期末复习资料汇总
高中生期末复习资料大全
高中生期末复习资料大全高中生期末复习资料大全随着高中生期末考试的临近，复习变得尤为重要。
为了帮助同学们更好地备考，我整理了一份高中生期末复习资料大全，供大家参考。
本文将从不同学科的角度出发，为大家提供一些复习资料和学习方法。
语文篇语文作为一门综合性学科，要求学生掌握阅读、写作、翻译等多种技能。
在复习语文时，可以从以下几个方面入手：1. 阅读理解：选择一些经典的阅读材料，如名著、报刊文章等，进行阅读理解练习。
同时，注意积累一些常见的词汇和短语，以便更好地理解文章。
2. 写作技巧：复习写作时，可以选择一些范文进行分析，学习其中的写作技巧和表达方式。
同时，多进行写作练习，提高自己的写作水平。
3. 古诗文：复习古诗文时，可以选择一些重要的古诗文进行背诵，并了解其背后的文化内涵。
同时，注意掌握一些常见的修辞手法和诗歌韵律。
数学篇数学作为一门基础学科，需要学生掌握一定的计算能力和解题技巧。
在复习数学时，可以从以下几个方面入手：1. 基础知识：复习数学的基础知识是十分重要的。
可以选择一些重要的概念和公式进行复习，并进行相关的计算练习。
2. 解题技巧：数学解题需要一定的思维能力和解题技巧。
可以选择一些典型的题目进行分析，学习其中的解题思路和方法。
3. 真题训练：复习数学时，可以选择一些历年的高考真题进行训练。
通过做真题，可以熟悉考试的题型和难度，提高解题能力。
英语篇英语作为一门国际语言，要求学生掌握听、说、读、写等多种技能。
在复习英语时，可以从以下几个方面入手：1. 听力训练：复习英语听力时，可以选择一些听力材料进行训练。
可以通过听录音、看电影等方式提高自己的听力水平。
2. 口语练习：复习英语口语时，可以选择一些日常对话进行练习。
可以找一个语伴一起练习口语，提高自己的口语表达能力。
3. 阅读理解：复习英语阅读时，可以选择一些英语文章进行阅读理解练习。
可以通过阅读英文小说、报纸等提高自己的阅读能力。
物理篇物理作为一门自然科学学科，要求学生掌握一定的物理原理和实验技能。
部编版八年级历史上册期末复习资料汇总
部编版八年级历史上册期末复习资料汇总单元一：古代文明与亚洲风情- 文明起源与古代文明：提要古代文明起源的地区和标志性事件；介绍古代文明在农业、手工业、商业等方面的发展。
- 印度河流域文明：介绍印度河流域文明的地理环境、政治制度、社会生活等方面的特点。
- 中华文明：介绍中国古代文明的起源、黄河文明的特点，以及古代中国的政治制度、科技发明等。
单元二：古代希腊罗马与西方文明- 希腊罗马古典文化：讲解希腊城邦制度、希腊哲学、希腊神话，以及古罗马帝国的政治制度、法律制度等。
- 罗马文明与教的兴起：介绍古罗马的社会结构、军事制度、道路建设等；讲解教的起源、教义和影响。
- 西方文明的传播：阐述西方文明在艺术、文学、法律、科学等方面的传播，以及对东方文明的影响。
单元三：阿拉伯帝国与伊斯兰文明- 阿拉伯帝国的兴起：介绍阿拉伯帝国的建立、人物及其对当时世界的影响。
- 的传播与发展：讲解的创立、基本教义，以及对科学、文化和社会的贡献。
- 伊斯兰文明的辉煌时期：详细介绍阿拉伯数学、医学、地理学等领域的发展，以及穆斯林学者的贡献。
单元四：近代欧洲的开启与变革- 文艺复兴与宗教改革：概述文艺复兴的起源、特点，以及宗教改革对欧洲的影响。
- 近代欧洲的资本主义社会：介绍工业革命的兴起，以及资本主义在社会经济、政治方面的影响。
- 近代科学的进展：阐述科学革命对人类的影响和启示，以及科学思维的普及。
单元五：近代中国的发展与变革- 清朝的衰落与列强入侵：概述清朝的衰落原因，以及列强对中国的入侵和侵略。
- 辛亥革命与民主思想的启蒙：详细介绍辛亥革命的背景、过程和影响，以及中国近代民主思想的兴起。
- 北洋政府与五四运动：讲解北洋政府的建立与发展，以及五四运动对中国现代化进程的推动。
以上是部编版八年级历史上册期末复习资料的汇总，同学们可以根据各个单元的内容进行针对性的复习，加油！。
图论期末考试整理复习资料
