长春理工大学光电检测填空和简答考试必备

B半导体对光的吸收:半导体受光照射时，一部分光被反射，一部分光被吸收。半导体对光的吸收可分为:本征吸收，杂质吸收，激子吸收，自由载流子吸收和晶格吸收。能引起光电效应的有：本征吸收、杂质吸收。

B本征半导体光敏电阻常用于可见光波段的测探，而杂质型半导体光敏电阻常用于红外波段甚至于远红外波段辐射的探测。

B半导体激光器发光原理：受激辐射、粒子数反转和谐振。

C粗光栅和细光栅：栅距d大于波长λ的叫粗光栅，栅距d接近于波长λ的叫细光栅。C由于电子的迁移率远大于空穴的迁移率，因此N型CCD比P型CCD的工作频率高很多。D丹倍效应：由于载流子迁移率的差别产生受照面与遮蔽面之间的伏特现象。

F发生本征吸收的条件:光子能量必须大于半导体的禁带宽度Eg

F辐射源：一般由光源及其电源组成，是将电能转化成光能的系统。

F发光效率：由内部与外部量子效率决定。F发光光谱：LED发出光的相对强度随波长变化的分布曲线。

F发光二极管基本结构：面发光二极管和边发光二极管。

G光电检测技术:采用不同的手段和方法获取信息，运用光电技术的方法来检验和处理信息，从而实现各种几何量和物理量的检测

G光电系统组成:辐射源，光学系统，光电系统，电子学系统，计算机系统

G光于物质作用产生的光电效应分为：内光电效应和外光电效应。

G光电导效应：半导体受到光照后，其内部产生光生载流子，使半导体中载流子数量显著增加而电阻减小的现象。

G（本征）光电导效应:在光的作用下由本征吸收引起的半导体电导率发生变化的现象

G光电导的驰豫，决定了在迅速变化的光强下一个光电器件能否有效工作的问题。

G光生伏特效应:是基于半导体PN结基础上的一种将光能转换成电能的效应

G光磁电效应：在垂直于光照方向与磁场方向的半导体上、下表面上产生伏特电压。

G光子牵引效应：在开路的情况下，半导体材料将产生电场，它阻止载流子的运动。

G光电检测典型器件:光电导器件，光生伏特器件，光电发生器件，辐射探测器件，热释电器件，光耦合器件和图像传感器件。

G光敏电阻：在均匀的具有光电效应的半导体材料的两端加上电极便构成光敏电阻。

G光敏电阻分类：本征半导体光敏电阻、杂质型半导体光敏电阻。

G光敏电阻的相对光电导随温度升高而降低，光电响应受温度影响较大

G光敏电阻结构设计的基本原则：为了提高光敏电阻的光电导灵敏度Sg，要尽可能地缩短光敏电阻两电极间的距离L。

G光敏电阻的基本特性：光电特性，时间响应，光谱响应，伏安特性，噪声特性。

G光敏电阻的光电特性：随光照量的变化，电导变化越大的光敏电阻就越灵敏。

G光敏电阻的噪声特性：热噪声、产生复合噪声、低频噪声。热噪声：光敏电阻内的载流子热运动产生的噪声。低频噪声：是光敏电阻再骗置电压作用下会产生信号光电流，由于光敏层内微粒的不均匀，会产生微火花电爆放电现象，这种微火花放电引起的电爆脉冲就是低频噪声的来源。

G光敏电阻的光谱响应：光敏电阻的电流灵敏度与波长的关系.决定因素:主要有光敏材料禁带宽度,杂质电离能,材料掺杂比与掺杂浓度等

G光敏电阻的设计的三种基本结构：梳状，蛇形，刻线结构。

G光敏电阻电流与光照强度的曲线：当照度很低时，曲线近似为线形，照度升高，曲线近似为抛物线形。

G光生伏特器件：利用光生伏特效应制造的光电器件。

G光敏二极管的光谱响应：以等功率的不同单色辐射波长的光作用于光敏二极管上时，其响应程度或电流灵敏度与波长的关系。

G光电位置敏感器件(PSD)：是基于光生伏特器件的横向光电效应的器件，是一种对入射到光敏面上的光斑位置敏感的光电器件。

主要特性：位置检测特性。近似于线性，但边缘部分线性较差。

G光电倍增管：是一种真空光电发射器件，主要由入射窗，光电阴极，电子光学系统，倍增极和阳极等部分构成。具有灵敏度高和响应速度快等特点，使它在光谱探测和极微弱快速光信息的探测方面成为首选。

