半导体发光器件(led常识)
半导体发光器件
11.2.2半导体激光器的分类
半导体激光器种类很多，可依据半导体材料，器件结构， 输出功率和用途等不同方式划分。 1.按材料划分：激光二极管主要集中在 Ⅲ-Ⅴ族的AlGaAs , GaInAsP , InGaAlP , InGaN Ⅱ-Ⅵ族的ZnSSe , ZnO等材料， 应用最多的是AlGaAs , InGaAlP 和GaInAsP , InGaN 2.按波长划分：分可见光，红外光，远红外光。 3.按应用领域分：半导体激光器主要应用于光纤通信，光 盘存储，光纤传感，激光仪器等。
近似地正比于电流密度地增加，不易饱和，适用于脉冲下使用。
LED的驱动
LED基本直流电路如右图所示。 在工作过程中电流不得超过规定的极限值， 因此应在电路中加限流电阻 RL ，其值为：
RL UCC UF / I F
U UCC 为电源电压， F 和 I F 分别为管子的 正向电压和正向电流，可在相关的产品参数表 中查的
一般说来，GaAs的电流选用20mA，GaP的电流选用10mA， 便可得到足够地亮度
LED光源的特点
电压：LED使用低压电源，供电电压在6～24V，所以它是一个 比使用高压电源更安全的电源，特别适用于公共场所。 效能：消耗能量较同光效的白炽灯减少80％。 适用性：很强，每个单元LED小片是3～5mm的正方形，所以 可以制备成各种形状的器件，并且适合易变环境。 响应时间：其白炽灯地响应时间为ms级，LED灯为ns级 对环境污染：无有害金属汞 颜色：改变电流可以变色，可方便地通过化学修饰方法，调整 发光二极管的能带结构和带隙，实现红、黄、绿、蓝、 橙多色发光。 价格：LED价格比较昂贵，较之白炽灯，LED的价格就可以 与一只白炽灯相当，而通常每组信号灯需300-500只 LED构成。
led的半导体
led的半导体LED（Light Emitting Diode）是一种半导体器件，能够将电能转化为光能。
它具有低功耗、高效率、长寿命、快速开关等优点，因此广泛应用于照明、显示、通信、传感等领域。
下面将介绍LED的半导体原理、制造工艺以及应用领域。
半导体原理：LED是一种二极管，由P型半导体和N型半导体组成。
当外加电压施加在LED上时，电子从N型半导体区域向P型半导体区域注入，同时空穴从P型区域向N型区域注入，两者在P-N结附近复合释放出能量，产生光子。
这个过程被称为电致发光，LED的发光色彩和能量大小取决于P-N结材料的选择。
制造工艺：LED的制造工艺主要包括基片制备、外延生长、光刻、薄膜沉积、接触金属化、切割、封装等步骤。
基片制备是LED制造的第一步，常用的基片材料有蓝宝石、硅等。
外延生长通过气相沉积的方法，在基片上沉积一层P型或N型材料。
光刻是通过光刻胶和掩膜，在外延片上形成所需的模式。
薄膜沉积则用于改变材料的光学和电学性质，如增加透明度和反射率等。
接触金属化是为了使电流能均匀地流过整个芯片，提高LED的亮度和效率。
切割是将大面积的外延片切割成小芯片的过程。
最后，LED芯片会通过封装，保护和固定芯片，并将引线与外部电源连接。
LED的应用领域：1. 照明：由于LED的高效率、低功耗和长寿命，LED照明已经成为替代传统照明技术的主流选择。
LED灯泡、LED灯管、LED路灯等产品得到了广泛应用。
2. 显示：LED在平板显示器、电视、手机屏幕等领域被广泛采用。
由于LED的自发光特性和对比度较高，LED显示屏显示效果更为清晰、色彩更为鲜艳。
3. 通信：LED被用于光纤通信中的光源和光接收。
它具有高速调制、小尺寸、低功耗的特点，适用于高速、长距离的数据传输。
4. 传感：LED可以用作光电传感器，用于测量光强度、距离、颜色等参数。
例如，LED被应用在汽车行业的自动驾驶技术中，用于识别障碍物和交通标志。
总结：LED作为一种半导体器件，利用半导体原理将电能转化为光能。
LED的分类
LED的分类LED（Light Emitting Diode）是一种半导体发光器件，具有高效能、高亮度、低功耗、长寿命等优点，被广泛应用于照明、显示、通信等领域。
根据其不同的特性和应用，LED可以分为以下几类。
一、按照颜色分类：1. 白光LED：白光LED是通过混合不同颜色的发光材料来实现的，常见的有蓝光LED加黄色荧光粉或蓝光LED加磷光材料的组合。