目录第一章图的基本概念 (1)二路和连通性 (3)第二章树 (3)第三章图的连通度 (4)第四章欧拉图与哈密尔顿图 (5)一，欧拉图 (5)二．哈密尔顿图 (6)第五章匹配与因子分解 (9)一．匹配 (9)二．偶图的覆盖于匹配 (10)三．因子分解 (11)第六章平面图 (14)二．对偶图 (16)三．平面图的判定 (17)四．平面性算法 (20)第七章图的着色 (24)一．边着色 (24)二．顶点着色 (25)第九章有向图 (30)二有向树 (30)第一章图的基本概念1.点集与边集均为有限集合的图称为有限图。
2.只有一个顶点而无边的图称为平凡图。
3.边集为空的图称为空图。
4.既没有环也没有重边的图称为简单图。
5.其他所有的图都称为复合图。
6.具有二分类（X, Y）的偶图（或二部图）：是指该图的点集可以分解为两个（非空）子集X 和Y ，使得每条边的一个端点在X 中，另一个端点在Y 中。
7.完全偶图：是指具有二分类（X, Y）的简单偶图，其中X的每个顶点与Y 的每个顶点相连，若|X|=m，|Y|=n，则这样的偶图记为Km,n8. 定理1 若n 阶图G 是自补的（即），则n = 0, 1（mod 4）9. 图G 的顶点的最小度。
10. 图G 的顶点的最大度。
11. k-正则图: 每个点的度均为 k 的简单图。
例如,完全图和完全偶图Kn,n 均是正则图。
12. 推论1 任意图中，奇点的个数为偶数。
13.14. 频序列：定理4 一个简单图G 的n 个点的度数不能互不相同。
15. 定理5 一个n 阶图G 相和它的补图有相同的频序列。
16.17.18. 对称差：G1△G2 = (G1∪G2) - (G1∩G2) = (G1-G2)∪(G2-G1)19. 定义： 联图 在不相交的G1和G2的并图G1+G2中，把G1的每个顶点和G2的每个顶点连接起来所得到的图称为G1和G2的联图，记为G1∨G220. 积图：积图 设G1= (V1, E1)，G2 = (V2, E2)，对点集V = V1×V2中的任意两个点u =(u1,u2)和v = (v1,v2)，当(u1 = v1和 u2 adj v2) 或 (u2 = v2 和 u1 adj v1) 时就把 u 和 v 连接起来所得到的图G 称为G1和G2积图。
初一地理期末考复习资料汇总
初一地理期末考复习资料汇总11.地球的形状和大小①地球是一个球体。
②葡萄牙航海家麦哲伦率领的船队首次实现了人类环绕地球一周的航行。
③地球表面积5.1亿平方千米，周长4万千米，赤道半径6378千米，极半径6357千米，平均半径6371千米。
2.纬线和经线①纬线：与地轴垂直并且环绕地球一周的圆圈。
纬线是不等长的，赤道是的纬线圈。
②经线：连接南北两极，并且与纬线垂直相交的半圆。
经线是等长的。
3.纬度和经度①纬度的变化规律：由赤道(0°纬线)向南、北两极递增。
的纬度是90度，在南极、北极。
②赤道以北的纬度叫北纬，用“N”表示;赤道以南的纬度叫南纬，用“S”表示。
③以赤道为界，将地球平均分为南、北两个半球，赤道以北是北半球，赤道以南是南半球。
④经度的变化规律：由本初子午线(0°经线)向西、向东递增到180⑤本初子午线以东的经度叫东经，用“E”表示;本初子午线以西的经度叫西经，用“W”表示。
⑥东、西半球的分界线是：20°W、160°E组成的经线圈。
20°W以西到160°E属于西半球(大于20°W或大于160°E)20°W以东到160°E属于东半球(小于20°W或小于160°E)4.地球的运动①地球运动 ：自转 /公转绕什么转 ：地轴 /太阳方向 ：自西向东 /自西向东周期 : 约24小时 /一年产生的自然现象 : 昼夜交替/形成四季②北半球与南半球的季节相反(春——秋;夏——冬)③地球表面五带的划分：北寒带(66.5°N--90°N)、北温带(23.5°N--66.5°N)、热带(23.5°N--23.5°S)、南温带(23.5°S--66.5°S)、南寒带(66.5°S--90°S)寒带：有极昼极夜现象 热带：有阳光直射现象温带：既无阳光直射现象，又无极昼极夜现象，四季变化明显④低纬：0°--30°;中纬：30°--60°;高纬：60°--90°⑤自西向东拨动地球仪，从北极上空看，地球仪按逆时针方向转;从南极上空看，地球仪按顺时针方向转。
