电子技术复习题及答案
(完整版)电子技术复习题(答案)

电子技术复习题一、填空1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。
2.当电源电压升高时,电抗原件将能量存储起来,而当电源电压降低时,又将能量释放出来,从而使输出电压比较平滑,这就是滤波3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。
4.晶体管是有三个电极的电流放大器,任选其中一个电极为公共电极时,可组成三种不同的四端网络,分别成为共基极、共发射极、共集电极。
5.构成放大电路的条件有两个:一是发射结正偏,集电结反偏;二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。
6、当温度升高时,会引起放大电路的静态工作点向上偏移,造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。
8.半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。
9.硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V10.二极管的反向电压在一定范围时,电流基本上是 恒定(或不变) 的。
11.稳压管工作在 反向击穿 区。
12.NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。
13.PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。
14.非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。
15.为不产生非线性失真,放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的 中点 ,输入信号的幅值不能太大。
16.在外部因素(如温度变化、三极管老化、电源电压波动等)的影响下,会引起放大电路 静态工作点 的偏移。
17.外部因素中,对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。
18.三极管级间耦合的方式主要有:阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。
19.三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。
20.三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。
21.三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。
22.场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。
23.场效应管有两种类型:结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。
电子技术复习题及答案

一、填空题1、右图中二极管为理想器件,V1工作在_导通__ 状态;V2工作在__截止___状态。
2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力,对共模信号有较强的__抑制__能力。
3、三级管工作在放大区时,发射结__正向__偏置,集电结__反向__偏置,工作在饱和区时,发射结__正向_偏置,集电结_正向__偏置。
4、根据反馈的分类方式,负反馈电路有4种组合形式,即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。
5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用,他们分别是虚短、虚断。
6、逻辑函数的表示形式有四种:逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。
7、将十六进制(0BF)转换成十进制= __191________。
8、计数器、寄存器、编码器、译码器中,属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___,属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。
9、共阳接法的发光二极管数码显示器,应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。
1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。
2、十进制123的二进制数是 1111011 ;八进制数是 173 ;十六进制数是7B 。