白光LED具有高亮度、高效能和节能等优点，被广泛应用于照明领域。
2. 单色LED：单色LED只能发射一种颜色的光，常见的有红色LED、绿色LED、蓝色LED等。
单色LED具有较高的亮度和色彩饱和度，适用于显示屏、指示灯等应用。
二、按照封装方式分类：1. 顶部发光LED：顶部发光LED是指发光芯片位于封装器件的顶部，光线主要向上发射。
这种LED封装方式适用于需要聚光和点光源的应用，如汽车前大灯、手电筒等。
2. 侧面发光LED：侧面发光LED是指发光芯片位于封装器件的侧面，光线主要通过封装器件的侧面发射。
这种LED封装方式适用于需要侧面照明的应用，如背光源、指示灯等。
三、按照功率分类：1. 低功率LED：低功率LED通常功率在0.1瓦以下，适用于电子产品的指示灯、背光源等应用。
2. 高功率LED：高功率LED功率通常在0.5瓦以上，具有较高的亮度和发光效率，适用于照明、广告显示等高亮度应用。
四、按照应用场景分类：1. 室内照明LED：室内照明LED主要用于家庭、办公室、商场等室内照明场所，具有高亮度、节能、环保等优点。
2. 室外照明LED：室外照明LED主要用于路灯、景观灯、广告牌等室外照明场所，具有高亮度、抗震抗风、长寿命等特点。
3. 汽车照明LED：汽车照明LED主要用于汽车前大灯、尾灯、仪表盘等照明应用，具有高亮度、节能、快速响应等优势。
4. 显示屏LED：显示屏LED主要用于电视、电脑显示器、手机屏幕等显示设备，具有高亮度、色彩饱和度高、反应速度快等特点。
发光二极管LED介绍
发光二极管LED介绍发光二极管（LED）是一种半导体发光器件，由一个p型半导体和一个n型半导体构成的，具有单向导电性。
LED通过在p-n结处施加正向电压时，电子会从n型半导体的导带跃迁到p型半导体的价带，导致电子和空穴复合并释放能量而发光。
LED具有以下几个主要特点：1.高效：相比传统光源，LED的电光转换效率更高。
目前市场上的LED芯片的光电转换效率可以达到20-30%左右。
这使得LED在能源消耗方面更具优势。
3.节能：LED的能耗非常低，相较于白炽灯和荧光灯可以节能80%以上。
这对于节约能源和减少温室气体排放非常有益。
4.快速启动：与传统的光源相比，LED灯具具有快速启动的优点。
在瞬间亮起，无需预热时间。
5.抗震性好：LED芯片采用的是固态发光器件，没有玻璃壳体和薄玻璃管等易碎物质，抗震性能较强。
6.尺寸小：LED芯片的尺寸比较小，非常适合微型化灯具设计，可以用于各种复杂形状的灯具。
7.颜色丰富：通过对LED芯片进行不同材料的掺杂和处理，可以实现不同颜色的发光，包括红、绿、蓝、黄、橙、紫等，还可以实现多彩变化的灯光效果。
8.环保：LED不含有对环境有害的汞和铅等重金属，不会对环境造成污染。
并且LED可以进行可靠的回收和再利用。
除了以上特点，LED还有一些应用方面的优势。
例如：1.室内照明：LED灯具可以提供高质量的照明效果，可以调节亮度和颜色，并且有较好的光色还原性。
由于其高效、节能的特点，逐渐取代传统的照明光源，成为室内照明的主流选择。
2.屏幕显示：LED在显示行业中应用广泛，例如LED电视、显示屏和背光源等。
其高亮度、高对比度和高刷新率等特点，使得LED显示具有更好的图像质量，广泛应用于广告牌、室内外大屏幕等领域。
3.交通信号：LED具有快速响应和长寿命的优势，逐渐替代传统的交通信号灯，提供更可靠的信号指示。
4.汽车照明：LED在汽车照明方面的应用也非常广泛，例如车灯、日间行车灯、转向灯等。
半导体发光器件——LED和LD简介_郑志胜
三、LED和LD的调制特性 和 的调制特性
1.限制因素
低电流时,是 P-N结的空间电荷电容CJ； 高电流时,是注入复合区的少数载流子的寿命τ。
2.增加带宽的方法
例 增加复合区中掺杂剂的浓度，但会减小量子效率；增加电流密度。 巴勒斯LED的3dB带宽小于100MHz； 改进的顶发射LED的3dB带宽约为500MHz； 侧面发射LED的3dB带宽小于400MHz； 普通通讯LD的调制带宽均在1GHz以上。
普通结构
点接触
巴勒斯结构
环形接触
p n SiO2
特点：结构简单； 特点：圆对称性结构； 外部耦合效率较差 ； 辐射率高； 辐射率低。 光谱远场图有圆对称性。
2.侧面发射二极管类型 侧面发射二极管类型
结构图如下
