砷化镓供应生产厂家
2020砷化镓材料国内外市场供应生产厂家及需求现状
砷化镓材料国内外市场供应现状及主要需求1国内外砷化镓材料发展现状半绝缘砷化镓材料主要用于高频通信器件，受到近年民用无线通信市场尤其是手机市场的拉动，半绝缘砷化镓材料的市场规模也出现了快速增长的局面。
20RR～20RR年，半绝缘砷化镓市场需求增长了54%。
目前微电子用砷化镓晶片市场主要掌握在日本住友电工（SumitomoElectric）、费里伯格（FreibergerCompoundMaterials）、日立电线（HitachiCable）和美国ART等四家大公司手中。
主要以生产4、6英寸砷化镓材料为主。
费里伯格公司供应LEC法生长的3、4、6英寸半绝缘砷化镓衬底，供应VGF法生长的4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
住友供应VB法生长的4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
日立电线供应LEC法生长的2、3、4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
ART供应VGF法生长的2、3、4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
表1国际砷化镓材料主要生产厂商目前中国的砷化镓材料生产企业主要以LED用低阻砷化镓晶片为代表的低端市场为主，利润率较高的微电子用4～6英寸半绝缘晶片还没有形成产业规模。
中国大陆从事砷化镓材料研发与生产的公司主要有：北京通美晶体技术有限公司（ART）、中科晶电信息材料（北京）有限公司、天津晶明电子材料有限责任公司（中电集团46研究所）、北京中科镓英半导体有限公司、北京国瑞电子材料有限责任公司、扬州中显机械有限公司、山东远东高科技材料有限公司、大庆佳昌科技有限公司、新乡神舟晶体科技发展有限公司（原国营542厂）等九家。
北京通美是美国ART独资子公司，其资金、管理和技术实力在国内砷化镓材料行业首屈一指，产品主要以VGF法4、6英寸半绝缘砷化镓材料为主。
其在高纯镓、高纯砷、高纯锗以及氮化硼坩埚等方面均有投资，有效地控制了公司成本，20RR年销售收入8000万美元，短期内国内其它各公司还难以和北京通美形成真正的竞争。
中科晶电成立于20RR年，主要从事VGF砷化镓单晶生长和抛光片生产，该公司为民营企业，总投资为2500万美元，在高纯砷和高纯镓方面也已投资建厂。
砷化镓太阳能光伏电池主要上市公司
砷化镓太阳能光伏电池主要上市公司展开全文砷化镓太阳能光伏电池主要上市公司一、砷化镓电池基本介绍近年来，太阳能光伏发电在全球取得长足发展。
常用光伏电池一般为多晶硅和单晶硅电池，然而由于原材料多晶硅的供应能力有限，加上国际炒家的炒作，导致国际市场上多晶硅价格一路攀升，最近一年来，由于受经济危机影响，价格有所下跌，但这种震荡的现状给光伏产业的健康发展带来困难。
目前，技术上解决这一困难的途径有两条：一是采用薄膜太阳电池，二是采用聚光太阳电池，减小对原料在量上的依赖程度。
常用薄膜电池转化率较低，因此新型的高倍聚光电池系统受到研究者的重视[1]。
聚光太阳电池是用凸透镜或抛物面镜把太阳光聚焦到几倍、几十倍，或几百倍甚至上千倍，然后投射到太阳电池上。
这时太阳电池可能产生出相应倍数的电功率。
它们具有转化率高，电池占地面积小和耗材少的优点。
高倍聚光电池具有代表性的是砷化镓（GaAs）太阳电池。
GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高。
与硅太阳电池相比，GaAs太阳电池具有较好的性能[2]。
二、砷化镓电池与硅光电池的比较1、光电转化率：砷化镓的禁带较硅为宽，使得它的光谱响应性和空间太阳光谱匹配能力较硅好。
目前，硅电池的理论效率大概为23％，而单结的砷化镓电池理论效率达到27％，而多结的砷化镓电池理论效率更超过50％。
2、耐性常规上，砷化镓电池的耐性要好于硅光电池，有实验数据表明，砷化镓电池在250℃的条件下仍可以正常工作，但是硅光电池在200℃就已经无法正常运行。