操作系统期末复习资料(知识点汇总)
分为时分复用技术、空分复用技术。
如果虚拟的实现是通过时分复用方式，即对物理设备进行分时使用，设N是谋设备所对
应的逻辑设备数，则每台虚拟设备的平均速度必然小于等于1/N。类似，空分复用实现
虚拟，空间利用也小于等于1/N 。
4． 异步性：
进程的推进速度不可预知。
9． 操作系统五大功能
if(isfull(q)==1){//如果队列为满，生产者无法插入数据
}else{
enqueue(q,data));
}
}
void customer(queue &q){
if(isempty(q)==1){//如果队列为空，消费者取不到东西
}else{
进程挂起与激活：
进程挂起：首先检查被挂起进程的状态，若处于活动就绪状态，便将其改为静止就绪；对于
活动阻塞状态，改为静止阻塞。
进程激活：将进程从外存调入内存，检查其现行状态，若是静止就绪，便改为活动就绪；若
是静止阻塞，改为活动阻塞。
6． 进程同步
1． 由于资源共享和进程合作，进程间存在两种形式的制约关系：
2． C/S模式
由客户机、服务器、网络系统构成。完成一次交互可分为，客户发送请求信息，服务器
接受信息，服务器反馈消息，客户机接受消息。此种模式实现了数据的分布存储，便于
集中管理，可扩展性。但可靠性差。
3． 面向对象程序设计:
4． 微内核操作系统结构：
子操作wait(), signal() 来访问，即P，V操作。原子操作在执行时不可中断。
4． 进程控制信息：
进程控制块的组织方式：
1． 链式方式：把同一状态的PCB，用链接字链接成一个队列，形成就绪队列。
国开大学外国文学专题-期末复习资料(课程重难点汇总)
外国文学专题期末复习资料（课程重难点汇总）关于期末考试的说明1.外国文学专题课程期末考试和4次形成性考核共同构成课程总成绩。
期末考试占总成绩70%，形成性考核占总成绩30%。
2. 期末考试为开卷，90分钟。
3. 期末复习资料：教材《20世纪欧美文学》4.关于题型和内容:（1）单项选择（每题1分，10题，共10分）单项选择题主要考作家作品名，如已知作家选择作品名、已知作品选择作家名。
（2）填空（每空2分，共10空，20分）（3）简答（每题15分，3题，共45分）简答题主要考文学流派的特征、文学史上的一些重要知识点、简要回答某作品的某一方面（思想内容、人物形象、艺术特点等）。
（4）论述（1题，共25分）详细论述（或分析）作家创作概要，作品的人物、主题思想、艺术特点等。
绪论20世纪的一百年，世界历史大致经历了三个阶段，即20世纪的上半期（1900—1945）、20世纪的下半期（1946—1991）和20世纪末期（1991——2000）。
20世纪上半期是一个危机、战争和革命的时期。
第二次世界大战后，历史进入第二阶段。
那是两个阵营对立的“冷战”时期。
二战后，世界上出现了一系列社会主义国家，出现了美国和苏联两个超级大国，随之形成了以美国和苏联为首的两大阵营。
世纪之末，世界局势发生了巨大的变化。
世界趋于多极化的态势，开始进入多元共存的时代。
就欧美文学的范围来说，有四种情况值得注意：一是欧洲老牌资本主义国家（法、英、德等国）的文学在延续着上一世纪的文学的同时.又有新的进展,现实主义文学呈现出新的态势，而现代主义文学的异军突起，显然是最引人注目的现象。
二是美国文学虽然起步较晚，但是很快就赶了上来，取得了令人注目的成就；三是苏联文学的兴起，以俄罗斯文学为主的社会主义现实主义文学，对世界文学的发展产生了一定的影响，其中的非主流文学又与主流文学有所不同，情况比较特殊；四是拉丁美洲于20世纪中叶出现了所谓“文学爆炸”，出现了“魔幻现实主义”等有世界影响的文学流派和一批具有国际水平的作家，令人刮目相看。
期末复习资料汇总