接触
SiO2
条形接触
特点：功率小； 发射区尺寸小； 发散角小； 辐射度高。
二、半导体激光二极管 半导体激光二极管
半导体发光器件——LED和LD简介 和 简介 半导体发光器件
报告人：郑志胜
一、发光二极管（LED) 发光二极管（
顶端发射二极管 LED分类 侧面发射型发光二极管 辐射机理：当某种外部扰动（电压，电流）产生了电子-空穴对时，电 子-空穴对的复合会产生一个辐射。
1.顶端发射二极管类型 顶端发射二极管类型
1.结构图
P-GaAlAs P-GaAs
a
SiO2
2.激光管驱动阈值
当注入载流子产生的增益系数等于激光器的损耗时，此时的电 流称为阈值电流。阈值越小越好 。
3.激光器发射的若干问题
激光二极管的模式 在激光管中一般存在3个模式，m，s和q。也就是在三个轴线 上的光场波腹数。m对应于y轴，称为横模；s对应于x轴，称为侧 模；q对应于z轴，称为纵模。
半导体发光显示器件LED
1.5
2.0
2.5
上。
U (V)
2.3、亮度与电流关系
自发辐射情况下 由于存在非辐射复全以及隧道电流
在低电流密度下，m=1.3~1.5；在高电流密 度下，扩散电流起支配作用，m≈1。
2.4、LED的驱动
（2.4）
RL (U CC U F ) / I F
2.5、LED光源的特点
电压：LED使用低压电源，供电电压在6-24V之间，根据产品不同而 异，所以它是一个比使用高压电源更安全的电源，特别适用于公共场 所。
汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。1987 年，我国开始在汽车上安装高位刹车灯，由于 LED响应速度快（纳秒级），可以及早让尾随车 辆的司机知道行驶状况，减少汽车追尾事故的发 生。
另外，LED灯在室外红、绿、蓝全彩广告显示屏 得到了广泛的应用。
360ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱLED环型显示器
工作原理
分辨率的计算方法
P-N结发光原理
2.2、LED的伏安特性
120
开启电压与材料有关，
100
I (mA)
对 于 GaAs 是 1.0V ；
80
GaAs1-xPx 、 Ga1-
60
xAlxAs大致是1.5V；发
40
红光的GP是1.8V，发绿
光的GaP是2.0V。反向
20
击 穿 电 压 一 般 在 -5V 以
0 1.0
2.1、P-N结发光原理
由于少数载流子在电场作用下能量增加，
这些载流子在同质结或异质结区的注入与 复合而产生的发光叫做结型电致发光（又 称注入式电致发光）。概据这种发光现象 制成的发光器件称为结型电致发光显示器 件。
LED基础知识
（一）LED简介1、 LEDLED为Light Emitting Diode(发光二极管)的缩写。
LED是一种半导体固体器件，LED的最显著优点是使用节能，环保，和使用寿命长。
由于采用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些LED为三元素发光管。
而GaN（氮化镓）的蓝光 LED 、GaP 的绿光 LED和GaAs红外光LED，被称为二元素发光管。
而目前最新的工艺是用混合铝(Al)、钙(Ca) 、铟(In)和氮(N)四种元素的AlGaInN 的四元素材料制造的四元素LED，可以涵盖所有可见光以及部份紫外光的光谱范围。
2.LED照明术语波长：光的色彩强弱是可以通过数据来描述，这种数据叫波长。
能见到的光的波长，范围在380至780nm之间。
单位：纳米（nm）亮度：亮度是指物体明暗的程度，定义是单位面积的发光强度。
单位：尼特（nit）光强：指光源的明亮程度。
也即表示光源在一定方向和范围内发出的可见光辐射强弱的物理量。
单位：烛光（cd）光通量：光源每秒钟所发出的可见光量之总和。
单位：流明（Lm）光效：光源发出的光通量除以光源的功率。
它是衡量光源节能的重要指标。
单位：每瓦流明（Lm/w）。
显色性：光源对物体呈现的程度，也就是颜色的逼真程度。
通常叫做"显色指数"。
单位：Ra。
色温：光源发射光的颜色与黑体在某一温度下辐射光色相同时，黑体的温度称为该光源的色温。
单位：开尔文（k）。
眩光：视野内有亮度极高的物体或强烈的亮度对比，所造成的视觉不舒适称为眩光，眩光是影响照明质量的重要因素。
