(整理)IGBT并联技术详解.
IGBT并联解决方案
IGBT并联解决方案标题：IGBT并联解决方案引言概述：随着电力电子技术的不断发展，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）作为一种重要的功率半导体器件，被广泛应用于各种领域，如电力变换、电动汽车、风力发电等。
在高功率应用中，为了提高系统的可靠性和效率，通常会采用IGBT并联的方式。
本文将介绍IGBT并联解决方案的相关内容。
一、IGBT并联的原理1.1 IGBT的特点IGBT是一种功率半导体器件，具有高电压、高电流和高频率的特点，适用于高功率应用。
1.2 并联原理IGBT并联是指将多个IGBT器件连接在一起，以增加系统的功率处理能力和可靠性。
并联可以分为电流均分和功率均分两种方式。
1.3 并联控制为了保证多个IGBT器件能够协同工作，需要进行并联控制，包括电流控制、温度控制和失效检测等。
二、IGBT并联的优势2.1 提高系统功率密度通过IGBT并联，可以将多个器件的功率叠加，从而提高系统的功率密度，实现更高的功率输出。
2.2 提高系统可靠性IGBT并联可以提高系统的可靠性，一旦某个器件发生故障，其他器件仍然可以正常工作，保证系统的稳定性。
2.3 降低系统成本相比单个高功率IGBT器件，采用多个低功率器件并联的方式可以降低系统的成本，提高性价比。
三、IGBT并联的挑战3.1 电流分布不均在IGBT并联中，由于器件参数的差异和工作状态的不同，可能导致电流在器件间分布不均，造成功率损失和热点问题。
3.2 温度升高由于IGBT器件在工作过程中会产生大量热量，而并联方式会使得热量更加集中，容易导致温度升高，影响系统的稳定性。
3.3 失效风险在IGBT并联系统中，由于器件间的耦合效应和互相影响，一旦某个器件失效，可能会引起整个系统的故障，增加系统的维护成本。
四、IGBT并联解决方案4.1 电流均分技术采用电流均分技术可以有效解决IGBT并联中的电流分布不均问题，通过合理设计电路结构和控制算法，实现多个器件间电流的均衡分配。
(整理)IGBT并联技术详解.
IGBT并联技术技术详解IGBT并联均流问题∙影响静态均流的因素1、并联IGBT的直流母线侧连接点的电阻分量，因此需要尽量对称；2、IGBT芯片的Vce(sat)和二极管芯片的V F的差异，因此尽量采取同一批次的产品。
3、IGBT模块所处的温度差异，设计机械结构及风道时需要考虑；4、IGBT模块所处的磁场差异；5、栅极电压Vge的差异。
∙影响动态均流的因素1、IGBT模块的开通门槛电压VGEth的差异，VGEth越高，IGBT开通时刻越晚，不同模块会有差异；2、每个并联的IGBT模块的直流母线杂散电感L的差异；3、门极电压Vge的差异；4、门极回路中的杂散电感量的差异；5、IGBT模块所处温度的差异；6、IGBT模块所处的磁场的差异。
∙IGBT芯片温度对均流的影响IGBT芯片的温度对于动态均流性能和静态均流性能影响很大：1、由于IGBT的Vcesat的正温度系数特性，使温度高的芯片的Vcesat更高，会分得较少的电流，因此形成了一个负反馈，使静态均流趋于收敛；2、根据我们的经验，我们发现，芯片温度变高后，动态均流的性能也会变好；例如在测试动态均流时，我们会使用双脉冲测试方法，但这时芯片是处于冷态的，当把机器跑起来后，动态均流会改善。
∙IGBT芯片所处的磁场对均流的影响IGBT模块附近如果有强磁场，则模块的均流会受到影响。
1、如果两个IGBT模块并联且并列安装，如果交流排的输出电缆在摆放时靠近其中某一个IGBT模块而远离另外一个，则均流性能就会出问题；2、以上现象的原因是某个大电流在导线上流动时会产生磁场，对磁场内的其他导通的电流产生“挤出”或“吸引”的效应；因此，在结构设计时，需要注意交流排出线的走线形式，以免发生磁场的干涉现象。
IGBT并联使用方法分类IGBT并联可以分为“硬并联”及“桥臂并联”2大类。