期末复习资料汇总(总7页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第三章双极结型晶体管填空题1、晶体管的基区输运系数是指（基区中到达集电结的少子）电流与（发射结注入基区的少子）电流之比。
由于少子在渡越基区的过程中会发生（扩散），从而使基区输运系数（变大）。
为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（小于）基区少子扩散长度。
2、晶体管中的少子在渡越（）的过程中会发生（），从而使到达集电结的少子比从发射结注入基区的少子（）。
3、晶体管的注入效率是指（）电流与（）电流之比。
为了提高注入效率，应当使（）区掺杂浓度远大于（）区掺杂浓度。
4、晶体管的共基极直流短路电流放大系数α是指发射结（正）偏、集电结（零）偏时的（集电结）电流与（发射结）电流之比。
5、晶体管的共发射极直流短路电流放大系数β是指（发射）结正偏、（集电）结零偏时的（集电结）电流与（基区）电流之比。
6、在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。
7、某长方形薄层材料的方块电阻为100Ω，长度和宽度分别为300μm和60μm，若要获得1kΩ的电阻，则该材料的长度应改变为（600μm）。
8、在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（），它对少子在基区中的运动起到（）的作用，使少子的基区渡越时间（）。
9、小电流时α会（）。
这是由于小电流时，发射极电流中（）的比例增大，使注入效率下降。
10、发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（），反而会使其（）。
造成发射区重掺杂效应的原因是（）和（）。
11、在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（）于基区的禁带宽度，从而使异质结双极晶体管的（）大于同质结双极晶体管的。
12、当晶体管处于放大区时，理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而（）。
但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而（），这称为（）效应。
13、当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会（），使基区宽度（），从而使集电极电流（），这就是基区宽度调变效应（即厄尔利效应）。
【艺术学概论】期末考试复习资料汇总31
艺术学概论期末考试复习资料汇总1.艺术学之父：费德勒。
2.德国的格罗塞注重从方法上建立艺术科学，代表作《艺术起源》。
3.艺术学内容包括：艺术理论、艺术批评、艺术史。
1.艺术史上关于艺术本质的几种主要观点：“客观精神说”“主观精神说”“模仿说”或“再现说”。
①“客观精神说”——观点：认为艺术是“理念”或者客观“宇宙精神”的体现。
代表人物：柏拉图：《柏拉图文艺对话集》认为理式世界是第一性的，感性世界是第二性的，艺术世界是第三性的。
“理念”是世界的最终根源，现实都是模仿理念的结果，文艺又是模仿现实世界的结果，因此，文艺就像影子的影子，和理念的“真实隔着三层”。
桌子的例证。
黑格尔：《美学》认为“美是理念的感性显现”。
错误性：把艺术的本质归结为“理念”或“绝对精神”。
正确性：包含了辩证法思想。
认为“理念”是内容，“感性显现”是表现形式，内容与形式是统一的。
②“主观精神说”——观点：认为艺术是“自我意识的表现”，是“生命本体的冲动”。
代表人物：德国哲学家康德认为，艺术纯粹是作家艺术家们的天才创造物，他强调艺术创作中天才的想象力与独创性，可使艺术达到美的境界。
尼采提出唯意志主义，认为人的主观意志是万事万物的主宰，也是推动历史发展的根本原因。
他把日神冲动和酒神冲动看做是艺术的两种根源，把“梦”和“醉”看做审美的两种基本状态。
第一部著作《悲剧诞生》。