同步性：两个或两个以上LED灯在不规定时间内能正常按程序设定的同步方式运行，同步性是LED灯实现协调变化的基本要求。
防护等级：IP防护等级是将灯具依其防尘、防湿气之特性加以分级，由两个数字所组成，第一个数字代表灯具防尘、防止外物侵人的等级（分0-6级），第二个数字代表灯具防湿气、防水侵人的密封程度（分0-8级），数字越大表示其防护等级越高。
光致发光半导体
光致发光半导体光致发光半导体（Light Emitting Semiconductor，简称LED）是一种半导体器件，当通过半导体材料的电流流动时，该材料会发射光。
LED广泛用于照明、显示、通信等领域，因其高效、寿命长、耐用、低功耗等优点而备受青睐。
以下是LED的一些关键特点和原理：1.半导体材料：LED使用半导体材料作为发光源。
通常，LED采用的半导体材料包括镓砷化物（GaAs）、磷化铝（AlP）、硒化镉（CdSe）等。
这些材料的能带结构使得电子和空穴在材料内部复合并释放光子。
2.能带结构：LED的工作基于半导体材料的能带结构。
当电流通过半导体时，电子会从价带跃迁到导带，形成电子-空穴对。
当它们复合时，产生的能量以光子的形式释放，形成可见光。
3.发光颜色：使用不同的半导体材料或通过添加不同的杂质，可以实现不同颜色的发光。
例如，镓砷化物LED通常用于制造红色和红外线LED，而硒化镉LED可用于制造绿色和蓝色LED。
4.LED结构：典型的LED结构包括一个P型半导体层和一个N型半导体层之间的活性层。
在这个活性层中，电子和空穴发生复合并释放光子。
LED还包括外部封装，通常使用透明的材料，以保护LED并改善光的传播。
5.照明应用：LED广泛应用于照明领域。
LED灯具比传统的白炽灯和荧光灯更为高效，能够产生更亮的光，并具有更长的寿命。
LED还具有可调光性和颜色温度可调性的优势。
6.显示技术：LED也用于各种显示技术，如LED显示屏、LED电视和LED 背光。
LED显示具有高对比度、鲜艳的颜色和快速的响应时间。
总体而言，LED作为一种先进的光源技术，在多个领域都取得了显著的进展，并在能源效率、环保性和可靠性等方面展现了明显的优势。
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半导体发光器件（led常识）半导体发光器件包括半导体发光二极管（简称led）、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏（简称矩阵管）等。
事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。
一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用（一）led发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。
因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。
此外，在一定条件下，它还具有发光特性。
在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。
进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。
假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。
除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。
发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。
由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。
理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即λ≈1240/E g（mm）式中Eg的单位为电子伏特（eV）。
若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。
比红光波长长的光为红外光。
