模拟电子技术习题答案

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模拟电子技术习题答案(1)

模拟电子技术习题答案(1)

模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗(1)杂质浓度,温度(2)呈圆形电中性,呈圆形电中性(3)等同于,大于,变宽,大于,变窄(4)逆向打穿(5)减小,减小,增大(6)左移,下移,加高(7)、发射结,erf(8)一种载流子参予导电,两种载流子参予导电,压控,流控。

〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出端电压uo。

设二极管的导通压降为ud=0.7v。

adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解:(a)uo=ua-ud=-5v-0.7v=-5.7v(b)uo=ub=uc=-5v(c)uo=ua=-0.7v(d)uo=ua=-9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图,未知ui?10sin?t(mv),e?1.2v,ui电容c和直流电源e对交流视为短路,二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示,r?100?,谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。

解:id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管,试通过计算判断它们是否导通?。

6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解:(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通;5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。

1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中,已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。

(完整版)模拟电子技术(模电)习题整理及参考答案

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《模拟电子技术》习题整理
第一章
1.1
(1)信号是反映消息的物理量,电信号是指随时间而变化的电压或电流。

(2)模拟信号在时间和数值上均具有连续性,数字信号在时间和数值上均具有离散性。

(3)模拟电路是处理模拟信号的电路。

(4)构成具有各种功能模拟电路的基本电路是放大电路。

1.2 (1)在设计电子系统时,应尽量可能做到哪几点?
答:必须满足功能和性能的指标要求;
在满足功能和性能指标要求的前提下,电路要尽量简单,所用元器件尽可能少;
考虑电磁兼容性;
系统的调试应简单方便,而且生产工艺应简单。

第二章
2.9 求解电路输出电压与输入电压的运算关系式。

解:
2.13 求解电路的运算关系。

第三章
3.2
(1)N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素,如磷等;P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素,如硼等。

(2)PN结加正向电压时,由扩散运动形成电流,其耗尽层变窄;加反向电压时,由漂移运动形成电流,其耗尽层变宽。

第四章
第五章
第六章
第七章
7.3
(1)为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应引入电流串联负反馈。

(3)为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载的能力,应引入电压串联负反馈。

第十章。

模拟电子技术基础习题及答案

模拟电子技术基础习题及答案

第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。

如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少? 解:二极管正偏时,TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管:mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管:mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时,某硅二极管的反向饱和电流I S =。

(1)当二极管正偏压为时,二极管的正向电流为多少?(2)当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。

此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少? 解:(1)mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-(2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时,mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3(a )所示,二极管伏安特性如图P1-3(b )所示。

已知电源电压为6V ,二极管压降为伏。

试求: (1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。

解:(1)mA 53100V7.06I D =Ω-=(2)Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时,硅二极管的正向电压为,正向电流为1mA ,试计算正向电压加至时正向电流为多少? 解:mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管,如图P1-5所示。

模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_1

模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_1

习 题题1.1 求硅本征半导体在温度为250K 、300K 、350K 时载流子的浓度。

若掺入施主杂质的浓度317d cm 10=N ,分别求出在250K 、300K 、350K 时电子和空穴的浓度。

解:当K 250=T 时,有:38221.123162231i 1i cm 10057.12501087.3)()(go ⨯=⨯⨯⨯=⋅==−−kTkTE ee TA T p T n ,同理,当K 300=T 时,有: 3102i 2i cm 10095.1)()(⨯==T p T n ,当K 350=T 时,有: 3113i 3i cm 10060.3)()(⨯==T p T n , 当掺入施主杂质后,电子浓度:d N n =,空穴浓度:n n p 2i =,当K 250=T 时,317cm 10=n ,31712i cm 112.010)(==T n p , 当K 300=T 时,317cm 10=n ,331722i cm 10199.110)(⨯==T n p , 当K 350=T 时,317cm 10=n ,351732i cm 10364.910)(⨯==T n p 。