3、机械强度和比重砷化镓较硅质在物理性质上要更脆，这一点使得其加工时比容易碎裂，所以，目前常把其制成薄膜，并使用衬底（常为Ge[锗]），来对抗其在这一方面的不利，但是也增加了技术的复杂度。
三、砷化镓电池的技术发展现状1、历程GaAs太阳电池的发展是从上世纪50年代开始的，至今已有已有50多年的历史。
1954年世界上首次发现GaAs材料具有光伏效应。
砷化镓供应生产厂家
砷化镓材料国内外市场供应现状及主要需求1 国内外砷化镓材料发展现状半绝缘砷化镓材料主要用于高频通信器件，受到近年民用无线通信市场尤其是手机市场的拉动，半绝缘砷化镓材料的市场规模也出现了快速增长的局面。
2003～2008年，半绝缘砷化镓市场需求增长了54%。
目前微电子用砷化镓晶片市场主要掌握在日本住友电工（Sumitomo Electric）、费里伯格（Freiberger Compound Materials ）、日立电线（Hitachi Cable）和美国AXT等四家大公司手中。
主要以生产4、6英寸砷化镓材料为主。
费里伯格公司供应LEC法生长的3、4、6英寸半绝缘砷化镓衬底，供应VGF法生长的4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
住友供应VB法生长的4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
日立电线供应LEC法生长的2、3、4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
AXT供应VGF法生长的2、3、4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
表1 国际砷化镓材料主要生产厂商目前中国的砷化镓材料生产企业主要以LED用低阻砷化镓晶片为代表的低端市场为主，利润率较高的微电子用4～6英寸半绝缘晶片还没有形成产业规模。
中国大陆从事砷化镓材料研发与生产的公司主要有：北京通美晶体技术有限公司（AXT）、中科晶电信息材料（北京）有限公司、天津晶明电子材料有限责任公司（中电集团46研究所）、北京中科镓英半导体有限公司、北京国瑞电子材料有限责任公司、扬州中显机械有限公司、山东远东高科技材料有限公司、大庆佳昌科技有限公司、新乡神舟晶体科技发展有限公司（原国营542厂）等九家。
北京通美是美国AXT独资子公司，其资金、管理和技术实力在国内砷化镓材料行业首屈一指，产品主要以VGF法4、6英寸半绝缘砷化镓材料为主。
其在高纯镓、高纯砷、高纯锗以及氮化硼坩埚等方面均有投资，有效地控制了公司成本，2009年销售收入8 000万美元，短期内国内其它各公司还难以和北京通美形成真正的竞争。
2023年砷化镓行业市场调查报告
2023年砷化镓行业市场调查报告砷化镓是一种重要的半导体材料，在光电、光通信、无线通信等领域应用广泛。
本文将对砷化镓行业进行市场调查分析。
一、行业背景砷化镓是目前应用最广泛的III-V族化合物半导体材料之一，具有优异的电学和光学性能。
其制备工艺相对较成熟，应用领域广泛。
目前，砷化镓主要用于光电子器件、光通信及无线通信等领域。
二、行业规模据统计数据显示，全球砷化镓市场规模约为100亿美元。
其中，亚洲市场占据50%以上的份额，北美和欧洲市场分别占据30%和20%的份额。
随着5G通信、人工智能及物联网等技术的广泛应用，砷化镓市场将继续扩大。
三、应用领域1. 光电子器件：砷化镓在光电子器件领域具有重要的应用价值。
例如，光电晶体管、激光器和光电二极管等都采用砷化镓材料制造。
2. 光通信：砷化镓在光通信领域有广泛的应用。
在高速传输和远距离通信方面，砷化镓材料可以实现更高的传输速率和更远的传输距离。
3. 无线通信：砷化镓材料在无线通信领域也有应用，尤其是在高频率无线通信领域具有较好的表现。
四、市场趋势1. 5G通信市场的快速发展将推动砷化镓市场的增长。
砷化镓在5G通信设备中具有重要的应用，如高频率功放和毫米波器件等。
2. 光通信市场的迅速发展也将促进砷化镓市场的增长。
