《集成电路芯片封装技术》考试题
集成电路封装测试技术考核试卷
19. ABC
20. ABCD
三、填空题
1.扁平式射频
2.球栅阵列封装
3.陶瓷塑料
4.逻辑功能电参数
5.热导率机械强度
6.引线键合
7.温度循环试验湿度试验
8. X射线检测
9.四边
10.晶圆级封装
四、判断题
1. √
2. ×
3. √
4. ×
5. ×
6. √
7. √
8. ×
9. ×
10. ×
五、主观题（参考）
1.封装主要保护芯片免受物理、化学和环境影响，确保其电性能稳定。封装还便于安装、焊接和散热，对集成电路的性能和可靠性至关重要。
2.评估封装可靠性通常通过环境试验、电测试和寿命试验等方法。常用测试包括高温试验、低温试验、温度循环试验、湿度试验和振动试验等。
3.表面贴装技术（SMT）适用于小型化、高密度封装，具有组装速度快、成本低、占用空间小、可靠性高等优点。
C.温度循环试验
D.霉菌试验
18.以下哪些封装工艺适用于芯片级封装（CSP）（）
A.倒装芯片封装
B.引线键合
C.球栅阵列封装
D.晶圆级封装
19.以下哪些因素会影响集成电路封装的信号完整性（）
A.封装形式
B.封装材料
C.引线长度
D.芯片设计
20.以下哪些技术可以用于提高集成电路封装的散热性能（）
A.散热片
2.所有集成电路封装形式都可以采用表面贴装技术。（）
3.焊线键合是封装工艺中用于连接芯片与引线框架的一种方法。（）
4.集成电路封装的电气性能测试只需要检测芯片的功能性。（）
5.塑料封装的成本通常高于陶瓷封装。（）
集成电路芯片基础知识单选题100道及答案解析
集成电路芯片基础知识单选题100道及答案解析1. 集成电路芯片的基本组成单元是（）A. 晶体管B. 电阻C. 电容D. 电感答案：A解析：晶体管是集成电路芯片的基本组成单元。
2. 以下哪种材料常用于集成电路芯片的制造？（）A. 铜B. 铝C. 硅D. 银答案：C解析：硅是目前集成电路芯片制造中最常用的材料。
3. 集成电路芯片的集成度是指（）A. 芯片中晶体管的数量B. 芯片的面积C. 芯片的性能D. 芯片的价格答案：A解析：集成度通常指芯片中晶体管的数量。
4. 以下哪种工艺技术常用于提高集成电路芯片的性能？（）A. 缩小晶体管尺寸B. 增加晶体管数量C. 降低工作电压D. 以上都是答案：D解析：缩小晶体管尺寸、增加晶体管数量和降低工作电压都可以提高集成电路芯片的性能。
5. 集成电路芯片的设计流程中，不包括以下哪个步骤？（）A. 系统规格定义B. 逻辑设计C. 封装测试D. 物理设计答案：C解析：封装测试是芯片制造完成后的环节，不属于设计流程。
6. 芯片中的布线主要用于（）A. 连接晶体管B. 存储数据C. 控制电流D. 提高速度答案：A解析：布线的作用是连接芯片中的晶体管等元件。
7. 以下哪种类型的集成电路芯片应用最广泛？（）A. 数字芯片B. 模拟芯片C. 混合信号芯片D. 射频芯片答案：A解析：数字芯片在计算机、通信等领域应用广泛。
8. 集成电路芯片的工作频率主要取决于（）A. 晶体管的开关速度B. 芯片的面积C. 电源电压D. 封装形式答案：A解析：晶体管的开关速度决定了芯片的工作频率。
9. 以下哪个不是集成电路芯片制造中的光刻工艺步骤？（）A. 涂胶B. 曝光C. 刻蚀D. 封装答案：D解析：封装不属于光刻工艺步骤。
10. 芯片的功耗主要由以下哪种因素决定？（）A. 工作电压B. 工作频率C. 晶体管数量D. 以上都是答案：D解析：工作电压、工作频率和晶体管数量都会影响芯片的功耗。
11. 集成电路芯片的可靠性与以下哪个因素无关？（）A. 制造工艺B. 工作环境C. 芯片价格D. 封装质量答案：C解析：芯片价格不影响其可靠性。
集成电路技术集成电路工艺原理试卷(练习题库)(2023版)
集成电路技术集成电路工艺原理试卷（练习题库）1、用来做芯片的高纯硅被称为（），英文简称（），有时也被称为（）。
2、单晶硅生长常用（）和（）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（）。
3、晶圆的英文是（），其常用的材料是（）和（）。
4、晶圆制备的九个工艺步骤分别是（）、整型、（）、磨片倒角、刻蚀、（）、清洗、检查和包装。