（1）“硬并联”指的是IGBT的发射极和集电极直接连接在一起，如左下图所示；（2）“桥臂并联”指的是，IGBT桥臂的交流输出端通过均流电抗（感量有一定数值）连接在一起，如右下图所示；这两种分类方法本质上以模块交流端子到汇流端的电感量进行分类的。
IGBT并联解决方案
IGBT并联解决方案一、背景介绍IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种常见的功率半导体器件，广泛应用于电力电子领域。
在某些高功率应用中，单个IGBT无法满足要求，因此需要采用IGBT并联解决方案。
本文将详细介绍IGBT并联解决方案的原理、优势和应用。
二、原理介绍IGBT并联解决方案是通过将多个IGBT器件并联连接，以提高功率和可靠性。
并联连接的IGBT器件具有相同的电压和电流特性，并通过特定的控制电路实现同步开关。
当负载电流较大时，多个IGBT器件可以共同分担负载，从而提高系统的功率处理能力。
三、优势1. 提高功率密度：IGBT并联解决方案可以将多个低功率IGBT器件组合成高功率模块，从而提高功率密度，减小系统体积。
2. 提高可靠性：通过并联连接，即使其中一个IGBT器件发生故障，其他器件仍然可以继续工作，提高了系统的可靠性和稳定性。
3. 分担负载：并联连接的IGBT器件可以共同分担负载电流，减小每个器件的负载压力，延长器件的寿命。
4. 提高效率：并联连接的多个IGBT器件可以实现更好的电流分配，减小功率损耗，提高系统的能效。
四、应用领域1. 可再生能源发电：IGBT并联解决方案广泛应用于风力发电和太阳能发电系统中，提高了系统的功率处理能力和可靠性。
2. 电动交通工具：电动汽车和混合动力汽车中的电力传动系统通常采用IGBT并联解决方案，以满足高功率输出和高效率要求。
3. 工业自动化：工业控制系统中的高功率逆变器和变频器常常采用IGBT并联解决方案，以提供可靠的电力输出。
4. 高速列车：高速列车的牵引系统需要大量的功率输出，采用IGBT并联解决方案可以满足高功率和高可靠性的要求。
五、实施步骤1. 选择合适的IGBT器件：根据应用需求选择适合的IGBT器件，包括电压等级、电流容量和频率特性等。
2. 设计并联连接电路：根据系统需求设计并联连接电路，确保各个IGBT器件的电流和电压分布均匀。
IGBT并联解决方案
IGBT并联解决方案引言概述：IGBT并联解决方案是一种常见的电力电子器件应用技术，它能够提高功率电子设备的效率和可靠性。
本文将介绍IGBT并联解决方案的原理和应用，并详细阐述其在电力系统、工业控制和新能源领域的三个方面的应用。
一、IGBT并联解决方案在电力系统中的应用1.1 提高电力系统的稳定性IGBT并联解决方案可以将多个IGBT器件并联使用，通过分担电流负载，提高了系统的稳定性。
并联的IGBT器件能够均衡分配电流，减少了单个器件的负载压力，降低了温度和热损耗，从而提高了系统的可靠性和寿命。
1.2 提高电力系统的效率IGBT并联解决方案可以将多个高功率IGBT器件并联使用，以增加系统的功率容量。
并联的IGBT器件能够分担电流负载，降低电流密度，减少了电流的损耗和电压降，从而提高了系统的效率。
此外，IGBT并联解决方案还可以降低开关损耗和开关频率，进一步提高了系统的效率。
1.3 提高电力系统的响应速度IGBT并联解决方案可以通过并联多个IGBT器件，提高系统的响应速度。
并联的IGBT器件能够分担电流负载，减少了电流上升和下降的时间，从而提高了系统的响应速度。
这对于电力系统的快速开关和控制非常重要，可以提高系统的可调性和稳定性。
二、IGBT并联解决方案在工业控制中的应用2.1 提高工业设备的控制精度IGBT并联解决方案可以通过并联多个IGBT器件，提高工业设备的控制精度。
并联的IGBT器件能够分担电流负载，减少了电流波动和电压降，从而提高了系统的稳定性和控制精度。
这对于需要高精度控制的工业设备非常重要，如机床、机器人等。
2.2 提高工业设备的可靠性IGBT并联解决方案可以通过并联多个IGBT器件，提高工业设备的可靠性。