随着光纤网络的普及和数据中心的建设，对高速传输设备的需求不断增加，从而推动了砷化镓材料的需求。
3. 物联网和人工智能的快速发展也将对砷化镓市场起到积极的推动作用。
随着物联网和人工智能设备的普及，对高性能半导体材料的需求将不断增加，从而推动了砷化镓市场的增长。
五、市场竞争格局目前，全球砷化镓市场呈现出龙头企业垄断的格局。
主要的砷化镓材料生产商包括Cree、华虹半导体、晶方科技等。
这些企业在技术研发和市场拓展方面具有一定的竞争优势。
六、发展前景随着5G通信、光纤网络和物联网等技术的广泛应用，砷化镓市场将保持较高的增长速度。
尤其是随着国内半导体产业的快速发展，砷化镓产业在国内市场也将迎来更大的发展空间。
砷化镓太阳能电池的实际应用
摘自北极星太阳能光伏网
该研究得到国家自然科学基金、中科院知识创新 工程重要方向项目、苏州市科技专项等相关支持 。
图1. 基于高效砷化镓电池的聚光型光伏发电模组
来源：21世纪新能源网
图2. 基于高效砷化镓电池的聚光型光伏 发电系统
来源：21世纪新能源网
神舟九号飞船强大的心脏：太阳能电池和储能系统
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在2008年，全球的砷化镓电池的生产取得突破性的发展，4月，作为砷化 镓生产的全球主要厂家之一SpectroLab，获得350兆瓦，9300万美元 （1000倍聚光）的电站订单。 2007年8月开始，由于聚光技术的采用，砷化镓电池从卫星上的使用转变 为聚光的太阳能发电站的规模应用。为此，Emcore公司花了1000万美 元，将产能增加到目前的每年150兆瓦。 在东亚地区，也有初步的生产推广，2008年5月，韩国电站就接到70兆瓦 ，2800万美元（500倍聚光）的订单。
6月16日18时49分，神舟九号飞船(下称“神九飞船”)发射12分钟后，在浩瀚太 空中成功展开位于两侧的太阳能电池帆板，犹如神九飞船长出的一对美丽翅膀。 事实上，这对太阳能电池帆板，正是神九飞船的“翅膀”，为其遨游太空解，从神一到神七，飞船“翅膀”上 安装的都是晶硅太阳能电池，但神九采 用的三结砷化镓电池，其光电转化效率 可达30%左右，较之以前的晶硅电池， 其光电转化效率提高了50%以上;与之前 同样面积的太阳能帆板相比，其使所发 出的电能也增加了50%以上。
目前市场上的砷化镓电池
产品详情
• 据悉，目前某些国内企业正在从事将三结砷化 镓太阳电池应用于地面的工作，通过减小电池 的面积，用聚光材料把数百倍的太阳光聚焦到 非常小的电池片上，以减少成本;此外还需要安 装对日跟踪装置追随阳光踪迹，在聚光条件下 其理论光电转换效率可达到40%。 • “不过，目前三结砷化镓太阳电池工艺复杂、生 产成本还非常高，还要解决很多问题，所以暂 时难以进入大规模推广阶段。”据孟宪淦透露， 目前三结砷化镓电池的成本高达数千元/瓦，远 高于目前15元/瓦的普通多晶硅电池系统成本。 然而，有业内人士预测，在未来几年，随着生 产技术的持续进步，聚光型砷化镓太阳电池地 面应用成本有望不断下降，并逐渐进入快速发 展阶段。
6英寸砷化镓的现状及发展趋势
6英寸砷化镓的现状及发展趋势摘要：砷化镓广泛应用于光电子和微电子领域，是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。
与硅单晶一样，砷化镓衬底正逐步向大尺寸、高几何精度、高表面质量方向发展。
目前，日本住友电工、美国AXT代表着国际领先水平，中科晶电、晶明公司代表着国内的先进水平。
未来几年是国内企业研发6英寸产品，向国际水平冲击的重要时期。
关键词：6英寸砷化镓；现状；发展趋势引言：砷化镓（GaAs）是目前最重要、最成熟的化合物半导体材料之一，广泛应用于光电子和微电子领域。
GaAs材料主要分为两类：半绝缘砷化镓材料和半导体砷化镓材料。
半绝缘砷化镓材料主要制作MESFET、HEMT和HBT结构的集成电路。
主要用于雷达、微波及毫米波通信、超高速计算机及光纤通信等领域。
