第2章 高频电路基础(第2次课)

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高频电子线路二版第二章.高频电路基础

高频电子线路二版第二章.高频电路基础

次级回路自阻抗
M2
Zf1 Z22
初级回路自阻抗
M2
Zf2
Z11
Z22 次级回路自阻抗
Z11 初级回路自阻抗
广义失谐量: 0L ( 0 ) 2Q
r 0
0
耦合因子: A Q
临界耦合 A 1
欠耦合 A<1
过耦合 A>1
理相
1
0.7
实际
0.1
0
ω0
ω
② 选择性: 表征了对无用信号的抑制能力,
Q值越高,曲线越陡峭,选择性越好,但通频
带越窄。
③ 理想回路:幅频特性在通频带内应完全
平坦。是一个矩型.
矩型系数: 表征实际幅频特性与理想幅
频特性接近的程度.谐振曲线下降为谐振值( f0 处 )的0.1时对应的频带宽度B0.1与通频带B0.707 之比:
+
IS
RS
C
N1 N2 RL
+
R'L
IS
RS
C
L
分析:
由 N1:N2=1:n ,得 n = N2 / N1(接入系数)。利用ⅰ 的方法,也可求得负载RL等效到初级回路的等效电阻是:
பைடு நூலகம்RL
1 n2
RL
或 gL n2gL
ⅲ. 电容分压式阻抗变换电路
Ú
+
IS RS
L
C1 ÚT
C2
IS RS C L
C1 R'L
⑷ 分析几种常用的抽头并联谐振回路
ⅰ.自耦变压器阻抗变换电路
Ú1
+
IS
RS
C
N1 Ú2 L
N2
RL

第2章 高频电路基础

第2章  高频电路基础

0

1 1 2 2 1 2 1 (Q )
0
f B 2f 0 Q
Z arctan(2Q

0
) arctan
并联回路谐振时的电流、 电压关系: . IC
I C jC U
.
.
. I 0
U IR0
. U

Q R0 Q0 L 0C
R
接入系数: p
U jL1 I L L1 (高Q回路,I L I , 忽略互感) UT jLI L L

U 2 输入端等效电阻:R ( ) R0 p 2 R0 UT
U ) 2 R0 2 R
2 T
U2
图(b):
接入系数:
1 U C1 C2 p 1 UT C1 C2 CC 1 2 C1 C2
max

L R0 Cr
谐振特性:在并联振荡回路输入信号的频率为 0 时
(1)回路的阻抗最大、纯阻性 (2)回路两端电压最大
(3)电流、电压同相
谐振频率: 品质因数:
1 0 LC
0 L 1 Q0 0CR0 r 0Cr
L Q R0 Q0 L Cr 0C
谐振电阻:
功能: 频率选择 阻抗变换: 1)使信号源内阻和回路阻抗匹配 2)减小信号源和负载对谐振回路的影响
接入系数:与外电路相连的那部分电抗与本回路参与 分压的同性质总电抗之比 —— p
与外电路相连的那部分电抗上的电压与本 回路参与分压的同性质总电抗上的电压之比
p U UT
接入系数与阻抗变换公式: 图(a):
输入端等效电阻:
U 2 R ( ) R0 p 2 R0 UT

高频电路基础

高频电路基础
信息科学技术学院 电子信息科学与技术系 高频电子线路 第2章 5
3.高频电感
分布 电容 高频电感实际等效电路
损耗 电阻
高频电感 想模型 高频电感理想模型
电感损耗用品质因数Q表征:
Q
L
RL
电感损耗主要指交流损耗。在高 频电路中, 电感损耗比较大,不
高频电感阻抗特性
能忽略,分布电容可以忽略。
高频电子线路 第2章 6
绝对角频率偏移 0 表示(角)频率偏移谐振的程度(失谐)。
信息科学技术学院 电子信息科学与技术系 高频电子线路 第2章 12
阻抗Zp可化简为 Z p
R0 L Cr ,式中 2 1 j 1 jQ
f 广义失谐 2Q 2Q 0 f0
阻抗幅 Z p 频特性
信息科学技术学院 电子信息科学与技术系 高频电子线路 第2章 17
1 1/ 2 |zp|/R0 Q1>Q2 Q1 Q2
0
Z
π 2
感性 Q2
Q1
Q1>Q2
容性
0
0