并联的IGBT器件能够均衡分配电流负载，减少了单个器件的负载压力，降低了温度和热损耗，从而提高了系统的可靠性和寿命。
这对于需要长期运行和高负载的工业设备非常重要。
2.3 提高工业设备的能效IGBT并联解决方案可以通过并联多个高效的IGBT器件，提高工业设备的能效。
IGBT并联解决方案
IGBT并联解决方案一、背景介绍IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种常用的功率半导体器件，广泛应用于电力电子领域。
在某些高功率应用中，单个IGBT可能无法满足要求，因此需要将多个IGBT并联使用，以提高整体功率和可靠性。
本文将详细介绍IGBT并联解决方案的标准格式文本。
二、方案概述IGBT并联解决方案旨在将多个IGBT器件并联使用，以实现更高的功率输出和更好的系统可靠性。
该方案包括以下关键步骤和要求：1. 选取合适的IGBT器件：根据应用需求，选择具有相同或者相似特性的IGBT器件，并确保其参数和性能能够满足系统要求。
2. 并联电路设计：设计并联电路，确保每一个IGBT器件在并联状态下能够均衡地承受电流和功率。
这包括合理分配电流和功率，以及采取适当的电流平衡措施，如电流采样和反馈控制。
3. 散热设计：并联IGBT会产生更高的功率损耗，因此散热设计非常重要。
确保每一个IGBT器件能够有效地散热，并采取适当的散热措施，如散热片、风扇和冷却液等。
4. 保护电路设计：并联IGBT系统需要具备完善的保护功能，以防止过电流、过温和其他故障。
设计适当的保护电路，包括过流保护、过温保护、短路保护等。
5. 控制电路设计：并联IGBT系统需要有效的控制电路，确保每一个IGBT器件能够同步工作，实现稳定的功率输出。
设计合适的控制电路，包括电流控制、PWM控制和反馈控制等。
6. 可靠性测试和验证：在完成并联IGBT系统的设计和创造后，进行严格的可靠性测试和验证，确保系统能够长期稳定运行，并满足预期的性能和可靠性要求。
三、方案实施步骤以下是IGBT并联解决方案的实施步骤，以确保方案的成功实施和系统的稳定运行：1. 确定应用需求：明确系统的功率需求、工作条件和其他特殊要求，为后续的方案设计提供基础。
2. 选取合适的IGBT器件：根据应用需求，选择具有合适参数和性能的IGBT 器件。
IGBT并联解决方案
IGBT并联解决方案1. 简介IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高性能功率半导体器件，广泛应用于各种功率电子设备中。
IGBT并联解决方案是针对高功率应用中的电流共享和热管理问题而提出的一种解决方案。
本文将详细介绍IGBT并联解决方案的原理、设计要点和应用案例。
2. 原理IGBT并联解决方案通过将多个IGBT器件并联连接，实现电流共享和热分布均衡，提高系统的功率容量和可靠性。
并联连接的IGBT器件通过电流分配电路实现电流的均衡分配，确保每一个器件承担相等的电流负载。
同时，通过热敏电阻和热传感器监测每一个器件的温度，利用热管理系统实现热量的均衡分布，避免单个器件的过热问题。
3. 设计要点（1）器件选择：选择具有相同参数和特性的IGBT器件进行并联连接，确保电流共享和热分布均衡。
（2）电流分配电路：设计合适的电流分配电路，根据每一个器件的电流特性进行电流的均衡分配。
常用的电流分配电路包括电流传感器、电流分配电阻、电流共享电路等。
（3）热管理系统：通过热敏电阻和热传感器监测每一个器件的温度，利用热管理系统实现热量的均衡分布。
常用的热管理系统包括散热器、风扇、热管等。
（4）保护电路：设计合适的保护电路，监测并联IGBT器件的工作状态，及时响应故障，保护系统的安全运行。
4. 应用案例IGBT并联解决方案广泛应用于各种高功率电子设备中，如电力变换器、机电驱动器、风力发电系统等。
以下是一个应用案例：案例：电力变换器在电力变换器中，IGBT并联解决方案可以提高系统的功率容量和可靠性。