半导体砷化镓材料主要应用于光通信有源器件（LD）、半导体发光二极管（LED）可见光激光器、近红外激光器、量子阱大功率激光器和高效太阳能电池。
1砷化镓技术发展现状1.1随着GaAsIC集成度的提高和降低成本的需要，砷化镓材料总的发展趋势是晶体大直径，长尺寸化。
2000年已研制出8英寸LEC砷化镓单晶抛光片，2002年研制出8英寸VGF砷化镓单晶抛光片及8英寸VGF砷化镓外延片，2006年制定出8英寸砷化镓抛光片SEMIM9.8标准。
半导体材料应用增多，最大应用商品为6英寸。
由于8英寸砷化镓器件生产线投入太大，造成了8英寸砷化镓衬底没有形成量产。
（见图一）图1随着微波砷化镓器件集成度的提高和降低成本的需求，半绝缘砷化镓抛光片的发展趋势是增大直径、提高电学参数的均匀性和一致性。
为了提高单片管芯数量，要求增加衬底晶片的尺寸，同时对晶片的几何参数以及表面状态的要求更高，对产品的批次一致性要求也更严格。
6英寸半绝缘砷化镓抛光片生产技术主要掌握在日本住友电工、德国费里伯格、美国AXT三个公司手中。
这些公司的产品占据着砷化镓市场的绝大部分份额。
砷化镓单晶生长技术也向成晶率高、成本低的VB/VGF单晶生长技术转移。
砷化镓材料国内外现状及发展趋势
砷化镓材料国内外现状及发展趋势中国电子科技集团公司第四十六研究所纪秀峰1 引言化合物半导体材料的研究可以追溯到上世纪初，最早报导的是1910年由Thiel等人研究的InP材料。
1952年，德国科学家Welker首次把Ⅲ-Ⅴ族化合物作为一种新的半导体族来研究，并指出它们具有Ge、Si等元素半导体材料所不具备的优越特性。
五十多年来，化合物半导体材料的研究取得了巨大进展，在微电子和光电子领域也得到了日益广泛的应用。
砷化镓（GaAs）材料是目前生产量最大、应用最广泛，因而也是最重要的化合物半导体材料，是仅次于硅的最重要的半导体材料。
由于其优越的性能和能带结构，使砷化镓材料在微波器件和发光器件等方面具有很大发展潜力。
目前砷化镓材料的先进生产技术仍掌握在日本、德国以及美国等国际大公司手中，与国外公司相比国内企业在砷化镓材料生产技术方面还有较大差距。
2 砷化镓材料的性质及用途砷化镓是典型的直接跃迁型能带结构，导带极小值与价带极大值均处于布里渊区中心，即K=0处，这使其具有较高的电光转换效率，是制备光电器件的优良材料。
在300 K时，砷化镓材料禁带宽度为1.42 eV，远大于锗的0.67 eV和硅的1.12 eV，因此，砷化镓器件可以工作在较高的温度下和承受较大的功率。
砷化镓（GaAs）材料与传统的硅半导体材料相比，它具电子迁移率高、禁带宽度大、直接带隙、消耗功率低等特性，电子迁移率约为硅材料的5.7倍。
因此，广泛应用于高频及无线通讯中制做IC器件。
所制出的这种高频、高速、防辐射的高温器件，通常应用于无线通信、光纤通信、移动通信、GPS全球导航等领域。
除在I C产品应用以外，砷化镓材料也可加入其它元素改变其能带结构使其产生光电效应，制成半导体发光器件，还可以制做砷化镓太阳能电池。
表1 砷化镓材料的主要用途3 砷化镓材料制备工艺从20世纪50年代开始，已经开发出了多种砷化镓单晶生长方法。
目前主流的工业化生长工艺包括：液封直拉法（LEC）、水平布里其曼法（HB）、垂直布里其曼法（VB）以及垂直梯度凝固法（VGF）等。
镓的市场_生产_价格与发展
・专题论述・镓的市场、生产、价格与发展赵秦生(中南大学,湖南长沙410083) 摘 要:对近年来金属镓的主要用途、市场、生产、价格与发展作了评述,并介绍了俄罗斯和哈萨克斯坦金属镓的生产情况。
关键词:镓;用途;市场;生产;价格 中图分类号:F41613 文献标识码:A 文章编号:1004-0536(2001)04-0042-031 对世界镓市场的评估与展望镓在现代科学技术特别是半导体材料和微电子中应用广泛,世界镓的年消耗量约200t[1]。
111 镓的主要用途在国外镓主要用于光电子工业和微波技术元件,约5%用于逻辑电路。
以镓化合物为基的产品用于电子技术,较硅和锗具有很大优点。
镓化合物的抛光片较硅片运作更快,工作温度和发射区间更宽。
镓主要以砷化镓和磷化镓的形式用于高新技术领域[2]。
