模拟电子技术基础期末考试试题(B)
模拟电子技术基础期末试题
模拟电子技术基础期末试题单项选择题1.当半导体二极管施加正向电压时，有（）a、大电流和小电阻B、大电流和大电阻C、小电流和小电阻D、小电流和大电阻2。
当PN结正向偏置时，其内部电场为（）a、削弱b、增强c、不变d、不确定3、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）a、反向偏置击穿状态B、反向偏置非击穿状态C、正向偏置导通状态D、正向偏置非导通状态4。
P型半导体是通过在本征半导体中掺杂（）而形成的。
a、3价元素b、4价元素c、5价元素d、6价元素5、pn结v―i特性的表达示为（）vd/vtvdi？i（e？1）i？i（e？1）dsdsa、b、vd/vti？艾莉？1d、身份证？EVD/vtsc、D6、多级放大电路与每个单级放大电路相比，其通带（）a、宽B、窄C、不变D，独立于每个单级放大电路7、某放大电路在负载开路时的输出电压为4v，接入12kω的负载电阻后，输出电压降为3v，这说明放大电路的输出电阻为（）a、10kωb、2kωc、4kωd、3kω8。
三极管在放大状态下工作的条件是（）a、发射结正偏，集电结反偏b、发射结正偏，集电结正偏c、发射结反偏，集电结正偏d、发射结反偏，集电结反偏9、三极管电流源电路的特点是（）a、恒输出电流、大直流等效电阻、小交流等效电阻B、恒输出电流、小直流等效电阻、大交流等效电阻C、恒输出电流、小直流等效电阻、小交流等效电阻D、恒输出电流、大直流等效电阻、大交流等效电阻10、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源vcc应当（）a、短路b、开路c、保留不变d、电流源11.对于发射极电阻为re的共发射极放大器电路，在并联交流旁路电容器CE后，电压放大系数将（）a，减小B，增大C，保持不变D并变为零12、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路a和b，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得a放大器的输出电压小，这说明a的（）a、输入电阻大b、输入电阻小c、输出电阻大d、输出电阻小13.为了使高内阻信号源和低阻负载良好配合，在信号源和低阻负载之间连接（）a、公共发射极电路B、公共基极电路C、公共集电极电路D、公共集电极公共基极串联电路14和NPN三极管的输出特性曲线。
模拟电子技术试卷B带答案
一、填空题（1-20题。
每小题有3个选项，其中只有一个是正确的，请并将其代号填写在题中括号内，每小题1分，共20分。
)1．三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（）。
A 5vB 9vC 12v2. 测某电路中PNP三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（）。
A (E、C、B)B (C、B、E)C (B、C、E)3. 三极管的反向电流I CBO是由（）组成的。
A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子4. 反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）。
A输入电压 B 击穿电压 C 跨导5. 引入并联负反馈，可使放大器的（）。
A. 输出电压稳定B.反馈环内输入电阻增加C. 反馈环内输入电阻减小6.差分放大电路是为了（）而设置的。
A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移7. LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）之间变化。
A、0~20B、20~200C、200~10008.通用型集成运放的输入级通常采用（）电路。
A. 差分放大B. 基本共射极放大C.电流源9.交流负反馈是指（）。
A. 只存在于阻容耦合电路中的负反馈B. 交流通路中的负反馈C.放大正弦信号时才有的负反馈10．共集电极放大电路的负反馈组态是（）。
A、电压串联负反馈B、电流串联负反馈C、电压并联负反馈11. 典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（ ）。
A.变大B.变小C.不变12.某滤波器的通带增益为0A ,当0f →时，增益趋向于零；当f →∝时，增益趋向于0A ；那么，该滤波器具有（ ）特性。
A. 高通B.低通C.带通13.实际上，乙类互补推挽功放电路中的交越失真就是（ ）。
A.幅频失真B.饱和失真C.截止失真14.桥式整流电路如图1.14所示，流过二极管的平均电流为（ ）mA 。
图1.14A. 4.5B. 9 D. 14.1415．在正弦振荡电路中，能产生等幅振荡的幅度条件是（ ）。
(完整版)模电期末试题及答案-模拟电子技术
(完整版)模电期末试题及答案-模拟电子技术-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1《模拟电子技术基础》试卷及参考答案1、在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价2、稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿3、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏4、（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小5、U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定7、选用差分放大电路的原因是。
A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放大倍数8、差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的，共模信号是两个输入端信号的。
A.差B.和C.平均值9、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e，将使电路的。
A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大10、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。
A．输入电阻增大 B．输出量增大C．净输入量增大 D．净输入量减小11、交流负反馈是指。
A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈B．只有放大交流信号时才有的负反馈C．在交流通路中的负反馈12、功率放大电路的转换效率是指。
A．输出功率与晶体管所消耗的功率之比B．最大输出功率与电源提供的平均功率之比C．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比13、整流的目的是。
A. 将交流变为直流B. 将高频变为低频C. 将正弦波变为方波14、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。
A. 基准电压B. 采样电压C. 基准电压与采样电压之差15、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是。
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分)1、PN结正偏时（导通)，反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关,而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时,结电阻为（0 ）,等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷）,等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏)，集电结（反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）.7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射)、( 共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联)负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F )。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=( ）BW,其中BW=( ），（）称为反馈深度.11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为( )信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（)类互补功率放大器.13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（)电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数( )，输入电阻（），输出电阻（）等特点,所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（)漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为( )，未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为（)。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=( ），电路符号是（).二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在( ）状态,但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于（)状态。
