晶体管工作的条件和晶体管工作状态的判断
晶体管工作状态的判断方法
晶体管工作状态的判断方法
晶体管是一种常用的电子元器件，它的工作状态可以通过以下方法进行判断：
1. 测量晶体管的各引脚电压值：通过测量晶体管各引脚的电压值，可以判断晶体管的工作状态。
晶体管的引脚电压值通常与电流的流向和大小有关，因此通过测量电压值可以判断晶体管是否处于正常工作状态。
2. 测量晶体管的电流：晶体管的工作电流通常与其工作状态有关。
通过测量晶体管的电流，可以判断晶体管是否处于正常工作状态。
3. 观察晶体管的发光情况：一些晶体管在工作中会发出光线，例如LED晶体管。
通过观察晶体管的发光情况，可以判断晶体管是否处于正常工作状态。
4. 测量晶体管的电阻值：晶体管的电阻值通常与其工作状态有关。
通过测量晶体管的电阻值，可以判断晶体管是否处于正常工作状态。
5. 使用示波器进行波形观测：示波器可以帮助观测晶体管的波形，从而判断晶体管的工作状态。
通过观测波形的幅度、频率等参数，可以判断晶体管是否处于正常工作状态。
需要注意的是，判断晶体管的工作状态需要有一定的电子电路知识和经验，如果不太熟悉晶体管的原理和使用方法，建议在专业人士的指导下进行操作。
晶体管放大状态条件(3篇)
第1篇一、引言晶体管作为电子技术中最重要的半导体器件之一，具有体积小、重量轻、功耗低、寿命长等优点，被广泛应用于各种电子设备中。
晶体管放大状态条件是指晶体管在放大电路中工作时的各种参数条件，这些条件对晶体管放大性能的发挥具有重要意义。
本文将从晶体管的工作原理、放大状态条件以及影响因素等方面进行详细阐述。
二、晶体管的工作原理晶体管是一种三端器件，由发射极、基极和集电极组成。
晶体管的工作原理基于半导体材料PN结的特性。
当PN结加上正向偏置时，电子和空穴在PN结处发生复合，形成电流；当PN结加上反向偏置时，电子和空穴被PN结阻挡，形成电场，阻止电流的流动。
晶体管放大电路主要由输入信号、晶体管、负载和电源组成。
当输入信号施加到晶体管基极时，基极电流的变化会引起集电极电流的变化，从而实现信号放大。
晶体管放大电路中，晶体管的工作状态主要有放大状态、截止状态和饱和状态。
三、晶体管放大状态条件1. 放大状态晶体管放大状态是指晶体管在放大电路中工作时，基极电流变化引起集电极电流变化，从而实现信号放大的状态。
晶体管放大状态条件如下：（1）发射极偏置电压VBE：发射极偏置电压VBE是晶体管放大状态的重要条件。
当VBE大于发射极与基极之间的导通电压时，晶体管开始导通，进入放大状态。
VBE过大或过小都会影响晶体管的放大性能。
（2）集电极偏置电压VCE：集电极偏置电压VCE是晶体管放大状态的重要条件。
当VCE大于晶体管集电极与发射极之间的截止电压时，晶体管开始导通，进入放大状态。
VCE过大或过小都会影响晶体管的放大性能。
（3）晶体管工作点：晶体管工作点是指晶体管在放大电路中的静态工作点。
晶体管工作点应位于放大区的中间，以保证晶体管具有最佳的放大性能。
2. 截止状态晶体管截止状态是指晶体管在放大电路中工作时，基极电流为零，集电极电流也为零的状态。
晶体管截止状态条件如下：（1）发射极偏置电压VBE：发射极偏置电压VBE小于发射极与基极之间的导通电压时，晶体管截止。
三极管工作状态判定
NPN型三极管和PNP型三极管的导通条件，晶体管的工作区域可以分为三个区域
（1）截止区：其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。
对于共射电路，UBE<=UON且UCE>UBE。
此时IB=0,而iC<=ICEO。
小功率硅管的ICEO+在1uA以下，锗管的ICEO小于几十微安。
因此在近似计算时认为晶体管截止时的iC=0。
(2) 放大区：其特征是发射结正向偏置（UBE大于发射结开启电压UON）且集电结反向偏置。
对于共射电路，UBE>UON且UCE>=UBE（即UC>UB>UE）。
此时的，iC几乎仅决定于IB，而与UCE无关，表现出IB 对iC 的控制作用，IC=?IB。
在理想情况下，当IB按等差变化时，输出特性是一组横轴的等距离平行线。
（简单的说对于NPN型管子,是C点电位>B点电位>E点电位,对PNP型管子,是E点电位>B点电位>C点电位,这是放大的条件.）
（3）饱和区：其特征是发射结和集电结均处于正向偏置。
对于共射电路，UBE>UON且UCE<UBE。
此时IC不仅与IB有关，而且明显随UCE增大而增大，IC<?IB。
在实际电路中，如晶体管的UBE增大时，IB随之增大，但IC增大不多或基本不变，则说明晶体管进入饱和区。
对于小功率管，可以认为当UCE=UBE，及UCB=0时，晶体管处于临界状态，及临界饱和和临界放大状态。
（要想使管子饱和导通,则应该(NPN型)Ub>Ue,Ub>Uc;(PNP
