小信号放大器》 （一）填空题 1、LC选频网络的作用是。 （答案：从输入信号中选出有用频率的信号抑制干扰的频率的信号） 2、LC选频网络的电路形式是。 （答案：串联回路和并联回路） 3、在接收机的输入回路中，靠改变进行选台。 （答案：可变电容器电容量） 4、单位谐振曲线指。 （答案：任意频率下的回路电流I与谐振时回路电流I0之比） 5、LC串联谐振电路Q值下降，单位谐振曲线，回路选择性。 （答案：平坦；差） 6、通频带BW0.7是指。 （答案：单位谐振曲线≥所对应的频率范围） 7、LC串联谐振回路Q值下降，频带，选择性。 （答案：增宽；变差） 8、距形系数K r 0.1定义为单位谐振曲线f值下降到时的频带范围与通频带之比。 （答案：0.1） 9、理想谐振回路K r 0.1，实际回路中K r 0.1，其值越越好。 （答案：等于1；大于1；小） 10、LC并联谐振回路谐振时，阻抗为。 （答案：最大且为纯电阻） 11、LC并联谐振回路，当f=f0即谐振时回路阻抗最且为，失谐时阻抗变，当f 一、填空题 1. 丙类功放按晶体管集电极电流脉冲形状可分为__欠压、__临界__、__过压__ 三种工作状态，它一般工作在___临界____ 状态。 2. 振荡器的主要性能指标_频率稳定度_、_振幅稳定度_。 3. 放大器内部噪声的主要来源是__电阻__和__晶体管__。 4. 某发射机输出级在负载RL=1000Ω上的输出信号Us(t)=4(1+0.5cosΩt)COSWctV。试问Ma=__0.5__，Ucm=__4V__，输出总功 率Pav=__0.009W_ 。 5. 实现频率调制就是使载波频率与调制信号呈线性规律变化，实现这个功能的方法很多，通常可分为__直接调频__和__间接调频___ 两大类。 6. 相位鉴频器是先将调频信号变换成__调相-调频__信号，然后用___相位检波器___进行解调得到原调制信号。 二、选择题 1. 频率在1.5—30MHz范围的短波主要依靠（C ）方式传播。 A 沿地面传播 B 沿空间直线传播 C 依靠电离层传播 2. 在实际振荡器中，有时会出现不连续的振荡波形，这说明振荡器产生了周期性的起振和停振现象，这种现象称为（B ）。 A 频率占据 B 间歇振荡 C 寄生振荡 4. 集成模拟相乘器是（B ）集成器件。 A 线性 B 非线性 C 功率 5. 自动增益控制电路是（A ）。 A AGC B AF C C APC 三、分析题（共4题，共45分） 1. 通信系统中为什么要采用调制技术。（8分） 答：调制就是用待传输的基带信号去改变高频载波信号某一参数的过程。 采用调制技术可使低频基带信号装载到高频载波信号上，从而缩短天线尺寸，易于天线辐射，实现远距离传输；其次，采用调制可以进行频分多路通信，实现信道的复用，提高信道利用率。 2.晶体振荡电路如图1所示，若f1为L1C1的谐振频率，f2为L2C2的谐振频率，试分析电路能否产生自激振荡。若能振荡，指 出振荡频率与f!、f2之间的关系。（12分） +V CC 答：由图可见电路可构成并联型晶体振荡器。由于并联型晶体振荡器中，石英晶体起电感元件作用，所以要产生自激振荡，L1C1并联回路与L2C2串联回路都必须呈容性，所以，WL1 > 1/WC1即f > f1，WL2 < 1/WC2即f < f2，振荡频率f与f1、f2之 (一) 一、选择题（每小题2分、共30分）将一个正确选项前的字母填在括号内 1．在调谐放大器的LC回路两端并上一个电阻R，可以（ C ）A．提高回路的Q值B．提高谐振频率C．加宽通频带D．减小通频带2．在自激振荡电路中，下列哪种说法是正确的（C）A．LC振荡器、RC振荡器一定产生正弦波B．石英晶体振荡器不能产生正弦波C．电感三点式振荡器产生的正弦波失真较大D．电容三点式振荡器的振荡频率做不高3．如图为某收音机的变频级，以下正确叙述是（ A ） A．电感三点式本机振荡电路 B．双回路调谐放大器取出中频信号 C．对接收信号构成共基放大电路 D．以上说法都不对 4．试用自激振荡的相位条件判别下图能产生自激振荡的电路（D） A B C D 5．功率放大电路根据以下哪种说法可分为甲类、甲乙类、乙类、丙类等（D ）A．电路特点B．功率放大倍数C．电流大小D．功放管静态工作点选择情况6．用万用表欧姆档测量小功率三极管的电极时，应该把欧姆档拨到（A）A．R×100或R×1k档B．R×1档C．R×10档D．R×10k档7．若载波u C(t)=U C cosωC t,调制信号uΩ(t)= UΩcosΩt，则调频波的表达式为（A ）A．u FM(t)=U C cos（ωC t＋m f sinΩt）B．u FM(t)=U C cos（ωC t＋m p cosΩt）C．u FM(t)=U C（1＋m p cosΩt）cosωC t D．u FM(t)=kUΩU C cosωC tcosΩt 8．MC1596集成模拟乘法器不可以用作（C ）A．振幅调制B．调幅波的解调C．