模拟电子技术习题与答案
模拟电子技术习题及答案
习题55.1在以下几种情况下，应分别采用哪种类型的滤波电路〔低通、高通、带通、带阻〕。
（1）从输入信号中提取100kHz～200kHz的信号；（2）抑制1MHz以上的高频噪声信号；（3）有用信号频率为1GHz以上的高频信号；（4）干扰信号频率介于1 kHz～10 kHz；解答：〔1〕带通滤波器；〔2〕低通滤波器；〔3〕高通滤波器；〔4〕带阻滤波器。
5.2在以下各种情况下，应分别采用哪种类型〔低通、高通、带通、带阻〕的滤波电路。
〔1〕抑制50Hz交流电源的干扰；〔2〕处理具有1Hz固定频率的有用信号；〔3〕从输入信号中取出低于2kHz的信号；〔4〕抑制频率为100kHz以上的高频干扰。
解：〔1〕带阻滤波器〔2〕带通滤波器〔3〕低通滤波器〔4〕低通滤波器5.3填空：〔1〕为了防止50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
〔2〕输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
（3）为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。
〔4〕为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用滤波电路。
解：〔1〕带阻〔2〕带通〔3〕低通〔4〕有源5.4无源一阶RC低通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。
解答：时间常数，3dB5.5无源一阶RC高通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。
解答：时间常数，3dB5.6 一阶滤波电路阻带幅频特性以 /十倍频斜率衰减，二阶滤波电路那么以 /十倍频斜率衰减。
阶数越 ，阻带幅频特性衰减的速度就越快，滤波电路的滤波性能就越好。
解答：-20 dB ，-40 dB ，高。
5.7 试求题图所示电路的传递函数和频率响应表达式。
题图解答：()1v sR C A s sR C =+，j (j )1j v R CA R Cωωω=+5.8 题图5.8中所示为一个一阶低通滤波器电路，试推导输入与输出之间的传递函数，并计算截止角频率H ω。
模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_1
习 题题1.1 求硅本征半导体在温度为250K 、300K 、350K 时载流子的浓度。
若掺入施主杂质的浓度317d cm 10=N ，分别求出在250K 、300K 、350K 时电子和空穴的浓度。
解：当K 250=T 时，有:38221.123162231i 1i cm 10057.12501087.3)()(go ⨯=⨯⨯⨯=⋅==−−kTkTE ee TA T p T n ，同理，当K 300=T 时，有: 3102i 2i cm 10095.1)()(⨯==T p T n ，当K 350=T 时，有: 3113i 3i cm 10060.3)()(⨯==T p T n ， 当掺入施主杂质后，电子浓度：d N n =，空穴浓度：n n p 2i =，当K 250=T 时，317cm 10=n ,31712i cm 112.010)(==T n p ， 当K 300=T 时，317cm 10=n ,331722i cm 10199.110)(⨯==T n p ， 当K 350=T 时，317cm 10=n ,351732i cm 10364.910)(⨯==T n p 。
题1.2 若硅PN 结的317a cm 10=N ，316d cm 10=N ，求K 300=T 时PN 结的内建电位差。
解：)ln(2i da T n N N U U ⋅⋅=ϕ， 当K 300=T 时，mV 26T =U ，310i cm 1043.1⨯=n ,代入得：76.0)cm 101.43(cm 10cm 10ln V 026.023********=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯⨯⨯=ϕU V 。
题1.3 已知锗PN 结的反向饱和电流为610−A ，当外加电压为0.2V 、0.36V 及0.4V 时流过PN 结的电流为多少？由计算结果说明伏安特性的特点。
解：根据PN 结方程，流过PN 结的电流)1(TS −⋅=U U eI I ，6S 10−=I A ，26T =U mV ，2.01=U V 时，3S 11019.2)1(T1−⨯=−⋅=U U eI I A ，36.02=U V 时，03.1)1(T2S 2=−⋅=U U e I I A ，4.03=U V 时，8.4)1(T3S 3=−⋅=U U eI I A ，2.04−=U V 时，04=I ，反向截止， 36.05−=U V 时，05=I ，反向截止， 4.06−=U V 时，06=I ，反向截止，由此可见，PN 结外加正向电压时，斜率稍有增加就引起正向电流明显增加。
模拟电子技术习题答案
模拟电子技术习题答案电工电子教学部2012.2第一章 绪论一、填空题：1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。
2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。
3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。
5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。
8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。
9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。
10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。
11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。
12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。
13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。
14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。