5、从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（）、O 和（）。
6、CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。
7、CZ直拉法的目的是（）。
8、影响CZ直拉法的两个主要参数是O和（）。
9、晶圆制备中的整型处理包括（）、（）和（）。
10、制备半导体级硅的过程：1、（）；2、（）；3、O011、热氧化工艺的基本传输到芯片的不同部分。
77、多层金属化指用来连接硅片上高密度堆积器件的那些金属层。
78、阻挡层金属是淀积金属或金属塞，其作用是增加上下层材料的附着。
79、关键层是指那些线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。
80、传统互连金属线的材料是铝，即将取代它的金属材料是铜。
81、溅射是个化学过程，而非物理过程。
82、表面起伏的硅片进行平坦化处理，主要采用将低处填平的方法。
83、化学机械平坦化，简称CMP,它是一种表面全局平坦化技术。
84、平滑是一种平坦化类型，它只能使台阶角度圆滑和侧壁倾斜，但高度没有显著变化。
85、反刻是一种传统的平坦化技术，它能够实现全局平坦化。
86、电机电流终点检测不适合用作层间介质的化学机械平坦化。
87、在CMP为零的转换器。
133、CD是指硅片上的最小特征尺寸。
134、集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。
简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜135、人员持续不断地进出净化间，是净化间沾污的最大来源。
136、硅片制造厂可分为六个的区域，各个区域的照明都采用同一种光源以达到标准化。
137、世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的。
集成电路封装与测试复习题（含答案）
集成电路封装与测试复习题(含答案)第1章集成电路封装概论2学时第2章芯片互联技术3学时第3章插装元器件的封装技术1学时第4章表面组装元器件的封装技术2学时第5章BGA和CSP的封装技术4学时第6章POP堆叠组装技术2学时第7章集成电路封装中的材料4学时第8章测试概况及课设简介2学时一、芯片互联技术1、引线键合技术的分类及结构特点？答：1、热压焊：热压焊是利用加热和加压力，使焊区金属发生塑性形变，同时破坏压焊界面上的氧化层，使压焊的金属丝与焊区金属接触面的原子间达到原子的引力范围，从而使原子间产生吸引力，达到“键合”的目的。
2、超声焊：超声焊又称超声键合，它是利用超声波(60-120kHz)发生器产生的能量，通过磁致伸缩换能器，在超高频磁场感应下，迅速伸缩而产生弹性振动经变幅杆传给劈刀，使劈刀相应振动；同时，在劈刀上施加一定的压力。
于是，劈刀就在这两种力的共同作用下，带动Al丝在被焊区的金属化层(如Al膜）表面迅速摩擦，使Al丝和Al膜表面产生塑性形变。
这种形变也破坏了Al层界面的氧化层，使两个纯净的金属面紧密接触，达到原子间的“键合”，从而形成牢固的焊接。
3、金丝球焊：球焊在引线键合中是最具有代表性的焊接技术。
这是由于它操作方便、灵活，而且焊点牢固，压点面积大，又无方向性。
现代的金丝球焊机往往还带有超声功能，从而又具有超声焊的优点，有的也叫做热(压)(超)声焊。
可实现微机控制下的高速自动化焊接。
因此，这种球焊广泛地运用于各类IC和中、小功率晶体管的焊接。
2、载带自动焊的分类及结构特点？答：TAB按其结构和形状可分为Cu箔单层带：Cu的厚度为35-70um，Cu-PI双层带Cu-粘接剂-PI三层带Cu-PI-Cu双金属3、载带自动焊的关键技术有哪些？答：TAB的关键技术主要包括三个部分：一是芯片凸点的制作技术；二是TAB载带的制作技术；三是载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线的焊接术。
制作芯片凸点除作为TAB内引线焊接外，还可以单独进行倒装焊（ＦＣＢ）4.倒装焊芯片凸点的分类、结构特点及制作方法？答：蒸镀焊料凸点：蒸镀焊料凸点有两种方法，一种是C4 技术，整体形成焊料凸点；电镀焊料凸点：电镀焊料是一个成熟的工艺。
集成电路先进封装技术考核试卷