③“模仿说”或“再现说”——观点：从古希腊以来，“模仿说”一直是西方很有影响的一种观点。
认为艺术是对现实的“模仿”。
代表人物：亚里士多德模仿说、塞万提斯模仿说、莎士比亚镜子说。
2.“艺术生产”理论对艺术学研究的启示：①“艺术生产”理论揭示了艺术的起源、性质和特点。
从艺术的起源来看，艺术生产本身是经历了一个漫长历史过程才从物质生产中分化出来的。
②艺术生产理论阐明了两种生产的“不平衡关系”。
3.论述艺术生产理论的“不平衡关系”：①“不平衡”的含义：艺术生产作为一种特殊的精神生产，又具有相对独立性。
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第三章双极结型晶体管填空题1、晶体管的基区输运系数是指（基区中到达集电结的少子）电流与（发射结注入基区的少子）电流之比。
由于少子在渡越基区的过程中会发生（扩散），从而使基区输运系数（变大）。
为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（小于）基区少子扩散长度。
2、晶体管中的少子在渡越（）的过程中会发生（），从而使到达集电结的少子比从发射结注入基区的少子（）。
3、晶体管的注入效率是指（）电流与（）电流之比。
为了提高注入效率，应当使（）区掺杂浓度远大于（）区掺杂浓度。
4、晶体管的共基极直流短路电流放大系数α是指发射结（正）偏、集电结（零）偏时的（集电结）电流与（发射结）电流之比。
5、晶体管的共发射极直流短路电流放大系数β是指（发射）结正偏、（集电）结零偏时的（集电结）电流与（基区）电流之比。
6、在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。
7、某长方形薄层材料的方块电阻为100Ω，长度和宽度分别为300μm和60μm，若要获得1kΩ的电阻，则该材料的长度应改变为（600μm）。
8、在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（），它对少子在基区中的运动起到（）的作用，使少子的基区渡越时间（）。
9、小电流时α会（）。
这是由于小电流时，发射极电流中（）的比例增大，使注入效率下降。
10、发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（），反而会使其（）。
造成发射区重掺杂效应的原因是（）和（）。
11、在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（）于基区的禁带宽度，从而使异质结双极晶体管的（）大于同质结双极晶体管的。
12、当晶体管处于放大区时，理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而（）。
但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而（），这称为（）效应。
13、当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会（），使基区宽度（），从而使集电极电流（），这就是基区宽度调变效应（即厄尔利效应）。
14、I ES是指（集电）结短路、（发射）结反偏时的（发射）极电流。
15、I CS是指（发射）结短路、（集电）结反偏时的（集电）极电流。
16、I CBO是指（发射）极开路、（集电）结反偏时的（共基极反向截止）极电流。
17、I CEO是指（基）极开路、（集电结）结反偏时的（共发射极反向截止）极电流。
18、I EBO是指（集电）极开路、（发射）结反偏时的（共基）极电流。
19、BV CBO是指（发射）极开路、（）结反偏，当（I‘cbo ）→∞时的V CB。
20、BV CEO是指（基）极开路、（）结反偏，当（I‘ceo ）→∞时的V CE。
21、BV EBO是指（集电）极开路、（）结反偏，当（I‘ebo ）→∞时的V EB。