15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。
二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A10V 50pA 10mV 5001011i o r ⨯====-.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
模拟电子技术基础第五版课后习题答案
模拟电子技术基础第五版课后习题答案【篇一：模拟电子技术基础,课后习题答案】一章1.1 电路如题图1.1所示，已知ui?5sin?t?v?，二极管导通电压降ud?0.7v。
试画出ui和uo的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当ui?3.7v时，uo?3.7v (2) 当?3.7v?ui?3.7v时，uo?ui (3) 当ui??3.7v时，uo??3.7v 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算ao两端的电压uao。
解：对于（a）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，uao??6v 采用恒压降模型来说，uao??6.7v对于（c）来说，二极管d1是导通的，二极管d2是截止的。
采用理想模型来说，uao?0 采用恒压降模型来说，uao??0.7v1.3 判断题图1.3电路中的二极管d是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流id??解：（b）先将二极管断开，由kvl定律，二极管左右两端电压可求出：2515＝1.5v 18?225?510u右＝15?＝1v140?10u左＝?10?故此二极管截止，流过的电流值为id＝0（c）先将二极管断开，由kvl定律，二极管左右两端电压可求出： 52＝2.5v，u左＝2.5?20?＝0.5v 25?518?210u右＝15?＝1v140?10u左1＝15?由于u右?u左?0.5v，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为id?0.51.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： t1: 硅管，pnp，11.3v对应b, 12v对应e, 0v对应ct2: 硅管，npn，3.7v对应b, 3v对应e, 12v对应c t3: 硅管，npn，12.7v对应b, 12v对应e,15v对应c t4: 锗管，pnp，12v对应b, 12.2v对应e, 0v对应c t5: 锗管，pnp，14.8v对应b, 15v对应e,12v对应c t6: 锗管，npn，12v对应b, 11.8v对应e, 15v对应c模拟电子技术基础第二章2.2 当负载电阻rl?1k?时，电压放大电路输出电压比负载开路（rl??）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻ro。
模拟电子技术(模电)习题整理及参考答案
《模拟电子技术》习题整理
第一章
1.1
（1）信号是反映消息的物理量，电信号是指随时间而变化的电压或电流。
（2）模拟信号在时间和数值上均具有连续性，数字信号在时间和数值上均具有离散性。
（3）模拟电路是处理模拟信号的电路。
（4）构成具有各种功能模拟电路的基本电路是放大电路。
1.2 （1）在设计电子系统时，应尽量可能做到哪几点？
答：必须满足功能和性能的指标要求；
在满足功能和性能指标要求的前提下，电路要尽量简单，所用元器件尽可能少；
考虑电磁兼容性；
系统的调试应简单方便，而且生产工艺应简单。
第二章
2.9 求解电路输出电压与输入电压的运算关系式。
解：
2.13 求解电路的运算关系。
第三章
3.2
（1）N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素，如磷等；P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素，如硼等。
（2）PN结加正向电压时，由扩散运动形成电流，其耗尽层变窄；加反向电压时，由漂移运动形成电流，其耗尽层变宽。
第四章
第五章
第六章
第七章
7.3
（1）为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应引入电流串联负反馈。
（3）为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载的能力，应引入电压串联负反馈。
第十章。
模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题
第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 解：二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
◇ 题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sin ωt(V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
解：波形见图。
◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数，大一些好还是小一些好？解：动态内阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，即稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻r Z 愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数a U 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