3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。
4、有一A/D转换器,其输入和输出有理想的线性关系。
当分别输入0V和5V电压时,输出的数字量为00H和FFH,可求得当输入2V电压时,电路输出的数字量为:66H 。
5、设ROM容量为256字×8位,则它应设置地址线 8 条,输出线 8 条。
6、用256字×4位RAM,扩展容量为1024字×8位RAM,则需要 8 片1、在常温下,锗二极管的门槛电压约为 0.1 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。
2、三极管须使发射结正向偏置,集电结反向偏置才能工作在放大区。
3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路四个部分组成。
电子技术基础复习试题与答案

一、选择题:
1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( )
(A)掺入杂质的浓度、(B)材料、(C)温度
2.测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( )
(A)放大状态 、(B)饱和状态、(C)截止状态
3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( )
28.74LS138是3线—8线译码器,译码为输出低电平有效,若输入为A2A1A0=110时,输出 应为______。
29.将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM, 该ROM有______根地址线。
30.能够实现“线与”的TTL门电路叫______。
31.差分放大电路,若两个输入信号uI1=uI2,则输出电压,uO=0; 若 u I1=100V,u I2=80V则差模输入电压uId=20V;共模输入电压uIc=90V。
参考答案
一、选择题:1、C2、C3、C4、B5、C6、C7、C8、B9、B10、A
11、C12、B13、B14、C15、B16、A17、C18、A19、C
20、C21、A22、C23、B24、A25、A
二、填空题:1、自由电子、空穴2、单向导电
3、发射结正偏、集电结反偏4、差动
5、φA +φF=2nπ(n=0、1、2……) 、AF=1
(1)静态工作点IB,IC,UCE;
(2)电压放大倍数Au。
5.已知如图VCC=12V,RB=100KΩ,RW=400KΩ,RC=4KΩ,β=37.5,
当滑动变阻器的触点在中间位置时求静态值并画直流负载线 (设UBE= 0 )。 (10分)
7.写出下图输出与输入的关系表达式:
(完整版)电子技术复习题及参考答案

中南大学网络教育课程考试复习题及参考答案电子技术一、填空题:1。
在本征半导体中掺入微量三价元素形成型半导体,掺入微量五价元素形成型半导体。
2。
晶体管工作在截止区时,发射结向偏置,集电结向偏置。
3.硅稳压管的工作为 _ 区。
4。
为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用滤波电路。
5。
已知输入信号的频率为10kHz~12kHz,为了防止干扰信号的混入,应选用滤波电路。
6.为了获得输入电压中的低频信号,应选用滤波电路.7.为了稳定静态工作点,应引入负反馈.8.为了稳定放大倍数,应引入负反馈。
9.为了使放大电路的输出电阻增大应引入负反馈;深度负反馈的条件是。
10。
为了减小放大电路的输入电阻,应引入负反馈。
11.为了减小放大电路的输出电阻,应引入负反馈。
12.当集成运放组成运算电路时中,运放一般工作在状态。
13.在运放组成的电压比较器中,运放一般工作在或状态.14.在图1所示电路中,调整管为,采样电路由组成,基准电压电路由组成,比较放大电路由组成.图115。
在整流电路的输入电压相等的情况下,半波与桥式两种整流电路中,输出电压平均值最低的是整流电路.16。
直流电源由、、和四部分组成。
17。
串联型稳压电路由、、和四部分组成。
18.欲将方波电压转换成三角波电压,应选用运算电路。
19。
NPN型共集电极放大电路中的输出电压顶部被削平时,电路产生的是失真;乙类功放电路的主要缺点是输出有失真。
20. 比例运算电路的比例系数大于1,而比例运算电路的比例系数小于零。
21.正弦波自激振荡的幅值平衡条件为,相位平衡条件为。
22。
存储器按功能不同可分为存储器和存储器;23.RAM按存储单元结构特点又可分为和。
24.半导体存储器的结构主要包含三个部分,分别是、、。
25。
某存储器容量为8K×8位,则它的地址代码应取位。
26。
将Intel2114(1K*4位)RAM扩展成为8K*4位的存储器,需要Intel2114芯片数是 ,需要增加的地址线是条。
电子技术复习题及答案