砷化镓的主要产品类型是直径为50mm、75mm和100mm的抛光片。
抛光片又分为两种,一种为半绝缘片,用于生产集成电路;另一种为半导体片,用于光电子工业。
为制得半导体薄片,通常采用铟、硒、碲、锡、硅、锌及其他元素作掺杂剂。
为生产不同用途的激光二极管,采用以砷化镓为基的多元体系:G aAs/AlG aAs,G aAs/ InG aAs,lnG aAs/G aAlAs,InP/InG aAs等。
砷化镓的生产相当复杂和昂贵,因为该生产产生大量单晶废料。
在国外,砷化镓的生产和应用工作常得到国家的资助。
砷化镓在国外的主要应用领域为光学仪器、高速反应仪器、相似元件和电子流动性高的三极管类型的元件。
在俄罗斯,砷化镓集成电路主要用于国防工业,而在民用工业中通常用价格便宜的单晶硅来代替它。
在苏联解体后,俄罗斯砷化镓用量有所缩小。
目前其部分军工开发的产品已开始用于民用。
据统计资料,前苏联早在1985年就生产金属镓2416t,其中俄罗斯生产12136t,哈萨克斯坦生产1212t。
根据俄罗斯一位专家估计,法国Phone-P oulenc公司和德国汉堡铝厂镓生产厂生产1 kg6N镓(G a9919999%)的成本在300～240美元之间。
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砷化镓材料国内外市场供应现状及主要需求1 国内外砷化镓材料发展现状半绝缘砷化镓材料主要用于高频通信器件，受到近年民用无线通信市场尤其是手机市场的拉动，半绝缘砷化镓材料的市场规模也出现了快速增长的局面。
2003～2008年，半绝缘砷化镓市场需求增长了54%。
目前微电子用砷化镓晶片市场主要掌握在日本住友电工（Sumitomo Electric）、费里伯格（Freiberger Compound Materials ）、日立电线（Hitachi Cable）和美国AXT等四家大公司手中。
主要以生产4、6英寸砷化镓材料为主。
费里伯格公司供应LEC法生长的3、4、6英寸半绝缘砷化镓衬底，供应VGF法生长的4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
住友供应VB法生长的4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
日立电线供应LEC法生长的2、3、4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
AXT供应VGF法生长的2、3、4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
表1 国际砷化镓材料主要生产厂商目前中国的砷化镓材料生产企业主要以LED用低阻砷化镓晶片为代表的低端市场为主，利润率较高的微电子用4～6英寸半绝缘晶片还没有形成产业规模。
中国大陆从事砷化镓材料研发与生产的公司主要有：北京通美晶体技术有限公司（AXT）、中科晶电信息材料（北京）有限公司、天津晶明电子材料有限责任公司（中电集团46研究所）、北京中科镓英半导体有限公司、北京国瑞电子材料有限责任公司、扬州中显机械有限公司、山东远东高科技材料有限公司、大庆佳昌科技有限公司、新乡神舟晶体科技发展有限公司（原国营542厂）等九家。
北京通美是美国AXT独资子公司，其资金、管理和技术实力在国内砷化镓材料行业首屈一指，产品主要以VGF法4、6英寸半绝缘砷化镓材料为主。
其在高纯镓、高纯砷、高纯锗以及氮化硼坩埚等方面均有投资，有效地控制了公司成本，2009年销售收入8 000万美元，短期内国内其它各公司还难以和北京通美形成真正的竞争。
中科晶电成立于2006年，主要从事VGF砷化镓单晶生长和抛光片生产，该公司为民营企业，总投资为2 500万美元，在高纯砷和高纯镓方面也已投资建厂。
2009年月产2英寸砷化镓晶片10万片，2010年月产达到15万片。
该公司是目前国内发展速度最快的砷化镓企业。
天津晶明公司成立于2007年，由中国电子科技集团公司第四十六研究所投资，注册资本1400万元，总投入约5 000万元。