π 2
空载品质因数:回路没有外加负载时的值,LC回路本身的品质 因数 称为空载Q值或Q0; 因数,称为空载 有载品质因数: 回路有外加负载 RL时的值,称为有载Q 值或 QL。
1 r j L jC 并联谐振阻抗 Z p 1 r j L jC
此时有 0 2 20
0
1 LC
L Cr 0 1 jQ 0
0 2 02
0 2 02 0 0 2 2 0 0 0 0 0
信息科学技术学院 电子信息科学与技术系 高频电子线路 第2章 7

高频电子线路 第2章-高频电路基础

高频电子线路 第2章-高频电路基础

1 1 L= 2 = ω0 C (2π ) 2 f 02C
以兆赫兹(MHz)为单位 C以皮法 为单位, 以皮法(pF)为单位 L以 为单位, 将f0以兆赫兹 为单位 为单位 以 微亨( )为单位, 上式可变为一实用计算公式: 微亨(µH)为单位, 上式可变为一实用计算公式:
1 2 1 25330 6 L = ( ) 2 × 10 = 2 2π f 0 C f0 C
(3) 求满足 求满足0.5 MHz带宽的并联电阻。 设回路上并联 带宽的并联电阻。 带宽的并联电阻 电阻为R 并联后的总电阻为R 电阻为 1, 并联后的总电阻为 1∥R0, 总的回路有载品 f0 质因数为Q 由带宽公式, 质因数为 L。 由带宽公式 有 Q =
L
B
此时要求的带宽B=0.5 MHz, 故 QL = 20 此时要求的带宽 回路总电阻为
主要包括电台、工业、空间电磁、天电等 主要包括电台、工业、空间电磁、
内部产生的一般称为噪声
人为:接地 回路耦合等 人为 接地,回路耦合等 接地 系统内:电阻 电子器件等的热噪声等 系统内 电阻,电子器件等的热噪声等 电阻
电子噪声:电子线路中普遍存在。 电子噪声:电子线路中普遍存在。指电子线路中的随 机起伏的电信号,与电子扰动有关。 机起伏的电信号,与电子扰动有关。 当噪声,干扰与信号可比拟时 称信号被噪声淹没 当噪声 干扰与信号可比拟时,称信号被噪声淹没 干扰与信号可比拟时 称信号被噪声淹没.
ωM M = 对于互感耦合: 对于互感耦合 k = 2 L1L2 ω L1L2
通常情况: 通常情况
M L1 = L2 = L 则 k = L
CC k= 对于电容耦合: 对于电容耦合 (C1 + CC )(C2 + CC )

第2章《高频电子线路》_(曾兴雯)_版高等教育出版社课后答案

第2章《高频电子线路》_(曾兴雯)_版高等教育出版社课后答案

2.2 高频电路中的基本电路
1、简单振荡回路 (1)并联谐振回路 (2)串联谐振回路
17
第2章 高频电路基础
(1)并联谐振回路 谐振特性:
振荡回路的阻抗在某一特定频率上具 有最大或最小值的特性称为谐振特性。
1 jC Zp 1 r jL j C (当 L r 时) L C 1 r j (L ) 谐振条件: C 当回路总电抗 X=0 时,回路呈谐振状态
Q0
L
r
品质因数 Q
Q 定义:高频电感器的感抗与其串联损耗电阻之比。
Q 值越高,表明该电感器的储能作用越强,损耗越小。
8
第2章 高频电路基础
2.1 高频电路中的元器件
二、高频电路中的有源器件 主要是:
二极管 晶体管
集成电路
完成信号的放大、非线性变换等功能。
9
第2章 高频电路基础
2.1 高频电路中的元器件
第2章 高频电路基础
第2章 高频电路基础
2.1 高频电路中的元器件 2.2 高频电路中的基本电路 2.3 电子噪声及其特性 2.4 噪声系数和噪声温度
1
第2章 高频电路基础
2.1 高频电路中的元器件
一、高频电路中的元件 高频电路中使用的元器件与在低频电路中使 用的元器件基本相同,但要注意它们在高频使用 时的高频特性。
号中心频率fs=10 MHz,回路电容C=50 pF,
试计算所需的线圈电感值。
(1) 若线圈品质因数为Q=100,试计算回路谐振电阻
及回路带宽。 (2) 若放大器所需的带宽B0.7=0.5 MHz,则应在回路 上并联多大电阻才能满足放大器所需带宽要求?
36
第2章 高频电路基础
(2)串联谐振回路 串联谐振回路是与并联谐振回路对偶的电路, 其基本特性与并联谐振回路呈对偶关系,通频带、 矩形系数与并联谐振回路相同。 电路组成: 电抗特性:

第2章 高频电路基础2009

第2章  高频电路基础2009

解 :(1) 计算L值。 由式(2 — 2), 可得
§3 抽头并联振荡回路 的阻抗变化(折合)关系
一.接入系数:
接入系数P 定义为:抽头点电压与端电压的比
也可定义为:接入点电压与欲折合处电压之比
1.变压器耦合接入电路:
P
U2 U1

N2 N1
2.电感抽头电路:
d + L2 a Is Rs + L1 Vab – b – Vbd
CL P CL
电容减小,阻抗加大。 结论:1、抽头改变时,P改变.
b
b
C2 C1 C
L1 L1 L 2
2、抽头由低高,等效导纳降低P2倍,Q值提高许 多,即等效电阻提高了 1 倍,并联电阻加大,Q 2 P 值提高。
因此,抽头的目的是:
减小信号源内阻和负载对回路的影响。 负载电阻和信号源内阻小时应采用串联方式; 负载电阻和信号源内阻大时应采用并联方式; 负载电阻信号源内阻不大不小采用部分接入方式 。
2
1 2
时所对应的频率范围


1 2
N (f) V om
Q0
2f 0.7 fo
f0 Q0
0.7
1
1 2
V0 m
2 f 0.7
B0.7
1
0
2
f
即 通频带 B

fo Qp
7. 信号源内阻和负载电阻对并联 谐振回路的影响
1 1 QL


1 R0

1 RL
RS

0 L
O
0


1Cຫໍສະໝຸດ 总结:串联振荡回路及其特性
2.品质因数Q :
谐振时回路感抗值(或容抗值)与回路电阻R的比值称 为回路的品质因数,以Q表示,它表示回路损耗的大小。

高频西电教学课件2-高频电路基础.ppt

IL IC QI
. IC
. I
0
.
U
17
(2-12) (2-14)
. IL
图2-5 表示了并联振荡回路中谐振时的电流、 电压关系。
第2章 高频电路基础
18
Zp
1
R jQ 2
R0 1 j
0
6)通频带(半功率点频带)
当保持外加信号的幅值不变而改变其频率时, 将回路电流值下降 为谐振值的 1 2 时对应的频率范围称为回路的通频带, 也称回路带宽, 通常用B来表示。 令上式等于 R0 2 , 则可推得ξ=±1, 从而可得带宽为:
矩形系数是大于1的(理想时为1),矩形系数越小,回路的
选择性越好。
对于单级简单并联谐振回路,可以计算出其矩形系数为:
Kr0.1 102 1 9.96
第2章 高频电路基础
20
需要说明的几点:通过前面分析可知
(1) 回路的品质因素越高,谐振曲线越尖锐,回路的通 频带越狭窄,但矩形系数不变。因此,对于简单(单级) 并联谐振回路,通频带与选择性是不能兼顾的。
11
|zp|/R0
.
I
1
. .+
L
.
C
IC C
IR IL . U
R0 L
1/ 2
Q1>Q2 Q1 Q2
Z /2
感性 Q2 0
Q1 Q1>Q2 容性
r

感性区
容性区 -/2
0
0
B
(a)
(b)
(c)
(d)
图2-4 并联谐振回路及其等效电路、 阻抗特性和辐角特性
(a) 并联谐振回路; (b)等效电路; (c)阻抗特性; (d)辐角特性
第2章 高频电路基础

