SS8050三极管
三极管8050
三极管8050介绍三极管8050（Transistor 8050）是一种常规的下沉式晶体管，属于NPN型三极管。
它是一种低功耗、高输入阻抗、中等输出功率的晶体管。
由于其小尺寸和容易使用的特点，三极管8050在电子和电路设计中得到了广泛应用。
三极管8050的外观类似于一个小型的方形芯片，有三个引脚标记为E（发射极）、B（基极）和C（集电极）。
在电子电路中，它通常被用作放大器、开关和振荡器等设备。
特性封装类型三极管8050常见的封装类型有TO-92和SOT-23。
其中，TO-92封装是较为常见的封装类型，适用于手工和自动插装技术。
而SOT-23封装则更小巧，适用于电路板的紧凑设计。
电性能三极管8050具有以下电性能特点：•最大耗散功率（Pd）：500mW•高前向电流增益（hFE）：最小为40•高频带宽（fT）：5MHz•高封装温度（TJ）：150°C参数以下是三极管8050常见的参数：•额定电流（IC）：500mA•额定电压（VCEO）：25V•额定功率（PC）：500mW•最大集电极-基极电压（VCE）：25V•最大集电极-发射极电压（VBE）：5V应用三极管8050广泛应用于电子和电路设计中，以下是一些常见的应用场景：放大器三极管8050可用作放大器，将弱信号放大为较大信号，以便驱动阻抗较大的负载。
它可以用于音频放大器、射频放大器和功率放大器等应用。
开关三极管8050可用作开关，将输入信号应用于基极，根据基极电流控制输出电流的开关状态。
它可以用于各种电路开关、闪烁灯和逻辑门等应用。
振荡器三极管8050还可用于设计振荡器电路，产生特定频率的交流信号。
这些信号可以应用于无线电调制器、时钟电路和信号发生器等应用。
使用示例以下是一个使用三极管8050的放大器电路示例：Vcc ---------R1---------|-----------Vout|-----C1 |---| Tr8050-----||GND其中，Vcc表示电源电压，R1为输入电阻，C1为输入电容，Vout为输出信号。
8050三级的基本管参数
8050三级的基本管参数8050三极管是一种常用的电子元件，作为一种非常重要的半导体元件，广泛应用于各种电子设备中。
对于三级管的基本参数，我们可以从以下几个方面来进行介绍。
首先，我们来看一下三极管的结构。
三极管由三个区域组成，分别是发射区、基区和集电区。
发射区和基区之间形成一个非常薄的基极结，而基区和集电区之间形成一个非常薄的集电结。
这种结构使得三极管具有非常好的放大性能和开关能力。
三极管的第一个基本参数是电流放大倍数，也叫做β值。
电流放大倍数是指输出电流与输入电流之间的比值，用来衡量三极管的放大作用。
β值越大，说明三极管的放大作用越好。
一般来说，8050三极管的β值在30到300之间。
第二个基本参数是最大耐压能力。
耐压能力是指三极管在集电结和发射结之间能够承受的最大电压。
对于8050三极管来说，其最大耐压一般在25V到60V之间。
第三个基本参数是最大集电电流。
集电电流是指从集电区流出的电流，也就是三极管的输出电流。
8050三极管的最大集电电流一般在500mA到800mA之间。
第四个基本参数是最大功率耗散。
功率耗散是指三极管在工作过程中的耗散功率，可以通过集电极电流和集电极电压之积得到。
对于8050三极管来说，其最大功率耗散一般在400mW到800mW之间。
第五个基本参数是最大工作频率。
工作频率是指三极管能够正常工作的最高频率。
对于8050三极管来说，其最大工作频率一般在100MHz到300MHz之间。
除了以上几个基本参数外，三极管还有一些其他的参数，如输入电阻、输出电阻和截止频率等。
输入电阻是指三极管的输入端对电流的阻抗，输出电阻是指三极管的输出端对电流的阻抗，而截止频率是指三极管无法正常放大电信号的最高频率。
总结起来，8050三极管的基本管参数包括电流放大倍数、最大耐压能力、最大集电电流、最大功率耗散和最大工作频率等。
这些参数决定了三极管的放大性能、开关能力和稳定性，对于电子设备的设计和应用具有非常重要的意义。
三极管S8050、C8050、8050SS、SS8050、S8050参数区别
三极管S8050、C8050、8050SS、SS8050、S8050参数区别8050 8550三极管有时在电路⾥做为对管来使⽤，也有的做单管应⽤。
在有些电路⾥对S8050放⼤倍数要求是很⾼的，不能随意替换，必需要⽤原参数管才能替换，否则电路不能正常⼯作。
8050为NPN型三极管 8550为PNP型三极管。
S8050 、S8*******S8550SC8050C85508050SS8550SSSS8050SS8550耗散功率0.625W（贴⽚：0.3W）0.625W（贴⽚：0.3W）1W1W(TA=25℃)2W(TC=25℃)1W(TA=25℃)2W(TC=25℃)集电极电流0.5A0.5A 1.5A 1.5A 1.5A集电极--基极电压40V30V40V40V40V集电极--发射极击穿电压25V25V25V25V25V集电极-发射极饱和电压0.6V0.5V特征频率fT最⼩150MHZ最⼩150MHZ fT 最⼩100MHZ典型190MHZ最⼩100MHZ最⼩100MHZ引脚排列EBC或ECB ECB EBC EBC ECB两种多为EBC按后缀号分档分为 B C D档贴⽚为 L H档分为 B C D档贴⽚为 L H档分为 B C D档分为 B C DD3分为 B C D放⼤倍数B:85-160C:120-200D:160-300L:100-200H:200-350B:85-160C:120-200D:160-300E:280-400L:100-200H:200-350B:85-160C:120-200D:160-300B：85-160C:120-200D:160-300D3:300-400B：85-160C:120-200D:160-300UTC的 S8050 S8550 引脚排列有EBC 8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管⼦很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最⼩100MHZ放⼤倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400。