题1.2 若硅PN 结的317a cm 10=N ,316d cm 10=N ,求K 300=T 时PN 结的内建电位差。

解:)ln(2i da T n N N U U ⋅⋅=ϕ, 当K 300=T 时,mV 26T =U ,310i cm 1043.1⨯=n ,代入得:76.0)cm 101.43(cm 10cm 10ln V 026.023********=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯⨯⨯=ϕU V 。

题1.3 已知锗PN 结的反向饱和电流为610−A ,当外加电压为0.2V 、0.36V 及0.4V 时流过PN 结的电流为多少?由计算结果说明伏安特性的特点。

解:根据PN 结方程,流过PN 结的电流)1(TS −⋅=U U eI I ,6S 10−=I A ,26T =U mV ,2.01=U V 时,3S 11019.2)1(T1−⨯=−⋅=U U eI I A ,36.02=U V 时,03.1)1(T2S 2=−⋅=U U e I I A ,4.03=U V 时,8.4)1(T3S 3=−⋅=U U eI I A ,2.04−=U V 时,04=I ,反向截止, 36.05−=U V 时,05=I ,反向截止, 4.06−=U V 时,06=I ,反向截止,由此可见,PN 结外加正向电压时,斜率稍有增加就引起正向电流明显增加。

《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)

《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)

项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极,N区接电源的负极。

2. 在常温下,硅二极管的死区电压约为0.5V,导通后正向压降约为0.6~0.8V ;锗二极管的死区电压约为0.1V,导通后正向压降约为0.2~0.3V。

3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型;按材料分为硅管和锗管。

三极管是电流控制型器件,控制能力的大小可用 表示,它要实现信号放大作用,需发射结正偏,集电结反偏。

4. 场效应管是电压控制型器件,控制能力的大小可用g m表示,它的主要特点是输入电阻很大。

5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么?解:不能,因为二极管正向电阻很小,若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大,相当于干电池正、负极短路。

6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止,并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管,即二极管导通时其两端电压为零,反向截止时电流为零)。

图1.52 题6图解:(a)VD导通,U AB=-6V。

(b)VD截止,U AB=-12 V。

(c)VD1导通,VD2截止,U AB=0 V。

(d)VD1截止,VD2导通,U AB=-15 V。

7. 在图1.53所示电路中,设VD为理想二极管,u i =6sinω t (V),试画出u O的波形。

图1.53 题7图解:(a)(b)8. 电路如图1.54所示,已知u i=5sinΩ t(V),二极管导通电压为0.7V。

试画出u i与的波形。

解:u i>3.7V时,VD1导通,VD2截止,u o=3.7V;3.7V>u i>-4.4V时,VD1截止,VD2截止,u o= u i;u i<-4.4V时,VD1截止,VD导通,u o=-4.4 V。

9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示,试判别各三极管的工作状态。

图1.54 题8图图1.55 题9图解:(a)三极管已损坏,发射结开路(b)放大状态(c)饱和状态(d)三极管已损坏,发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。

模拟电子技术基础第五版课后习题答案

模拟电子技术基础第五版课后习题答案

模拟电子技术基础第五版课后习题答案【篇一:模拟电子技术基础,课后习题答案】一章1.1 电路如题图1.1所示,已知ui?5sin?t?v?,二极管导通电压降ud?0.7v。

试画出ui和uo的波形,并标出幅值。

解:通过分析可知:(1) 当ui?3.7v时,uo?3.7v (2) 当?3.7v?ui?3.7v时,uo?ui (3) 当ui??3.7v时,uo??3.7v 总结分析,画出部分波形图如下所示:1.2 二极管电路如题图1.2所示。