高频电路课件

cj
u
PN结呈电容效应: PN结正偏时,扩散电容cD起主要作用; PN结反偏时,势垒电容(结电容) cj起主要 作用。
在PN结反偏时经过特殊处理使cj有较大变 化范围—变容二极管 2.晶体管 场效应管 高频小功率管:高增益,低噪声,工作频率可达
几GHz。 高频大功率管:高增益,较大输出功率。
几百MHz下,输出功率可达10-1000w。 场效应管:同高频率下,增益同级,噪声
通常用波形图或数学表达式描述,f(t) 2.频谱特性
(角)频率和振幅之间的关系。F(ω) 有幅频特性和相频特性。 周期信号离散的频谱;非周期信号连续的 频谱。 较复杂的信号用频谱表示较为方便。 重要参数是频带宽度。 例:语音范围在 100HZ-6KHZ, 一般在 300-3400HZ,
调幅带宽为 9KHZ, 调频带宽为 200KHZ, 电视带宽为 8MHZ。 频分复用是无线通信采用高频原因之一。 三.频率特性 指无线电信号的频率或波长。 无线电波在电磁波频谱中的位置看p5,在 电磁波中无线电波频率相对较低,波长相 对较长。 无线电波波段划分:p5
第二章 高频电路基础
• § 2.1 高频电路中的元器件
一.高频电路中的元件
1.高频电阻
cR
LR
R
LR—引线电感; cR —分布电R容 LR cR越小,高频特性越好, 高频特性与制作电阻的材料、封装形式和
尺寸大小有关。
金属膜电阻比碳膜电阻高频特性好;
碳膜电阻比线绕电阻高频特性好;
表面贴装电阻比引线电阻高频特性好;
更低。 一种砷化镓场效应管,工作频率可达十几 GHz。 金属氧化物场效应管,几GHz频率上, 输出功率能达几瓦。 3.集成电路 高频比低频品种少 通用有:宽带集成放大器,100-200 MHz,

第2章 抽头并联振荡回路


UT IL
I L
C
R0
U
U
(a)
UT
C1
L
R0
C2
(b)
《高频电子线路》
UT
C2 L
U
C1 R1
(c)
UT C
U1 L
R1
C1
UT
L
U1
C2 R1
(d)
(e)
图2-7 几种常见抽头振荡回路
第2章 高频电路基础
《高频电子线路》
下面以图2-7(a)、(b)为例分析抽头并联振荡回路的 特性。
(2) 阻抗变换特性
《高频电子线路》
回路两端电压u(t)与i(t)同相, 电压振幅U=IR=2 V, 故
输出电压为
u(t) = 2 cos107tV
u1(t) = pu(t) = cos107tV
回路有载品质因数
R 2000 QL = ω0L = 100 = 20
回路带宽
B = ω0 = 5 ×105 rad / s QL
≈ 199kΩ
有载品质因数QL
=
1
Q0 + R0
100 =
1 + 199
≈ 1.546
RL′
3.125
第2章 高频电路基础
《高频电子线路》
2-3 图示为一电容抽头的并联振荡回路。谐振频率 f0=1MHz,C1=400 pF,C2=100 pF 求回路电感L。 若 Q0=100,RL=2kΩ,求回路有载 QL值。
第2章 高频电路基础
《高频电子线路》
C = C1C2 = 40000 = 80 pF , C1 + C2 500 1
对于图(2-7)(a),考虑是窄带高Q的实际情况,设