现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。
（二）led的特性1．极限参数的意义（1）允许功耗Pm:允许加于led两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。
超过此值，led发热、损坏。
（2）最大正向直流电流I Fm：允许加的最大的正向直流电流。
超过此值可损坏二极管。
（3）最大反向电压V Rm：所允许加的最大反向电压。
超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。
（4）工作环境t opm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。
低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。
2．电参数的意义（1）光谱分布和峰值波长：某一个发光二极管所发之光并非单一波长，其波长大体按图2所示。
由图可见，该发光管所发之光中某一波长λ0的光强最大，该波长为峰值波长。
（2）发光强度IV：发光二极管的发光强度通常是指法线（对圆柱形发光管是指其轴线）方向上的发光强度。
若在该方向上辐射强度为（1/683）W/sr时，则发光1坎德拉（符号为cd）。
由于一般led的发光二强度小，所以发光强度常用坎德拉(mcd)作单位。
（3）光谱半宽度Δλ:它表示发光管的光谱纯度.是指图3中1/2峰值光强所对应两波长之间隔.（4）半值角θ1/2和视角：θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向（法向）的夹角。
半值角的2倍为视角（或称半功率角）。
图3给出的二只不同型号发光二极管发光强度角分布的情况。
中垂线（法线）AO的坐标为相对发光强度（即发光强度与最大发光强度的之比）。
显然，法线方向上的相对发光强度为1，离开法线方向的角度越大，相对发光强度越小。
由此图可以得到半值角或视角值。
（5）正向工作电流If：它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。
在实际使用中应根据需要选择I F在0.6·I Fm以下。
（6）正向工作电压V F：参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。
一般是在I F=20mA时测得的。
发光二极管正向工作电压V F在1.4～3V。
在外界温度升高时，V F将下降。
（7）V-I特性：发光二极管的电压与电流的关系可用图4表示。
在正向电压正小于某一值（叫阈值）时，电流极小，不发光。
当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，发光。
由V-I曲线可以得出发光管的正向电压，反向电流及反向电压等参数。
正向的发光管反向漏电流IR<10μA以下。
（三）led的分类1．按发光管发光颜色分按发光管发光颜色分，可分成红色、橙色、绿色（又细分黄绿、标准绿和纯绿）、蓝光等。
另外，有的发光二极管中包含二种或三种颜色的芯片。
根据发光二极管出光处掺或不掺散射剂、有色还是无色，上述各种颜色的发光二极管还可分成有色透明、无色透明、有色散射和无色散射四种类型。
散射型发光二极管和达于做指示灯用。
2．按发光管出光面特征分按发光管出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、表面安装用微型管等。
圆形灯按直径分为φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等。
国外通常把φ3mm的发光二极管记作T-1；把φ5mm的记作T-1（3/4）；把φ4.4mm的记作T-1（1/4）。
由半值角大小可以估计圆形发光强度角分布情况。
从发光强度角分布图来分有三类：（1）高指向性。
一般为尖头环氧封装，或是带金属反射腔封装，且不加散射剂。
半值角为5°～20°或更小，具有很高的指向性，可作局部照明光源用，或与光检出器联用以组成自动检测系统。
（2）标准型。
通常作指示灯用，其半值角为20°～45°。
（3）散射型。