电子技术复习题一一、填空题1、右图中二极管为理想器件,题1-1V1工作在_导通__ 状态;V2工作在__截止___状态。
2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力,对共模信号有较强的__抑制__能力。
3、三级管工作在放大区时,发射结__正向__偏置,集电结__反向__偏置,工作在饱和区时,发射结__正向_偏置,集电结_正向__偏置。
4、根据反馈的分类方式,负反馈电路有4种组合形式,即_串联电压负反馈、_并联电压负反馈__、_串联电流负反馈_、并联电流负反馈。
5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用,他们分别是虚短、虚断。
6、逻辑函数的表示形式有四种:逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。
7、计数器、寄存器、编码器、译码器中,属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___,属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。
8、共阳接法的发光二极管数码显示器,应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。
9、数字信号只有 0 和 1 两种取值。
10、十进制123的二进制数是 1111011 ;八进制数是 173 ;十六进制数是7B 。
11、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。
12、按移位方向,移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。
13、(101111)(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2)14、时序电路分为组合电路和存储电路两种。
15、.二极管的反向电流IRM越小,说明二极管的____单向导电_____性能越好。
16、交流负反馈有4种组态,若要求输入电阻高,输出电阻高,在放大电路中应引入__串联电流_______负反馈组态。
17、要稳定静态工作点,在放大电路中应引入_____直流____负反馈。
二、选择题1、离散的,不连续的信号,称为(B )A、模拟信号B、数字信号2、在下列逻辑部件中,不属于组合逻辑部件的是( D )。
《电子技术》期末复习试题及答案

《电子技术》期末复习试题及答案1.根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为、和一空1答案:导体空2答案:半导体空3答案:绝缘体2.导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为o空1答案:半导体3.二极管P区引出端叫极,N区引出端叫极空1答案:正空2答案:负4.二极管的最主要特性为 o空1答案:单向导电性5.按二极管所用的材料不同,可分为二极管和二极管两类。
空1答案:硅空2答案:错6. PN结正向偏置时,P区接电源极,N区接电源极空1答案:正空2答案:负7.半导体三极管有两个PN结,分别是结和结。
空1答案:集电空2答案:发射8.硅二极管的正向管压降为 V,错二极管的正向管压降为 Vo9.硅二极管的死区电压为 Vo空1答案:0.510.半导体三极管有三个电极,分别为极、极和极。
空1答案:集电空2答案:基空3答案:发射11.三极管的三种工作状态分别是状态、和状态。
空1答案:截止空2答案:放大状态空3答案:饱和12.三极管工作在放大状态,结正偏,结反偏。
空1答案:发射空2答案:集电13.半导体三极管放大的实质是,即空1答案:控制空2答案:用较小的电流控制较大的电流14.影响放大电路的静态工作点稳定的最主要因素是的变化空1答案:温度15.分压式射极偏置电路中电容的作用是。
空1答案:隔直通交16.温度升高时,放大电路的静态工作点会上升,引起失真,温度降低时,静态工作点会下降,引起失真。
17. NPN型三极管工作在截止状态时,发射结空1答案:反偏18.工作在放大状态的三极管可作为器件,工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
空1答案:放大空2答案:开关19.各级放大器之间的连接方式,叫做空1答案:耦合LPN结的最大特点是()oA.导电性B.绝缘性C.单向导电性(正确答案)D.负阻性2.半导体受光照,导电能力()oA.增强(正确答案)B.减弱C.不变I).不一定3.当加在硅二极管两端的正向电压从0逐渐增加时,硅二极管()oA.立即导通B.到0. 3V才开始导通C.超过死区电压时才导通(正确答案)D.不导通4.当硅二极管加上0.4V正向电压,该二极管相当于()。
电路与电子技术总复习题及答案