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4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？
答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同？其导通和阻断的条件有什么不同？
答：普通二极管根据其单向导电性可知，阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通，反之阻断，可用于整流、钳位、限幅和电子开关；普通三极管在放大电路中起放大作用，在数字电子技术中起开关作用，普通三极管用于放大作用时，只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用，当发射极反偏时就会阻断放大信号通过；用作开关元件时，当发射结和集电结都正偏时，它就会饱和导通，当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时，晶体管就截止，阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件，只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构，有阳极，阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通，即：晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的，还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通（晶闸管一旦导通后，门控极即失去作用）；当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或者晶闸管在导通情况下，其主回路电压（或电流）减小到接近于零值时，晶闸管也会自动关断。
模拟电子技术期末试卷答案
《模拟电子技术》期末考试试卷12010.05一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是电子，掺杂越多，则其数量一定越多，相反，少数载流子应是空穴，掺杂越多，则其数量一定越少。
（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做单向导电特性。
（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子扩散形成较大的正向电流。
（4）硅二极管的导通电压值约为0.6V ，锗二极管的导通电压约为0.2V 。
（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的饱和区和截止区。
（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成共基、共射、共集电三种组态。
（7）放大电路的频率特性是指放大倍数值随信号频率而变，称为幅频特性，而输出信号与输入信号的相位差随信号频率而变，称为相频特性。
（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为un u u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数u A ＝un u u A A A (21)（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足振幅平衡和相位平衡两个条件。
（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是电源变压器、整流、滤波和稳压电路。
二．选择题（每题2分，共20分）（1（A ）电流负反馈（B ）电压负反馈（C ）直流负反馈（D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈。
（A C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用。
（A ）共基接法（B ）共集接法（C （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。
（A 2（C ）2β（D ）1+β（5）在（A ）、（B ）、（C（A ）共基放大电路（B ）共集放大电路（C ）共射放大电路（6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为。
B ）<（C ）=（D ）≤（7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
模拟电子技术期末试卷及答案5套
学院 202 -202 学年第 学期《模拟电子技术》试卷（A 卷 专业 级）考试方式： 闭卷 本试卷考试分数占学生总评成绩的 60 %（本题共5小题，每小题4分，共 20 分）一、填空题 1.多级放大电路常见的三种耦合方式中，若要求各级静态工作点互不影响，可选用 耦合方式；若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号，可选用耦合方式；若要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用 耦合方式。
2. 某放大电路中，晶体管三个电极的电流测出分别为：I 1=1.2mA 、I 2=0.03mA 、I1=1.23mA 。
由此可知：电极1是 极，电极2是 极，电极3是极。
若已知I 1电流方向流入晶体管，则I 2电流方向与I 1电流方向 、I 3电流方向与I1电流方向 。
3. 硅二极管导通压降的典型值是 V 、锗二极管导通压降的典型值是 V ；NPN 型管的集电极电流和基极电流 晶体管；PNP 型管的集电极电流和基极电流 晶体管。
4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同，其中饱和失真和截止失真属于 失真；幅频失真和相频失真属于 失真。
5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小，称为 反馈；若反馈量使放大电路的净输入量增大，称为 反馈。
放大电路通常采取 反馈。
6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是 元件；串联型直流稳压电路的调整管正常工作在 状态；开关型直流稳压电路的调整管正常工作在 状态。
（本题共10小题，每小题1分，共10分）二、 判断正、误题 1. 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） 2. PN 结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。
（ ） 3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用。
（ ） 4. 发光二极管正常工作在正向导通区，其导通压降为0.7V 。
（ ）5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管，复合管的类型取决于第一个管子的类型。
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模拟电子技术基础期末考试试题（B ）
姓名 班级 学号 计分
1．电路如图P1.4所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。
试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。
（5分）
2. 设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。
(12分)
U 01 = U 02 = U 03 =
U 04 = U 05 =
U 06 =
3. 电路如图所示，设满足深度负反馈条件。
1．试判断级间反馈的极性和组态；
2．试求其闭环电压放大倍数A uf。
（10分）
(1)
(2) 10 k Ω
(3) 20 k Ω
2(5) 2 o5
(6)
2 20 k Ω
4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。
如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。
已知这两个电路中的L=0，C 1，C 2=F 。
(8分)
5. 在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。
1． 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？
2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？
3． 若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分）
V CC V CC
(a ) C b
(b )
r=100Ω。
6．电路如图所示，晶体管的 ＝100，'
bb
A 、R i和R o；
（1）求电路的Q点、
u
（2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（15分）
r=100Ω，U B E Q≈0.7。
试计算R W滑动端7．图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，'
bb
在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A d和R i。
（15分）
r＝100Ω, β0＝80。
8．电路如图所示。
已知：V C C＝12V；晶体管的Cμ＝4pF，f T= 50MHz，'
bb
试求解：
A ；
（1）中频电压放大倍数
u
sm
C；
（2）'π
（3）f H和f L；（15分）
9．试求出图所示电路的运算关系。
（10分）。