主要产品为2英寸LED用VB法低阻砷化镓晶体及抛光片，兼顾少量3~4英寸半绝缘砷化镓单晶材料。
目前拥用LEC单晶炉4台，VB单晶炉60台，已建成一条完整的单晶生长及抛光片加工生产线，目前月产约为3万片。
中科镓英公司成立于2001年，晶体生长只有两台LEC单晶炉，目前主要在国内购买HB或VGF砷化镓单晶进行抛光片加工，销售对象主要是国内的LED外延企业，月产约2~3万片。
北京国瑞公司和扬州中显公司主要生产2～2.5英寸HB砷化镓单晶，山东远东公司主要生产2英寸LEC（或称LEVB）砷化镓单晶，这三家公司的产品主要针对LED市场，其单晶质量、成品率以及整体经营状况都很稳定。
这三家公司目前都没有晶片加工工序，只能将单晶卖给其它公司进行加工。
大庆佳昌原主要从事LEC砷化镓单晶生长，曾生长出8英寸LEC砷化镓单晶样品。
2009年争取到政府立项投资1.3亿元，转向以VGF工艺生产LED用低阻砷化镓材料，目前已完成厂房建设和小试生产，其产品定位主要在4英寸市场。
新乡神舟公司主要从事LEC和HB砷化镓单晶生长，近期开始进行VGF法砷化镓工艺研究，目前的市场定位还不是很明确，主要以承担军工科研任务为主。
表2 国内砷化镓材料主要生产企业2、砷化镓应用领域及市场需求2．1 砷化镓应用领域概述砷化镓半导体材料与传统的硅材料相比，它的电子移动率约为硅材料的5 . 7 倍,。
它具有很高的电子迁移率、宽禁带、直接带隙，消耗功率低的特性。
因此,广泛运用於高频及无线通讯(主要为超过1 G H z 以上的频率).适于制做IC 器件。
所制出的这种高频、高速、防辐射的高温器件，通常应用于激光器、无线通信、光纤通信、移动通信、GPS 全球导航等领域。
砷化镓除在I C 产品应用以外,也可加入其它元素改变能带隙及其产生光电反应，达到所对应的光波波长,制作成光电元件。
由此可以看出，砷化镓材料的应用领域主要分为微电子领域和光电子领域。
在微电子领域中，使用的化合物半导体材料属于高端产品，主要用于制作无线通讯（卫星通讯、移动通讯）、光纤通讯、汽车电子等用的微波器件。
在光电子领域中，使用的化合物半导体材料属于低端产品，主要用于制作发光二极管、激光器及其它光电子器件。
无线通讯、光纤通讯、汽车电子等领域的高速发展，使得对砷化镓器件和电路的需求量急剧增加，进而极大地增加了对半绝缘砷化镓材料的需求量。
作为半绝缘砷化镓下游产业的砷化镓集成电路业市场平均增长近年都在40% 以上，尽管砷化镓分立器件的市场份额在逐步减少，砷化镓射频器件市场仍有30% 的年增长，加之卫星通讯系统和车载雷达用砷化镓单晶的潜在市场，半绝缘砷化镓的需求前景非常看好。
”2． 2 光通讯市场需求光纤通信具有高速、大容量、传输业务信息多的特点，是构筑“信息高速公路”的主干，成为现代信息社会的支柱产业。
而移动通信包括陆基、卫星移动通信及全球定位系统，最终实现在任意时间、任意地点与任何通信对象进行通信理想境界，其市场容量十分巨大。
光纤通信中，大于2.5G 比特/秒的光通信传输系统，其光通信收发系统均需采用 GaAs 超高速专用电路。
光通信发展极为迅速，据国外报道，光纤通信模拟GaAs市场近几年以年均34%的速度增长，到2004 年增长到约16.2 亿美元的市场规模，10 Gb/s 设备已成为最大的市场。
在10 Gb/s、40 Gb/s 系统中所用的器件和集成电路，包括激光驱动电路、MUX、DEMUX、跨阻放大器、限谱放大器等，GaAs 材料将占据重要位置。
2．3无线局域网（WLAN）市场需求WLAN 的概念虽提出较早，但由于技术的障碍一直未得到发展，直到90 年代初方获得较多的关切，并产生了IEEE802.11 标准，频段为902～928 MHZ，但由于速度仅达到2Mbps，仍未能受到市场过多赏识，1999 年底，IEEE802.11b 标准提出，频率提高到2.4～2.48GHZ，速率达到11Mbps，市场接受程度大大提高。
据ForwordConcepts 报告，WLAN芯片市场2002年达3.64亿美元。
在2.4 GHZ 以下频率时，使用SiGe 乃至SiBiCMOS 即可，而5GHZ 以上的芯片，则以GaAs IC 为佳，如：Ratheon、Envara 等公司开发的芯片均采用GaAs 材料。