"电路与电子技术"复习题答案一、单项选择题1、由叠加定理可求得图〔1〕所示电路中电压U为〔B〕A. 15 VB. -5 VC. 5 VD. -15 V2、图〔2〕所示电路中节点a的电压为〔A〕A. 20 VB. 120 VC. 220 VD. -60 V图〔1〕图〔2〕3、在根本放大电路的三种组态中,输入电阻最大的放大电路是〔C〕在根本放大电路的三种组态中,输出电阻最小的放大电路是〔C〕电压放大倍数总是小于1的放大电路是〔C〕电压放大倍数、电流放大倍数较大,输出信号电压与输入信号电压反相的放大电路是〔A〕电压放大倍数较小而电流放大倍数大于1,输出信号电压与输入信号电压同相的放大电路是〔C〕电压放大倍数较大而电流放大倍数小于1,输出信号电压与输入信号电压同相的放大电路是〔B〕输入电阻最小的放大电路是〔D〕A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定4、整流电路的作用是〔B〕滤波电路的作用是〔A〕A、把交流电变为平滑的直流电。
B、把交流电变为单向脉动的直流电。
C、把直流电变为交流电。
D、把高压交流电变为低压交流电。
5、如图,V2电位为〔C〕A、V2 = 2.5 V B、V2= 5 VC、V2 =7.5 VD、V2= 7 V6、图示电路中, 电流I为〔C〕A、1 AB、0 AC、2 AD、-2 A7、图示电路中, 电流I=0时,US应为〔B〕A、0 VB、6 VC、-6 VD、12 V8、如图,换路前电路处于稳态,t=0时刻开关断开。
则换路后瞬间电容电压uC 〔0+〕为〔D〕A、uC 〔0+〕 = 0 VB、uC 〔0+〕 = 30 VC、uC 〔0+〕 =120 VD、uC 〔0+〕 = 6 V9、以下说法正确的选项是〔C〕A、对于任何复杂的正弦交流电路,电路中的总的有功功率等于各个支路〔或元件〕有功功率之和,总的无功功率等于各个支路〔或元件〕无功功率之和,总的视在功率等于各个支路〔或元件〕视在功率之和。
电路与电子技术复习试题(部分答案)
一.单项选择题1. 图示电路中,电流I=( A )。
A.–3 AB. 2 AC. 3 AD. 5 A2. 图示电路中, 电压U=( D )。
A. 2 VB. 4 VC. 6 VD. 8 V3. 图示电路中, 电流I=( A )。
A. 1 AB. 2 AC. 3 AD. 1/2 A4. 图示电路中, 实际发出功率的元件是( D )。
A. U S。
B. RC. U S和I SD. I S5. 图示电路中, 电压U=( A )。
A. 8 VB. -8 VC. 16 VD. -16 V6. 图示无源单口网络电路中, ab间等效电阻R ab =( B )。
A. R1//R2//R3B. R1//R3C. (R1+R2)//R3D. (R1+R3)//R27. 图示电路中, 电流I=( B )。
A. 5 AB. -5 AC. 1 AD. 2 A8 . 图示一阶电路中,开关在t=0时闭合,电容初始电压u C(0+)= ( C )。
A. -5 VB. 10 VC. 5 VD. 20 V9. 图示电路中, 电压源单独作用时,电流I=( B )。
A. 0 AB. 1 AC. -1 AD. 1.5 A10. 图示电路中, ab短路线中电流I ab = ( A )。
A. 1 AB. 2 AC. 3 AD. -1 A11. 图示电路中, 电流I=( A )。
A. –4AB. 4AC. –2AD. –3A12. 图示电路中, 电压U=( C )。
A. 3 VB. -3 VC. -6 V 。
D. 6 V13. 图示电路, ab 间电压U ab = ( D )。
A. 8 V B. 7 VC. 5 VD. 3 V14.稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在( B )状态,但其两端电压必须( C )它的稳压值Uz 才有导通电流,否则处于( F )状态。
A 、正偏 B 、反偏 C 、大于 D 、小于 E 、导通 F 、截止15.用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V 、6V 、2.7V ,则三个电极分别是( C ),该管是( D )型。
电工学(电工技术、电子技术)复习题及答案
电工学(电工技术、电子技术)复习题一、单项选择题:在下列各题中,将唯一正确的答案代码填入括号内1、把图 1 所示的电路改为图 2 的电路,其负载电流I1 和I2 将( )。
(a) 增大 (b) 不变 (c) 减小2、当三相交流发电机的三个绕组接成星形时,若线电压u BC = 380sin wt V,则相电压u B = ( )。
(a) (b)(c)3、在图示电路中,开关 S 在t= 0 瞬间闭合,若,则( )。
(a) 0.6 A (b) 0.4 A (c) 0.8A4、两个铁心线圈除了匝数不同 (N1 > N2) 外,其他参数都相同,若将这两个线圈接在同一交流电源上,它们的磁通F1 和F2 的关系为( )。