6.系统级封装（SiP）的一个主要优点是__________，它可以提高电子产品的性能和功能。
（）
7.传统的__________封装技术因其较高的热阻和电感而逐渐被先进封装技术所取代。
（）
8.在倒装芯片封装（FC）中，芯片通常是__________朝下放置在基板上的。
（）
9.为了减小封装体积，提高集成度，__________封装技术被广泛应用于高性能电子产品中。
A.硅片级封装（SLP）
B.硅通孔技术（TSV）
C.系统级封装（SiP）
D.倒装芯片封装（FC）
14.关于球栅阵列封装（BGA），以下哪个描述是错误的？（）
A.提高了封装的电气性能
B.提高了封装的散热性能
C.适用于低频、低速电子产品
D.可以减小封装体积
15.下列哪种技术主要用于提高封装的集成度？（）
D.系统级封装（SiP）
20.以下哪些技术可用于集成电路封装中的互连？（）
A.金属线键合
B.硅通孔技术（TSV）
C.非导电胶粘接
D.引线键合
注意：请将答案填写在括号内，每题1.5分，共30分。
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.在集成电路封装技术中，__________是指将芯片直接连接到封装基板或互连结构的技术。
A.通常采用引线键合技术
B.适用于低频、低速电子产品
C.不能提高封装的集成度
D.可以有效降低封装成本
11.下列哪种材料主要用于制造TSV工艺中的通孔？（）
A.铜
B.铝
C.硅
D.硅氧化物
12.以下哪个因素不是影响集成电路可靠性的主要因素？（）
A.封装材料
半导体集成电路封装技术试题汇总(李可为版)
半导体集成电路封装技术试题汇总第一章集成电路芯片封装技术1.(P1)封装概念：狭义：集成电路芯片封装是利用（膜技术）及（微细加工技术），将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体结构的工艺。
广义：将封装体与基板连接固定，装配成完整的系统或电子设备，并确保整个系统综合性能的工程。
2.集成电路封装的目的：在于保护芯片不受或者少受外界环境的影响，并为之提供一个良好的工作条件，以使集成电路具有稳定、正常的功能。
3.芯片封装所实现的功能：①传递电能，②传递电路信号，③提供散热途径，④结构保护与支持。
4．在选择具体的封装形式时主要考虑四种主要设计参数：性能，尺寸，重量，可靠性和成本目标。
5.封装工程的技术的技术层次？第一层次，又称为芯片层次的封装，是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定电路连线与封装保护的工艺，使之成为易于取放输送，并可与下一层次的组装进行连接的模块元件。
第二层次，将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成一个电子卡的工艺。
第三层次，将数个第二层次完成的封装组成的电路卡组合成在一个主电路版上使之成为一个部件或子系统的工艺。
第四层次，将数个子系统组装成为一个完整电子厂品的工艺过程。
6.封装的分类？按照封装中组合集成电路芯片的数目，芯片封装可分为：单芯片封装与多芯片封装两大类，按照密封的材料区分，可分为高分子材料和陶瓷为主的种类，按照器件与电路板互连方式，封装可区分为引脚插入型和表面贴装型两大类。
依据引脚分布形态区分，封装元器件有单边引脚，双边引脚，四边引脚，底部引脚四种。
常见的单边引脚有单列式封装与交叉引脚式封装，双边引脚元器件有双列式封装小型化封装，四边引脚有四边扁平封装，底部引脚有金属罐式与点阵列式封装。
7.芯片封装所使用的材料有金属陶瓷玻璃高分子8.集成电路的发展主要表现在以下几个方面？1芯片尺寸变得越来越大2工作频率越来越高3发热量日趋增大4引脚越来越多对封装的要求：1小型化2适应高发热3集成度提高，同时适应大芯片要求4高密度化5适应多引脚6适应高温环境7适应高可靠性9.有关名词：SIP：单列式封装SQP：小型化封装MCP：金属鑵式封装DIP：双列式封装CSP：芯片尺寸封装QFP：四边扁平封装PGA：点阵式封装BGA：球栅阵列式封装LCCC：无引线陶瓷芯片载体第二章封装工艺流程1.封装工艺流程一般可以分为两个部分，用塑料封装之前的工艺步骤成为前段操作，在成型之后的工艺步骤成为后段操作2.芯片封装技术的基本工艺流程硅片减薄硅片切割芯片贴装，芯片互联成型技术去飞边毛刺切筋成型上焊锡打码等工序3.硅片的背面减薄技术主要有磨削，研磨，化学机械抛光，干式抛光，电化学腐蚀，湿法腐蚀，等离子增强化学腐蚀，常压等离子腐蚀等4.先划片后减薄：在背面磨削之前将硅片正面切割出一定深度的切口，然后再进行背面磨削。