频率调制D．混频 9．某超外差接收机的中频为465kHz，当接收931kHz的信号时，还收到1kHz的干扰信号，此干扰为（ A ）A．干扰哨声B．中频干扰 C．镜像干扰D．交调干扰 10．混频电路又称变频电路，在变频过程中以下正确叙述是（C）A．信号的频谱结构发生变化B．信号的调制类型发生变化 一、填空题 1、_信源_____就是信息的来源。 2、电信系统中规定的语音信号频率范围是从_300_____Hz 到__3.4K____Hz 。 3、___信道___是连接发送、接收两端的信息的通道，也称为传输媒质。 4、通信系统中应用的信道分为__有线____信道和无线信道两种。 5、常用的有线信道传输媒质有_架空明线_____、__光缆____和__同轴电缆____。 6、无线电波传播的方式有___沿地面________传播，也称___中长波___波；__沿空间__传播也称___超短波___波；____电离层________传播，称为__短波____波。 7、为了有效地发射和接收电磁波，天线的尺寸必须与电磁波的_波长_____相比拟。 8、现代通信系统中一般不采用将信号直接传输的工作方式，而是要对信号进行__调制____后再送入信道传输。 9、小信号选频放大器的矩形系数越___接近1___越好。 10、小信号谐振放大器应当设法__减小____负载和信号源内阻对谐振回路的影响。 11、小信号谐振放大器中的变压器采用抽头接入，是为了减少__负载____和_____信号源内阻_______对谐振回路的影响。 12、采用___共射-共基_____电路是解决小信号谐振放大器稳定性问题的有效方法。 13、_声表面波_____滤波器的优点有：体积小、工作稳定、无需调试等。 14、常用的固体（态）滤波器有：___声表面_________、____陶瓷________和_____石英_______。 15、常用晶体管的高频等效电路有___Y 参数___等效电路和__混合π参数____等效电路。 16、影响晶体管高频性能的主要因素是它的内部存在__结电容____。 17、晶体管的一个重要高频参数是它的___特征___频率T f ，它是晶体管的β下降为__1____时的工作频率。晶体管的结电容越___小___，其T f 参数越大。 18、LC 串联谐振回路谐振发生时，呈现___很小___的阻抗；电容上的谐振电压___大___于输入电压，是输入电压的Q 倍。因此串联谐振也叫电__压____谐振。 19、LC 并联谐振回路谐振发生时，呈现__很大____的阻抗；流过电容的谐振电流___大于___于输入电流，是输入电流的Q 倍。因此并联谐振也叫电___流___谐振。 20、LC 谐振回路的Q 值与电感器的寄生电阻r 大小有关，r 越小Q 值越__大____。 21、LC 谐振回路的通频带计算公式为___ 7.0BW =_f0/Q________。 22、单LC 谐振回路的矩形系数≈=7 .01.01.0BW BW K ___10____。 电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体 三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。 2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数 相等。N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是 空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是 电子。 4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。一般硅二极管的开启电 压约为 0.5 V，锗二极管的开启电压约为 0.1 V；二极管导通后， 一般硅二极管的正向压降约为 0.7 V,锗二极管的正向压降约为 0.3 V。 5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电 流小，在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。 7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为 无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V. 13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、 流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。 14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为 0.25mA ，流过V2的电流为 0.25mA ,输出电压U0为+5V。 