型)Ue>Ub,Uc>Ub.）。
pnp型晶体管状态的判断方法
一、概述晶体管是一种半导体器件，是现代电子技术中最重要的器件之一。
pnp型晶体管作为晶体管的一种类型，其状态的判断方法对于电子技术的工程应用具有重要意义。
二、pnp型晶体管的工作原理1. pnp型晶体管的结构pnp型晶体管是由p型半导体两股和n型半导体一股交错排列而成的三层结构。
其中两端连接p型半导体的称为发射极和集电极，中间的n型半导体为基极。
2. pnp型晶体管的工作原理当在p型半导体端加正电压，而在n型半导体端加负电压时，pnp型晶体管处于正向工作状态。
此时，发射极和基极之间形成正向偏压，而基极和集电极之间形成反向偏压，从而使得晶体管导通。
当去掉或减小正向偏压，或者在基极和集电极之间加正向偏压时，晶体管就处于截止状态。
三、pnp型晶体管的状态判断方法1. 通过电压测量通过测量发射极与基极之间以及基极与集电极之间的电压，可以判断pnp型晶体管的状态。
如果发射极与基极之间的电压较大（正向偏压），而基极与集电极之间的电压较小（反向偏压），则表明pnp型晶体管处于导通状态。
反之则为截止状态。
2. 通过电流测量可以通过测量发射极与基极之间以及基极与集电极之间的电流来判断pnp型晶体管的状态。
当发射极与基极之间的电流较大，而基极与集电极之间的电流较小，说明pnp型晶体管处于导通状态。
反之则为截止状态。
3. 通过特定测试仪器除了通过电压和电流测量来判断pnp型晶体管的状态外，还可以使用特定的测试仪器进行检测。
比如示波器、万用表等仪器，可以更直观、更准确地判断pnp型晶体管的状态。
四、pnp型晶体管状态判断方法的应用pnp型晶体管的状态判断方法在电子技术领域有着广泛的应用。
比如在电路设计、故障排查、电子产品维修等方面，都需要对pnp型晶体管的状态进行判断，以保证电子设备的正常工作。
五、结论pnp型晶体管作为晶体管的一种类型，其状态的判断方法对于电子技术的工程应用具有重要意义。
通过电压测量、电流测量以及特定测试仪器的使用，可以准确地判断pnp型晶体管的导通状态和截止状态。
三极管状态判断
三极管状态判断NPN管:放大状态Vc>Vb>Ve,饱和状态Vb>ve,Vb>vc,截止状态Vc=+V,Vb=0PNP管:放大状态Ve>Vb>Vc,饱和状态Vb<ve,Vb<vc,截止状态Vc=-V(负电源供电)饱和状态时Vce为0.2V(npn和pnp管都是一样的)静态工作点可以测量出来发射结和集电结都是正向偏置时就已经饱和了.此时,Ube>Uce.当晶体管的Ube增大时,Ic不是明显的增大说明进入饱和状态,对于小功率管,可以认为当Uce=Ube,即Ucb=0时,处于临界饱三极管简介晶体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。
基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。
发射极箭头向外。
发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。
硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。
目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
第二章-晶体管
（1）共基直流放大系数 IC
IE
（2）共基交流放大系数
IC
I E
由于ICBO、ICEO 很小，因此 在以后的计算中，不必区分。
二、极间反向电流
1 ICBO
发射极开路时，集电极—基极间的反向电流，称为集 电极反向饱和电流。
2 ICEO
基极开路时，集电极—发射极间的反向电流，称为集 电极穿透电流。
T
( 0.5 ~ 1) / C
2.3.2 晶体管的主要参数 一、电流放大系数
1.共射电流放大系数
（1） 共射直流放大系数 反映静态时集电极电流与基极电流之比。
（2） 共射交流放大系数 反映动态时的电流放大特性。
由于ICBO、ICEO 很小，因此 在以后的计算中，不必区分。
2. 共基电流放大系数
a. 受控特性：iC 受iB的控制
uCE＝uBE 4
放
IB＝40μ A
iC iB
饱 和3
30μ A
区
大 20μ A
iC iB
2
区
10μ A
1
b. 恒流特性:当 iB 恒定时，
0
uCE 变化对 iC 的影响很小
0μ A iB＝－ICBO
5
10
15
uCE/V
截止区
即iC主要由iB决定，与输出环路的外电路无关。
iC主要由uCE决定 uCE ↑→ iC ↑
iC /mA
=80μA =60μA =40μA
=20μA
25℃
uCE /V
（3）当uCE增加到使集电结反偏电压较大时，运动 到集电结的电子基本上都可以被集电区收集，