G光电倍增管的量子效率、光谱响应这两个参数主要取决于光电阴极材料。

G光敏晶体管工作原理:光电转换,光电流放大

G光耦合器件：将发光器与光电接收器件组合成一体，制成的具有信号传输功能的器件。

G光谱分布的两个主要参量：峰值波长和发光强度的半宽度。

G光电检测电路：由光电器件、输入电路和前置放大器等组成。

G 光电效应：因光照而引起物体电学特性的改变的现象 G 光电耦合器件：可以实现前后级电路隔离的较为有效的器件。 J 激光产生的基本条件：受激辐射，粒子数反转和共振腔 J 交替变化的光信号，必须使所选器件的上限截止频率大于输入信号的频率才能测出输入信号的变化。 M 莫尔条纹：当两块光栅以微小倾角重叠时，在与刻线大致垂直的方向上。将看到明暗相间的粗条纹。特点：1.位移放大作用。2.误差平均效应。3.输出信号与光栅位移相对应。4.实现自动控制、自动测量。 N 能量最高的是价电子填满的能带,称为价带.价带以上的能带基本上是空的,其中最低的带称为导带.价带与导带之间的区域则称为禁带 P PN 结：PN 结是将P 型杂质和N 型杂质分别对半导体掺杂而成的。一般把P 型区和N 型区之间的过度区域称为PN 结。 R 热辐射探测器件：基于光辐射与物质相互作用的热效应制成的器件。 R 热敏电阻：吸收入射辐射后引起升温而使电阻值改变，导致负载电阻两端电压的变化，并给出电信号的元件。基本原理：半导体对光的晶格吸收和激子吸收，不产生载流子，而在不同程度上转变为热能，引起晶格震动加剧，使器件温度上升，即器件的阻值发生变化。结构：由热敏材料制成的厚度为左右的薄皮电阻粘合在导热能力高的绝缘垫衬底上，电阻体两端蒸发金属电极以便与外电路连接，再把衬底与一个热容很大、导热性能良好的金属连接，构成热敏电阻。 R 热电偶：是利用物质温差产生电动势的效应探测入射辐射的。 R 热释电器件：是一种利用热释电效应制成的热探测器件。 W 温差(泽贝克)热电效应：两种金属材料A 和B 组成一个回路时，若两金属连接点的温度存在着差异，则在回路中会有电流产生。 X 雪崩效应：在光敏二极管PN 结上，加相当大略低于击穿电压的反向偏压，在结区将产生一个很高的电场，使载流子雪崩倍增，输出电流迅速增加。 X 陷阱效应：杂质能积累非平衡载流子的作用 Z 只有本征吸收和杂质吸收能够直接产生非平衡载流子，引起光电效应 Z 载流子的运动形式：扩散运动和漂移运动。 扩散运动：载流子由热运动造成的从高浓度处向低浓度的迁移运动。 漂移运动:除了热运动以外获得的附加运动。 Z 杂质吸收：N 型半导体和P 型半导体吸收足够能量的光子，产生电离的过程。

B 半导体光电导效应与入射辐射通量的关系：在弱辐射作用的情况下是线性的，随着辐射增强，线性关系变差，当辐射很强时，变为抛物线关系。

C MOS 与CC

D 比较：1.结构和工作原理：CCD 产生图低噪声，高性能，但结构复杂，耗电量大，成本高。CMOS 通过X-Y 寻址技术直接从开关阵列中直接输出，比CCD 快，方便2.制造：CCD 要求严格，CMOS 制造简单3.性能：CMOS 较CCD 信号读取方式简单，速度快耗电低，但成像质量和灵敏度CCD 要优于CMOS 。 D 电子运动的三个重要特点：1.电子绕核运动2.由于微观粒子具有粒子与波动的两重性，所以电子没有完全确定的轨道 3.在一个原子或由原子组成的系统中，不能有两个电子同属一个量子态。

F 发光二极管的发光机理：是一种注入式电致发光器件,它由P 型和N 型半导体组合而成,其发光机理常分为PN 结注入发光与异质注入发光两种。PN 结注入发光:PN 结处于平衡状态时,存在一定的势垒区。当加正偏压时，PN 结区势垒降低，从扩散区注入的大量非平衡载流子不断地复合发光，并主要发生在P 区。

G 光电检测系统的组成及各部分作用：包括辐射源：将电能转换成为光能，得到符合后面光学系统要求的波段范围和光强度；光学系统：将辐射源发出的光进行光学色散、几何成像、分束和改变辐射流的传送方向；光电系统：将光信号转换成电信号的系统；电子学系统：对光电系统传输过来的电信号进行放大；计算机系统：包括自动控制、数据处理、显示输出等 G 光生伏特效应与光电导效应的区别和联系：同属于内光电效应。区别：光生伏特效应是少数载流子导电，而光电效应是多数载流子导电的光电效应。

G 光磁电效应：半导体外加磁场，磁场方向与光照方向垂直，当半导体受光照射产生丹倍效应时，由于电子和空穴在磁场中运动会受到洛伦兹力的作用，使它们的运动轨迹发生偏转，空穴向半导体的上方偏转，电子偏向下方。结果在垂直于光照方向与磁场方向的半导体上、下表面产生伏特电压，称光磁电场。

G 光敏电阻的基本原理：当光敏电阻的两端加上适当的电压后便有电流流过，可用电流表检测该电流。改变照射到光敏电阻上的光度量，发现流过光敏电阻的电流发生变化，说明光敏电阻的阻值随照度变化。

G 光敏二极管与光电池的异同：相同：都是光生伏特效应器件。不同：截面积比光电池小，