f 0=465 kHz ．B 0.707=8kHz ，回路电容 C=200pF ， Q L 值。若电感线圈的 Q O =100，问在回路上应并联多大 的电阻才能 答：回路电感为 0.586mH, 有载品质因数为 58.125, 这时 需要并联 236.66k Ω的电阻。 2－2 图示为波段内调谐用的并联振荡回路，可变电容 C 的变化范围为 12～260 pF ， Ct 为微调电 容，要求此回路的调谐范围为 535～1605 kHz ，求回路电感 L 和 C t 的值，并要 求 C 的最大和最小值与波段的最低和最高频率对应。 题 2－ 2 图 根据已知条件，可以得出： 回路总电容为 1605 10 C C C t ,因此可以得到以下方程组 1 535 10 3 min 1 2 LC max 2 L(12 10 12 C t ) 1 122－1 对于收音机的中频放大器，其中心频 率 试计算回路电感和 满足要求。 解 2-1 ： 因为： 所以： 由f 0 由B Q L R 0 Q L R L 2 LC 得： 1 1 2 2 2 6 12 2 f 0)2C 4 2 4652 106 200 10 12 10 6 2 0.586mH 4652 200 42 0.707 B 0.707 Q C 0C g Q Q L Q 0L 得： 465 103 58.125 8 103 2 465 100 103 200 10 12 2 10 9 171.22k 465 2 C g 0 g L 1)R 0 Q 1 R 0 R L Q L Q 0 Q L R 58.125 100 58.125 171.22 237.66k 高频电子线路试题库 一、单项选择题（每题2分，共20分） 第二章选频网络 1、LC串联电路处于谐振时，阻抗（ B ）。 A、最大 B、最小 C、不确定 2、LC并联谐振电路中，当工作频率大于、小于、等于谐振频率时，阻抗分别呈（ B ）。 A、感性容性阻性 B、容性感性阻性 C、阻性感性容性 D、感性阻性容性 3、在LC并联电路两端并联上电阻，下列说法错误的是（ D ） A、改变了电路的谐振频率 B、改变了回路的品质因数 C、改变了通频带的大小 D、没有任何改变 第三章高频小信号放大器 1、在电路参数相同的情况下，双调谐回路放大器的通频带与单调谐回路放大器的通频带相比较A A、增大?B减小?C 相同? D无法比较 2、三级相同的放大器级联，总增益为60dB，则每级的放大倍数为（ D ）。 A、10dB B、20 C、20 dB D、10 3、高频小信号谐振放大器不稳定的主要原因是（C ） （A）增益太大（B）通频带太宽（C）晶体管集电结电容C b’c的反馈作用（D）谐振曲线太尖锐。第四章非线性电路、时变参量电路和混频器 1、通常超外差收音机的中频为（ A ） （A）465KH Z （B）75KH Z （C）1605KH Z （D）10.7MH Z 2、接收机接收频率为f c，f L＞f c，f I为中频频率，则镜象干扰频率为（ C ） （A）f c＞f I （B）f L+f c （C）f c+2f I（D）f c+f I 3、设混频器的f L >f C，即f L =f C+f I ，若有干扰信号f n=f L+f I，则可能产生的干扰称为（ D ）。 （A）交调干扰（B）互调干扰（C）中频干扰（D）镜像干扰 4、乘法器的作用很多，下列中不属于其作用的是（ D ） A、调幅 B、检波 C、变频 D、调频 5、混频时取出中频信号的滤波器应采用（ A ） （A）带通滤波器（B）低通滤波器（C）高通滤波器（D）带阻滤波器 6、频谱线性搬移电路的关键部件是（ B ） （A）相加器（B）乘法器（C）倍频器（D）减法器 7、在低电平调幅、小信号检波和混频中，非线性器件的较好特性是（ C ） A、i=b0+b1u+b2u2+b3u3 B、i=b0+b1u+b3u3 C、i=b2u2 D、i=b3u3 8、我国调频收音机的中频为（ D ） （A）465KH Z （B）455KH Z （C）75KH Z （D）10.7MH Z 9、在混频器的干扰中，组合副波道干扰是由于----------- 造成的。（A ） （A）有用信号与本振信号的组合（B）有用信号与干扰信号同时作用 （C）两个或多个干扰信号同时作用（D）外来干扰信号与本振信号的组合 第五章高频功率放大器 1、常用集电极电流流通角?的大小来划分功放的工作类别，丙类功放（ D ）。（说明：?为半导通角） （A）? = 180O （B）90O???180O （C）? =90 O （D）??90O 2、谐振功率放大器与调谐放大器的区别是（ C ） A、前者比后者电源电压高 B、前者比后者失真小 C、谐振功率放大器工作在丙类，调谐放大器工作在甲类 D、谐振功率放大器输入信号小，调谐放大器输入信号大 3、已知某高频功率放大器原工作在临界状态，当改变电源电压时，管子发热严重，说明功放管进入了A 《电子线路（I ）》 董尚斌编 课后习题（1到7章） 第1章 1-1 本征半导体与杂质半导体有什么区别 解：本征半导体是纯净的，没有掺杂的半导体，本征半导体的导电性能较差，在温度为0K 时，半导体中没有载流子，它相当于绝缘体。