魏俊平 高频电子线路 第2章 高频小信号选频放大器


R. S
Us
L rC
解:1. 计算不考虑 RS、 RL时的回路固
RL
有特性:f0、Q、RP、BW0.7
f0

2
1 LC
(
2
1
)Hz 465kHz
586 106 200 1012
586 106
Q
LC r

200 1012 12
143
RP

L Cr

(
586 106 200 1012
Is'U
' o

IsU12
I's

I sU 12 U 'o

U 12 U 13
Is

1 n1
Is

1mA 5
0.2 mA




Uo

U13 n2

U
' o
n2

I
' s
Re

0.2 30.6 V
n2
10
0.612 V
思考讨论题
1. LC并联谐振回路有何基本特性?说明Q对 回路特性的影响。
2.1 LC谐振回路
2.1.3抽头谐振回路 2.电容分压式
【例2-3、2-4】
第2章 高频电路基础
例 2-3 如图, 抽头回路由电流源激励,忽略回路本 身的固有损耗,试求回路两端电压 u1(t) 的表示式及 回路带宽。
29
例2.4 下图中,线圈匝数 N12 = 10 匝, N13 = 50 匝,N45 = 5 匝,L13= 8.4 mH, C = 51 pF, Q =100, Is = 1 mA , Rs =10 kW, RL= 2.5 kW, 求有载品质因数Qe、通频带BW0.7、谐振输出电压Uo。
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CR LR
R 图 2-1 电阻的高频等效电路
第2章 高频电路基础
2.1 高频电路中的基本元器件
2.1.1 高频电路中的元件 (3/7)
1) 电阻:分布电容CR和引线电感LR越小,表明电阻的 高频特性越好。电阻的高频特性与电阻的材料,封装形 式及尺寸大小有关。金属膜电阻比碳膜电阻高频特性好, 碳膜电阻比线绕电阻高频特性好;表面贴装比引线电阻 高频特性好;小尺寸电阻比大尺寸电阻高频特性好。
R
R
条件:X L 1 C 0, XL 0L 1 0C XC ,0 1 LC
特性阻抗:0L 1 0 C L C
这时阻抗Z最小,呈现完全阻性,电流最大。
第2章 高频电路基础
2.2 高频电路中的基本电路
2.2.1 高频振荡回路(4/40)
1) 简单振荡回路
第2章 高频电路基础
2.1 高频电路中的基本元器件
2.1.1 高频电路中的元件 (2/7)
1) 电阻:在低频使用时,电阻(器)主要表现为电阻特 性;在高频使用时,既表现有电阻特性,还表现有电抗 特性。电阻(器)的电抗特性反映其高频特性。一个电阻R 的高频等效电路如图2-1所示,其中CR为分布电容,LR为 引线电感,R为电阻。
0
.
I0
. UC
串联回路在谐振时的电流、 电压关系
第2章 高频电路基础
2.2 高频电路中的基本电路
2.2.1 高频振荡回路(13/40)
1) 简单振荡回路
(ii) 并联谐振回路-概述
.
L
C
IC C
r
(a)
. I . .+ IR IL .
U R0 L
|zp|/R0 1
1/ 2
Q1>Q2 Q1 Q2
Z /2
第2章 高频电路基础
2.2 高频电路中的基本电路
2.2.1 高频振荡回路(7/40)
1) 简单振荡回路
(i) 串联谐振回路-谐振曲线与通频带
在任意频率下的回路电流I与谐振电流幅值之比称为谐
振曲线,其归一化表达式为

I
I0
Q1>Q2
V
Q2
I

I0

Z

V

R Z

1
L 1
R
1 j C
R
Q1
1

I0
1
VS j
1

VS
j0C
j0C R
0CR
回路储存能量
2 每周期消耗能量
非谐振时:X≠0
X >0 时,呈现感性 L 1 C X <0 时,呈现容性 L 1 C
第2章 高频电路基础
2.2 高频电路中的基本电路
2.2.1 高频振荡回路(5/40)
1) 简单振荡回路
回路电流I的相位角随频率变化
的曲线称为相频特性曲线。
arctg X -arctgQ 2 arctg
R
0
第2章 高频电路基础
2.2 高频电路中的基本电路
2.2.1 高频振荡回路(11/40)
1) 简单振荡回路
(i) 串联谐振回路-内阻与负载对串联谐振回路的影响
第2章 高频电路基础
cos2
t

LIL2m
sin2
t)
2
第2章 高频电路基础
2.2 高频电路中的基本电路
2.2.1 高频振荡回路(6/40)
1) 简单振荡回路
(i) 串联谐振回路-能量关系
电容上储存的瞬时能量的最大值为:
WCm

1 2
CVC2m

1 2
CQ
V2 2 Sm

1C 2
1 R2
L C
VS2m

1 2
L
VS2m R2
(i) 串联谐振回路-谐振特性
谐振时:X=0,阻抗Z=R最小,呈完全阻性,回路电流
最大


Io VS
R
,| V
L

|| V
C
|
Q

|V
S
|
回路品质因数Q:


V L0


j0L I 0

j0
L
VS R

j
0
L

V
S
R

Q 0L 1 1 L R 0CR R C

V C0
SRF
相角
阻抗与相角
阻抗
0
频率 f
图 2-3 高频电感器的自身谐振频率SRF
第2章 高频电路基础
2.1 高频电路中的基本元器件
2.1.2 高频电路中的有源器件(1/1)
1) 二极管:半导体二极管在高频中主要用于检波、 调制、解调及混频等非线性变换电路中,工作在低电平。
2) 晶体管与场效应管(FET):在高频中应用的比用于 低频的性能更好,在外形结构方面也有所不同。高频晶 体管有两大类型: 一类是作小信号放大的高频小功率管, 主要要求是高增益和低噪声;另一类为高频功率放大管, 除了增益外,要求其在高频有较大的输出功率。
并联阻抗为
ZP

(r
jL)
1
jC
r jL 1 jC
(2-11)
通常ωL>>r(Q
>>1),ZP

L C
r j(L - 1 ) 1/[Cr j(C - 1 )]
C
L
L
回路两端电压为:V.