8050三极管参数
8050三极管参数引言8050三极管是一种常用的PNP型晶体管，广泛应用于电子电路中。
了解和掌握8050三极管的参数是进行电路设计和故障排除的基础。
本文将介绍8050三极管的常见参数，包括最大额定值、电流增益、电压参数等。
通过详细了解这些参数，我们可以更好地应用8050三极管。
一、最大额定值8050三极管的最大额定值指的是在特定条件下，三极管能够承受的最大电流和电压。
以下是8050三极管的最大额定值参数：1.最大集电极电流 (ICmax)：这是指在指定的集电极-发射极电压下，三极管可以承受的最大电流。
对于8050三极管，典型的最大集电极电流为700mA。
2.最大集电极功率 (PCmax)：这是指在指定的集电极-发射极电压下，三极管可以承受的最大功率。
对于8050三极管，典型的最大集电极功率为625mW。
3.最大集电极-发射极电压 (VCEOmax)：这是指在指定的集电极电流下，三极管可以承受的最大电压。
对于8050三极管，典型的最大集电极-发射极电压为-40V。
二、电流增益电流增益是指三极管中输入电流与输出电流之间的比例关系。
8050三极管的电流增益参数如下：1.直流电流增益 (DC Current Gain)：直流电流增益是指在静态工作条件下，三极管的输入电流与输出电流之间的比例关系。
8050三极管的典型直流电流增益为30至200。
2.交流电流增益 (AC Current Gain)：交流电流增益是指在动态工作条件下，三极管的输入电流与输出电流之间的比例关系。
8050三极管的典型交流电流增益为50至400。
三、电压参数电压参数是指三极管在不同工作状态下的电压值。
8050三极管的电压参数如下：1.饱和电压 (VCEsat)：饱和电压是指在三极管完全导通时，集电极-发射极间的电压降。
8050三极管的典型饱和电压为-0.5V。
2.基极-发射极电压 (VBE)：基极-发射极电压是指在三极管正常工作时，基极与发射极之间的电压差。
【2022】FOSAN富信科技二三极管FX SS8050规格书
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SS8050■FEATURES特點Low Frequency Power Amplifier低頻功率放大Suitable for Driver Stage of Small Motor小馬達驅動Complementary to SS8550与SS8550互补■最大額定值(T a=25℃)CHARACTERISTIC 特性參數Symbol符號Rating額定值Unit單位Collector-Base Voltage集電極-基極電壓V CBO30Vdc Collect-Emitter Voltage集電極-發射極電壓V CEO20Vdc Emitter-Base Voltage發射極-基極電壓V EBO 5.0Vdc Collector Current集電極電流Ic1500mAdc Collector Power Dissipation集電極耗散功率P C300mW Junction Temperature結溫T j150℃Storage Temperature Range儲存溫度T stg-55〜150℃■DEVICE MARKING打標SS8050=Y1■H FE RANGE放大倍數分檔H FE(1)(85〜150),(120〜220)(200~300),(280~400)ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SS8050■ELECTRICAL CHARACTERISTICS電特性(T A=25℃unless otherwise noted如無特殊說明，溫度爲25℃)Characterstic 特性參數Symbol符號Test Condition測試條件Min.最小值Typ.典型值Max.最大值Unit單位Collector Cutoff Current 集電極截止電流I CBO V CB=30V,I E=0——0.1μAEmitter Cutoff Current 發射極截止電流I EBO V EB=5V,I C=0——0.1μACollector-Base Breakdown Voltage集電極-基極擊穿電壓V(BR)CBO I C=100μA30——V Collector-Emitter Breakdown Voltage集電極-發射極擊穿電壓V(BR)CEO I C=10mA20——V Emitter-Base Breakdown Voltage發射極-基極擊穿電壓V(BR)EBO I E=100μA5——VDC Current Gain 直流電流增益H FE(1)V CE=1V,I C=100mA85—400—H FE(2)V CE=1V,Ic=1500mA40——Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降V CE(sat)I C=1500mA,I B=150mA——0.6VBase-Emitter Voltage 基極-發射極電壓V BE V CE=1V,I C=10mA—0.8 1.0VTransition Frequency 特徵頻率f T V CE=5V,I C=10mA100120—MHzCollector Output Capacitance 輸出電容C ob V CB=10V,I E=0,f=1MHz—1330pFANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SS8050■DIMENSION外形封裝尺寸。
三极管8050参数
三极管8050参数1. 引言三极管是一种重要的电子元器件，常用于放大电路和开关电路中。