(a) F1 > F2 (b) F1 < F2 (c) F1 = F25、三相异步电动机的旋转方向决定于( ) 。
(a) 电源电压大小 (b) 电源频率高低 (c) 定子电流的相序6、在电动机的继电器接触器控制电路中,零压保护的功能是( )。
(a) 防止电源电压降低烧坏电动机(b) 防止停电后再恢复供电时电动机自行起动(c) 实现短路保护7、在中点接地的三相四线制低压供电系统中,为了防止触电事故,对电气设备应采取( ) 措施。
(a) 保护接中( 接零 ) 线 (b) 保护接地 (c) 保护接中线或保护接地8、图 1 与图 2 为两个正弦交流等效电路,已知R = 9 W,R¢= 10 W,C = F,C¢= F,需施加的正弦信号的角频率w为 ( )。
(a) 0.32 rad / s (b) 0.11 rad / s (c) 2 rda/s9、图示正弦交流电路中,R = XL= 10 W,欲使电路的功率因数l = 0.707,则XC为 ( )。
(a) 20 W (b) 10 W (c) 5 W10、在R,L,C串联电路中,总电压,电流i = 10sin(wt+) A,w=1 000 rad / s,L = 1 H,则R,C分别为 ( )。
电子技术考题大全及答案(完整版)
电子技术考题大全及答案(完整版)1. 时序逻辑电路的分析方法有()。
A、列写状态方程B、列写驱动方程C、列写状态表D、以上都是2. 用毫伏表测出电子电路的信号为( )A、平均值B、有效值C、直流值D、交流值3. 当74LS138的控制信号为01时,该集成移位寄存器处于( )态。
A、左侈B、右移C、保持D、并行置数4. 集成译码器7LS138的3个使能端,只要有一个不满足要求,其八个输出为( )。
A、高电平B、低电平C、高阻D、低阻5. 集成计数器741S192是( )计数器。
A、异步十进制加法B、同步十进制加法C、异步十进制减法D、同步十进制可逆6. 集成运放电路引脚如插反,会( ),会损坏运放。
A、将电源极性接反B、输人接反C、输山接反D、接地接反7. 集成译码器的( )状态不对时。
译码器无法工作。
A、输入端B、输出端C、清零端D、使能端8. 由与非门组成的基本RS触发器,当RS为( )时,触发器处于不定状态。
A、00B、01C、10D、ll9. 时序逻辑电路的输出端取数如有问题会产生( )。
A、时钟脉冲混乱B、SW无效C、清零端规D、计数模错误10. 晶闸管触发电路所产生的触发脉冲信号必须要( )。
A、有一定的电位B、有一定的电抗C、有一定的频率D、有一定的功率11. 锯齿波触发电路中的锯齿波是由( )对电容器充电以及快速放电产生的。
A、矩形波电源B、正弦波电源C、恒压源D、恒流源12. 下列不属于常用稳压电源电子单元电路的功能有( )。
A、输出电压稳定B、抗干扰能力强C、具有一定过载能力D、波形失真小13. 微分集成运放电路反馈元件采用的是( )元件。
A、电感B、电阻C、电容D、三极管14. 过零比较器可将输入正弦波变换为( )。
A、三角波B、锯齿波C、尖顶脉冲波D、方波15. 组合逻辑电路常采用的分析方法有( )。
A、逻辑代数化简B、真值表C、逻辑表达式D、以上都是16. 组合逻辑电路的译码器功能有( )。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
中南大学现代远程教育课程考试复习题及参考答案
《电子技术》
一.填空:
1.硅二极管两端的电压从0.6伏增加10%,则流过的电流增加量()10%。
2.三极管工作在放大状态时,发射结处在()偏置,集电结()偏置。
3.在耗尽型MOS管中,P沟道的U P为()值,N沟道的U P为()值。
4.在电场作用下,空穴与电子运动形成的电流方向是()的。
5.P型半导体中()为多子,它呈现的电性为()。
6.从工作原理看,稳压二极管工作在()状态。
7.在一个PN结中,靠P区一边带()电,靠N区一边带()电,即电场方向由()区指向()区。
8.三极管的I B固定,I C与U CE之间的关系曲线称为()曲线,U CE固定,I B 与U BE之间的曲线称为()曲线。
9.TTL电路输出端的标准高电平为()伏,标准低电平为()伏。
10.某门电路有三个输入端,一个输出端,只有当三个输入端都为低电平时,熟出端才为低电平,这类门电路称为()电路。
11.某门电路有两个输入端,一个输出端,只有当两个输入端都为低电平时,输出端才为高电平,这类门电路称为()电路。
12.T触发器的逻辑符号有()个输入端,()个输出端。
13.典型JK触发器的逻辑符号有()个输入端,()个输出端。
14.典型D触发器的特性方程是()。
15.典型JK触发器的特性方程是()。
二.关于三极管放大参数的计算:
1.已知某三极管的α=0。
992,求β=?
2.已知某三极管的β=300,求α=?
3.测得某单级共射放大电路的I CQ=2mA,已知β=50,试求I BQ=?