◇ 习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V =10V ，R=200Ω，R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V，试求： ①稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ，I Z 将变为多少？ ③当V 仍为10V ，但R L 改为2 k Ω时，I Z 将变为多少？ 解：① mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k V V V R U R U U IL Z ZZ2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压仁政值均为6V ，当工作在正向时管压降均为0.7V ，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。
模拟电子技术基础部分练习题含答案
模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。
A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。
A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。
A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。
A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
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模拟电子技术第 1 章半导体二极管及其基本应用1． 1填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。
3． PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为 1 mA，正向压降为 0.65 V ，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。
1． 2单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ( C ) 。
A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度 D ．晶格缺陷2． PN结形成后，空间电荷区由 ( D ) 构成。
A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。
A．减小B．基本不变C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将 ( C ) 。
A．增大B．基本不变C．减小5．变容二极管在电路中主要用作 ( D )。
、A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1． 3是非题1．在 N 型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )2．因为 N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
( × )4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
(× )1． 4分析计算题1．电路如图 T1．1 所示，设二极管的导通电压U D(on) =0.7V，试写出各电路的输出电压 Uo 值。
解： (a) 二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6 — 0.7)V ＝5.3 V 。
(b)令二极管断开，可得 U P＝ 6 V 、U N＝10 V ，U P<U N，所以二极管反向偏压而截止， U0＝10 V 。
(c)令 V1、V2均断开， U N1＝0V、 U N2＝6V、U P＝10V， U P—U N1>Up—U N2，故 V1优先导通后， V2截止，所以输出电压 U0＝ 0.7 V 。
2．电路如图应画出 u i、u0、i T1．2 所示，二极管具有理想特性，已知D的波形。
ui＝(sinωt)V，试对解：输入电压 u i为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即 u0＝0，而流过二极管的电流i D＝u i／R，为半波正弦波，其最大值I Dm＝10 V ／1 kΩ＝10 mA；当 u i为负半周时，二极管反偏截止， i D＝ 0， u0＝u i为半波正弦波。
因此可画出电压 u0电流 i D的波形如图 (b) 所示。
3．稳压二极管电路如图 T1．3 所示，已知 U Z ＝ 5 V ，I Z ＝5 mA ，电压表中流过的电流忽略不计。
试求当开关 s 断开和闭合时，电压表○ V和电流表○A1 、○A2 读数分别为多大 ?解：当开关 S 断开， R 2 支路不通， I A2＝0，此时 R 1 与稳压二极管 V 相串联，因此由图可得I A1U 1 U 2(18 5)V I ZR 12K6.5mA可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5 V 。
当开关 S 闭合，令稳压二极管开路，可求得 R 2 两端压降为UR2R 2U 10.5U ZR 1218 3.6R 2 0.5故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，R 、R 构成串1 2联电路，电流表 A 1 、A 2 的读数相同，即I A1 I A2U 1（ 18V 7.2mAR 1 R 2 2 ）0.5 K而电压表的读数，即 R 2 两端压降为 3.6 V 。
第 2 章 半导体三极管及其基本应用2． 1 填空题1．晶体管从结构上可以分成 PNP 和 NPN 两种类型，它工作时有 2 种载流子参与导电。
2 ．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结 正偏 ，集电结 反偏 。
3 ．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大 、 饱和 、 截止 。
4 ．当温度升高时， 晶体管的参数 β 增大 ，I CBO 增大 ，导通电压 U BE 减 小 。
5 ．某晶体管工作在放大区，如果基极电流从 10μA 变化到 20μA 时，集电 极电流从 1mA 变为 1.99 mA ，则交流电流放大系数 β约为 99 。