通过将多个IGBT器件并联连接，实现电流共享和热分布均衡。
电流分配电路确保每一个器件承担相等的电流负载，热管理系统实现热量的均衡分布。
在这个案例中，我们选择了10个相同参数和特性的IGBT器件进行并联连接。
每一个器件通过电流传感器和电流分配电阻进行电流的均衡分配。
热敏电阻和热传感器监测每一个器件的温度，热管理系统包括散热器和风扇，实现热量的均衡分布。
IGBT并联解决方案
IGBT并联解决方案标题：IGBT并联解决方案引言概述：随着现代电力电子技术的发展，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）在电力转换和控制领域中扮演着重要角色。
然而，单个IGBT的功率限制和热耗散问题限制了其在高功率应用中的应用。
为了解决这些问题，IGBT并联解决方案应运而生。
本文将详细介绍IGBT并联解决方案的五个部分。
一、增强功率容量1.1 提高电流承受能力：通过将多个IGBT并联，可以将电流分摊到每个IGBT 上，从而提高整体功率容量。
这可以通过电流传感器和控制电路来实现，确保每个IGBT承受相同的电流。
1.2 提高电压承受能力：将多个IGBT并联可以增加整体电压承受能力。
通过合理的电压分配和电压传感器，可以确保每个IGBT承受相同的电压，从而提高整体电压容量。
1.3 优化散热设计：IGBT并联解决方案还需要考虑热耗散问题。
通过合理的散热设计，如散热片和风扇的使用，可以有效降低IGBT的温度，提高功率容量。
二、提高系统可靠性2.1 容错能力增强：IGBT并联解决方案可以提高系统的容错能力。
当一个IGBT发生故障时，其他并联的IGBT可以继续工作，确保系统的可靠性。
2.2 动态电流均衡：通过电流传感器和控制电路，可以实现动态电流均衡，确保每个并联IGBT承受相同的电流负载，避免因电流不均衡而引发的故障。
2.3 温度监测和保护：通过温度传感器和保护电路，可以实时监测每个IGBT的温度，并在温度超过安全范围时采取保护措施，避免因温度过高而引发的故障。
三、提高系统效率3.1 降低开关损耗：IGBT并联解决方案可以降低系统的开关损耗。
通过合理的开关序列和控制策略，可以减少开关过程中的能量损耗，提高系统的效率。
3.2 优化电压波形：通过电压传感器和控制电路，可以实时监测和优化电压波形，确保每个IGBT的工作在最佳电压范围，提高系统的效率。
3.3 最小化电流回路：通过合理的电流路径设计，可以减少电流回路的长度和电阻，降低系统的功率损耗，提高效率。
IGBT并联使用介绍-26页
Page 10
动态均流 > 传输特性差异所引起问题
! 不同传输特性会产生的影响:
-> 不平衡的动态均流; -> 不同开关损耗, 尤其关断;
! 米勒平台阶段, 保持相同门极电压会产生的影响:
-> 传输特性快的IGBT将引起较高电流; -> 较高开关损耗;
30-Dec-08
Copyright © Infineon Technologies 2006. All rights reserved.
IGBT并联应用
- Shanghai Disti&Sales Training, 2008-12
英飞凌科技（中国） 应用工程师 赵振波
内容
! 影响并联均流主要因素 ! 静态均流 ! 动态均流 ! 均衡措施
30-Dec-08
Copyright © Infineon Technologies 2006. All rights reserved.
30-Dec-08
Copyright © Infineon Technologies 2006. All rights reserved.
Page 6
静态均流 >饱和电压 VCEsat温度特性
VCEsat vs. Ic ( 非贯穿型芯片 ）
VCEsat vs. Ic （沟槽栅场终止型芯片）
注释： ! 正温度系数特性的VCEsaopyright © Infineon Technologies 2006. All rights reserved.