集成电路封装考试答案
名词解释：1.集成电路芯片封装：利用膜技术及微细加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引用接线端子并通过可塑性绝缘介质灌装固定，构成整体立体结构的工艺。
2.芯片贴装：3.是将IC芯片固定于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。
4.芯片互联：5.将芯片与电子封装外壳的I/O引线或基板上的金属布线焊区相连接。
6.可焊接性:指动态加热过程中，在基体表面得到一个洁净金属表面，从而使熔融焊料在基体表面形成良好润湿能力。
7.可润湿性：8.指在焊盘的表面形成一个平坦、均匀和连续的焊料涂敷层。
9.印制电路板：10.为覆盖有单层或多层布线的高分子复合材料基板。
11.气密性封装：12.是指完全能够防止污染物（液体或固体）的侵入和腐蚀的封装。
13.可靠性封装：14.是对封装的可靠性相关参数的测试。
15.T/C测试：16.即温度循环测试。
17.T/S 测试：18.测试封装体抗热冲击的能力。
19.TH测试：20.是测试封装在高温潮湿环境下的耐久性的实验。
21.PC测试：22.是对封装体抵抗抗潮湿环境能力的测试。
23.HTS测试：24.是测试封装体长时间暴露在高温环境下的耐久性实验。
封装产品长时间放置在高温氮气炉中，然后测试它的电路通断情况。
25.Precon测试：26.模拟包装、运输等过程，测试产品的可靠性。
27.金线偏移：28.集成电路元器件常常因为金线偏移量过大造成相邻的金线相互接触从而产生短路，造成元器件的缺陷。
29.再流焊：30.先将微量的铅锡焊膏印刷或滴涂到印制板的焊盘上，再将片式元器件贴放在印制板表面规定的位置上，最后将贴装好元器件分印制板放在再流焊设备的传送带上。
简答：1.芯片封装实现了那些功能？传递电能、传递电路信号、提供散热途径、结构保护与支持2．芯片封装的层次五个层次：零级层次:在芯片上的集成电路元器件间的连线工艺第一层次：芯片层次的封装第二层次：将第一个层次完成的封装与其他电子元器件组成的一个电路卡的工艺第三层次：将第一个层次完成的封装组装成的电路卡组合成在一个主电路板上使之成为一个部件或子系统的工艺第四层次：将数个子系统组装成一个完整电子产品的工艺过程3.简述封装技术的工艺流程硅片减薄、硅片切割、芯片贴装、芯片互联、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码4.芯片互联技术有哪几种?分别解释说明打线健合技术（WB）：将细金属线或金属按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上形成电路互联。
集成电路芯片封装技术复习题
￥一、填空题1、将芯片及其他要素在框架或基板上布置，粘贴固定以及连接，引出接线端子并且通过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为狭义封装 ;在次基础之上，将封装体与装配成完整的系统或者设备，这个过程称之为广义封装。
2、芯片封装所实现的功能有传递电能；传递电路信号；提供散热途径；结构保护与支持。
3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。
4、芯片贴装的主要方法有共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴发、玻璃胶粘贴法。
5、金属凸点制作工艺中，多金属分层为黏着层、扩散阻挡层、表层金保护层。
6、成型技术有多种，包括了转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术、其中最主要的是转移成型技术。
'7、在焊接材料中，形成焊点完成电路电气连接的物质叫做焊料；用于去除焊盘表面氧化物，提高可焊性的物质叫做助焊剂；在SMT中常用的可印刷焊接材料叫做锡膏。