6 ．某晶体管的极限参数 I CM =20mA 、P CM =100mW 、 U (BR)CEO =30V ，因此，当工作电压 U CE =10V 时，工作电流 I C 不得超过 10 mA ；当工作电压 U CE =1V 时， I C 不得超 过 20 mA ；当工作电流 I C =2 mA 时， U CE 不得超过 30 V 。
7 ．场效应管从结构上可分为两大类： 结型 、 MOS ；根据导电沟道 的不同又可分为 N 沟道 、 P 沟道 两类；对于 MOSFET ，根据栅源电压为 零时是否存在导电沟道，又可分为两种： 耗尽型 、 增强型 。
8 ．U GS(off) 表示 夹断 电压， I DSS 表示 饱和漏极 电流，它们是 耗尽 型 场效应管的参数。
2 ．2 单选题1 ．某 NPN 型管电路中，测得 U BE =0 V ，U BC = —5 V ，则可知管子工作于 ( C ) 状态。
A ．放大B ．饱和C ．截止D ．不能确定2．根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为( B ) 。
A ．NPN型低频小功率硅晶体管B．NPN型高频小功率硅晶体管C ．PNP型低频小功率锗晶体管D．NPN型低频大功率硅晶体管3．输入 ( C ) 时，可利用 H 参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。
A ．正弦小信号B ．低频大信号C．低频小信号 D ．高频小信号4． ( D ) 具有不同的低频小信号电路模型。
A ．NPN型管和 PNP型管 B ．增强型场效应管和耗尽型场效应管C ．N 沟道场效应管和 P 沟道场效应管D．晶体管和场效应管5．当 U GS＝0 时，( B )管不可能工作在恒流区。
A ．JFETB ．增强型 MOS管C．耗尽型 MOS管 D ． NMOS管6．下列场效应管中，无原始导电沟道的为(B )。
A ．N沟道 JFET B．增强 ~AI PMOS管C ．耗尽型 NMOS管D．耗尽型 PMOS管2． 3 是非题1．可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。
( × ) 2．MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。
( √ ) 3．EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
( × ) 4．结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的 PN结反偏。
( √ ) 5．场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。
( √ )2． 4分析计算题1．图 T2．1 所示电路中的晶体管为硅管，试判断其工作状态。
解： (a)U BE=U B—U E＝ 0.7 —0＝0.7V ，发射结正偏；U BC=U B—U C＝0.7 — 3＝— 2.3 V ，集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。
(b)U BE=U B—U E＝2—3＝—1V，发射结反偏；U BC=U B—U C＝2—5＝— 3 V ，集电结反偏因此晶体管工作在截止状态。
(c)U BE=U B—U E＝3—2.3＝0.7V，发射结正偏；U BC=U B—U C＝3—2.6 ＝ 0.4V，集电结正偏因此晶体管工作在饱和状态。
(d)该管为 PNP型晶体管U EB=U E— U B＝( —2) — ( — 2.7) ＝ 0.7V，发射结正偏；U CB=U C—U B＝( —5) —( —2.7) ＝— 2.3V ，集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。
2 ．图 T2．2 所示电路中，晶体管均为硅管，β=100，试判断各晶体管工作状态，并求各管的 I B、 I C、U CE。
解： (a) 方法一：(60.7)VI B0.053mA100K设晶体管工作在放大状态，则有I＝β I＝100×0.053 ＝5.3mACBU CE＝12—5.3 ×3＝— 3.9 V<0说明上述假设不成立，晶体管已工作在饱和区。
令晶体管的饱和压降 U＝0.3 V ，则集电极电流为CE(Sat)VCC UCE ( sat )120.3mA1 3.9R C因此可得晶体管的I B＝ 0.053 mA、I C＝ I CS＝3.9 mA、 U CE＝U CE(Sat)＝0.3 V 方法二：(60.7)VI B0.053mA100K VCC UCE ( sat)12 0.3ICSR C3.9mA 1ICS 3.9IBS0.039mA100因为 I B>I BS，所以晶体管处于饱和状态，因而有I B＝0.053 mA、 I C＝I CS＝ 3.9 mA、U CE＝ U CE(Sat)＝0.3 V(b) I B (6 0.7)VA0.0084mA 8.4 510K设晶体管工作在放大状态，则有I C＝100×0.008 4 mA＝0.84 mAU CE＝5 V—0.84×3＝2.48 V> U CE(Sat)说明晶体管工作在放大状态，故上述假设成立，计算结果正确。
I B(c) 基极偏压为负电压，发射结和集电结均反偏，所以晶体管截止，则＝0，I C＝0，U CE＝5 V3．放大电路如图 T2．3 所示，试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零，试画出各电路的直流通路、交流通路和小信号等效电路。
解： (a) 将 C1、C2断开，即得直流通路如下图 (a) 所示；将 C1、C2短路、直流电源对地短接，即得交流通路如下图(b) 所示；将晶体管用小信号电路模型代人，即得放大电路小信号等效电路如下图 (c) 所示。
(b)按上述相同方法可得放大电路的直流通路、交流通路、小信号等效电路如下图 (a) 、(b) 、(c) 所示。
4．场效应管的符号如图 T2． 4 所示，试指出各场效应管的类型，并定性画出各管的转移特性曲线。
解：(a) 为 P 沟道耗尽型 MOS管，它的转移特性曲线如下图(a) 所示，其特点是u GS＝ 0 时， i D＝— I DSS(b)为 N沟道增强型 MOS管，它的转移特性曲线如下图 (b) 所示，其特点是u GS＝ 0 时， i D＝0(c)为 N沟道结型场效应管，它的转移特性曲线如下图 (c) 所示，其特点是u GS＝ 0 时， i D＝I DSS，且 u GS≤ 0第 3 章放大电路基础3． 1填空题1．放大电路的输入电压U i＝10 mV，输出电压U0＝1 V ，该放大电路的电压放大倍数为100，电压增益为40 dB。