Page 8
静态均流 > 换流回路等值电阻 > 测试波形
不同并联点
同一并联点
注释: 静态均流可能在很大程度上会被换流回路等值电阻的差异性所影响。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
IGBT并联技术技术详解IGBT并联均流问题∙影响静态均流的因素1、并联IGBT的直流母线侧连接点的电阻分量，因此需要尽量对称；2、IGBT芯片的Vce(sat)和二极管芯片的V F的差异，因此尽量采取同一批次的产品。
3、IGBT模块所处的温度差异，设计机械结构及风道时需要考虑；4、IGBT模块所处的磁场差异；5、栅极电压Vge的差异。
∙影响动态均流的因素1、IGBT模块的开通门槛电压VGEth的差异，VGEth越高，IGBT开通时刻越晚，不同模块会有差异；2、每个并联的IGBT模块的直流母线杂散电感L的差异；3、门极电压Vge的差异；4、门极回路中的杂散电感量的差异；5、IGBT模块所处温度的差异；6、IGBT模块所处的磁场的差异。
∙IGBT芯片温度对均流的影响IGBT芯片的温度对于动态均流性能和静态均流性能影响很大：1、由于IGBT的Vcesat的正温度系数特性，使温度高的芯片的Vcesat更高，会分得较少的电流，因此形成了一个负反馈，使静态均流趋于收敛；2、根据我们的经验，我们发现，芯片温度变高后，动态均流的性能也会变好；例如在测试动态均流时，我们会使用双脉冲测试方法，但这时芯片是处于冷态的，当把机器跑起来后，动态均流会改善。
∙IGBT芯片所处的磁场对均流的影响IGBT模块附近如果有强磁场，则模块的均流会受到影响。
1、如果两个IGBT模块并联且并列安装，如果交流排的输出电缆在摆放时靠近其中某一个IGBT模块而远离另外一个，则均流性能就会出问题；2、以上现象的原因是某个大电流在导线上流动时会产生磁场，对磁场内的其他导通的电流产生“挤出”或“吸引”的效应；因此，在结构设计时，需要注意交流排出线的走线形式，以免发生磁场的干涉现象。
IGBT并联使用方法分类IGBT并联可以分为“硬并联”及“桥臂并联”2大类。
（1）“硬并联”指的是IGBT的发射极和集电极直接连接在一起，如左下图所示；（2）“桥臂并联”指的是，IGBT桥臂的交流输出端通过均流电抗（感量有一定数值）连接在一起，如右下图所示；这两种分类方法本质上以模块交流端子到汇流端的电感量进行分类的。
桥臂并联：桥臂并联是一种风险比较低的并联技术；硬件电路的特征：（1）两个桥臂的输出首先接到一个均流电抗，然后再将电流汇在一起；（2）并联的两个IGBT不能共用IGBT驱动器，必须使用各自独立的IGBT驱动器；（3）驱动器的输入PWM信号必须足够同步的；IGBT桥臂并联拓扑中的换流回路分析在IGBT桥臂并联的电路拓扑中，两个桥臂有各自独立的换流回路，这两个桥臂是不会存在交换电流的情况；具体地说：（1）如果在D1续流时开通Q2，则D1发生反向恢复，且反向恢复电流全部流进Q2，不会跑到Q4去，如下图红线所示；（2）如果Q2在导通电流，则关断Q2时，电流全部被D1所续流，不会跑到D3去；原因就是在两个桥臂之间，存在着L1和L2这两个电抗，这样两个桥臂之间的动态阻抗会比较高，换流的动态过程中的高频电流是不能从一个桥臂跑去另外一个桥臂的，被电抗阻挡住了。
结论：这种并联方法不存在动态均流的风险。
每个桥臂的换流行为独立进行。
以上命题成立有一个很重要的前提，就是L1和L2的数值必须足够大，至少足以阻挡桥臂间的换流行为。