8、气密性封装主要包括了金属气密性封装、陶瓷气密性封装、玻璃气密性封装。
9、薄膜工艺主要有溅射工艺、蒸发工艺、电镀工艺、光刻工艺。
10、集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件（Module）、电路卡工艺（Card）、主电路板（Board）、完整电子产品。
11、在芯片的减薄过程中，主要方法有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平坦工艺、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子增强化学腐蚀等。
12、芯片的互连技术可以分为打线键合技术、载带自动键合技术、倒装芯片键合技术。
^13、DBG切割方法进行芯片处理时，首先进行在硅片正面切割一定深度切口再进行背面磨削。
14、膜技术包括了薄膜技术和厚膜技术，制作较厚薄膜时常采用丝网印刷和浆料干燥烧结的方法。
15、芯片的表面组装过程中，焊料的涂覆方法有点涂、丝网印刷、钢模板印刷三种。
16、涂封技术一般包括了顺形涂封和封胶涂封。
二、名词解释1、芯片的引线键合技术(3种)]是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上而形成电路互连，包括超声波键合、热压键合、热超声波键合。
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得分评分人《集成电路封装与测试技术》考试试卷
一、填空题（每空格1分共18分）
1、封装工艺属于集成电路制造工艺的工序。
2、按照器件与电路板互连方式，封装可分为引脚插入型（PTH）和两大类。
3、芯片封装所使用的材料有许多，其中金属主要为材料。
4、技术的出现解决了芯片小而封装大的矛盾。
5、在芯片贴装工艺中要求：己切割下来的芯片要贴装到引脚架的中间焊盘上，焊盘的尺寸要与芯片大小要。
6、在倒装焊接后的芯片下填充，由于毛细管虹吸作用，填料被吸入，并向芯片-基板的中心流动。
一个12,7mm见方的芯片，分钟可完全充满缝隙，用料大约0,031mL。
7、用溶剂来去飞边毛刺通常只适用于的毛刺。
8、如果厚膜浆料的有效物质是一种绝缘材料，则烧结后的膜是一种介电体，通常可用于制作。
9、能级之间电位差越大，噪声越。
10、薄膜电路的顶层材料一般是。
11、薄膜混合电路中优选作为导体材料。
12、薄膜工艺比厚膜工艺成本。
13、导电胶是与高分子聚合物（环氧树脂）的混合物。
14、绿色和平组织的使命是：。
15、当锡铅合金中铅含量达到某一值时，铅含量的增加或锡含量的增加均会使焊料合金熔点。
16、印制电路板为当今电子封装最普遍使用的组装基板，它通常被归类于层次的电子封装技术
17、印制电路板通常以而制成。
18、IC芯片完成与印制电路板的模块封装后，除了焊接点、指状结合点、开关等位置外，为了使成品表面不会受到外来环境因素，通常要在表面进行处理。
二、选择题（每题2分共22分）
1、TAB技术中使用（）线而不使用线，从而改善器件的热耗散性能。
A、铝
B、铜
C、金
D、银
2、陶瓷封装基板的主要成分有（）
A、金属
B、陶瓷
C、玻璃
D、高分子塑料
3、“塑料封装与陶瓷封装技术均可以制成双边排列（DIP）封装，前者适合于高可
靠性的元器件制作，后者适合于低成本元器件大量生产”，这句话说法是（）。
A、正确
B、错误
4、在芯片切割工序中，（）方法不仅能去除硅片背面研磨损伤，而且能
除去芯片引起的微裂和凹槽，大大增强了芯片的抗碎裂能力。
A、DBT法
B、DBG法
5、玻璃胶粘贴法比导电胶的贴贴法的粘贴温度要（）。
A、低
B、高
6、打线键合适用引脚数为（）
A、3-257
B、12-600
C、6-16000
7、最为常用的封装方式是（）
A、塑料封装
B、金属封装
C、陶瓷封装
8、插孔式PTH(plated through-hole 镀金属通孔)封装型元器件通常采用
（）方法进行装配。
A、波峰焊
B、回流焊
9、相同成分和电压应力下，长电阻较之短电阻电位漂移要（）
A、小
B、大
10、金属的电阻噪比半导体材料电子噪声（）。
A、高
B、低
11、（）技术适合于高密度和高频率环境
A、厚膜技术
B、薄膜技术。