三极管8050是一种常用的NPN型小功率晶体管，具有广泛的应用领域。
本文将介绍三极管8050的基本参数，包括极限参数、电学参数、封装和引脚配置等内容。
2. 极限参数三极管的极限参数是指在规定的工作条件下，三极管能够承受的最大电压、电流和功率等。
对于三极管8050来说，其极限参数如下： - Emitter-Base电压（VEBO）：5V - Collector-Base电压（VCBO）：30V - Collector-Emitter电压（VCEO）：25V - Base-Collector电流（ICBO）：50nA - Collector-Emitter饱和电压（VCEsat）：0.5V（最大值） - 最大集电器功率（PC）：625mW - 工作温度范围（Topr）：-55℃至150℃3. 电学参数三极管8050的电学参数描述了其在实际应用中的电性能。
以下是三极管8050的主要电学参数： - 饱和电流（ICsat）：150mA（最小值）- 直流放大倍数（DC Current Gain，hFE）：范围为70至700 - 高频电流增益（fT）：300 MHz - 输入电阻（R1E）：10kΩ - 输出电阻（RO）：100Ω4. 封装和引脚配置三极管8050通常采用SOT-23封装，其引脚配置如下： - 引脚1：Base（基极） - 引脚2：Collector（集电极） - 引脚3：Emitter（发射极）5. 应用示例三极管8050广泛应用于各种电子电路中，以下是一些常见的应用示例： - 放大电路：三极管8050可以作为低功率音频放大器的输出级或驱动级，用于放大音频信号。
- 开关电路：三极管8050可以用作数字信号开关，通过控制其基极电流来控制开关状态。
- 电源管理：三极管8050可以用于电池管理系统、充电电路和稳压电路等，起到控制电流和电压的作用。
8050三极管参数
8050三极管参数题目：8050三极管参数简述与应用导语：在电子电路领域，三极管是一种常见的电子元件，其广泛应用于放大、开关等电路中。
本文将深入探讨8050三极管的参数特性以及其在电路中的应用，帮助读者更好地理解和使用该元件。
一、8050三极管概述8050三极管是一款NPN型晶体管，具有较高的电流放大倍数和较低的饱和压降。
其结构由三个半导体区域组成：发射区、基区和集电区。
在晶体管的工作过程中，发射区与基区之间存在正向偏置，而基区与集电区之间则存在反向偏置。
二、8050三极管参数解读1. 最大集电电流（ICmax）：它表示三极管能够承受的最大集电电流。
超过该电流值，三极管可能会损坏，因此在使用时应该确保电流不超过该限制。
2. 最大集电-发射电压（VCEOmax）：它表示三极管在集电极与发射极之间能够承受的最大电压。
当超过这个电压时，三极管可能发生击穿，导致失效或损坏。
3. 最大功耗（Pmax）：它表示三极管能够承受的最大功率。
超过该功率值，三极管可能过热并损坏。
4. 直流电流放大倍数（hFE）：它表示输入电流与输出电流之间的倍数关系。
高hFE值意味着三极管具有较好的放大性能。
三、8050三极管的应用1. 放大电路：由于8050三极管具有较高的电流放大倍数，常用于放大电路中。
通过合理选择电阻和电容，可以构建各种放大电路，如B类放大电路和C类放大电路。
2. 开关电路：8050三极管还可作为开关元件使用。
在电路中，通过控制输入信号的变化，可以将三极管从导通状态切换到截止状态，或者反之。
这种开关能力使8050三极管在数字电路和模拟电路中得到广泛应用。
3. 振荡电路：利用三极管的正反馈特性，8050三极管还可以用于构建振荡电路。
该振荡电路可以在特定频率范围内产生稳定的信号输出。
结语：通过对8050三极管的参数和应用进行简要介绍，我们可以看到，它作为一款常见的晶体管元件，在电子电路中发挥着重要的作用。
了解三极管的参数特性并合理应用，能够帮助我们设计和调试电路，使电子设备工作更加稳定和高效。
SS8050三极管规格书：三极管SS8050参数与封装尺寸
Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature
300
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
1000 1500
C /C ob ib
——
V /V CB EB
Cib
f=1MHz IE=0/IC=0 Ta=25℃
Cob
3
1 0.1
350 300 250 200 150 100
50 0 0
0.3
1
3
REVERSE VOLTAGE V (V)
P —— T
COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VCEsat (mV)
140 120 100
80 60 40 20
0 0.0
1000
300 100
30 10
3 1
1
1500 1000
300 100
30 10
3 1 0.2
1000
300 100
30 10
3 1
1
Static Characteristic
VCE=10V Ta=25℃
100
COLLECTOR POWER DISSIPATION PC (mW)
CAPACITANCE C (pF)
BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VBEsat (V)
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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
SS8050 TRANSISTOR (NPN )
FEATURES
P CM : 1 W (T A =25.) : 2 W (T C =25.)
MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test conditions
M in
T yp
M ax
U nit
Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO
I C =100uA, I E =0 40 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO
I C =0.1mA, I B =0 25 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO
I E =100μA, I C =0 5 V Collector cut-off current I CBO
V CB =40V, I E =0 0.1 μA Emitter cut-off current I CEO
V CE =20V, I E =0 0.1 μA Emitter cut-off current I EBO V EB =5V, I C =0 0.1 μA h FE(1) V CE =1V, I C =100mA 85 400 DC current gain
h FE(2)
V CE =1V, I C =800mA
40
Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =800mA, I B =
80mA 0.5 V Base-emitter saturation voltage V BE(sat) I C =800mA, I B =
80mA 1.2 V Base-emitter voltage V BE V CE =1V, I C =10mA 1 V Transition frequency f T
V CE =10V, I C =50mA,f=30MH Z 100
MHz
CLASSIFICATION OF h FE(1)
Rank B C D D3
Range
85-160 120-200 160-300 300-400
TO-92
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
B,Feb,2012
【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
0255075100125150
200
400
600
800
1000
1200
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1
10
100
1000
10
100
1000
300
3
C
O
L
L
C
E
T
O
R
C
U
R
R
E
N
T
I
C
(
m
A
)
BASE-EMMITER VOLTAGE V
BE
(V)
I
C
V ——
I
f ——
T
R
A
N
S
I
T
I
O
N
F
R
E
Q
U
E
N
C
Y
f
T
(
M
H
z
)
COLLECTOR CURRENT I
C
(mA)
C
O
L
L
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C
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R
P
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W
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D
I
S
S
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A
T
I
O
N
P
C
(
m
W
)
AMBIENT TEMPERATURE T
a
()
℃
P
C
—— T
a
SS8050 Typical Characterisitics
COLLECTOR CURRENT I
C
(mA)
B
A
S
E
-
E
M
I
T
T
E
R
S
A
T
U
R
A
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ib
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300
30
300
D
C
C
U
R
R
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N
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I
N
h
F
E
COLLECTOR CURRENT I
C
(mA)
I
h ——
C
O
L
L
E
C
T
O
R
C
U
R
R
E
N
T
I
C
(
m
A
)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
CE
(V)
Static Characteristic
COLLECTOR CURRENT I
C
(mA)
I
C
V
CEsat
——
1500
B,Feb,2012
【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
Sponge strip
2000 pcs
Sponge strip The top gasket
Label on the Inner Box
Plastic bag
Label on the Outer Box
Inner Box: 333 mm ×162mm ×43mm
Outer Box: 350 mm × 340mm × 250mm
QA Label
Seal the box with the tape
Stamp “EMPTY” on the empty box
Inner Box: 240 mm ×165mm ×９５mm
Label on the Inner Box
Outer Box: 525 mm × 360mm × 262mm
Label on the Outer Box
QA Label
Seal the box with the tape
Stamp “EMPTY” on the empty box。