IGBT桥臂并联拓扑中均流电抗的分析：在IGBT桥臂并联拓扑中，每个桥臂的输出阻抗会决定输出电流有效值的分配情况，在下图中，均流电抗L1和L2分别归属左桥臂和右桥臂，很显然，桥臂的输出阻抗的主体是均流电抗的感抗，而IGBT桥臂本身的阻抗与感抗相比可以忽略。
所以，决定两桥臂的出力水平（或整体均流水平），主要由均流电抗L1和L2的感量决定。
感量偏大，则对应桥臂的输出电流偏小，感量偏小，则对应的桥臂的输出电流偏大。
结论：桥臂的整体均流情况，是由桥臂的均流电抗的感抗的比例决定的。
这种电路中，电抗的制造工艺比较关键，感量的偏差水平将决定桥臂的静态均流水平。
电路均流的风险转移到了电抗上。
IGBT桥臂并联拓扑中驱动信号同步性的分析：在IGBT桥臂并联拓扑中，要求PWM信号要足够同步，这里“同步”这个概念需要量化。
用很具体的方式来描述信号同步的程度。
在这种应用中，同步性要求比较低，不需要达到nS级，有百nS级即可。
如左下图所示，两个光纤发光头被同一个电流点亮，然后将信号传递到INA及INB，我们可以说这两个信号是“同步”的，但其实发光头，光纤通路，接收头理论上都是存在时间差异的，在最差的情况下应该有几百ns，甚至超过1us的差异。
不过在桥臂并联应用中，这是完全可以接受的。
工程中可以忽略这个差异。
IGBT桥臂并联拓扑中均流电抗的选取原则：均流电抗的数值的选取很重要，因为电抗的成本不低，如果感量太大了，成本就会上去，且散热也是问题。
因此选均流电抗的原则是：在满足均流性能的前提下，感量尽量低。
（1）均流电抗的感量越大，桥臂间的耦合越弱，越不容易发生环流现象；（2）桥臂的结构对称性越好，均流电抗感量要求越低；（3）两桥臂的PWM脉冲同步性越好，均流电抗感量要求越低；（4）驱动电路一致性越好，（例如门极电压数值），均流电抗感量要求越低；（5）具体的感量数值的确定比较大程度上需要靠实验，可能的数值会在几uH到几百的uH的水平，根据应用不同而不同；IGBT桥臂并联应用的其他实例：下图分别是Buck电路和Boost电路的实例，都使用了桥臂并联的方式。
这两种方式在实际中都比较常见。
不过这两种应用中电抗的主要目的不是为了均流，是为了输出电压的纹波水平，所以感量的选取有其他的约束条件。
IGBT并联驱动配置IGBT驱动器在并联的场合有2种配置方法（LS1，LS2为杂散参数）：1.“一拖多”，即一个驱动器驱动2个或多个“硬并联”的IGBT，如左下图所示；2.“一拖一”，即一个驱动器只驱动1个IGBT，IGBT再通过铜排直接相连，这叫“驱动器直接并联”，如右下图所示：下面将首先介绍“一拖多”，也就是IGBT硬并联的情况，这种情况比较常见。
IGBT硬并联的特点分析优点：IGBT模块之间并联在一起，不需要均流电抗，比较紧凑和经济缺点：1.对直流母排对称性要求很高；2.比较容易产生发射极环流；3.功率电路与门极回路产生耦合。
IGBT硬并联时的技术风险点如下：（1）发射极环流问题；（2）门极回路与功率回路产生耦合（门极共模环流问题）；（3）直流母排杂散电感不对称产生的问题；（4）交流排杂散电感数值过大所产生的问题；（5）IGBT开通门槛电压VGEth，开通延迟的差异所产生的问题；（6）门极回路杂散电感不对称所产生的问题；（7）IGBT模块并联数增多的风险。
IGBT驱动器直接并联：如下图所示，两个模块通过铜排直接连接在一起，这里没有把交流侧杂散电感表示出来。
这是一种介于IGBT硬并联与IGBT桥臂并联的方法。