为尽快满足WLAN 市场需求，Anadigics 收购了RF Solutions 的GaAs 功放生产线。
可见，无线局域网的高端传输必然对CaAs有很大需求。
根据Strategy Analytics 预测，在可预见的将来，数字有线电视（CATV）服务将需要基于砷化镓（GaAs）的高端基础设施元器件。
到2009 年，以GaAs 为基础的MMIC 和混合器件将在CATV 基础设施市场占据75%的份额，每年的需求增长为18%。
相比之下，到2009年用于CATV 的半导体市场增长率仅有3%。
北美和亚太地区将推动CATV 基础设施增长，占2009 年新数字有线电视用户的89%。
这将推动CATV 网络中system amplifier 和line extender 的需求，它们使用混合硅和砷化镓的部件。
据市场研究公司Strategy Analytics 发表的报告称，无线局域网GaAs集成电路市场2003年预计将增长139%，到2008 年的混合年平均增长率将达到21%。
交换机和电源放大器是GaAs 集成电路增长的主要机会。
到2008 年，GaAs电源放大器将占1.77亿件GaAs集成电路出货量的67%。
因此，Strategy Analytics预测，全部无线局域网交换机集成电路都将使用砷化镓技术，覆盖5GHz和2.4Ghz频率的双频段系统每个系统最多可采用2 个交换机。
全球5GHz无线局域网运营的统一以及迅速向采用802.11a/g 组合设备的双频段系统过渡，将促进GaAs集成电路市场的增长。
Strategy Analytics 的高级分析师Asif Anwar 在声明中称，电源放大器将是这个市场的亮点。
整个射频（RF）和与802.11相关的芯片，包括电源放大器和交换机，在2003年的销售收入将从2002年的4.87亿美元增长到6.37亿美元。
到2008年，802.11a/g 双频段组合设备将占整个出货量的75%。
2．4 汽车电子产品市场需求据统计，我国每年因交通事故死亡人数达九万人，损失愈百亿元，已成为工伤事故的第一杀手。
为避免交通事故的发生，在汽车中安装防撞雷达已成必然趋势。
汽车防撞雷达一般采用毫米波段，在这些波段范围内，最适合的器件是GaAs IC。
可以看出，随着技术的成熟、成本的降低，汽车防撞雷达由豪华轿车向大量生产的中、低档轿车发展，乃是必然趋势。
一旦GaAs 器件进入量产的汽车领域，市场前景不可限量。
鉴于此，GaAs 业界和汽车业界的大批厂家已涉足于此。
法国汽车零件制造商Valeo 就曾同GaAs IC生产厂商Raytheon 表示将合作生产雷达设备。
2．5 军事电子产品市场需求军事应用是GaAs 材料的传统领域。
GaAs 工业能发展到今天的程度，首先应归功于早期军事应用的需求牵引。
近年来，随着移动通讯的迅速发展，民用占整个GaAs 市场的份额已远远超过军用，但军用市场仍然是一个重要领域。
第一次海湾战争中，伊拉克的苏制雷达完全被美军雷达所屏蔽，在信息战中处于绝对被动位置，战斗力大打折扣，曾被称为“一场GaAs战胜Si”的战争。
自MIMIC 计划开始，美军在多种战术武器中开始装备采用GaAs IC 的设备，如主力战机中装载GaAs MMIC 相控阵雷达，电子战设备采用GaAs 器件，多种导弹中装载GaAs 引信等。
在最近的伊拉克战争中，美军数字化部队的出现，表明其GaAs 设备（如：GPS）装备部队的进程加快。
随着这种样板部队的普及，对GaAs IC 的需求必将大增。
而且，相对于民用来说，军用市场相对可以承受较高的价格，这也是2001 年整个GaAs 市场不景气时，主要占据军用市场的几家美国GaAs IC 公司效益仍然较好的原因。
2.6砷化镓在LED方面的需求市场发光二极管(Light Emitting Diode; LED)是半导体材料制成的组件，也是一种微细的固态光源，可将电能转换为光，不但体积小，且寿命长、驱动电压低、反应速率快、耐震性特佳，能够配合各种应用设备的轻、薄及小型化之需求，早已成为日常生活中十分普及的产品。