(1)判断图中的二极管是导通还是截止?(2)分别用理想模型和横压降模型计算ao两端的电压uao。

解:对于(a)来说,二极管是导通的。

采用理想模型来说,uao??6v 采用恒压降模型来说,uao??6.7v对于(c)来说,二极管d1是导通的,二极管d2是截止的。

采用理想模型来说,uao?0 采用恒压降模型来说,uao??0.7v1.3 判断题图1.3电路中的二极管d是导通还是截止?用二极管的理想模型计算流过二极管的电流id??解:(b)先将二极管断开,由kvl定律,二极管左右两端电压可求出:2515=1.5v 18?225?510u右=15?=1v140?10u左=?10?故此二极管截止,流过的电流值为id=0(c)先将二极管断开,由kvl定律,二极管左右两端电压可求出: 52=2.5v,u左=2.5?20?=0.5v 25?518?210u右=15?=1v140?10u左1=15?由于u右?u左?0.5v,故二极管导通。

运用戴维宁定理,电路可简化为id?0.51.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示,在图中标出三个电极,并说明它们是硅管还是锗管。

解: t1: 硅管,pnp,11.3v对应b, 12v对应e, 0v对应ct2: 硅管,npn,3.7v对应b, 3v对应e, 12v对应c t3: 硅管,npn,12.7v对应b, 12v对应e,15v对应c t4: 锗管,pnp,12v对应b, 12.2v对应e, 0v对应c t5: 锗管,pnp,14.8v对应b, 15v对应e,12v对应c t6: 锗管,npn,12v对应b, 11.8v对应e, 15v对应c模拟电子技术基础第二章2.2 当负载电阻rl?1k?时,电压放大电路输出电压比负载开路(rl??)时输出电压减少20%,求该放大电路的输出电阻ro。

模拟电子技术(模电)习题整理及参考答案

模拟电子技术(模电)习题整理及参考答案

《模拟电子技术》习题整理
第一章
1.1
(1)信号是反映消息的物理量,电信号是指随时间而变化的电压或电流。

(2)模拟信号在时间和数值上均具有连续性,数字信号在时间和数值上均具有离散性。

(3)模拟电路是处理模拟信号的电路。

(4)构成具有各种功能模拟电路的基本电路是放大电路。

1.2 (1)在设计电子系统时,应尽量可能做到哪几点?
答:必须满足功能和性能的指标要求;
在满足功能和性能指标要求的前提下,电路要尽量简单,所用元器件尽可能少;
考虑电磁兼容性;
系统的调试应简单方便,而且生产工艺应简单。

第二章
2.9 求解电路输出电压与输入电压的运算关系式。

解:
2.13 求解电路的运算关系。

第三章
3.2
(1)N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素,如磷等;P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素,如硼等。

(2)PN结加正向电压时,由扩散运动形成电流,其耗尽层变窄;加反向电压时,由漂移运动形成电流,其耗尽层变宽。

第四章
第五章
第六章
第七章
7.3
(1)为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应引入电流串联负反馈。

(3)为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载的能力,应引入电压串联负反馈。

第十章。

模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题

模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题

第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好? 解:二极管的正向电阻愈小愈好,反向电阻愈大愈好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

◇ 题 1-4已知在图P1-4中,u1=10sin ωt(V),R L =1k Ω,试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形,并在波形图上标出幅值,设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。

解:波形见图。

◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性,它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数,大一些好还是小一些好?解:动态内阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,即稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻r Z 愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数a U 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

◇ 习题 1-7 在图P1-7 中,已知电源电压V =10V ,R=200Ω,R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V,试求: ①稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ,I Z 将变为多少? ③当V 仍为10V ,但R L 改为2 k Ω时,I Z 将变为多少? 解:① mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k V V V R U R U U IL Z ZZ2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管,稳压仁政值均为6V ,当工作在正向时管压降均为0.7V ,如果将它们用不同的方法串联后接入电路,可能得到几种不同的稳压值?试画出各种不同的串联方法。