这是视角较大的指示灯，半值角为45°～90°或更大，散射剂的量较大。
3．按发光二极管的结构分按发光二极管的结构分有全环氧包封、金属底座环氧封装、陶瓷底座环氧封装及玻璃封装等结构。
4．按发光强度和工作电流分按发光强度和工作电流分有普通亮度的led（发光强度<10mcd）；超高亮度的led（发光强度>100mcd）；把发光强度在10～100mcd间的叫高亮度发光二极管。
一般led的工作电流在十几mA至几十mA，而低电流led的工作电流在2mA以下（亮度与普通发光管相同）。
除上述分类方法外，还有按芯片材料分类及按功能分类的方法。
（四）led的应用由于发光二极管的颜色、尺寸、形状、发光强度及透明情况等不同，所以使用发光二极管时应根据实际需要进行恰当选择。
由于发光二极管具有最大正向电流I Fm、最大反向电压V Rm的限制，使用时，应保证不超过此值。
为安全起见，实际电流I F应在0.6I Fm以下；应让可能出现的反向电压V R<0。
6V Rm。
led被广泛用于种电子仪器和电子设备中，可作为电源指示灯、电平指示或微光源之用。
红外发光管常被用于电视机、录像机等的遥控器中。
（1）利用高亮度或超高亮度发光二极管制作微型手电的电路如图5所示。
图中电阻R限流电阻，其值应保证电源电压最高时应使led的电流小于最大允许电流I Fm。
（2）图6(a)、(b)、(c)分别为直流电源、整流电源及交流电源指示电路。
图(a)中的电阻≈（E-V F）/I F；图(b)中的R≈（1.4V i-V F）/I F;图(c)中的R≈V i/I F式中，Vi——交流电压有效值。
（3）单led电平指示电路。
在放大器、振荡器或脉冲数字电路的输出端，可用led表示输出信号是否正常，如图7所示。
R为限流电阻。
只有当输出电压大于led的阈值电压时，led才可能发光。
（4）单led可充作低压稳压管用。
由于led正向导通后，电流随电压变化非常快，具有普通稳压管稳压特性。
发光二极管的稳定电压在1.4～3V间，应根据需要进行选择V F，如图8所示。
（5）电平表。
目前，在音响设备中大量使用led电平表。
它是利用多只发光管指示输出信号电平的，即发光的led数目不同，则表示输出电平的变化。
图9是由5只发光二极管构成的电平表。
当输入信号电平很低时，全不发光。
输入信号电平增大时，首先LED1亮，再增大LED2亮……。
（五）发光二极管的检测1．普通发光二极管的检测（1）用万用表检测。
利用具有×10kΩ挡的指针式万用表可以大致判断发光二极管的好坏。
正常时，二极管正向电阻阻值为几十至200kΩ,反向电阻的值为∝。
如果正向电阻值为0或为∞，反向电阻值很小或为0，则易损坏。
这种检测方法，不能实地看到发光管的发光情况，因为×10kΩ挡不能向led提供较大正向电流。
如果有两块指针万用表（最好同型号）可以较好地检查发光二极管的发光情况。
用一根导线将其中一块万用表的“+”接线柱与另一块表的“-”接线柱连接。
余下的“-”笔接被测发光管的正极（P区），余下的“+”笔接被测发光管的负极（N区）。
两块万用表均置×10Ω挡。
正常情况下，接通后就能正常发光。
若亮度很低，甚至不发光，可将两块万用表均拨至×1Ω若，若仍很暗，甚至不发光，则说明该发光二极管性能不良或损坏。
应注意，不能一开始测量就将两块万用表置于×1Ω，以免电流过大，损坏发光二极管。
（2）外接电源测量。
用3V稳压源或两节串联的干电池及万用表（指针式或数字式皆可）可以较准确测量发光二极管的光、电特性。
为此可按图10所示连接电路即可。
如果测得V F在1.4～3V之间，且发光亮度正常，可以说明发光正常。
如果测得VF=0或VF≈3V，且不发光，说明发光管已坏。
2．红外发光二极管的检测由于红外发光二极管，它发射1～3μm的红外光，人眼看不到。
通常单只红外发光二极管发射功率只有数mW，不同型号的红外led发光强度角分布也不相同。
红外led的正向压降一般为1.3～2.5V。
正是由于其发射的红外光人眼看不见，所以利用上述可见光led的检测法只能判定其PN结正、反向电学特性是否正常，而无法判定其发光情况正常否。
为此，最好准备一只光敏器件（如2CR、2DR型硅光电池）作接收器。
用万用表测光电池两端电压的变化情况。
来判断红外led加上适当正向电流后是否发射红外光。
其测量电路如图11所示。