在室温的情况下，由本征激发产生自由电子—空穴对，并达到某一热平衡值，本征载流子浓度kT E i g e T A n 22 300-=与温度有关。 杂质半导体是在本征硅或本征锗中掺入杂质得到的，若掺入5价元素的杂质可得到N 型半导体，N 半导体中的多子为自由电子，少子为空穴，由于掺入微量的杂质其导电性能得到了极大的改善，其电导率是本征半导体的好几个数量级。在杂质半导体中，多子的浓度取决于杂质的浓度，而少子的浓度与2 i n 或正比，即与温度有很大的关系。若掺入3价元素的杂质可得到P 型半导体。 1-2 试解释空穴的作用，它与正离子有什么不同 解：空穴的导电实际上是价电子导电，在半导体中把它用空穴来表示，它带正电是运载电流的基本粒子，在半导体中，施主杂质电离后，它为半导体提供了一个自由电子，自身带正电，成为正离子，但由于它被固定在晶格中，是不能移动的。 1-3 半导体中的漂移电流与扩散电流的区别是什么 解：漂移电流是在电场力的作用下载流子定向运动而形成的电流，扩散电流是由于浓度差而引起的载流子的定向运动而形成的电流 1-4 在PN 结两端加反向偏压时，为什么反向电流几乎与反向电压无关 解：PN 结加反偏电压，外加电场与内电场方向相同,PN 结变宽，外加电压全部降落在PN 结上，而不能作用于P 区和N 区将少数载流子吸引过来。漂移大于扩散，由于在P 区及N 区中少子的浓度一定，因而反向电流与反偏电压无关。 1-5 将一个二极管看作一个电阻，它和一般由导体构成的电阻有何区别 解：将二极管看作一个电阻，其明显的特点是非线性特性。而一般由导体构成的电阻，在有限的电压、电流范围内，基本上是线性的。 （1） 二极管的正反向电阻，其数值相差悬殊。正向电阻很小，而反向电阻很大。 （2） 二极管具有负温度系数，而导体构成的电阻具有正温度系数。 1-6 在用万用表的电阻档测二极管的正向电阻时，发现R ?10档测出的阻值小，而用R ?100档测出的阻值大，为什么 解：万用表测量电阻时，实际上是将流过电表的电流换算为电阻值刻在表盘上，当流过电表的电流大时，指示的电阻小，测量时，流过电表的电流由万用表的内阻和二极管的等效直流电阻之和联合决定。 第2章 小信号选频放大器 2.1填空题 (1)LC 并联谐振回路中，Q 值越大，其谐振曲线越尖锐,通频带越窄,选择性越好。 (2)LC 并联谐振回路谐振时，回路阻抗为最大且为纯电阻,高于谐振频率时间阻抗呈容性，低于谐振频率时间阻抗感性。 (3)小信号谐振放大器的负载采用谐振回路,工作在甲类状态，它具有选频作用。 (4)集中选频放大器由集成宽带放大器和集中选频滤波器组成，其主要优点是接近理想矩形的幅频特性，性能稳定可靠，调整方便。 2.2 已知并联谐振回路的1μH,20pF,100,L C Q ===求该并联回路的谐振频率0f 、谐振电阻p R 及通频带0.7BW 。 [解] 90-6 12 0.035610Hz 35.6MHz 2π2π102010 f LC H F -= = =?=?? 6312 640.71010022.4k 22.361022.36k 201035.610Hz 35.610Hz 356kH z 100 p H R Q F f BW Q ρρ--===Ω=?Ω=Ω??===?= 2.3 并联谐振回路如图P2.3所示，已知：300pF,390μH,100,C L Q ===信号源内阻s 100k ,R =Ω负载电阻L 200k ,R =Ω求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。 [解] 0465kHz 2π2π390μH 300PF f LC ≈ = =? 0.70390μH 100 114k Ω 300PF ////100k Ω//114.k Ω//200k Ω=42k Ω42k Ω37 1.14k Ω390μH/300 PF /465kHz/37=1 2.6kHz p e s p L e e e R Q R R R R R Q BW f Q ρρ=========== 2.4 已知并联谐振回路的00.710MHz,C=50pF,150kHz,f BW ==求回路的L 和Q 以及 600kHz f ?=时电压衰减倍数。如将通频带加宽为300 kHz ，应在回路两端并接一个多大的电阻? [解] 6 26212 0115105μH (2π)(2π1010)5010L H f C --= ==?=????通信电子线路复习题及答案
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