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6.半导体 PN 结中内电场 E,是由 空间电荷区 产生的,当将 反向 电压加在 PN 结两端时,其 PN 结内 电场 E 增强。 PN 结 不易 (不易 /容易)导通。
7.二极管导通时,其正向电压应该比门坎电压 正向导通电压约为 0.2 V 。
高 (高 /低),硅管的正向导通电压约为 0.7 V ,锗管的
模拟电子技术 习题答案
电工电子教学部
201的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量,即 电信号 。
2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的
频谱 。
3. 通过傅立叶变换可以实现信号从
时域 到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布,称为该信号的幅度频谱。
( 2) vo
3v i1 2 v o1
v o2
vi2 2vi3
100 100
1
vo2
50 150
2 (v o1
v o2 )
2( 3vi1 vi2 2vi3 )
6.试写出图示加法器对 vI1 、vI2、 vI3 的运算结果: vO = f (vI1 、 vI2、 vI3)。
解: A 2 的输出 vO2=-(10/5) vI2-(10/100) vI3 =-2vI2-0.1vI3 vO=-(100/20) vI1 -(100/100) vO2=-5 vI1+2vI2+0.1 vI3
非线性 区,输出电压扩展到 饱和值 。
3.运算放大器工作在线性区时,具有
虚短
来分析电路的输入、输出关系。
和 虚断
两个特点,凡是线性电路都可利用这两个概念
4.反相比例运算电路中集成运放反相输入端为
地的电压基本上
相等 。
虚地 点,而同相比例运算电路中集成运放两个输入端对
5. 同 相 电流。
比例运算电路的输入电流等于零,而
vO 1 /V
-1
-5
- 10
vO 2 /V
1.1
5.5
11
3.求解图示电路中 vO 与 vI 之间的运算关系。
1.5 - 14
14
解:图示电路的 A1 组成同相比例运算电路, A 2 组成差动运算电路。先求解 vO1,再求解 vO。
5
4.一高输入电阻的桥式放大电
v O1
1 R3 vI1
R1
vO
R5 vO1
12.发光二极管是将
电能转换成光能
的器件;而光电二极管是将
光能转换成电能
的器件。
二、已知 uI= 5sinωt(V) ,二极管导通电压 UD= 0.7V 。试画出 uI 与 uO 的波形,并标出幅值。
三、二极管的正向伏安特性曲线如图所示,室温下测得二极管中的电流为 RD 和动态电阻 rd 的大小。 解:由图可见, I D=20mA 时的 U D=0.67V ,则直流电阻 RD 为
5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布,称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、 基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号
称为模拟信号。
8. 在时间上和幅值上均是离散的信号
称为数字信号。
9. 放大电路分为 电压放大电路 、 电流放大电路 、 互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。
8.设 计 一 反 相 放 大 器 ,电 路 如 图 所 示 ,要 求 电 压 增 益 A v = v o/v i =-10 ,当 输 入 电 压 v i =-1V 时 , 流 过 R1 和 R2 的 电 流 小 于 2mA , 求 R1 和 R2 的 最 小 值 。
Av vo vi
R2
10 R2 10R1
4
解:( 1)
Ri=R1=10k Ω
(2)
vn v4 R2
0 v4 R4
v4 vo R3
v4
R2 R1
v
i
5.1vi
vi vn R1
vn v4 R2
vo 3v4 15.3vi
3
(3)
R R1 // R2 R3 // R4 R1 // R2 8.84 kΩ
2
2.电路如图所示,图中集成运放输出电压的最大幅值为±
稳压管两端的最终电压分别为
D。
+5V (正向偏置)和- 5V(反向偏置)时,
A. +5V 和 -5V
B. -5V 和+4V
C.
11. PN 结的结电容包括 扩散电容 和 势垒电容
将 变窄 , 扩散 电容将增大。
+4V 和 -0.7V
D. +0.7V 和 -4V
。当在 PN 结两端施加正向电压时,空间电荷区
解:
Ar
vo ii
500mV 0.5V 10pA 10 11 A
5 1010 Ω
属于互阻放大电路
三、某电唱机拾音头内阻为 1MΩ ,输出电压为 1V (有效值),如果直接将它与 10Ω 扬声器连接,扬声器上
的电压为多少?如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路,
它的输入电阻 Ri=1 MΩ ,输出电阻 Ro=10Ω,
信号都可以展开为傅里叶级数表达式,即正弦波信号各次谐波分量的组合。正因为如此,正弦波信号常作
为标准信号用来对模拟电子电路进行测试。用它可以测量放大电路的输入电阻、输出电阻、增益、频率响
应和非线性失真。
五、在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为
10μA 和 25mV ,输出端接 4kΩ
电子 ,多子是 空
4.半导体中参与导电的有 子,是 电子 。
两 种载流子,分别是
电子 和 空穴 ,导体中参与导电的有 一 种载流
5.当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流
I S将增大,这是因为此时 PN 结内部的 B