此后uCE再增加，电流也没有明显得增加，特 性曲线几乎平行于与uCE轴
2.1 晶体管及其特性
*例 某BJT的输出特性曲线如图所示，试求：（1）ICM 、PCM 、
U（BR）CEO和UA值；（2）计算Q120 mA
PCM ICUCE 5mA 6 V 30 mW
U (BR)CEO 20 V
U A 50 V
*例 某BJT的输出特性曲线如图所示，试求：（1）ICM 、PCM 、
掌握晶体管的选用。
作业：P97 2.1、2.2 自学：知识拓展
分
类 单极型三极管
依靠一种载流子（多子）导电。 依靠电场效应工作，故通常称场效应管， 简称FET（即 Field Effect Transistor ）。
半导体三极管常见外形
2.1.1 晶体管的结构
NPN 型
C B
E
PNP 型
C B
E
+
发射区掺杂浓度很高 结构特点 基区薄且掺杂浓度很低
集电结面积大
2.1 晶体管及其特性
三极管概述 2.1.1 晶体管的结构 2.1.2 晶体管的工作原理 2.1.3 晶体管的伏安特性 2.1.4 晶体管的主要参数
三极管概述
三极管的作用
半 双极型三极管
导
体 三 极
两种载流子参与导电。 通常简称三极管、晶体管
管 或BJT（即 Bipolar Junction Transistor）。
二、放大状态
1. 偏置条件： 发射结正偏导通、集电结反偏 2. 载流子运动规律与电流分配关系
发射区向基区发射多子， 其中极少部分在基区复合形 成电流IBN ，而绝大部分被集 电区收集形成电流 ICN 。
IB = IBN – ICBO IBN I C = ICN + ICBO ICN I E I EN = ICN + IBN = IC + IB
晶体管的三种工作状态及其使用
晶体管的三种工作状态及其使用
晶体管的输出特性曲线中可将晶体管分为三个工作区，即截止区、放大区和饱和区。
从晶体管的三个工作区域可以看到，晶体管主要有电流放大作用，放大区是三极管在信号放大电路中使用的区域;而截止区和饱和区则是在逻辑电路中广泛使用。
在截止区工作时，相当于CE间断开，而在饱和区工作时，C日间电压Uc很小，相当于导通。
即当丽体管交替地工作在截止和饱和导通状态时,集一射极间相当于一个开关，并且是相当于受基极电流I控制的开关，如同受线圈电流控制的继电器触点一样。
I很小或为0时，晶体管截止，相当于开关断开;而控制I较大时，晶体管饱和，相当于开关接通。
晶体管的开关作用广泛应用于脉冲数字电路，也应用于控制系统作电子开关。
它是一种无触点开关，工作频率高，速度快，寿命长。
无任哪种使用区域，晶体管的主要参数,特别是集电极最大允许耗散功率Pcm集电极最大允许电流IcM、集一射极反向击穿电压U(BRCEO 等参数要控制在一定范围内，确保晶体管的工作安全。
另外，由于晶体管受温度影响大，使用环境要充分考虑。
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晶体管工作的条件和晶体管工作状态的判断
晶体管是模拟电路中基础的器件，对于电子工程师来说，了解晶体管工作的条件和判断晶体管的工作状态都是非常基础的，本文将带大家一起学习或回顾一下。
一、晶体管工作的条件
1、集电极电阻Rc：
在共发射极电压放大器中，为了取出晶体管输出端的被放大信号电压Use（动态信号），需要在集电极串接一只电阻Rc。
这样一来，当集电极电流Ic通过时，在Re上产生一电压降IcRc，输出电压由晶体管c-e之间取出，即Usc=Uce=Ec-IcRc，所以Use也和IcRc —样随输入电压Ui的发生而相应地变化。
2、集电极电源Ec（或Vcc）：
Ec保证晶体管的集电结处于反向偏置，使管子工作在放大状态，使弱信号变为强信号。
能量的来源是靠Ec的维持，而不是晶体管自身。
3、基极电源Eb：
为了使晶体管产生电流放大作用，除了保证集电结处于反向偏置外，还须使发射结处于正向偏置，Eb的作用就是向发射结提供正向偏置电压，并配合适当的基级电阻Rb，以建立起一定的静态基极电流Ib。
当Vbe很小时，Ib=O，只有当Vbe超过某一值时（硅管约0.5V，锗管约0.2V，称为门槛电压），管子开始导通，出现Ib。
随后，Ib将随Vbe增大而增大，但是，Vbe和Ib的关系不是线性关系：当Vbe大于0.7V后，Vbe再增加一点点，Ib就会增加很多。
晶体管充分导通的Vbe近似等于一常数（硅管约0.5V，锗管约0.5V）。
4、基极偏流电阻Rb：
在电源Eb的大小已经确定的条件下，改变Rb的阻值就可以改变晶体管的静态电流Ib，从而也改变了集电极静态电流Ic和管压降Vce，使放大器建立起合适的直流工作状态。
二、晶体管工作状态的判断
晶体三极管工作在放大区时，其发射结（b、e极之间）为正偏，集电结（b、c极之间）为反偏。
对于小功率的NPN型硅，呈现为Vbe≈0.7V，Vbc《0V（具体数值视电源电压。