三.关于放大电路静态工作点的计算:
1.电路图如教材P181图题5-11所示,U CC=12V,R C=3K,R B=280K, β=50,试计算其静态工作点。
2.电路图如教材P181图题5-11所示,β=70,试计算其静态工作点。
3.电路图如教材P181图题5-13所示,试计算其静态工作点。
四.有关门电路与逻辑表达式的转换:
1.请用门电路实现逻辑表达式F= XY+WZ
2.门电路如下图所示,请写出输出端F的逻辑表达式,当输入端ABCDE
分别为低、高、低、低、高电平时,F为何电平。
3.写出如下逻辑电路图输出端F 的逻辑表达式,若所有输入端都为
低信号,输出F 是何电平。
五. 有关触发器的功能表及特性方程: 1.已知基本RS 触发器逻辑图如下,试填其功能表。
2.同步RS 触发器逻辑图如下,试填其功能表。
3.触发器如下图所示,试填其功能表Q n+1。
六.有关触发器的输出波形: 1.CP
为边沿触发的JK 触发器的逻辑图及输入波形如下,试画出Q 端的
波形(初始Q 为低)。
2.
用边沿触发的
D 触发器,其逻辑图及输入波形如下,试画出输出端Q
的波形,触发器初态为O 。
3.T 触发器的逻辑符号与输入波形如图,试画出输出 端Q 的波形,触发器原处
于0状态
七. 有关555定时器的应用:
1.试用555定时器接成施密特触发器电路,当V CC =12V ,无外接控制电压时,V T1,V T2,V H 各为多少?
2.试用555定时器构成一个单稳电路。
若要求输出脉冲宽度t po =1ms ,已定外接电容C=0.1μF ,试求外接电阻R 的值。
3.试用555定时器构成一个方波发生器(画图),设外接电阻R 1=R 2=1K Ω,
外接电容
C=0.02μf ,求方波发生器的频率F=?
八、有关场效应管的特性:
1、某MOS 场效应管的转移特性如下图,请指出它属于哪种沟通,是增
强型还是耗尽型,为什么?其U T 或U P 为多少?
2、四、已知
MOS 场效应管的转移特性如下图所示,请指出它属于哪种沟
道,是耗尽型还是增强型,为什么?其U P 或U T 为多少?(10分)
参考答案
一.填空:
1.(大于)
2.(正向)(反向)
3.(正)(负)
4.(相反)
5.(空穴)(正电)
6.(反向击穿)
7.(负)(正)(N)(P)
8.(输出特性)(输入特性) 9.(+3。
6)(+0。
3)
10.(或门)
11.(或非门)
12.(2)(2)
13.(3)(2)
14.(Q N+1=D)
15.(Q N+1=JQ N+KQ N)
二.1.β=124
2.α=0.997
3.40微安
三.1.I
BQ =40微安,I
CQ
=2毫安。
U
CEQ
=6伏
2.I
BQ =46微安,I
CQ
=3.2毫安。
U
CEQ
=4.7伏
3.I
BQ =56微安,I
CQ
=3.72毫安。
U
CEQ
=6.1伏
四.1.由2个与非门和1个或非门组成,2个与非门的输出作或非门的输入,或非门的输出即是F。
2.E
CD
B
A
F⋅
⋅
+
=,F为高电平。
3.F=AB CD E
五.1.Q N+1分别为:不定,0,1,Q N
2.Q n+1分别为“Q n”、“1”、“0”、“不定”
3.Q N+1分别为:Q N,1,0,Q N
六.1.参见教材P341底部的特性方程,或P342表10-4。
2.参见教材P341中部的特性方程,或P342表10-3。
3.参见教材P342中部的特性方程。
七.1.参见教材P377图11-3。
V
T1=4V,V
T2
=8V,V
H
=4V
2.电路图见教材P380图11-8。
外接电阻R为37KΩ
3.电路图参见教材P385图11-12.
周期T=0.042毫秒
频率F=23.8KHZ
八、1、为N沟道增强型场效应管,U
T
=2V
2、为N沟道耗尽型场效应管,U
P
=-2V。