A. 多数载流子浓度增大
B. 少数载流子浓度增大
C. 多数载流子浓度减小
D. 少数载流子浓度减小
电压增益为 1,试求这时扬声器上的电压。该放大电路使用哪一类电路模型最方便?
解:直接将它与 10Ω扬声器连接,
扬声器上的电压 Vo
10Ω 1V
1M Ω 10Ω
10Ω 10 6 Ω
1V
10 5 V
在拾音头与扬声器之间接入放大电路后,使用 电压放大电路模型 ,则等效电路如下图所示
2
Vi
Rs Ri Ri Vs
电阻负载,测量到正弦电压信号的峰—峰值 Ap,并分别换算成 dB 数表示。
1V 。试计算该放大电路的电压增益 Av、电流增益 Ai、功率增益
解:
Av vo
1V
40
(32dB)
vi 25mV
Ai
io ii
1V/4k Ω 25 10 μA
(28dB)
Ap Av Ai 40 25 1 0 0 0 ( 3 0 d B
13. 放大电路的频率响应指的是,在输入正弦信号情况下,输出随
输入信号频率连续变化
14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。
15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率
之间的关系 。
的稳态响应。
二、某放大电路输入信号为 10pA 时,输出为 500mV ,它的增益是多少?属于哪一类放大电路?
运算电路可实现函数 Y = aX1+ bX 2+ cX 3, a、b 和 c 均小于零。
10. 微分
运算电路可将三角波电压转换成方波电压;
积分
运算电路可将方波电压转换成三
角波电压。
二、选择题:
1. 现有电路:
A. 反相比例运算电路
B. 同相比例运算电路
C. 积分运算电路
D. 微分运算电路
选择一个合适的答案填入空内。
(1)欲将正弦波电压移相+ 90O,应选用 D

E. 加法运算电路
(2)欲将正弦波电压叠加上一个直流量,应选用 (3)欲实现 Au=- 100 的放大电路,应选用
E。 A。
(4)欲将方波电压转换成三角波电压,应选用
C。
(5) A 中集成运放反相输入端为虚地,而
B 中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。
8
8.稳压管是一种 特殊工艺制造的面接触型硅二极管
二极管。除了用于限幅电路之外,主要用于稳压电
路,其稳压性体现在电流增量 很大 ,只引起很小的 电压 变化,此时稳压管应工作于
反向电击穿 区。
9.发光二极管正常工作时,外加
A 电压;而光电二极管正常工作时,外加
B 电压。
A .正向
B.反向
C .击穿
10.某只硅稳压管的稳定电压 Vz = 4v ,其两端施加的电压分别为
六、某音响系统放大电路的幅频响应如图所示,放大电路的带宽是多少?半功率点是哪两个点?半功率点 处的增益较中频区的增益下降了多少分贝?折合百分比为多少?
答:带宽 = fH - fL =2 ×104-20≈ 2× 14H0z
半功率点指增益较中频区增益下降 3dB 的频率点(即对应 fH、fL),其输出功率约等于中频区输出功率
R2
vo2 R2
vi
R1
R1 R1 R2
R1 4 2
5.图示电路中, A 1, A 2, A 3 均为理想运放。 ( 1) A 1, A 2 ,A 3 分别组成何种基本运算电路; ( 2)列出 vO1, vO2, vO 的表达式。
6
解:( 1)同相比例运算电路、反相求和运算电路、差动运算电路。
v o1
R1
解 : 当 vi
1V 时,有 vi 2mA ,R1 0.5kΩ, R2 R1
取 R1 5 1 0Ω,R2 5. 1 Ωk
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