.
IS
ZP

.
IS
/[Cr L

j(C
- 1 )]
L
采用导纳分析,令:
直流电阻,同时由于涡流、磁滞和电磁辐射等损失,所 以电感就存在耗损。
品质因数:定义为电路中无功功率与有功功率之比, 是专门用来描述电路的能量耗损的。
第2章 高频电路基础
2.1 高频电路中的基本元器件
2.1.1 高频电路中的元件 (7/7)
3) 电感:高频电感器与普通电感器一样,电感量是其 主要参数。电感量L产生的感抗为jωL,其中ω为角频率。 高频电感器也具有自身谐振频率SRF。在SRF上,高频 电感的阻抗的幅值最大,相角为零,如图2-3所示。
(i) 串联谐振回路-能量关系
设谐振时瞬时电流:

i I 0 sin t
电容两端瞬时能量:
WC CvC2
2 CV 2 cos2 t Cm
2
电感两端瞬时能量:WL LiL2
2 LI 2 sin2 t Lm
2
瞬时能量之和:
W WC WL CvC2
2 LiL2
2

(CV 2 Cm
第2章 高频电路基础
第2章 高频电路基础
2.1 高频电路中的基本元器件 2.2 高频电路中的基本电路 (重点) 2.3 电子噪声及其特性 2.4 噪声系数和噪声温度
第2章 高频电路基础
2.1 高频电路中的基本元器件
2.1.1 高频电路中的元件 (1/7)
各种高频电路基本上是由有源器件、无源元 件和无源网络组成的。高频电路与低频电路使 用的元器件基本相同,主要注意它们在高频使 用时的高频特性。高频电路中的元件主要是电 阻(器)、电容(器)和电感(器),它们都属于无源 的线性元件。
0 2 02 ( 0 )( 0 ) 2 ( ) 2 f
0
0

0
0
f0

Q 2 0
为广义失谐,则
I I0
1
12
(2-4)
第2章 高频电路基础
2.2 高频电路中的基本电路
2.2.1 高频振荡回路(9/40)
1) 简单振荡回路
CR LR
R 图 2-1 电阻的高频等效电路
第2章 高频电路基础
2.1 高频电路中的基本元器件
2.1.1 高频电路中的元件 (4/7)
2) 电容:有介质隔开的两导体即构成电容,高频电容 的阻抗可以表示为电导和电纳的并联组合,其等效电路 如图2-2(a)所示。其中RC为极间绝缘电阻,由于介质的 非完全绝缘所致,LC为分布电感或极间电感。理想电容 器的阻抗1/(jωC),如图2-2(b)虚线所示,其中f 为工作频 率,ω=2πf。
3) 集成电路:用于高频的集成电路的类型和品种要 比用于低频的集成电路少得多,主要分为通用型(宽带集 成放大器)和专用型(ASIC)两种。
第2章 高频电路基础
2.2 高频电路中的基本电路
高频电路中无源网络有高频振荡回路、高频变压器、谐 振器与滤波器等,完成信号传输、频率选择及阻抗变换。
2.2.1 高频振荡回路(1/40)
阻抗
RC LC
C
图2-2 电容器的高频等效电路
0
频率 f
(a) 电容器的等效电路;(b) 电容器的(a) 阻抗特性
(b)
第2章 高频电路基础
2.1 高频电路中的基本元器件
2.1.1 高频电路中的元件 (5/7)
2) 电容:实际电容器在高频运用时的阻抗频率特性如 图2-2(b)实线所示,呈现V字形特性,且其具体形状与电 容器的种类和电容量不同有关。可见,每个电容器都有 一个自身谐振频率(SRF)。当工作频率小于SRF时,电 容为正常的电容特性。当工作频率大于SRF,电容器等 效为一个电感。
2.2 高频电路中的基本电路
2.2.1 高频振荡回路(10/40)
1) 简单振荡回路
(i) 串联谐振回路-谐振曲线与通频带
相对通频带:2f0.707 20.707 1
f0
0
Q
可见,通频带与回路品质因数成反比;Q越大,谐振曲
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