22、基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（）全部占据时，集电极电流急剧增大的现象。
防止基区穿通的措施是（）基区宽度、（）基区掺杂浓度。
23、比较各击穿电压的大小时可知，BV CBO（大于）BV CEO，BV CBO（远远大于）BV EBO。
24、随着信号频率的提高，晶体管的αω, βω的幅度会（减小），相角会（滞后）。
25、在高频下，基区渡越时间τb对晶体管有三个作用，它们是：（）、（）和（）。
26、基区渡越时间τb是指（）。
当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大到原来的（）倍。
27、晶体管的共基极电流放大系数|αω|随频率的（减小）而下降。
当晶体管的|αω|下降到（α0）时的频率，称为α的截止频率，记为（fa ）。
28、晶体管的共发射极电流放大系数|βω|随频率的（）而下降。
当晶体管的|βω|下降到β0时的频率，称为β的（），记为（）。
29、当f>>fβ时，频率每加倍，晶体管的|βω|降到原来的（）；最大功率增益K pmax降到原来的（）。
30、当（）降到1时的频率称为特征频率f T。
当（Kp ）降到1时的频率称为最高振荡频率f M。
31、当|βω|降到（1 ）时的频率称为特征频率f T。
当K pmax降到（1 ）时的频率称为最高振荡频率f M。
32、晶体管的高频优值M是（）与（）的乘积。
33、晶体管在高频小信号应用时与直流应用时相比，要多考虑三个电容的作用，它们是（）电容、（）电容和（）电容。
34、对于频率不是特别高的一般高频管，τec中以（）为主，这时提高特征频率f T的主要措施是（）。
35、为了提高晶体管的最高振荡频率f M ，应当使特征频率f T（），基极电阻r bb'（），集电结势垒电容C TC（）。
问答与计算题1、画出NPN晶体管在饱和状态、截止状态、放大状态和倒向放大状态时的少子分布图。
2、画出共基极放大区晶体管中各种电流的分布图，并说明当输入电流I e经过晶体管变成输出电流I C时，发生了哪两种亏损？3、倒向晶体管的电流放大系数为什么小于正向晶体管的电流放大系数？6、先画出双极晶体管的理想的共发射极输出特性曲线图，并在图中标出饱和区与放大区的分界线，然后再分别画出包括厄尔利效应和击穿现象的共发射极输出特性曲线图。
7、什么是双极晶体管的特征频率f T？写出f T的表达式，并说明提高f T的各项措施。
8、写出组成双极晶体管信号延迟时间τec的4个时间的表达式。
其中的哪个时间与电流I e有关？这使f T随I e的变化而发生怎样的变化？9、什么是双极晶体管的最高振荡频率f M？写出f M的表达式，说明提高f M的各项措施。
12、某均匀基区晶体管的W B = 2μm, L B = 10μm，试求此管的基区输运系数β*之值。
若将此管的基区掺杂改为指数分布，场因子η=6，则其β*变为多少？13、某均匀基区NPN晶体管的W B = 2μm, N B=1017cm-1, D B = 18cm2s-1, τB=5×10–7 s，试求该管的基区输运系数β*之值。
又当在该管的发射结上加0.6V的正向电压，集电结短路时，该管的J nE和J nC各为多少？15、某双极型晶体管的R□B1= 1000Ω, R□E= 5Ω，基区渡越时间τb=10–9 s ,当I= 0.1mA时, I C = 10mA，求该管的基区少子寿命τb。
B16、某晶体管的基区输运系数β* =0.99，注入效率γ=0.97，试求此管的α与β。
当此管的有源基区方块电阻R乘以3，其余参数均不变时，其α与β变□B1为多少？17、某双极型晶体管当I B1 = 0.05mA时测得I C1 = 4mA，当I B2 = 0.06mA时测得I C2 = 5mA，试分别求此管当I C = 4mA时的直流电流放大系数β与小信号电流放大系数βO 。
18、某缓变基区NPN晶体管的BV CBO = 120V，β=81，试求此管的BV CEO。