它的特点是：1. 每个IGBT有独立的驱动器；2. IGBT的连接形式接近于硬并联，两桥臂交流输出端通过铜排直接相连；3. 可能存在发射极环流，但不同的IGBT门极回路间不存在耦合，IGBT的开关行为很独立；4. 对IGBT个体的一致性要求降低；5. 对直流母排杂散电感对称性要求降低；6. 对Vge信号的同步性要求非常高；7. 对Vge驱动电源电压一致性要求非常高；IGBT驱动器直接并联的优点：1. IGBT驱动器直接并联使得桥臂的操作完全独立，不同的门极回路间不存在耦合，即便有发射极环流存在，也不会叠加扰动到Vge电压上，Vge的波形比较纯粹，不会受到驱动器信号以外的其他扰动；2. 不介意交流输出端的杂散电感(Ls1,Ls2)，且欢迎这些杂散电感，甚至是一定数值的均流电抗，因为Ls1，Ls2起的作用就是削弱或阻断桥臂间电流耦合，只需有百nH级别的感量，桥臂间流动的高频电流就会被极大地削弱；3. 弱化了系统中各种轻微差异因素带来的问题，例如，直流母排杂散电感的对称性差异，VGEth的差异，tdon，tdoff的差异等。
这些差异都很容易被忽略掉；4. 并联设计风险大大降低；IGBT驱动器直接并联的关键点：1. 驱动器直接并联对IGBT进行硬并联，则交流输出杂散电感Ls1，Ls2数值会很小，这就要求驱动器的同步性要很高，即从驱动器接收到PWM信号到执行该信号之间的时间差必须足够小，且关键是误差要很窄，稳定性要高；2. 两个并联的驱动器的电源电压要非常一致；CONCEPT驱动器直接并联技术：CONCEPT率先提出了驱动器直接并联技术。
1. SCALE-2芯片组使用磁隔离时，PWM信号传输延时为80ns±4ns，这样的精确延迟可以确保驱动器直接并联技术得以实现；2. 副方芯片自身的稳压功能使驱动电压一致性得到保证；使用了直接并联技术的1SP0635，及1SP0335如下图：CONCEPT的实现方法：1. SCALE-2芯片组可以实现，原方PWM信号至Vge的精确延时；2. 副边15V开通电压与-10V关断电压完全相同；IGBT均流的测试方法：静态均流测试时，使用柔性电流探头，测桥臂输出电流，测量其电流有效值，考核两桥臂一致程度。
柔性电流探头在测量I1和I2时，可能会见到下图的情况。
上面的尖刺就是流过L1，L2的换流电流。
要想办法消除。
IGBT硬并联风险分析一、发射极环流现象:在IGBT并联问题中，首先需要讨论的就是发射极环流问题，首先我们介绍一下这个现象。
以并联的IGBT的上管为例，由于某一种或多种因素的不对称或不同步，造成桥臂的中点（A点和B点）在IGBT开通或关断瞬间会产生电位差。
而驱动器的发射极是通过发射极电阻连在一起的，这样就会产生下图中红色路径所示的电流。
我们把这个电流称为”发射极环流”。
上管开通时刻产生的发射极环流：下图中，L为负载电感，绿线为D2，D4的续流电流。
此时T1，T3同时给指令进行开通，D2，D4会发生反向恢复现象，假设T3领先于T1开通，则反向恢复电流会以图中的红线路径穿过Ls1和Ls2。
而反向恢复电流的变化率是非常高的，斜率能达到1~3kA/us，在Ls1和Ls2上产生的电压使E3的电位比E1高。
在双脉冲测试介绍的文档中得知，反向恢复电流分成前沿和后沿两部分，前沿切换成后沿时，杂散电感上的电压的方向会发生突变。
此时E3-E1的电压的方向还有可能发生突变。
实际情况比较复杂。
上管关断时刻产生的发射极环流：下图中绿线是T1，T3稳态导通时的电流，此时T1，T3同时给指令进行关断，假设T3领先于T1关断，则Ls2上的电流首先突减，Ls2上会产生左负右正的电压，而Ls1要增加Ls2所减少的电流，出现了突增，会产生左正右负的电压。
此时，E1比E3的电压高。
Vge3上会叠加一个正压，T3关得更慢了；Vge1上会叠加一个负压，则T1会关得更快。