21、某高频晶体管的fβ=5MHz，当信号频率为f=40MHz时测得其|βω|=10，则当f=80MHz时|β|为多少？该管的特征频率f T为多少？该管的β0为多少？ω22、某高频晶体管的β0=50，当信号频率f为30MHz时测得|βω|=5，求此管的特征频率f T，以及当信号频率f分别为15MHz和60MHz时的|βω|之值。
=1μm，基区渡越时间τb= 2.7× 10-10s,23、某高频晶体管的基区宽度WBf=550MHz。
当该管的基区宽度减为0.5μm，其余参数都不变时，f T变为多少？T27、某晶体管当I B1 = 0.05mA时测得I C1 = 4mA，当I B2 = 0.06mA时测得I C2 = 5mA，试分别求此管当I C = 4mA时的直流电流放大系数β与增量电流放大系数β0 。
28、已知某硅NPN 均匀基区晶体管的基区宽度W B = 2μm，基区掺杂浓度n B = 5× 1016cm -3，基区少子寿命t B = 1μs，基区少子扩散系数D B = 15cm 2s -1，以及从发射结注入基区的少子电流密度J nE = 0.1A/cm 2。
试计算基区中靠近发射结一侧的非平衡少子电子浓度n B (0)、发射结电压V BE 和基区输运系数β* 。
29、已知某硅NPN 缓变基区晶体管的基区宽度W B = 0.5μm，基区少子扩散系数D B = 20cm 2s -1，基区自建场因子η = 20，试计算该晶体管的基区渡越时间t b 。
33、在N 型硅片上经硼扩散后，得到集电结结深x jc = 2.1μm，有源基区方块电阻R □B1 = 800Ω，再经磷扩散后，得发射结结深x je = 1.3μm，发射区方块电阻R □e = 10Ω。
设基区少子寿命t B = 10-7s ，基区少子扩散系数D B = 15cm 2s -1，基区自建场因子η = 8，试求该晶体管的电流放大系数α与β分别为多少？35、已知某硅NPN 均匀基区晶体管的基区宽度W B = 2.5μm，基区掺杂浓度n B = 1017cm -3，集电区掺杂浓度n C = 1016cm -3，试计算当V CB = 0时的厄尔利电压V A 的值。
第五章 绝缘栅场效应晶体管填空题1、N 沟道MOSFET 的衬底是（ ）型半导体，源区和漏区是（ ）型半导体，沟道中的载流子是（ ）。
2、P 沟道MOSFET 的衬底是（ ）型半导体，源区和漏区是（ ）型半导体，沟道中的载流子是（ ）。
3、当V GS =V T 时，栅下的硅表面发生（ ），形成连通（ ）区和（ ）区的导电沟道，在V DS 的作用下产生漏极电流。
4、N 沟道MOSFET 中，V GS 越大，则沟道中的电子就越（ ），沟道电阻就越（ ），漏极电流就越（ ）。
B B nE B nE B B B241921nE B B 123B 2BE i BE B p0B B B BE B B i 2i (0),(0),0.1cm ,210cm, 1.610C,15cm s (0)8.3310cm (0)exp exp (0)ln ,(0)qD n J WJ n W qD J A W q D n qV n qV n n kT N kT n N kT kTV n N n q n q-----====⨯=⨯=⋅=⨯⎛⎫⎛⎫== ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭=由可得：将之值代入，得：又由，得：将、、及之值代BE 226B B n B B B B n 0.55V111,10s 220.9987V W W W D L D βττβ*-*=⎛⎫=-=-= ⎪⎝⎭=入，得：已知：将及、之值代入，得：。
5、在N沟道MOSFET中，V T>0的称为增强型，当V GS=0时MOSFET处于（）状态；V T<0的称为耗尽型，当V GS=0时MOSFET处于（）状态。
6、由于栅氧化层中通常带（）电荷，所以（）型区比（）型区更容易发生反型。
7、要提高N沟道MOSFET的阈电压V T ，应使衬底掺杂浓度n A（），使栅氧化层厚度T ox（）。